JPH05139880A - シリコン単結晶の種結晶 - Google Patents
シリコン単結晶の種結晶Info
- Publication number
- JPH05139880A JPH05139880A JP32390891A JP32390891A JPH05139880A JP H05139880 A JPH05139880 A JP H05139880A JP 32390891 A JP32390891 A JP 32390891A JP 32390891 A JP32390891 A JP 32390891A JP H05139880 A JPH05139880 A JP H05139880A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- crystal
- seed
- seed crystal
- single crystal
- tip
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 種絞り部分の直径を太くして無転位の単結晶
を得ることができ、引上げ中に単結晶棒が落下する事故
を防止することができるシリコン単結晶の種結晶を得
る。 【構成】 チョクラルスキー法によるシリコン単結晶の
引上げにおいて使用する種結晶の先端部の形状を楔状に
する。この場合の先端部の角度は２０°から６０°の間
が望ましい。
を得ることができ、引上げ中に単結晶棒が落下する事故
を防止することができるシリコン単結晶の種結晶を得
る。 【構成】 チョクラルスキー法によるシリコン単結晶の
引上げにおいて使用する種結晶の先端部の形状を楔状に
する。この場合の先端部の角度は２０°から６０°の間
が望ましい。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、チョクラルスキー法
（ＣＺ法）によるシリコン単結晶引上げにおいてシリコ
ン溶液から単結晶を育成する際に使用するシリコン単結
晶の種結晶に関する。さらに詳しくは、種結晶の先端部
の形状の改善に関する。
（ＣＺ法）によるシリコン単結晶引上げにおいてシリコ
ン溶液から単結晶を育成する際に使用するシリコン単結
晶の種結晶に関する。さらに詳しくは、種結晶の先端部
の形状の改善に関する。
【０００２】
【発明の背景技術】石英ルツボ内のシリコン融液から無
転位単結晶を成長させる際には、一般にＣＺ法が広く用
いられている。この方法は、種結晶をシリコン融液に接
触させ、次いで特定直径の種絞りを行って種絞り部分を
引上げ、種絞り部分の単結晶を無転位化し、その後目的
とするシリコン棒の直径まで結晶を徐々に太らせて成長
させることにより、必要な面方位を有する無転位の単結
晶棒を得ることができるものである。
転位単結晶を成長させる際には、一般にＣＺ法が広く用
いられている。この方法は、種結晶をシリコン融液に接
触させ、次いで特定直径の種絞りを行って種絞り部分を
引上げ、種絞り部分の単結晶を無転位化し、その後目的
とするシリコン棒の直径まで結晶を徐々に太らせて成長
させることにより、必要な面方位を有する無転位の単結
晶棒を得ることができるものである。
【０００３】図３は、従来用いられていた種結晶２０を
示し、その先端部２１は平坦であった。このため、この
種結晶２０を用いて引上げを行う場合、シリコン融液と
種結晶２０が接触する際の熱応力のために種結晶側にス
リップ転位が導入され、無転位の単結晶を得ることが困
難であった。このような高密度のスリップ転位が導入さ
れた種結晶を用いて引続き単結晶を成長させた場合に
は、結晶の成長とともに高密度の転位が伝播していく
（千川他、日本結晶成長学会誌 ４、２−２２（１９７
７））。
示し、その先端部２１は平坦であった。このため、この
種結晶２０を用いて引上げを行う場合、シリコン融液と
種結晶２０が接触する際の熱応力のために種結晶側にス
リップ転位が導入され、無転位の単結晶を得ることが困
難であった。このような高密度のスリップ転位が導入さ
れた種結晶を用いて引続き単結晶を成長させた場合に
は、結晶の成長とともに高密度の転位が伝播していく
（千川他、日本結晶成長学会誌 ４、２−２２（１９７
７））。
【０００４】この問題を解決するために、Ｄａｓｈ法が
開発され、広く利用されている（Ｗ．Ｃ．Ｄａｓｈ
Ｊ，Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．２９，７３８−７３７（１９
５８））。この方法は、図４に示すように、種結晶２０
をシリコン融液に接触させた後に直径を３ｍｍ程度に一
旦細くして種絞り部分２２を形成することにより、種結
晶２０に導入されたスリップ転位２３から伝播した転位
を消滅させ、無転位の単結晶を得るものである。
開発され、広く利用されている（Ｗ．Ｃ．Ｄａｓｈ
Ｊ，Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．２９，７３８−７３７（１９
５８））。この方法は、図４に示すように、種結晶２０
をシリコン融液に接触させた後に直径を３ｍｍ程度に一
旦細くして種絞り部分２２を形成することにより、種結
晶２０に導入されたスリップ転位２３から伝播した転位
を消滅させ、無転位の単結晶を得るものである。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】Ｄａｓｈ法による無転
位化のためには、上記のように、種結晶から引続き成長
させる単結晶部に直径の小さい種絞り部分が必要とな
る。しかし、単結晶の大口径化に伴って単結晶も高重量
化し、前記ような直径の極めて小さい種絞り部分で高重
量化した単結晶を支持するには強度が充分でなく、種絞
り部分の破損により単結晶棒が落下する等の重大な事故
を生じる恐れがあった。
位化のためには、上記のように、種結晶から引続き成長
させる単結晶部に直径の小さい種絞り部分が必要とな
る。しかし、単結晶の大口径化に伴って単結晶も高重量
化し、前記ような直径の極めて小さい種絞り部分で高重
量化した単結晶を支持するには強度が充分でなく、種絞
り部分の破損により単結晶棒が落下する等の重大な事故
を生じる恐れがあった。
