JPH05144886A - Ｔａｂテープの製造方法およびフオトマスク - Google Patents
Ｔａｂテープの製造方法およびフオトマスクInfo
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- JPH05144886A JPH05144886A JP3331377A JP33137791A JPH05144886A JP H05144886 A JPH05144886 A JP H05144886A JP 3331377 A JP3331377 A JP 3331377A JP 33137791 A JP33137791 A JP 33137791A JP H05144886 A JPH05144886 A JP H05144886A
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- JP
- Japan
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- photoresist
- copper foil
- tape
- exposure
- resist
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ＴＡＢテープの製造過程で形成される銅箔上
に塗布してできるレジスト両端部の盛り上がり部分を、
現像工程でレジストが完全に除去して配線パターンとの
ショート等の不良原因を無くすテープの製造方法を提供
する。 【構成】 フォトレジスト４の両端部の盛り上がり部５
を選択的に露光するようにして、配線パターン部６には
最適な露光量でフォトレジスト４を強制的に除去するよ
うにした工程をＴＡＢテープの製造過程に含めるように
したことを特徴とする。
に塗布してできるレジスト両端部の盛り上がり部分を、
現像工程でレジストが完全に除去して配線パターンとの
ショート等の不良原因を無くすテープの製造方法を提供
する。 【構成】 フォトレジスト４の両端部の盛り上がり部５
を選択的に露光するようにして、配線パターン部６には
最適な露光量でフォトレジスト４を強制的に除去するよ
うにした工程をＴＡＢテープの製造過程に含めるように
したことを特徴とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、新規な露光方法を用い
たＴＡＢ（Ｔａｐｅ ＡｕｔｏｍａｔｅｄＢｏｎｄｉｎ
ｇ）テープの製造方法に関するものである。
たＴＡＢ（Ｔａｐｅ ＡｕｔｏｍａｔｅｄＢｏｎｄｉｎ
ｇ）テープの製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】３層ＴＡＢテープは接着剤のついたテー
プ状のポリイミドフィルム面に片面を粗にした銅箔（厚
み１８〜７０μｍ）を貼り合わせた後、銅箔に配線パタ
ーンを形成するため、銅箔表面にレジストを塗布し、露
光機により配線パターンを露光し、現像の後レジストを
配線マスクとして銅箔をエッチングすることにより、配
線パターンを形成し、レジストを除去後、必要に応じて
金メッキ、錫メッキ、半田メッキ等を行なって製造され
る。
プ状のポリイミドフィルム面に片面を粗にした銅箔（厚
み１８〜７０μｍ）を貼り合わせた後、銅箔に配線パタ
ーンを形成するため、銅箔表面にレジストを塗布し、露
光機により配線パターンを露光し、現像の後レジストを
配線マスクとして銅箔をエッチングすることにより、配
線パターンを形成し、レジストを除去後、必要に応じて
金メッキ、錫メッキ、半田メッキ等を行なって製造され
る。
【０００３】上記製造過程において、図５に示されるよ
うに、銅箔３にレジスト４を塗布する工程では、レジス
ト４の厚さが中央部と比較して両端部５のみが厚くなる
傾向が見られる。なお、１はテープ状のポリイミドフィ
ルム、２は接着剤、６は配線パターン部である。
うに、銅箔３にレジスト４を塗布する工程では、レジス
ト４の厚さが中央部と比較して両端部５のみが厚くなる
傾向が見られる。なお、１はテープ状のポリイミドフィ
ルム、２は接着剤、６は配線パターン部である。
【０００４】露光では、配線パターン部６のある中央部
に露光量を合わせるため、レジスト両端部５は露光量不
足となり、光化学反応が不十分となり、次工程である現
