JPH05141534A - ピストンリング - Google Patents
ピストンリングInfo
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- JPH05141534A JPH05141534A JP32659991A JP32659991A JPH05141534A JP H05141534 A JPH05141534 A JP H05141534A JP 32659991 A JP32659991 A JP 32659991A JP 32659991 A JP32659991 A JP 32659991A JP H05141534 A JPH05141534 A JP H05141534A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- piston ring
- ion plating
- layer
- uniform
- coating
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 従来品より耐摩耗性及び耐焼付性に優れたピ
ストンリングの提供。 【構成】 少なくとも外周摺動面にイオンプレーティン
グ法によりＴｉＡｌＮ皮膜２が形成されているピストン
リング。 【効果】 従来の硬質クロムめっき及びイオンプレーテ
ィングによるＴｉＮ皮膜より耐摩耗性及び耐焼付性に優
れたピストンリングが得られる。
ストンリングの提供。 【構成】 少なくとも外周摺動面にイオンプレーティン
グ法によりＴｉＡｌＮ皮膜２が形成されているピストン
リング。 【効果】 従来の硬質クロムめっき及びイオンプレーテ
ィングによるＴｉＮ皮膜より耐摩耗性及び耐焼付性に優
れたピストンリングが得られる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はピストンリングに関する
ものであり、詳しくは、耐摩耗性及び耐焼付性に優れた
被膜が形成されたピストンリングに関する。
ものであり、詳しくは、耐摩耗性及び耐焼付性に優れた
被膜が形成されたピストンリングに関する。
【０００２】
【従来の技術】ピストンリングの外周摺動面には高度の
耐摩耗性及び耐焼付性が求められているため、該外周摺
動面には従来より種々の加工が施されてきた。従来より
用いられてきた表面処理として硬質クロムめっきがあ
る。硬質クロムめっきが施されたピストンリングはそれ
自身の耐摩耗性に優れるばかりでなく、相手材であるシ
リンダ内周面を摩耗させることも少ないため、この硬質
クロムめっきはピストンリングの表面処理の主流をなし
てきた。
耐摩耗性及び耐焼付性が求められているため、該外周摺
動面には従来より種々の加工が施されてきた。従来より
用いられてきた表面処理として硬質クロムめっきがあ
る。硬質クロムめっきが施されたピストンリングはそれ
自身の耐摩耗性に優れるばかりでなく、相手材であるシ
リンダ内周面を摩耗させることも少ないため、この硬質
クロムめっきはピストンリングの表面処理の主流をなし
てきた。
【０００３】しかしながら、近年の内燃機関の高出力
化、高性能化に伴ってピストンリングに課される使用条
件もますます過酷なものとなってきた。このため従来の
クロムめっきを施したピストンリングでは耐摩耗性が十
分でない場合が生じてきた。このため硬質クロムめっき
が施されたピストンリングより更に優れた耐摩耗性、耐
焼付性を有するピストンリングが求められていた。
化、高性能化に伴ってピストンリングに課される使用条
件もますます過酷なものとなってきた。このため従来の
クロムめっきを施したピストンリングでは耐摩耗性が十
分でない場合が生じてきた。このため硬質クロムめっき
が施されたピストンリングより更に優れた耐摩耗性、耐