【０００６】この問題を解決するために、結晶保持機構
を用いる方法が示されている（特開昭６３−２５２９９
１号公報）が、この方法では結晶育成時に結晶形状を特
定な形状にする必要がある。また、結晶保持のために新
たに複雑な機構を設置する必要がある。
を用いる方法が示されている（特開昭６３−２５２９９
１号公報）が、この方法では結晶育成時に結晶形状を特
定な形状にする必要がある。また、結晶保持のために新
たに複雑な機構を設置する必要がある。
【０００７】
【発明の目的】本発明は、上記のような問題点を解決す
るため、種結晶の先端部の形状を改善することにより、
複雑な結晶保持機構を設けることなく、確実に引上げを
行うことができる種結晶を提供することを目的とする。
るため、種結晶の先端部の形状を改善することにより、
複雑な結晶保持機構を設けることなく、確実に引上げを
行うことができる種結晶を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】そこで本発明は、種結晶
の先端部の形状を楔状とし、シリコン融液との接触断面
積を極力少なくする様にし、接触時の熱的なショックを
軽減する様にした。又、その角度は２０°〜６０°の間
が望ましい。本願発明の種結晶がシリコン融液と僅かに
離れた状態で熱輻射により予熱すれば更に好ましい。楔
状先端は、断面正方形の単結晶細棒を必要長さに切断す
るに際し、本願発明の角度で切断すれば、同時に２ケの
種結晶の先端部が加工され、先端が多面体又は円錐面に
比較して加工が容易である。
の先端部の形状を楔状とし、シリコン融液との接触断面
積を極力少なくする様にし、接触時の熱的なショックを
軽減する様にした。又、その角度は２０°〜６０°の間
が望ましい。本願発明の種結晶がシリコン融液と僅かに
離れた状態で熱輻射により予熱すれば更に好ましい。楔
状先端は、断面正方形の単結晶細棒を必要長さに切断す
るに際し、本願発明の角度で切断すれば、同時に２ケの
種結晶の先端部が加工され、先端が多面体又は円錐面に
比較して加工が容易である。
【０００９】
【作用】本発明においては、種結晶の先端部が楔状なの
で、同一断面積でも先端部が平坦な種結晶と比較してシ
リコン融液との接触面積が小さくなり、種結晶に入るス
リップ転位密度が軽減する。従って、Ｄａｓｈ法による
単結晶の最小直径すなわち種絞り部分が４．５ｍｍ程度
と比較的太い場合でも無転位の単結晶が得られる。この
結果、種絞り部分の破損による結晶棒の落下という事故
が防止される。
で、同一断面積でも先端部が平坦な種結晶と比較してシ
リコン融液との接触面積が小さくなり、種結晶に入るス
リップ転位密度が軽減する。従って、Ｄａｓｈ法による
単結晶の最小直径すなわち種絞り部分が４．５ｍｍ程度
と比較的太い場合でも無転位の単結晶が得られる。この
結果、種絞り部分の破損による結晶棒の落下という事故
が防止される。
【００１０】表１は、Ｄａｓｈ法による種絞り部分の直
径が従来の３ｍｍ程度の種結晶と、本発明の方法による
４．５ｍｍ程度と太くした種結晶の断面積の比を示す。
径が従来の３ｍｍ程度の種結晶と、本発明の方法による
４．５ｍｍ程度と太くした種結晶の断面積の比を示す。
【００１１】
【表１】 −−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−− 従来技術 本発明 −−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−− 最小直径 ３ｍｍ ４．５ｍｍ −−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−− 断面積 ７．１ｍｍ2 １５．９ｍｍ2 −−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−− 面積比 １ ２．２３ −−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−
【００１２】表１から分かるように、本発明の種結晶で
は、従来の方法と比較すると最小直径の断面積が約２倍
となるので、従来の２倍程度の高重量結晶の保持が可能
となる。
は、従来の方法と比較すると最小直径の断面積が約２倍
となるので、従来の２倍程度の高重量結晶の保持が可能
となる。
【００１３】
【実施例】以下、本発明の実施例について添付図面を参
照しながら説明する。図１は、本発明の実施例の種結晶
を示す。この種結晶１０の先端部１１は楔状となってお
り、その角度は２０°から６０°の間が望ましいが、本
実施例では、４５℃となっている。
照しながら説明する。図１は、本発明の実施例の種結晶
を示す。この種結晶１０の先端部１１は楔状となってお
り、その角度は２０°から６０°の間が望ましいが、本
実施例では、４５℃となっている。
【００１４】上記種結晶１０を用いて引上げを行う場
合、種結晶１０の楔状の先端部１１をシリコン融液に接
触させた後、種結晶の引上げを開始する。そして、種絞
り部分１２を例えば４．５ｍｍ程度に種絞りした後、所
望の口径を有するシリコン単結晶棒を所望の全長に成長
させて引上げる。
合、種結晶１０の楔状の先端部１１をシリコン融液に接
触させた後、種結晶の引上げを開始する。そして、種絞
り部分１２を例えば４．５ｍｍ程度に種絞りした後、所
望の口径を有するシリコン単結晶棒を所望の全長に成長
させて引上げる。
【００１５】種結晶１０の先端部１１が楔状である場
合、図２に示すように種結晶１０のスリップ転位１３の
密度は少なくなる。図５は、従来の種結晶及び本実施例
の種結晶について、選択エッチング（セコ液）によって
スリップ転位に起因したエッチングピット密度を測定し
た結果を示す。従来の種結晶では、スリップ転位に起因
したエッチングピットの密度が２．８×１０3（／ｃ
ｍ2）と高い。一方、本実施例の種結晶では、エッチン
グピットの密度が８．７×１０2（／ｃｍ2）と約３０％
低いことが確認できた。さらに、本実施例の種結晶の直
径４．５ｍｍのＤａｓｈ終了部（種絞り部分）では無転
位化していることが確認できた。
合、図２に示すように種結晶１０のスリップ転位１３の
密度は少なくなる。図５は、従来の種結晶及び本実施例
