JPH0513952A - 厚膜回路基板の製造方法 - Google Patents

厚膜回路基板の製造方法

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JPH0513952A
JPH0513952A JP6318691A JP6318691A JPH0513952A JP H0513952 A JPH0513952 A JP H0513952A JP 6318691 A JP6318691 A JP 6318691A JP 6318691 A JP6318691 A JP 6318691A JP H0513952 A JPH0513952 A JP H0513952A
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JP
Japan
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wiring
insulating layer
firing
circuit board
thick film
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Pending
Application number
JP6318691A
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English (en)
Inventor
Masahiko Nakamura
雅彦 中村
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Mitsubishi Materials Corp
Original Assignee
Mitsubishi Materials Corp
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Publication date
Application filed by Mitsubishi Materials Corp filed Critical Mitsubishi Materials Corp
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Abstract

(57)【要約】 【目的】交差配線部の上下配線間に信頼性及び絶縁性の
高い絶縁層を形成する。 【構成】アルミナ基板1の上に、貴金属導体により交差
部の下部配線2を大気中で焼成して形成する(図1
(a))。下部配線2の上に大気中で焼成可能なガラス
ペーストを用いて絶縁層3を形成する(図1(b))。
卑金属導体により交差部の上部配線4及び交差部以外の
配線5を焼成して形成する(図1(c))。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、導体材料に卑金属を使
用し、交差配線を有する厚膜回路基板の製造方法に関
し、さらに詳しくは、卑金属配線を有する回路基板の交
差配線の形成方法に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、この種の回路基板の製造方法は、
卑金属導体を用いて下部導体配線を形成した後、窒素雰
囲気中で焼成可能なガラスペーストを用いて絶縁層を形
成し、さらに、卑金属導体を用いて上部導体配線を形成
することにより交差配線を形成していた。すなわち、図
3(a)に示すように、基板上に卑金属導体を用いて、
交差配線部の下部配線2及び交差配線部以外の配線5を
形成した後、図3(b)に示すように、窒素雰囲気中で
焼成可能なガラスペーストを用いて絶縁層3を形成し、
次いで、図3(c)に示すように、交差配線部の上部配
線4を卑金属導体を用いて形成していた。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかし従来の方法で
は、窒素雰囲気中で絶縁層の焼成を行わなければならな
かった。従って、使用可能な絶縁ガラスペースト材料が
限定されてしまうという問題がある。また窒素雰囲気中
で焼成可能な絶縁ガラスペーストを用い、窒素雰囲気中
で絶縁ガラスを焼成する場合、焼成条件を厳密に制御し
ないとペースト中の有機バインダーが完全に分解せず絶
縁性が低下したり、絶縁層に発泡が生じることがあっ
た。この絶縁ガラスの有機バインダーを完全に除去する
ために絶縁ガラスの焼成に際し酸素雰囲気中でこれを行
うと、すでに形成されている卑金属導体配線が酸化する
等の問題があった。本発明は、上述の問題を解決して、
信頼性が高く、形成済の卑金属導体配線を酸化させない
厚膜回路基板の製造方法を提供することを課題とするも
のである。
【0004】
【課題を解決するための手段】本発明者等は、以上述べ
た従来の製造方法における絶縁層の絶縁性の劣化、発泡
及び形成済の導体が酸化する等の欠点を除去し、信頼性