像工程でレジスト４が完全に除去できず、図６に示すよ
うに、その後のエッチング工程で除去されるべき銅箔の
両端部に銅３′が残り配線パターン６とのショート等不
良の原因となる。
に露光量を合わせるため、レジスト両端部５は露光量不
足となり、光化学反応が不十分となり、次工程である現
像工程でレジスト４が完全に除去できず、図６に示すよ
うに、その後のエッチング工程で除去されるべき銅箔の
両端部に銅３′が残り配線パターン６とのショート等不
良の原因となる。
【０００５】そのため、エッチング工程で除去されるべ
き銅箔３の両端部に残った銅３′は、エッチング以降の
工程で接着層より強制的に引き剥がす必要があり、通常
手作業で行なわれる事が多い。しかし、これでは、工数
の増加によるコストアップ、また引き剥がすことでの製
品への変形等の発生による歩留まりの低下が起きてい
る。そのためレジスト中央部と両端部それぞれの最適露
光条件で、両方を満足しうる中間程度の条件を見い出し
て製造する方法が通常行なわれているが、完全に両端部
のレジストの除去はできていない。またこの方法では中
央部の配線パターン６が、過剰な露光現像条件になって
いるためパターンの高精細化に向いていない。
き銅箔３の両端部に残った銅３′は、エッチング以降の
工程で接着層より強制的に引き剥がす必要があり、通常
手作業で行なわれる事が多い。しかし、これでは、工数
の増加によるコストアップ、また引き剥がすことでの製
品への変形等の発生による歩留まりの低下が起きてい
る。そのためレジスト中央部と両端部それぞれの最適露
光条件で、両方を満足しうる中間程度の条件を見い出し
て製造する方法が通常行なわれているが、完全に両端部
のレジストの除去はできていない。またこの方法では中
央部の配線パターン６が、過剰な露光現像条件になって
いるためパターンの高精細化に向いていない。
【０００６】
【本発明が解決しようとする課題】本発明の目的は上記
の欠点を解消し、かつ中央部のエッチングパターンの高
精細化を可能にするＴＡＢテープの製造方法およびその
フォトマスクを提供することである。
の欠点を解消し、かつ中央部のエッチングパターンの高
精細化を可能にするＴＡＢテープの製造方法およびその
フォトマスクを提供することである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の請求項１の製造
方法は、テープ状の可撓性絶縁フィルム上に銅箔を張り
合わせ、この銅箔にフォトレジストを塗布し露光現像を
行なう際、フォトレジストの両端部を選択的に露光し、
フォトレジストを強制的に除去するようにすることであ
る。
方法は、テープ状の可撓性絶縁フィルム上に銅箔を張り
合わせ、この銅箔にフォトレジストを塗布し露光現像を
行なう際、フォトレジストの両端部を選択的に露光し、
フォトレジストを強制的に除去するようにすることであ
る。
【０００８】次に、請求項３の発明は、請求項１の両端
部を選択的に除去するためのフォトマスクで、フィルム
の長さ方向に延長された直線状パターンを両端部に設け
るようにするものである。
部を選択的に除去するためのフォトマスクで、フィルム
の長さ方向に延長された直線状パターンを両端部に設け
るようにするものである。
【０００９】さらに、請求項４の発明は、請求項３のフ
ォトマスクを用いた可撓性絶縁フィルムを順次移動させ
ながら露光し、フォトレジストの両端部を複数回露光す
るようにしてテープを製造する方法である。
ォトマスクを用いた可撓性絶縁フィルムを順次移動させ
ながら露光し、フォトレジストの両端部を複数回露光す
るようにしてテープを製造する方法である。
【００１０】
【作用】テープ状の可撓性絶縁フィルム上に銅箔を張り
合わせ、この銅箔にフォトレジストを塗布する工程にお
いて、ロールコーター、ディップ法等の塗布法を用いる
中央部のレジストは通常３〜５μｍ程度の厚みとなるよ
うにコントロールされている。このときの両端部のレジ
ストは通常市販されているポジタイプレジストでは、幅
で最大１．０ｍｍ、厚みで最大２０μｍ程度の盛り上が
り現象を示す。
合わせ、この銅箔にフォトレジストを塗布する工程にお
いて、ロールコーター、ディップ法等の塗布法を用いる
中央部のレジストは通常３〜５μｍ程度の厚みとなるよ
うにコントロールされている。このときの両端部のレジ