の種結晶について、選択エッチング（セコ液）によって
スリップ転位に起因したエッチングピット密度を測定し
た結果を示す。従来の種結晶では、スリップ転位に起因
したエッチングピットの密度が２．８×１０3（／ｃ
ｍ2）と高い。一方、本実施例の種結晶では、エッチン
グピットの密度が８．７×１０2（／ｃｍ2）と約３０％
低いことが確認できた。さらに、本実施例の種結晶の直
径４．５ｍｍのＤａｓｈ終了部（種絞り部分）では無転
位化していることが確認できた。
【００１６】
【発明の効果】本発明によれば、種絞り部分の最小直径
を従来の３ｍｍ程度から４．５ｍｍ程度まで無転位化を
保持したまま太くすることができる。したがって、複雑
な結晶保持機構を設けることなく、高重量単結晶の引上
げが確実に行え、引上げ中における高重量結晶の落下事
故を防止することができる。
を従来の３ｍｍ程度から４．５ｍｍ程度まで無転位化を
保持したまま太くすることができる。したがって、複雑
な結晶保持機構を設けることなく、高重量単結晶の引上
げが確実に行え、引上げ中における高重量結晶の落下事
故を防止することができる。
【図１】本発明の一実施例を示す斜視図である。
【図２】本発明の実施例の種結晶を用いて結晶成長を行
う場合を示す斜視図である。
う場合を示す斜視図である。
【図３】従来の種結晶を示す斜視図である。
【図４】従来の種結晶を用いて結晶成長を行う場合を示
す斜視図である。
す斜視図である。
【図５】本発明の実施例の種結晶及び従来の種結晶のエ
ッチピット密度を示す棒グラフである。
ッチピット密度を示す棒グラフである。
１０、２０ 種結晶 １１、２１ 先端部 １２、２２ 種絞り部分 １３、２３ スリップ転位
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 小田 哲宏 福井県武生市北府２丁目13番50号 信越半 導体株式会社武生工場内
Claims (2)
- 【請求項１】 チョクラルスキー法による単結晶の引上
げにおいてシリコン融液から単結晶を育成する際に使用
するシリコン単結晶の種結晶において、先端部の形状が
楔状であることを特徴とするシリコン単結晶の種結晶。 - 【請求項２】 楔状である先端部の角度が２０°から６
０°の範囲である請求項１に記載のシリコン単結晶の種
結晶。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3323908A JP2848067B2 (ja) | 1991-11-12 | 1991-11-12 | シリコン単結晶の種結晶 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3323908A JP2848067B2 (ja) | 1991-11-12 | 1991-11-12 | シリコン単結晶の種結晶 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05139880A true JPH05139880A (ja) | 1993-06-08 |
| JP2848067B2 JP2848067B2 (ja) | 1999-01-20 |
Family
ID=18159960
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3323908A Expired - Fee Related JP2848067B2 (ja) | 1991-11-12 | 1991-11-12 | シリコン単結晶の種結晶 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2848067B2 (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0854211A1 (en) * | 1997-01-17 | 1998-07-22 | Shin-Etsu Handotai Company Limited | Method of manufacturing silicon monocrystal, and seed crystal used in the method |
| EP0879903A1 (en) * | 1997-05-21 | 1998-11-25 | Shin-Etsu Handotai Company Limited | Silicon seed crystal, method of manufacturing the same, and method of manufacturing a silicon monocrystal through use of the seed crystal |
| EP0887443A1 (en) * | 1997-06-23 | 1998-12-30 | Shin-Etsu Handotai Company Limited | Method of manufacturing a silicon monocrystal, and method of holding the same |
| US6162292A (en) * | 1997-12-27 | 2000-12-19 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Method of producing silicon monocrystal |
| US6171392B1 (en) | 1998-04-07 | 2001-01-09 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Method for producing silicon single crystal |
| US6174363B1 (en) | 1998-04-07 | 2001-01-16 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Method for producing silicon single crystal |