の高い交差配線を容易に形成させる方法について検討を
重ねた結果、交差部分の下部配線をAg,Ag−Pd,
Au等の貴金属材料を用いて形成し、さらに大気中で焼
成可能な絶縁ペーストを用いて絶縁層を形成した後、交
差部分以外の配線及び交差上部配線を卑金属導体材料を
用いて窒素雰囲気中で焼成して形成させることにより本
発明の課題が達成できることを知見し、ここに本発明を
完成した。
【0005】本発明は、卑金属導体を配線材料として用
いる厚膜回路基板の製造方法に適用され、次の方法を採
った。すなわち、配線交差部分の下部配線は貴金属材料
を用いて配線を形成し、下部配線の上部に大気雰囲気中
で絶縁ペ−ストを焼成して絶縁層を形成した後、絶縁層
の上部及び絶縁層の上部以外の配線は卑金属導体を用い
て窒素雰囲気中で焼成して形成することを特徴とする厚
膜回路基板の製造方法である。
【0006】
【作用】本発明では交差配線部の下部配線及び絶縁層を
あらかじめ大気中で焼成することにより形成し、その
後、交差配線部以外の配線の形成及び交差配線部の上部
配線を形成するため、絶縁層の材料としては従来より使
用されている豊富な、大気中で焼成可能な絶縁ガラスペ
ーストが使用できる。
【0007】また絶縁ガラスペーストは大気中で焼成さ
れるため、ペースト中の有機バインダーは完全に除去さ
れ、信頼性、絶縁性に優れた絶縁層を得ることができ
る。さらに、下部配線には貴金属導体材料を用いるた
め、絶縁ガラスペーストを大気中で焼成しても酸化等の
問題は生じない。
【0008】
【実施例】本発明を図面により説明する。1. 図1
(a)に示すように、アルミナ基板1の上に、スクリー
ン印刷法によりAg−Pd(貴金属導体)厚膜ペースト
を用いて交差部の下部配線2のパターンを形成し、大気
中で850℃で焼成する。
【0009】2. 次いで、図1(b)に示すように、
スクリーン印刷法により、大気中で焼成可能な結晶化絶
縁ガラスペーストを用いて絶縁層3のパターンを形成
し、大気中で850℃で焼成する。さらに絶縁性を向上
させるためもう一度同様の印刷へ焼成を繰返す。3.
図1(c)に示すように、スクリーン印刷法により、銅
(卑金属導体)ペーストを用いて交差部の上部配線4及
び交差部以外の配線5を印刷し、酸素濃度3〜10pp
mの窒素雰囲気中で900℃にて焼成する。
【0010】なお、図2は、このようにして製造された
配線交差部分の断面の斜視説明図である。
【0011】
【発明の効果】本発明は、次のような優れた効果を奏す
る。絶縁層を大気中で焼成して形成しているため、有
機バインダーは完全に除去され、絶縁性、信頼性に優れ
た絶縁層を有する交差配線が得られる。上部導体及び
交差部以外の配線は、絶縁層焼成後に焼成されるため
に、焼成時の酸素濃度を低くすることが可能であり、導
体の酸化を防ぐことが可能となった。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施例に斜視説明図であり、図1
(a)、図1(b)及び図1(c)は各工程を示したも
のである。
【図2】本発明による配線交差部分の断面の斜視説明図
である。
【図3】従来例の斜視説明図であり、図3(a)、図3
(b)及び図3(c)は各工程を示したものである。
【符号の説明】
1 アルミナ基板 2 下部配線 3 絶縁層 4 上部配線 5 交差部以外の配線

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 【請求項1】 卑金属導体を配線材料として用いる厚膜
    回路基板において、交差配線部分の下部配線は貴金属材
    料を用いて配線を形成し、該下部配線の上部に大気雰囲
    気中で絶縁ペ−ストを焼成して絶縁層を形成した後、該
    絶縁層の上部及び該絶縁層の上部以外の配線は卑金属導
    体を用いて窒素雰囲気中で焼成して形成することを特徴
    とする厚膜回路基板の製造方法。
JP6318691A 1991-03-27 1991-03-27 厚膜回路基板の製造方法 Pending JPH0513952A (ja)

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Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0354890A (ja) * 1989-07-24 1991-03-08 Taiyo Yuden Co Ltd 厚膜回路基板及びその製造方法

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0354890A (ja) * 1989-07-24 1991-03-08 Taiyo Yuden Co Ltd 厚膜回路基板及びその製造方法

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Effective date: 19980421