ストは通常市販されているポジタイプレジストでは、幅
で最大１．０ｍｍ、厚みで最大２０μｍ程度の盛り上が
り現象を示す。
【００１１】中央部の配線パターンを形成するために必
要な露光量は、上記レジスト厚みの場合、１００〜／４
００ｍＪ／ｃｍ２程度必要であるが、両端部のレジスト
の幅、厚み共に上記最大の場合、中央部の配線パターン
を形成するのに必要な露光量の少なくとも２倍以上の露
光量が必要である。
要な露光量は、上記レジスト厚みの場合、１００〜／４
００ｍＪ／ｃｍ２程度必要であるが、両端部のレジスト
の幅、厚み共に上記最大の場合、中央部の配線パターン
を形成するのに必要な露光量の少なくとも２倍以上の露
光量が必要である。
【００１２】本発明では、フォトレジスト塗布工程から
露光、そして現像の工程に至るまでのいずれかの工程に
おいて、中央部の配線パターンを侵すことなく両端部の
レジストを現像で完全に除去できるだけの露光量を選択
的に露光すれば良く、好ましくは現像工程の直前に露光
すれば、露光から現像後の放置時間が短くなり、より現
像液での除去性が向上する。
露光、そして現像の工程に至るまでのいずれかの工程に
おいて、中央部の配線パターンを侵すことなく両端部の
レジストを現像で完全に除去できるだけの露光量を選択
的に露光すれば良く、好ましくは現像工程の直前に露光
すれば、露光から現像後の放置時間が短くなり、より現
像液での除去性が向上する。
【００１３】方法としては、１つは水銀ランプとその点
灯装置から出る光をレンズ等により、例えば両端部のレ
ジストを１．５ｍｍ幅で除去したい場合、１．５ｍｍφ
あるいは１．５×１．５ｍｍ角等のスポット光とし、除
去したい部分にのみ照射し選択的に露光をすればよい。
灯装置から出る光をレンズ等により、例えば両端部のレ
ジストを１．５ｍｍ幅で除去したい場合、１．５ｍｍφ
あるいは１．５×１．５ｍｍ角等のスポット光とし、除
去したい部分にのみ照射し選択的に露光をすればよい。
【００１４】もう一つは、フォトマスクの設計において
両端部のみに少なくとも２回以上の露光履歴を与えるよ
うに、フィルムの長さ方向に延長された直線状パターン
を両端部に設ける。例えばフォトマスクサイズが５イン
チ角（１２７ｍｍ角）の場合で、投影露光方式でマス
ク：レジストパターン＝１：１の等倍露光を行なう場合
でパターンの長さが３８ｍｍの場合はレジスト両端部の
長さ方向に２倍の７６ｍｍ以上の直線状パターン部を設
ければ良く、１１４ｍｍ以上あれば３回以上の露光履歴
を与えることが可能である。この場合、パターンの幅方
向は、配線パターン部より外側のすべてに露光光が当た
るように設計しても良いし、１〜２ｍｍ程度の幅を持た
せて設計しても良い。このようなフォトマスクを用いて
フィルムをパターンの長さづつ順次移動させて露光させ
ることにより、フォトレジストパターン両端部を複数回
露光することが可能となる。また、レジスト層が上記２
０μｍより厚い場合でも上記２つの方式を組み合わせて
実施することでフォトレジスト両端部の盛り上がり部を
除去することが可能である。
両端部のみに少なくとも２回以上の露光履歴を与えるよ
うに、フィルムの長さ方向に延長された直線状パターン
を両端部に設ける。例えばフォトマスクサイズが５イン
チ角（１２７ｍｍ角）の場合で、投影露光方式でマス
ク：レジストパターン＝１：１の等倍露光を行なう場合
でパターンの長さが３８ｍｍの場合はレジスト両端部の
長さ方向に２倍の７６ｍｍ以上の直線状パターン部を設
ければ良く、１１４ｍｍ以上あれば３回以上の露光履歴
を与えることが可能である。この場合、パターンの幅方
向は、配線パターン部より外側のすべてに露光光が当た
るように設計しても良いし、１〜２ｍｍ程度の幅を持た
せて設計しても良い。このようなフォトマスクを用いて
フィルムをパターンの長さづつ順次移動させて露光させ
ることにより、フォトレジストパターン両端部を複数回
露光することが可能となる。また、レジスト層が上記２
０μｍより厚い場合でも上記２つの方式を組み合わせて
実施することでフォトレジスト両端部の盛り上がり部を
除去することが可能である。
【００１５】
【実施例】以下本発明の実施例について詳細に説明す
る。 実施例 １ 図５はレジスト露光前のＴＡＢテープ横断面図で、用い
たポリイミドテープ１は３５ｍｍ幅、厚さ１２５μｍ
