JPH05144694A - 露光装置及び露光方法 - Google Patents

露光装置及び露光方法

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JPH05144694A
JPH05144694A JP30812191A JP30812191A JPH05144694A JP H05144694 A JPH05144694 A JP H05144694A JP 30812191 A JP30812191 A JP 30812191A JP 30812191 A JP30812191 A JP 30812191A JP H05144694 A JPH05144694 A JP H05144694A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wafer
exposure
chuck
suction
divided
Prior art date
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Withdrawn
Application number
JP30812191A
Other languages
English (en)
Inventor
Tomiyasu Saito
富康 齋藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
Priority to JP30812191A priority Critical patent/JPH05144694A/ja
Publication of JPH05144694A publication Critical patent/JPH05144694A/ja
Withdrawn legal-status Critical Current

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Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691Handling of masks or workpieces

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 露光装置におけるウェーハチャックの構造
と、この装置を使用する露光方法に関し、ウェーハ裏面
側に異物が存在する場合の転写パターンの品質低下を防
ぐことを目的とする。 【構成】 ウェーハチャック10の吸着面12a が複数個に
分割されており、この分割された吸着面12a が個別に吸
着オン・オフ並びに上下動するように構成されている。
ウェーハ1を先ずこのウェーハチャック10の全吸着面12
a で水平に吸着保持し、露光ショット毎にウェーハ1の
その露光ショットの露光領域1aを吸着する吸着面12a が
吸着を停止すると共に下降し、この状態でこの露光領域
1aを露光する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は露光装置、特に縮小投影
露光装置(以下、ステッパと記す)におけるウエーハチ
ャックの構造と、この露光装置を使用する露光方法に関
する。
【0002】ステッパは、例えば原寸の5倍に拡大した
パターンを有するマスク(即ちレチクル)を透過した光
を縮小投影レンズでウェーハ上に結像して露光するもの
であり、一回分(一ショット)の露光範囲が狭いため、
ウェーハを固定したウェーハチャックを移動台(XYス
テージ)でステップ移動しながら露光を繰り返して、ウ
ェーハ全域をカバーしている。
【0003】このステッパは微細パターンの転写に適す
るものであるが、半導体デバイスのパターン微細化が更
に進められているため、縮小投影レンズのNA(開口
数)を高めることで解像度の向上を図っている。レンズ
が高NA化すると焦点深度が浅くなるから、露光面には
高度の平坦性が要求されている。
【0004】
【従来の技術】ステッパのウェーハチャックの従来例を
図2を参照しながら説明する。図2は従来例の説明図で
あり、従来のウェーハチャック20が露光すべきウェーハ
1を水平に保持した状態を断面で模式的に示している。
【0005】このウェーハチャック20は極めて平坦に仕
上げた吸着面20a を有し、この吸着面20a には多数の吸
着口20b が開口している。吸着口20b は孔、溝等であ
り、真空排気口20c に連通している。真空排気口20c は
真空排気源(図示は省略)に連通している。このウェー
ハチャック20によりウェーハ1を真空吸着した場合、通
常はウェーハ1の表面は平坦となるが、ウェーハ1裏面
とチャック面20aとの間に塵埃等の異物Pが存在する
と、ウェーハ1は局部的に歪む。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】ところが、このように
ウェーハ裏面と吸着面との間に塵埃等の異物が存在して
ウェーハが局部的に歪むと、ウェーハ表面の位置(高
さ)が局部的に変化する。前述のように縮小投影レンズ
の焦点深度が浅いため、その部分を露光する際に焦点ズ
レを生じて投影像がぼけ、転写パターンの品質が低下す
る、という問題があった。
【0007】本発明はこのような問題を解決して、ウェ
ーハ裏面と吸着面との間に異物が存在する場合の転写パ
ターンの品質低下を防ぐことを目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】この目的は、本発明によ
れば、ウェーハ1を水平に吸着保持するウェーハチャッ
ク10の吸着面12a が複数個に分割されており、該分割さ
れた吸着面12a が個別に吸着オン・オフ並びに上下動す
るように構成されていることを特徴とする露光装置と
し、前記ウェーハ1を前記ウェーハチャック10に水平に
吸着保持し、露光ショット毎に該ウェーハ1の該露光シ
ョットの露光領域1aを吸着する前記吸着面12a が吸着を
停止すると共に下降し、この状態で該露光領域1aを露光
することを特徴とする露光方法とすることで、達成され
る。
【0009】
【作用】ウェーハチャックの吸着面が多数の区画に分割
されると共にその吸着面は各区画毎に吸着口を有してお
り、しかも吸着面の各区画を個別に吸着オフ及び下降を
させることが出来る。従って、一露光ショットの露光領
域に対応する区画の吸着面をその都度吸着オフ及び下降
させることにより、ウェーハ裏面と吸着面との間にたと
え塵埃等の異物があったとしても、露光時にはウェーハ
裏面と吸着面とが離れてウェーハの歪みが解消し、平坦
な状態で露光されることになる。従って、このような異
物に起因する転写パターンの品質低下はなくなる。
【0010】
【実施例】本発明に基づくウェーハチャックの実施例を
図1を参照しながら説明する。図1は本発明の実施例の
説明図であり、本発明に基づくウェーハチャック10が露
光すべきウェーハ1を水平に保持した状態を断面で模式
的に示している。同図において、(a) 及び(b) はそれぞ
れウェーハ裏面側に異物がない領域の露光の場合、ウェ
ーハ裏面側に異物がある領域の露光の場合を示してい
る。
【0011】ウェーハチャック10は主としてチャック本
体11と多数個のチャックピース12からなる。各チャック
ピース12は上下動機構(図示は省略)により個別に上下
動することが出来る。各チャックピース12の上面は吸着
面12a であり、それぞれの上下動の上限で各吸着面12a
が極めて平坦な一平面の一部を構成するように仕上げら
れている。この各吸着面12a にはそれぞれ吸着口12b が
開口しており、各吸着口12b はそれぞれ開閉弁(図示は
省略)を介して真空排気源(図示は省略)に連通してい
る。
【0012】このウェーハチャック10にウェーハ1を水
平に吸着保持させ、移動台(図示は省略)でステップ移
動しながら露光を繰り返す訳であるが、この際、ウェー
ハ1を先ず全てのチャックピース12で吸着し、その後各
露光ショット毎にウェーハ1のその露光ショットの露光
領域1aの裏面を吸着するチャックピース12については吸
着を停止すると共に下降させる。その結果、そのチャッ
クピース12の吸着面12a はウェーハ1の裏面から離れ
る。従って、ウェーハ1裏面と吸着面12a との間に塵埃
等の異物Pがあっても、常にウェーハ1が平坦な状態で
露光することになる。
【0013】尚、図1においては露光領域1aの配置とチ
ャックピース12の配置が一致しているため、一つの露光
領域1aに対して一個のチャックピース12を下降させてい
るが、吸着面12a が更に細分化した場合には、一つの露
光領域1aに対して複数個のチャックピース12を下降させ
る。
【0014】本発明は以上の実施例に限定されることな
く、更に種々変形して実施することが出来る。例えば、
ウェーハチャックが真空吸着方式のものではなく、静電
吸着方式のものであっても、本発明は有効である。
【0015】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
ウェーハ裏面とウェーハチャック吸着面との間に異物が
存在する場合の転写パターンの品質低下を防ぐことが可
能な露光装置と露光方法を提供することが出来、半導体
装置製造の歩留り向上等に寄与する。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の実施例の説明図である。
【図2】 従来例の説明図である。
【符号の説明】
1 ウェーハ 1a 露光領域 10, 20 ウェーハチャック 11 チャック本体 12 チャックピース 12a, 20a 吸着面 12b, 20b 吸着口 20c 真空排気口 P 異物

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 ウェーハ(1) を水平に吸着保持するウェ
    ーハチャック(10)の吸着面(12a) が複数個に分割されて
    おり、 該分割された吸着面(12a) が個別に吸着オン・オフ並び
    に上下動するように構成されていることを特徴とする露
    光装置。
  2. 【請求項2】 ウェーハ(1) をステップアンドリピート
    方式で分割露光する露光方法であって、 該ウェーハ(1) を請求項1記載の露光装置の前記ウェー
    ハチャック(10)に水平に吸着保持し、 露光ショット毎に該ウェーハ(1) の該露光ショットの露
    光領域(1a)を吸着する前記吸着面(12a) が吸着を停止す
    ると共に下降し、 この状態で該露光領域(1a)を露光することを特徴とする
    露光方法。
JP30812191A 1991-11-25 1991-11-25 露光装置及び露光方法 Withdrawn JPH05144694A (ja)

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