| US6670036B2 (en) | 1998-04-07 | 2003-12-30 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Silicon seed crystal and method for producing silicon single crystal |
| JP2010042977A (ja) * | 2008-05-21 | 2010-02-25 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | シリコン単結晶の製造方法 |
| US9476142B2 (en) | 2011-12-16 | 2016-10-25 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Method for manufacturing silicon single crystal |
| JP2020083669A (ja) * | 2018-11-16 | 2020-06-04 | 株式会社タムラ製作所 | 単結晶育成方法、種結晶、及び単結晶 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04104988A (ja) * | 1990-08-20 | 1992-04-07 | Fujitsu Ltd | 単結晶成長方法 |
-
1991
- 1991-11-12 JP JP3323908A patent/JP2848067B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04104988A (ja) * | 1990-08-20 | 1992-04-07 | Fujitsu Ltd | 単結晶成長方法 |
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR19980070422A (ko) * | 1997-01-17 | 1998-10-26 | 와다다다시 | 실리콘 단결정 제조방법 및 그 방법에 사용되는 종자 결정 |
| EP0854211A1 (en) * | 1997-01-17 | 1998-07-22 | Shin-Etsu Handotai Company Limited | Method of manufacturing silicon monocrystal, and seed crystal used in the method |
| US5911822A (en) * | 1997-01-17 | 1999-06-15 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Method of manufacturing silicon monocrystal, and seed crystal used in the method |
| US6197108B1 (en) | 1997-05-21 | 2001-03-06 | Shin-Etsu Handotai, Co. Ltd. | Silicon seed crystal, method of manufacturing the same, and method of manufacturing silicon monocrystal through use of the seed crystal |
| EP0879903A1 (en) * | 1997-05-21 | 1998-11-25 | Shin-Etsu Handotai Company Limited | Silicon seed crystal, method of manufacturing the same, and method of manufacturing a silicon monocrystal through use of the seed crystal |
| EP0887443A1 (en) * | 1997-06-23 | 1998-12-30 | Shin-Etsu Handotai Company Limited | Method of manufacturing a silicon monocrystal, and method of holding the same |
| US6056818A (en) * | 1997-06-23 | 2000-05-02 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Method of manufacturing a silicon monocrystal, and method of holding the same |
| US6162292A (en) * | 1997-12-27 | 2000-12-19 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Method of producing silicon monocrystal |
| US6171392B1 (en) | 1998-04-07 | 2001-01-09 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Method for producing silicon single crystal |
| US6174363B1 (en) | 1998-04-07 | 2001-01-16 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Method for producing silicon single crystal |
| US6670036B2 (en) | 1998-04-07 | 2003-12-30 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Silicon seed crystal and method for producing silicon single crystal |