焼付性を有するピストンリングが求められていた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記のような要請から
イオンプレーティング法によりＴｉＮ皮膜を被覆したピ
ストンリングが提案されている。しかしながらこのイオ
ンプレーティングされたＴｉＮ皮膜は従来のクロムめっ
き皮膜よりは耐摩耗性及び耐焼付性に優れるものである
が、最近の高出力化、高性能化されたエンジンに使用さ
れるピストンリングに求められる性能を十分に満足する
ものではなかった。このため、イオンプレーティング法
によるＴｉＮ皮膜が施されたピストンリングより耐摩耗
性及び耐焼付性に優れたピストンリングが求められてい
た。
イオンプレーティング法によりＴｉＮ皮膜を被覆したピ
ストンリングが提案されている。しかしながらこのイオ
ンプレーティングされたＴｉＮ皮膜は従来のクロムめっ
き皮膜よりは耐摩耗性及び耐焼付性に優れるものである
が、最近の高出力化、高性能化されたエンジンに使用さ
れるピストンリングに求められる性能を十分に満足する
ものではなかった。このため、イオンプレーティング法
によるＴｉＮ皮膜が施されたピストンリングより耐摩耗
性及び耐焼付性に優れたピストンリングが求められてい
た。
【０００５】本発明は上記問題点に鑑みなされたもので
あって、高出力、高性能化されたエンジン内等の過酷な
使用条件下においても十分な耐摩耗性及び耐焼付性を発
揮し得るピストンリングを提供することを目的としてい
る。
あって、高出力、高性能化されたエンジン内等の過酷な
使用条件下においても十分な耐摩耗性及び耐焼付性を発
揮し得るピストンリングを提供することを目的としてい
る。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明はピストンリングの少なくとも外周摺動面にイ
オンプレーティングにより均一なＴｉＡｌＮ皮膜が形成
されている内燃機関用ピストンリングト提供するもので
ある。
に本発明はピストンリングの少なくとも外周摺動面にイ
オンプレーティングにより均一なＴｉＡｌＮ皮膜が形成
されている内燃機関用ピストンリングト提供するもので
ある。
【０００７】更に本発明はピストンリングの少なくとも
外周摺動面に表面酸化層及び白色層が排除された窒化層
が窒化又は軟窒化処理によって形成され、該窒化層上に
イオンプレーティングにより均一なＴｉＡｌＮ皮膜が形
成されている内燃機関用ピストンリングを提供するもの
である。
外周摺動面に表面酸化層及び白色層が排除された窒化層
が窒化又は軟窒化処理によって形成され、該窒化層上に
イオンプレーティングにより均一なＴｉＡｌＮ皮膜が形
成されている内燃機関用ピストンリングを提供するもの
である。
【０００８】
【作用】上記のような本発明のピストンリングよればＴ
ｉＡｌＮ皮膜が摺動面に形成されているため高度の耐摩
耗性及び耐焼付性を発揮する。更に、本発明によればＴ
ｉＡｌＮ皮膜の下地処理として、窒化若しくは軟窒化処
理が施されている。このため、たとえＴｉＡｌＮ皮膜が
ピストンリングの使用中に一部摩耗してしまうようなこ
とがあっても、下地層である窒化層が耐摩耗性及び耐焼
付性を発揮して、ピストンリング全体としての十分な耐
摩耗性及び耐焼付性を維持し得るものである。
ｉＡｌＮ皮膜が摺動面に形成されているため高度の耐摩
耗性及び耐焼付性を発揮する。更に、本発明によればＴ
ｉＡｌＮ皮膜の下地処理として、窒化若しくは軟窒化処
理が施されている。このため、たとえＴｉＡｌＮ皮膜が
ピストンリングの使用中に一部摩耗してしまうようなこ
とがあっても、下地層である窒化層が耐摩耗性及び耐焼
付性を発揮して、ピストンリング全体としての十分な耐
摩耗性及び耐焼付性を維持し得るものである。
【０００９】
【実施例】以下、実施例に従って本発明を詳細に説明す
る。図１は本発明の第１実施例によるピストンリング１
０の断面を示すものである。ＳＵＳ系金属等の母材１よ
りなるピストンリング１０の外周摺動面に厚さ約８μｍ
の均一なＴｉＡｌＮ皮膜（チタン・アルミニウム・窒素
の合金皮膜）がイオンプレーティング法により形成され
ている。
る。図１は本発明の第１実施例によるピストンリング１
０の断面を示すものである。ＳＵＳ系金属等の母材１よ
りなるピストンリング１０の外周摺動面に厚さ約８μｍ
の均一なＴｉＡｌＮ皮膜（チタン・アルミニウム・窒素
の合金皮膜）がイオンプレーティング法により形成され
ている。
【００１０】図２は本発明の第２実施例によるピストン
リング２０の断面を示すものである。第２実施例では母
材２１の全外周面に窒化処理若しくは軟窒化処理による
窒化層２３が形成されている。更に、第１実施例と同様
に外周摺動面上に、厚さ約８μｍの均一なＴｉＡｌＮ皮
膜がイオンプレーティング法により形成されている。こ
の場合、まず、窒化処理若しくは軟窒化処理によってピ
ストンリングの全外周面に窒化層２３を形成する。次
に、この窒化層２３から表面酸化層及び白色層を排除し
たうえで、該窒化層２３上にイオンプレーティングによ
るＴｉＡｌＮ皮膜を形成している。
リング２０の断面を示すものである。第２実施例では母
材２１の全外周面に窒化処理若しくは軟窒化処理による
窒化層２３が形成されている。更に、第１実施例と同様
に外周摺動面上に、厚さ約８μｍの均一なＴｉＡｌＮ皮
膜がイオンプレーティング法により形成されている。こ
の場合、まず、窒化処理若しくは軟窒化処理によってピ
ストンリングの全外周面に窒化層２３を形成する。次
に、この窒化層２３から表面酸化層及び白色層を排除し
たうえで、該窒化層２３上にイオンプレーティングによ
るＴｉＡｌＮ皮膜を形成している。
【００１１】本発明のピストンリングに形成されるＴｉ
ＡｌＮ皮膜層はＰＶＤ法等で形成される。例えば、Ｎ2
雰囲気中でアーク放電を利用し陰極に取り付けられたＴ
ｉＡｌのターゲット合金を蒸気化・イオン化し、基板で
あるピストンリングの表面にＴｉＡｌＮ皮膜として析出
させて形成される。
ＡｌＮ皮膜層はＰＶＤ法等で形成される。例えば、Ｎ2
雰囲気中でアーク放電を利用し陰極に取り付けられたＴ
ｉＡｌのターゲット合金を蒸気化・イオン化し、基板で
あるピストンリングの表面にＴｉＡｌＮ皮膜として析出
させて形成される。
【００１２】次に上記のＴｉＡｌＮ皮膜を形成するため
のイオンプレーティング装置３０（図３参照）及びイオ
ンプレーティング法の概略について説明する。このイオ
ンプレーティング装置３０はガス導入口３２及びガス吸
引口３３を有する真空室３１と、該真空室３１内に配置
されたターゲット材３４と、イオンプレーティングを施
す対象物である基板（ピストンリング）３５を載置する
ための回転テーブル３６等からなる。ターゲット材３４
は直径約１００ｍｍのチタンアルミニウム合金であり、
アークサプライ３７の陰極側に接続されている。尚、こ
のチタンアルミニウムのＴｉ：Ａｌ組成比は５０：５０
（atomic%）である。
のイオンプレーティング装置３０（図３参照）及びイオ
ンプレーティング法の概略について説明する。このイオ
ンプレーティング装置３０はガス導入口３２及びガス吸
引口３３を有する真空室３１と、該真空室３１内に配置
されたターゲット材３４と、イオンプレーティングを施
す対象物である基板（ピストンリング）３５を載置する
ための回転テーブル３６等からなる。ターゲット材３４
は直径約１００ｍｍのチタンアルミニウム合金であり、
アークサプライ３７の陰極側に接続されている。尚、こ
のチタンアルミニウムのＴｉ：Ａｌ組成比は５０：５０
（atomic%）である。
【００１３】一方、回転テーブル３６はバイアスサプラ
イ３８の陽極側に接続され、上記ターゲット材３４の表
面から約１９０ｍｍ離間した位置に配置されている。こ
の回転テーブルに載置される基板（ピストンリング）３
５にはＳＵＳ系金属の母材で形成され、洗浄されたピス
トンリングが使用される。上述したように回転テーブル
３６はバイアスサプライ３８の陽極に接続されているの
で、これに載置された基板３５は該回転テーブル３６を
介してバイアスサプライ３８に接続されることとなる。
又、上記第２実施例のように窒化層の上に重ねてイオン
プレーティング法でＴｉＡｌＮ皮膜を形成する場合に
は、ＳＵＳ系金属の母材で形成されたピストンリングに
アンモニア窒化にて約１００μｍの窒化層を施し、該ピ
ストンリングの外周摺動面をラッピングする。このラッ
ピングにより窒化層の表面酸化層及び白色層を除去し、
且つ、１μｍ以下の表面粗さに仕上げた後、これを洗浄
し基板として使用する。
イ３８の陽極側に接続され、上記ターゲット材３４の表
面から約１９０ｍｍ離間した位置に配置されている。こ
の回転テーブルに載置される基板（ピストンリング）３
５にはＳＵＳ系金属の母材で形成され、洗浄されたピス
トンリングが使用される。上述したように回転テーブル
３６はバイアスサプライ３８の陽極に接続されているの
で、これに載置された基板３５は該回転テーブル３６を
介してバイアスサプライ３８に接続されることとなる。
又、上記第２実施例のように窒化層の上に重ねてイオン
プレーティング法でＴｉＡｌＮ皮膜を形成する場合に
は、ＳＵＳ系金属の母材で形成されたピストンリングに
アンモニア窒化にて約１００μｍの窒化層を施し、該ピ
ストンリングの外周摺動面をラッピングする。このラッ
ピングにより窒化層の表面酸化層及び白色層を除去し、
且つ、１μｍ以下の表面粗さに仕上げた後、これを洗浄
し基板として使用する。
【００１４】イオンプレーティング法によるめっき作業
の概略を説明する。反応ガスとしてはＮ2ガスを使用す
る。このＮ2ガスを１．３Ｐａの圧力でガス導入口３２
から導入しつつ、アーク電流１００Ａ、基板バイアス電
圧−５０Ｖという条件でイオンプレーティングを行い、
厚さ約８μｍのＴｉＡｌＮ皮膜を得る。イオンプレーテ
ィング中は回転テーブル３６を回転させ皮膜の均一化を
図る。
の概略を説明する。反応ガスとしてはＮ2ガスを使用す
る。このＮ2ガスを１．３Ｐａの圧力でガス導入口３２
から導入しつつ、アーク電流１００Ａ、基板バイアス電
圧−５０Ｖという条件でイオンプレーティングを行い、
厚さ約８μｍのＴｉＡｌＮ皮膜を得る。イオンプレーテ
ィング中は回転テーブル３６を回転させ皮膜の均一化を
図る。
【００１５】次に上記のようなイオンプレーティング法
で得られたＴｉＡｌＮ皮膜の耐摩耗性試験の結果を示
す。耐摩耗性試験には図４に示されるようなアムスラー
型摩耗試験機を使用した。このアムスラー型摩耗試験機
４０は試料である固定片４１と、潤滑油４３に片側半分
が浸された円板状試験片（外径：４０ｍｍ、内径：１６
ｍｍ、厚さ：１０ｍｍ、材質：ＦＣ２５、硬さ：ＨＲＢ
９８）４２等からなる。この円板状試験片４２が回転片
とされる。耐摩耗性試験はこの円板状試験片４２に固定
片４１が一定圧力Ｐ（荷重）で接触するようにセット
し、潤滑油４３を供給しつつ該円板状試験片４２を回転
させることによって行ない、所定時間経過後に試料であ
る固定片４１の摩耗量を測定し、耐摩耗性の評価を行な
った。
で得られたＴｉＡｌＮ皮膜の耐摩耗性試験の結果を示
す。耐摩耗性試験には図４に示されるようなアムスラー
型摩耗試験機を使用した。このアムスラー型摩耗試験機
４０は試料である固定片４１と、潤滑油４３に片側半分
が浸された円板状試験片（外径：４０ｍｍ、内径：１６
ｍｍ、厚さ：１０ｍｍ、材質：ＦＣ２５、硬さ：ＨＲＢ
９８）４２等からなる。この円板状試験片４２が回転片
とされる。耐摩耗性試験はこの円板状試験片４２に固定
片４１が一定圧力Ｐ（荷重）で接触するようにセット
し、潤滑油４３を供給しつつ該円板状試験片４２を回転
させることによって行ない、所定時間経過後に試料であ
る固定片４１の摩耗量を測定し、耐摩耗性の評価を行な
った。
【００１６】尚、具体的な試験条件は以下の通りであ
る。 潤滑油 ：ＳＡＥ＃３０＋白灯油（１：１） 油 温：７５℃ 摺動速度：１ｍ／ｓｅｃ（５００r.p.m.） 荷重 (P)：８０Ｋｇ 時 間：３０時間
る。 潤滑油 ：ＳＡＥ＃３０＋白灯油（１：１） 油 温：７５℃ 摺動速度：１ｍ／ｓｅｃ（５００r.p.m.） 荷重 (P)：８０Ｋｇ 時 間：３０時間
【００１７】上述したようなイオンプレーティング法に
て厚さ約８μｍのＴｉＡｌＮ皮膜を施した試料Ａ（本発
明品）の他、比較試料としてイオンプレーティング法に
て厚さ約８μｍのＴｉＮ皮膜が形成されている試料Ｂ、
従来の厚さ約１００μｍの硬質クロムめっきを施した試
料Ｃを用意し、上記の条件の下で耐摩耗性試験を行っ
た。尚、本発明品である試料ＡのＴｉＡｌＮ被膜の皮膜
組成Ａｌ／（Ｔｉ＋Ａｌ）（％）は４６％であり、皮膜
の硬度はＨｖ＝２３４０である。
て厚さ約８μｍのＴｉＡｌＮ皮膜を施した試料Ａ（本発
明品）の他、比較試料としてイオンプレーティング法に
て厚さ約８μｍのＴｉＮ皮膜が形成されている試料Ｂ、
従来の厚さ約１００μｍの硬質クロムめっきを施した試
料Ｃを用意し、上記の条件の下で耐摩耗性試験を行っ
た。尚、本発明品である試料ＡのＴｉＡｌＮ被膜の皮膜
組成Ａｌ／（Ｔｉ＋Ａｌ）（％）は４６％であり、皮膜
の硬度はＨｖ＝２３４０である。
【００１８】この耐摩耗性試験の試験結果を図５に示
す。図５から明らかなように、イオンプレーティングに
てＴｉＡｌＮ皮膜を形成した試料Ａ（本発明品）は従来
の硬質クロムめっき（厚さ約１００μｍ）に比し８倍程
度の耐摩耗性を有している。更に、イオンプレーティン
グ法によりＴｉＮ皮膜を形成した試料Ｂと比較した場合
であっても約２倍の耐摩耗性を有していることがわか
る。
す。図５から明らかなように、イオンプレーティングに
てＴｉＡｌＮ皮膜を形成した試料Ａ（本発明品）は従来
の硬質クロムめっき（厚さ約１００μｍ）に比し８倍程
度の耐摩耗性を有している。更に、イオンプレーティン
グ法によりＴｉＮ皮膜を形成した試料Ｂと比較した場合
であっても約２倍の耐摩耗性を有していることがわか
る。
【００１９】更に、耐摩耗性試験に用いた試料と同じ試
料Ａ（本発明品）、試料Ｂ（ＴｉＮ）、試料（Ｃｒめっ
き）のそれぞれについて、下記の条件で耐スカッフィン
グ限界荷重を求め耐焼付き性の評価をした。
料Ａ（本発明品）、試料Ｂ（ＴｉＮ）、試料（Ｃｒめっ
き）のそれぞれについて、下記の条件で耐スカッフィン
グ限界荷重を求め耐焼付き性の評価をした。
【００２０】即ち、試験はアムスラー型耐摩耗試験機を
使用し、試験片にスピンドル油（動粘度７ｃｓｔ（４０
℃））を付着させて、２分間自重（約１０Ｋｇ）にて運
転した。このとき、潤滑油は供給しなかった。荷重の初
期値を３０ｋｇに設定し、これを２分間づつ保持しなが
ら荷重を１０ｋｇづつ増加させスカッフが発生した時の
荷重をスカッフ発生限界荷重とした。他の試験条件は以
下の通りである。 相手材：ＦＣ２５（ＨＲＢ９８） 周速 ：１ｍ／sec（５００ r.p.m.）
使用し、試験片にスピンドル油（動粘度７ｃｓｔ（４０
℃））を付着させて、２分間自重（約１０Ｋｇ）にて運
転した。このとき、潤滑油は供給しなかった。荷重の初
期値を３０ｋｇに設定し、これを２分間づつ保持しなが
ら荷重を１０ｋｇづつ増加させスカッフが発生した時の
荷重をスカッフ発生限界荷重とした。他の試験条件は以
下の通りである。 相手材：ＦＣ２５（ＨＲＢ９８） 周速 ：１ｍ／sec（５００ r.p.m.）
【００２１】上記耐焼付性試験の試験結果を図６に示
す。図６から明らかなように、イオンプレーティング法
にてＴｉＡｌＮ皮膜を形成した試料Ａ（本発明品）は従
来のクロムめっきを施した試料Ｃに比し約２倍の耐焼付
き性を有している。更に、イオンプレーティング法によ
りＴｉＮ皮膜を形成した試料Ｂと比較した場合であって
も約１．６倍の耐焼付き性を有していることがわかる。
す。図６から明らかなように、イオンプレーティング法
にてＴｉＡｌＮ皮膜を形成した試料Ａ（本発明品）は従
来のクロムめっきを施した試料Ｃに比し約２倍の耐焼付
き性を有している。更に、イオンプレーティング法によ
りＴｉＮ皮膜を形成した試料Ｂと比較した場合であって
も約１．６倍の耐焼付き性を有していることがわかる。
【００２２】イオンプレーティング法によるＴｉＡｌＮ
層の剥離防止のため、母材上に窒化処理等により母材の
硬化が図られた表面処理層や、硬質クロムめっき等の硬
化皮膜による表面処理層を形成してもよい。イオンプレ
ーティング法によるＴｉＡｌＮ皮膜の密着性向上や剥離
防止の観点から、上記の表面処理層の表面硬度はＨｖ７
００以上が望ましい。又、イオンプレーティングによる
ＴｉＡｌＮ層の厚膜化はイオンプレーティング層の剥離
を助長すると共にコスト高にもつながるものである。
層の剥離防止のため、母材上に窒化処理等により母材の
硬化が図られた表面処理層や、硬質クロムめっき等の硬
化皮膜による表面処理層を形成してもよい。イオンプレ
ーティング法によるＴｉＡｌＮ皮膜の密着性向上や剥離
防止の観点から、上記の表面処理層の表面硬度はＨｖ７
００以上が望ましい。又、イオンプレーティングによる
ＴｉＡｌＮ層の厚膜化はイオンプレーティング層の剥離
を助長すると共にコスト高にもつながるものである。
【００２３】尚、本発明は上記実施例のピストンリン
グ、イオンプレーティング法に何等限定されるものでは
なく、特許請求の範囲に記載された技術的事項の範囲に
従って種々の変更が可能なものである。
グ、イオンプレーティング法に何等限定されるものでは
なく、特許請求の範囲に記載された技術的事項の範囲に
従って種々の変更が可能なものである。
【００２４】
【発明の効果】上述したように本発明のピストンリング
には従来の硬質クロムめっきやイオンプレーティング法
による代表的な皮膜であるＴｉＮ皮膜より数段優れた耐
摩耗性を有するＴｉＡｌＮ皮膜が外周摺動面に形成され
ている。このため、過酷な条件が課される高出力・高性
能エンジン等の内燃機関に使用した場合であっても、優
れた性能を発揮し得るものである。
には従来の硬質クロムめっきやイオンプレーティング法
による代表的な皮膜であるＴｉＮ皮膜より数段優れた耐
摩耗性を有するＴｉＡｌＮ皮膜が外周摺動面に形成され
ている。このため、過酷な条件が課される高出力・高性
能エンジン等の内燃機関に使用した場合であっても、優
れた性能を発揮し得るものである。
【００２５】更に、比較的低温下で処理の進行するイオ
ンプレーティング法にて皮膜形成がなされているため、
ピストンリングの母材の軟化、耐摩耗性の低下、母材の
変形を防止することができるものである。
ンプレーティング法にて皮膜形成がなされているため、
ピストンリングの母材の軟化、耐摩耗性の低下、母材の
変形を防止することができるものである。
【図１】本発明の第１実施例のピストンリングの断面
図。
図。
【図２】本発明の第２実施例のピストンリングの断面
図。
図。
【図３】本発明のピストンリングにイオンプレーティン
グを施すためのイオンプレーティング装置の概略構成
図。
グを施すためのイオンプレーティング装置の概略構成
図。
【図４】耐摩耗性試験に使用するアムスラー型摩耗機の
概略構成図。
概略構成図。
【図５】耐摩耗性試験の結果を示すグラフ。
【図６】耐焼付き性試験の結果を示すグラフ。
１ 母材 ２ ＴｉＡｌＮ皮膜 ２１ 母材 ２２ ＴｉＡｌＮ皮膜 ２３ 窒化層 ３０ イオンプレーティング装置 ４０ アムスラー型摩耗試験機
Claims (4)
- 【請求項１】 ピストンリングの少なくとも外周摺動面
にイオンプレーティングにより均一なＴｉＡｌＮ皮膜が
形成されていることを特徴とするピストンリング。 - 【請求項２】 ピストンリングの少なくとも外周摺動面
に表面硬さＨＶ７００以上の表面処理層が形成され、該
表面処理層上にイオンプレーティングにより均一なＴｉ
ＡｌＮ皮膜が形成されていることを特徴とするピストン
リング。 - 【請求項３】 上記表面処理層が窒化又は軟窒化によっ
て形成され、更に、表面酸化層及び白色層が排除された
窒化層であることを特徴とする請求項２記載のピストン
リング。 - 【請求項４】 上記表面処理層が硬質クロムめっきによ
って形成されてなることを特徴とする請求項２記載のピ
ストンリング。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32659991A JPH05141534A (ja) | 1991-11-14 | 1991-11-14 | ピストンリング |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32659991A JPH05141534A (ja) | 1991-11-14 | 1991-11-14 | ピストンリング |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05141534A true JPH05141534A (ja) | 1993-06-08 |
Family
ID=18189618
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32659991A Pending JPH05141534A (ja) | 1991-11-14 | 1991-11-14 | ピストンリング |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05141534A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6508473B1 (en) | 1999-04-07 | 2003-01-21 | Teikoku Piston Ring Co., Ltd. | Piston ring |
| CN102634794A (zh) * | 2012-05-09 | 2012-08-15 | 余姚凯登机电数控有限公司 | 活塞装置及其制造工艺 |
| WO2015052761A1 (ja) * | 2013-10-08 | 2015-04-16 | Ｔｐｒ株式会社 | ピストンリングおよびターボチャージャー用シールリング |
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-
1991
- 1991-11-14 JP JP32659991A patent/JPH05141534A/ja active Pending
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US6508473B1 (en) | 1999-04-07 | 2003-01-21 | Teikoku Piston Ring Co., Ltd. | Piston ring |
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