（宇部興産製ユーピレックス１２５Ｓ）である。接着剤
２は、あらかじめポリイミドテープ１に２６．４ｍｍ幅
で、厚さ２０μｍ塗布されているもの（東レ製＃５７０
０）を用いた。銅箔３は幅２６．４ｍｍ、厚さ３５μｍ
のもの（日立電線製圧延銅箔）を用いた。上記接着剤付
きポリイミドテープ１と銅箔３をラミネータを用いて接
着した。さらに、銅箔３の表面にフォトレジスト４を中
央部での厚さが４μｍとなるように塗布した。この場
合、レジスト端部の盛り上がり部５は、幅１．０ｍｍ、
高さが１５μｍであった。
る。 実施例 １ 図５はレジスト露光前のＴＡＢテープ横断面図で、用い
たポリイミドテープ１は３５ｍｍ幅、厚さ１２５μｍ
（宇部興産製ユーピレックス１２５Ｓ）である。接着剤
２は、あらかじめポリイミドテープ１に２６．４ｍｍ幅
で、厚さ２０μｍ塗布されているもの（東レ製＃５７０
０）を用いた。銅箔３は幅２６．４ｍｍ、厚さ３５μｍ
のもの（日立電線製圧延銅箔）を用いた。上記接着剤付
きポリイミドテープ１と銅箔３をラミネータを用いて接
着した。さらに、銅箔３の表面にフォトレジスト４を中
央部での厚さが４μｍとなるように塗布した。この場
合、レジスト端部の盛り上がり部５は、幅１．０ｍｍ、
高さが１５μｍであった。
【００１６】次に、フォトマスクを用いて配線パターン
部６およびレジスト盛り上がり部５へ露光量３００ｍＪ
／ｃｍ２で露光し、現像工程に入る直前にフォトレジス
ト厚さ１５μｍの両端部の所へ、図１に示すように、ラ
ンプ電源７、超高圧水銀灯８、光学ユニット９、ライト
ガイドファイバーユニット１０、レンズ焦点調整ユニッ
ト１１からなる主波長３６５、４０５、４３６ｎｍであ
る微小面照射用照射装置（ウシオ電気製）を使用して照
射距離１５ｍｍ、照射形状１．５ｍｍ（幅）×１０ｍｍ
（長さ）で照射強度２，４４０ｍＷ／ｃｍ２にて照射し
た。このときのフィルムスピードは１６０ｃｍ／ｍｉｎ
である。照射強度２，４４０ｍＷ／ｃｍ２で、照射時間
はフィルムスピード１６０ｃｍ／ｍｉｎと、照射長さ１
０ｍｍから０．３７５秒となり、ｍＪ／ｃｍ２＝ｍＷ／
ｃｍ２×秒の関係から露光量としては、９００ｍＪ／ｃ
ｍ２とした。したがってレジスト両端部はトータル露光
量として３００ｍＪ／ｃｍ２＋９００ｍＪ／ｃｍ２＝
１，２００ｍＪ／ｃｍ２の露光履歴が与えられたことに
なる。このテープを現像した結果、フォトレジストの両
端部の盛り上がり部５は完全に除去することができ（図
７参照）、エッチング工程で銅３′が残ることによる配
線パターン６とのショート不良（図６参照）等の発生は
図８に示すように皆無であった。 実施例 ２ ポリイミドテープ１は３５ｍｍ幅、厚み１２５μｍ（宇
部興産製ユーピレックス１２５Ｓ）である。接着剤２
は、あらかじめポリイミドテープ１に２６．４ｍｍ幅で
厚さ２０μｍ塗布されているもの（東レ製＃５７００）
を用いた。銅箔３は幅２６．４ｍｍ、厚さ３５μｍのも
の（日立電線製圧延銅箔）を用いた。上記接着剤付きポ
リイミドテープ１と上記銅箔３をラミネータを用いて接
着した。さらに銅箔表面にフォトレジスト４を中央部で
４μｍ塗布した。この場合、レジスト端部の盛り上がり
部５は、幅１．０ｍｍ、高さが１５μｍであった。
部６およびレジスト盛り上がり部５へ露光量３００ｍＪ
／ｃｍ２で露光し、現像工程に入る直前にフォトレジス
ト厚さ１５μｍの両端部の所へ、図１に示すように、ラ
ンプ電源７、超高圧水銀灯８、光学ユニット９、ライト
ガイドファイバーユニット１０、レンズ焦点調整ユニッ
ト１１からなる主波長３６５、４０５、４３６ｎｍであ
る微小面照射用照射装置（ウシオ電気製）を使用して照
射距離１５ｍｍ、照射形状１．５ｍｍ（幅）×１０ｍｍ
（長さ）で照射強度２，４４０ｍＷ／ｃｍ２にて照射し
た。このときのフィルムスピードは１６０ｃｍ／ｍｉｎ
である。照射強度２，４４０ｍＷ／ｃｍ２で、照射時間
はフィルムスピード１６０ｃｍ／ｍｉｎと、照射長さ１
０ｍｍから０．３７５秒となり、ｍＪ／ｃｍ２＝ｍＷ／
ｃｍ２×秒の関係から露光量としては、９００ｍＪ／ｃ
ｍ２とした。したがってレジスト両端部はトータル露光
量として３００ｍＪ／ｃｍ２＋９００ｍＪ／ｃｍ２＝
１，２００ｍＪ／ｃｍ２の露光履歴が与えられたことに
なる。このテープを現像した結果、フォトレジストの両
端部の盛り上がり部５は完全に除去することができ（図
７参照）、エッチング工程で銅３′が残ることによる配
線パターン６とのショート不良（図６参照）等の発生は
図８に示すように皆無であった。 実施例 ２ ポリイミドテープ１は３５ｍｍ幅、厚み１２５μｍ（宇
部興産製ユーピレックス１２５Ｓ）である。接着剤２
は、あらかじめポリイミドテープ１に２６．４ｍｍ幅で
厚さ２０μｍ塗布されているもの（東レ製＃５７００）
を用いた。銅箔３は幅２６．４ｍｍ、厚さ３５μｍのも
の（日立電線製圧延銅箔）を用いた。上記接着剤付きポ
リイミドテープ１と上記銅箔３をラミネータを用いて接
着した。さらに銅箔表面にフォトレジスト４を中央部で
４μｍ塗布した。この場合、レジスト端部の盛り上がり
部５は、幅１．０ｍｍ、高さが１５μｍであった。
【００１７】次に、使用するフォトマスク（図２〜４参
照）は、５インチ角（１２７ｍｍ角）サイズの石英ガラ
ス製クロムマスクにパターン幅２４ｍｍ、パターン長さ
３８ｍｍの回路パターンを形成させ、パターン幅方向の
み２４ｍｍより外側へは、長さ１１４．５ｍｍで露光光
が照射されるようにしたフォトマスクパターン１２を使
い、フォトレジスト厚さ１５μｍの両端部の盛り上がり
部５と、配線パターン６の両方同時に露光量４００ｍＪ
／ｃｍ２で１：１等倍露光機にて、テープ送り量３８ｍ
ｍにて連続的に露光を行なった。
照）は、５インチ角（１２７ｍｍ角）サイズの石英ガラ
ス製クロムマスクにパターン幅２４ｍｍ、パターン長さ
３８ｍｍの回路パターンを形成させ、パターン幅方向の
み２４ｍｍより外側へは、長さ１１４．５ｍｍで露光光
が照射されるようにしたフォトマスクパターン１２を使
い、フォトレジスト厚さ１５μｍの両端部の盛り上がり
部５と、配線パターン６の両方同時に露光量４００ｍＪ
／ｃｍ２で１：１等倍露光機にて、テープ送り量３８ｍ
ｍにて連続的に露光を行なった。
【００１８】これによりパターン幅方向のみ２４ｍｍよ
り外部の部分は、３度の露光がなされ、トータル露光量
として１，２００ｍＪ／ｃｍ２の露光履歴となった。こ
のテープを現像した結果、フォトレジストの両端部の盛
り上がり部５は完全に除去することができ（図７参
照）、エッチング工程で銅が残ることによる配線パター
ンとのショート不良（図６）等の発生は皆無（図８参
照）であった。
り外部の部分は、３度の露光がなされ、トータル露光量
として１，２００ｍＪ／ｃｍ２の露光履歴となった。こ
のテープを現像した結果、フォトレジストの両端部の盛
り上がり部５は完全に除去することができ（図７参
照）、エッチング工程で銅が残ることによる配線パター
ンとのショート不良（図６）等の発生は皆無（図８参
照）であった。
【００１９】
【発明の効果】以上説明したように本発明ＴＡＢテープ
の製造方法を実施することにより、フォトレジスト工程
で形成された、レジスト厚さの厚い部分を含む回路パタ
ーン設計範囲外の銅箔両端部を、エッチング工程で除去
することができる。また回路設計範囲内は均一なレジス
ト厚みであるため回路パターンにとって最適な露光現像
条件で処理でき、高精細なパターン加工が可能となる。
またエッチング工程で除去されるべき銅箔両端部の銅が
完全に除去されるため、接着層から強制的に引き剥がす
必要がなくなり工数の削減と、さらに配線パターンとの
ショート等の不良および引き剥がすことで起きていた製
品の変形もなく歩留まりの向上につながる。
の製造方法を実施することにより、フォトレジスト工程
で形成された、レジスト厚さの厚い部分を含む回路パタ
ーン設計範囲外の銅箔両端部を、エッチング工程で除去
することができる。また回路設計範囲内は均一なレジス
ト厚みであるため回路パターンにとって最適な露光現像
条件で処理でき、高精細なパターン加工が可能となる。
またエッチング工程で除去されるべき銅箔両端部の銅が
完全に除去されるため、接着層から強制的に引き剥がす
必要がなくなり工数の削減と、さらに配線パターンとの
ショート等の不良および引き剥がすことで起きていた製
品の変形もなく歩留まりの向上につながる。
【図１】本発明ＴＡＢテープを製造する工程の一部を示
す構成概略図である。
す構成概略図である。
【図２】本発明に使用されるフォトマスクの一例を示す
平面図である。
平面図である。
【図３】本発明に使用されるフォトマスクの他の例を示
す平面図である。
す平面図である。
【図４】本発明に使用されるフォトマスクの別の例を示
す平面図である。
す平面図である。
【図５】レジスト露光前のＴＡＢテープの横断面図であ
る。
る。
【図６】従来のエッチング後におけるショート不良例の
横断面図である。
横断面図である。
【図７】本発明による現像後のＴＡＢ横断面図である。
【図８】本発明によるエッチング後の横断面図である。
１ ポリイミドテープ ２ 接着剤 ３ 銅箔 ４ フォトレジスト ５ レジスト端部の盛り上がり部 ６ 配線パターン部 ７ ランプ電源 ８ 超高圧水銀灯 ９ 光学ユニット １１ レンズ焦点調整ユニット １２ フォトマスクパターン
Claims (4)
- 【請求項１】 テープ状の可撓性絶縁フィルム上に銅箔
を張り合わせ、この銅箔にフォトレジストを塗布し露光
現像を行なう際、フォトレジストの両端部を選択的に露
光し、フォトレジストを強制的に除去する工程を含むこ
とを特徴とするＴＡＢテープの製造方法。 - 【請求項２】 露光方法がフォトレジストの両端部のみ
を別個に露光することを特徴とする請求項１記載のＴＡ
Ｂテープの製造方法。 - 【請求項３】 テープ状の可撓性絶縁フィルムの長さ方
向に延長された直線状パターンが両端部に設けられた半
導体回路形成用フォトマスクパターンを有することを特
徴とするフォトマスク。 - 【請求項４】 テープ状の可撓性絶縁フィルム上に銅箔
を張り合わせ、この銅箔にフォトレジストを塗布し露光
現像を行なう際、請求項３記載のフォトマスクを用いて
可撓性絶縁フィルムを順次移動させながら露光し、この
フォトレジストの両端部を複数回露光することを特徴と
するＴＡＢテープの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3331377A JPH05144886A (ja) | 1991-11-20 | 1991-11-20 | Ｔａｂテープの製造方法およびフオトマスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3331377A JPH05144886A (ja) | 1991-11-20 | 1991-11-20 | Ｔａｂテープの製造方法およびフオトマスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05144886A true JPH05144886A (ja) | 1993-06-11 |
Family
ID=18243009
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3331377A Pending JPH05144886A (ja) | 1991-11-20 | 1991-11-20 | Ｔａｂテープの製造方法およびフオトマスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05144886A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007072345A (ja) * | 2005-09-09 | 2007-03-22 | Seiko Epson Corp | 露光装置および配線基板の製造方法 |
| JP2019158966A (ja) * | 2018-03-08 | 2019-09-19 | トヨタ自動車株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
-
1991
- 1991-11-20 JP JP3331377A patent/JPH05144886A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007072345A (ja) * | 2005-09-09 | 2007-03-22 | Seiko Epson Corp | 露光装置および配線基板の製造方法 |
| JP2019158966A (ja) * | 2018-03-08 | 2019-09-19 | トヨタ自動車株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
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