| JP2010042977A (ja) * | 2008-05-21 | 2010-02-25 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | シリコン単結晶の製造方法 |
| US9476142B2 (en) | 2011-12-16 | 2016-10-25 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Method for manufacturing silicon single crystal |
| JP2020083669A (ja) * | 2018-11-16 | 2020-06-04 | 株式会社タムラ製作所 | 単結晶育成方法、種結晶、及び単結晶 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2848067B2 (ja) | 1999-01-20 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5628823A (en) | Process for eliminating dislocations in the neck of a silicon single crystal | |
| WO2000000674A3 (en) | Process for growth of defect free silicon crystals of arbitrarily large diameters | |
| JP2848067B2 (ja) | シリコン単結晶の種結晶 | |
| JPH10203898A (ja) | シリコン単結晶の製造方法および種結晶 | |
| EP1498516B8 (en) | Single crystal silicon producing method, single crystal silicon wafer and ingot produced thereby | |
| EP0879903B1 (en) | Silicon seed crystal, method of manufacturing the same, and method of manufacturing a silicon monocrystal through use of the seed crystal | |
| JP2973917B2 (ja) | 単結晶引き上げ方法 | |
| JPH1160379A (ja) | 無転位シリコン単結晶の製造方法 | |
| JPH09255485A (ja) | シリコン単結晶の製造方法および種結晶 | |
| JP4521933B2 (ja) | シリコン単結晶の成長方法 | |
| US5769941A (en) | Method of forming semiconductor material | |
| US6056818A (en) | Method of manufacturing a silicon monocrystal, and method of holding the same | |
| JP2525300B2 (ja) | シリコン単結晶の製造方法 | |
| JPH11199384A (ja) | シリコン単結晶の成長方法 | |
| JPH04104988A (ja) | 単結晶成長方法 | |
| JP4407188B2 (ja) | シリコンウェーハの製造方法およびシリコンウェーハ | |
| US6267815B1 (en) | Method for pulling a single crystal | |
| KR19990067864A (ko) | 실리콘 단결정 제조방법 | |
| JP2000128691A (ja) | シリコン種結晶およびシリコン単結晶の製造方法 | |
| US6162292A (en) | Method of producing silicon monocrystal | |
| JPH10324594A (ja) | シリコン種結晶およびその製造方法、並びにこれらの種結晶を用いてシリコン単結晶を製造する方法 | |
| JP3473477B2 (ja) | シリコン単結晶の製造方法 | |
| JP4201215B2 (ja) | 単結晶の育成方法 | |
| JPS61242983A (ja) | 半導体単結晶棒の製造方法 | |
| JPH0680493A (ja) | 結晶成長方法と結晶成長用るつぼ |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071106 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 10 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081106 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 10 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081106 |
|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081106 Year of fee payment: 10 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 11 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091106 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091106 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101106 Year of fee payment: 12 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111106 Year of fee payment: 13 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |