JPH05136517A - 半導体レ−ザ装置 - Google Patents
半導体レ−ザ装置Info
- Publication number
- JPH05136517A JPH05136517A JP4568491A JP4568491A JPH05136517A JP H05136517 A JPH05136517 A JP H05136517A JP 4568491 A JP4568491 A JP 4568491A JP 4568491 A JP4568491 A JP 4568491A JP H05136517 A JPH05136517 A JP H05136517A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor laser
- laser device
- metal base
- optical
- rod lens
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 主として光通信用、光計測機器用に用いられ
る光ファイバ付半導体レ−ザ装置において、特に、広い
動作温度範囲において安定な光出力が得られる半導体レ
−ザ素装置を提供する。 【構成】 半導体レ−ザ素子2、集光用ロッドレンズ
5、光出力ファイバ7を固定する金属ベ−ス4上におい
て、金属ベ−ス4の垂直部4bに集光用ロッドレンズ5
を、そのレンズ5の光軸方向の長さの4分の3以上にわ
たって固定、保持することを特徴とする。 【効果】 広範囲におよぶ動作温度、周囲温度に対し安
定な光出力が得られる効果が生ずる。例えば、周囲温度
の変化(−20℃〜60℃)に対し、±3%以下の安定
した光出力が得られる。
る光ファイバ付半導体レ−ザ装置において、特に、広い
動作温度範囲において安定な光出力が得られる半導体レ
−ザ素装置を提供する。 【構成】 半導体レ−ザ素子2、集光用ロッドレンズ
5、光出力ファイバ7を固定する金属ベ−ス4上におい
て、金属ベ−ス4の垂直部4bに集光用ロッドレンズ5
を、そのレンズ5の光軸方向の長さの4分の3以上にわ
たって固定、保持することを特徴とする。 【効果】 広範囲におよぶ動作温度、周囲温度に対し安
定な光出力が得られる効果が生ずる。例えば、周囲温度
の変化(−20℃〜60℃)に対し、±3%以下の安定
した光出力が得られる。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、主として光通信用、光
計測機器用の半導体レ−ザ装置に関し、特に、広範囲に
およぶ動作温度、周囲温度に対し安定な光出力が得られ
る半導体レ−ザモジュ−ルに関する。
計測機器用の半導体レ−ザ装置に関し、特に、広範囲に
およぶ動作温度、周囲温度に対し安定な光出力が得られ
る半導体レ−ザモジュ−ルに関する。
【0002】
【従来の技術】以下、図4〜図6に基づいて、従来のこ
の種の半導体レ−ザ装置を具体的に説明する。図4は、
従来の半導体レ−ザ装置の上面図であり、図5は、同装
置の縦断面図である。また、図6は、従来の半導体レ−
ザ装置における金属ベ−スの熱ひずみモデルを示す図で
ある。
の種の半導体レ−ザ装置を具体的に説明する。図4は、
従来の半導体レ−ザ装置の上面図であり、図5は、同装
置の縦断面図である。また、図6は、従来の半導体レ−
ザ装置における金属ベ−スの熱ひずみモデルを示す図で
ある。
【0003】従来のこの種半導体レ−ザ装置は、図4及
び図5に示すように、金属ケ−ス1内に、半導体レ−ザ
素子2、この半導体レ−ザ素子2を載せたチップキャリ
ア3、金属ベ−ス4、集光用ロッドレンズ5、先端部を
金属管6により保護された光出力ファイバ7、この金属
管6よりもわずかに大きい内径を有するスライドリング
8を有し、そして、金属ケ−ス1の側壁には、光出力フ
ァイバ7を通過させる導入孔(貫通孔)が設けられてい
る。
び図5に示すように、金属ケ−ス1内に、半導体レ−ザ
素子2、この半導体レ−ザ素子2を載せたチップキャリ
ア3、金属ベ−ス4、集光用ロッドレンズ5、先端部を
金属管6により保護された光出力ファイバ7、この金属
管6よりもわずかに大きい内径を有するスライドリング
8を有し、そして、金属ケ−ス1の側壁には、光出力フ
ァイバ7を通過させる導入孔(貫通孔)が設けられてい
る。
【0004】また、金属ベ−ス4は、平坦部4a及び垂
直部4bを有しており、平坦部4aには、半導体レ−ザ
素子2がチップキャリア3を介してマウントされ、そし
て、垂直部4bに対して水平方向に設けられた貫通孔に
集光用ロッドレンズ5が固定されている。金属ベ−ス4
は、金属ベ−ス4の平坦部4aにおいて、半導体レ−ザ
素子2の周辺部を一定温度(一般的には、25℃)に制
御するために、ペルチェ素子10を介して金属ケ−ス1
内に配設されている。更に、光出力ファイバ−7は、金
属管6とスライドリング8を介して金属ベ−ス4の垂直
部4bに固定され、また、同時に金属ケ−ス1の貫通孔
においてもハンダ9で固定、封止されている。
直部4bを有しており、平坦部4aには、半導体レ−ザ
素子2がチップキャリア3を介してマウントされ、そし
て、垂直部4bに対して水平方向に設けられた貫通孔に
集光用ロッドレンズ5が固定されている。金属ベ−ス4
は、金属ベ−ス4の平坦部4aにおいて、半導体レ−ザ
素子2の周辺部を一定温度(一般的には、25℃)に制
御するために、ペルチェ素子10を介して金属ケ−ス1
内に配設されている。更に、光出力ファイバ−7は、金
属管6とスライドリング8を介して金属ベ−ス4の垂直
部4bに固定され、また、同時に金属ケ−ス1の貫通孔
においてもハンダ9で固定、封止されている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】ところで、従来の上記
構造の半導体レ−ザモジュ−ルは、ペルチェ素子10を
駆動させ、金属ベ−ス4の平坦部4aの温度を25℃の
一定温度に制御した状態とするものであるが、しかし、
その際のモジュ−ルの周囲温度は、変動することにな
る。即ち、モジュ−ルの周囲温度は、25℃より上昇又
は下降する場合が生ずる。この場合、金属ベ−ス4の温
度と金属ケ−ス1の周囲温度との間に温度差が生ずる。
そして、この温度差による熱は、「金属ケ−ス1→光出
力ファイバ7の金属管6→金属ベ−ス4の垂直部4b→
金属ベ−ス4の平坦部4a」の経路でまわり込む、とい
う現象が生ずる。
構造の半導体レ−ザモジュ−ルは、ペルチェ素子10を
駆動させ、金属ベ−ス4の平坦部4aの温度を25℃の
一定温度に制御した状態とするものであるが、しかし、
その際のモジュ−ルの周囲温度は、変動することにな
る。即ち、モジュ−ルの周囲温度は、25℃より上昇又
は下降する場合が生ずる。この場合、金属ベ−ス4の温
度と金属ケ−ス1の周囲温度との間に温度差が生ずる。
そして、この温度差による熱は、「金属ケ−ス1→光出
力ファイバ7の金属管6→金属ベ−ス4の垂直部4b→
金属ベ−ス4の平坦部4a」の経路でまわり込む、とい
う現象が生ずる。
【0006】この場合の金属ベ−ス4の状態を、図6に
基づいて説明すると、金属ベ−ス4の平坦部4aは、ペ
ルチェ素子10により25℃の一定温度に制御されてい
る。しかし、一方で、金属ベ−ス4の垂直部4bは、上
述した熱のまわり込みにより加熱又は冷却される。従っ
て、同一金属きょう体である金属ベ−ス4の内部で温度
勾配が生じ、例えば、高温側では、熱膨張の差異によ
り、図6に示す歪の方向11の熱ひずみが生ずる。
基づいて説明すると、金属ベ−ス4の平坦部4aは、ペ
ルチェ素子10により25℃の一定温度に制御されてい
る。しかし、一方で、金属ベ−ス4の垂直部4bは、上
述した熱のまわり込みにより加熱又は冷却される。従っ
て、同一金属きょう体である金属ベ−ス4の内部で温度
勾配が生じ、例えば、高温側では、熱膨張の差異によ
り、図6に示す歪の方向11の熱ひずみが生ずる。
【0007】そして、従来の半導体レ−ザ装置では、図
6に示すように、この歪の方向11の熱ひずみにより、
半導体レ−ザ素子2、集光用ロッドレンズ5、光出力フ
ァイバ7によって構成される光学結合系にずれが生じ、
半導体レ−ザ装置の光出力の動作温度(周囲温度)の変
化に対する安定性を悪化させる原因となっている。
6に示すように、この歪の方向11の熱ひずみにより、
半導体レ−ザ素子2、集光用ロッドレンズ5、光出力フ
ァイバ7によって構成される光学結合系にずれが生じ、
半導体レ−ザ装置の光出力の動作温度(周囲温度)の変
化に対する安定性を悪化させる原因となっている。
【0008】そこで、本発明は、上記した従来の半導体
レ−ザ装置における熱ひずみを解消する半導体レ−ザ装
置を提供することを目的とし、そして、広範囲におよぶ
動作温度、周囲温度に対し安定な光出力が得られる半導
体レ−ザ装置を提供することを目的とする。
レ−ザ装置における熱ひずみを解消する半導体レ−ザ装
置を提供することを目的とし、そして、広範囲におよぶ
動作温度、周囲温度に対し安定な光出力が得られる半導
体レ−ザ装置を提供することを目的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】そして、本発明は、上記
目的を達成するため、半導体レ−ザ素子、集光用ロッド
レンズ、光出力用光ファイバを保持する金属ベ−ス上に
おいて、該集光用ロッドレンズを、このレンズの光軸方
向の長さの4分の3以上にわたって固定、保持する点に
ある。
目的を達成するため、半導体レ−ザ素子、集光用ロッド
レンズ、光出力用光ファイバを保持する金属ベ−ス上に
おいて、該集光用ロッドレンズを、このレンズの光軸方
向の長さの4分の3以上にわたって固定、保持する点に
ある。
【0010】即ち、本発明は、金属ケ−ス内に半導体レ
−ザ素子及び光出力用光ファイバを備え、また、該半導
体レ−ザ素子の光出力として、該光出力用光ファイバに
集光し、結合させるための集光用ロッドレンズを備えた
半導体レ−ザモジュ−ルにおいて、該ロッドレンズが固
定されている金属ベ−スが、該ロッドレンズの軸方向の
長さの4分の3以上にわたって保持してなることを特徴
とする半導体レ−ザ装置である。
−ザ素子及び光出力用光ファイバを備え、また、該半導
体レ−ザ素子の光出力として、該光出力用光ファイバに
集光し、結合させるための集光用ロッドレンズを備えた
半導体レ−ザモジュ−ルにおいて、該ロッドレンズが固
定されている金属ベ−スが、該ロッドレンズの軸方向の
長さの4分の3以上にわたって保持してなることを特徴
とする半導体レ−ザ装置である。
【0011】本発明の半導体レ−ザ装置において、金属
ベ−スに集光用ロッドレンズを固定、保持させる手段と
しては、周知・慣用手段、例えば、ソルダーで固定する
ことができる。
ベ−スに集光用ロッドレンズを固定、保持させる手段と
しては、周知・慣用手段、例えば、ソルダーで固定する
ことができる。
【0012】
【作用】本発明は、上記したとおり、集光用ロッドレン
ズを、このレンズの光軸方向の長さの4分の3以上にわ
たって固定、保持するものであり、これによって、前述
した原因によって生ずる熱ひずみ(図6に示す歪の方向
11における熱ひずみ)を減少させることができ、そし
て、光学結合系(半導体レ−ザ素子、集光用ロッドレン
ズ、光出力用光ファイバによって構成される光学結合
系)に与えるずれの影響を極力小さくする作用が生ず
る。
ズを、このレンズの光軸方向の長さの4分の3以上にわ
たって固定、保持するものであり、これによって、前述
した原因によって生ずる熱ひずみ(図6に示す歪の方向
11における熱ひずみ)を減少させることができ、そし
て、光学結合系(半導体レ−ザ素子、集光用ロッドレン
ズ、光出力用光ファイバによって構成される光学結合
系)に与えるずれの影響を極力小さくする作用が生ず
る。
【0013】
【実施例】次に、本発明の実施例を図1〜図3に基づい
て説明する。図1は、本発明の実施例を示す半導体レ−
ザ装置の上面図であり、図2は、同装置の縦断面図であ
る。また、図3は、同装置における金属ベ−スの熱ひず
みモデルを示す図である。図1〜図3において、符号1
〜10は、前記した従来の半導体レ−ザ装置と同一部分
であり、重複するため、その説明を省略する。
て説明する。図1は、本発明の実施例を示す半導体レ−
ザ装置の上面図であり、図2は、同装置の縦断面図であ
る。また、図3は、同装置における金属ベ−スの熱ひず
みモデルを示す図である。図1〜図3において、符号1
〜10は、前記した従来の半導体レ−ザ装置と同一部分
であり、重複するため、その説明を省略する。
【0014】本実施例において、集光用ロッドレンズ5
は、その光軸方向の長さを4分の3以上にわたって融着
剤により保持、固定されている。この半導体レ−ザ装置
において、金属ベ−ス4の温度と金属ケ−ス1の周囲温
度との間に差がある場合、この温度差による熱は、前述
したとおり、「金属ケ−ス1→光出力ファイバ7の金属
管6→金属ベ−ス4の垂直部4b→金属ベ−ス4の平坦
部4a」の経路でまわり込むけれども、集光用ロッドレ
ンズ5が4分の3以上にわたって保持、固定されている
から、前記した図6に示す歪の方向11の熱ひずみが極
めて少ない。この場合の金属ベ−スの熱ひずみモデル
は、図3に示すようになり、従来の半導体レ−ザ装置に
比べ、光学結合系(半導体レ−ザ素子2、集光用ロッド
レンズ5、光出力用ファイバ7によって構成される光学
結合系)に与える光軸ずれ量は、極めて小さいことが理
解できる。
は、その光軸方向の長さを4分の3以上にわたって融着
剤により保持、固定されている。この半導体レ−ザ装置
において、金属ベ−ス4の温度と金属ケ−ス1の周囲温
度との間に差がある場合、この温度差による熱は、前述
したとおり、「金属ケ−ス1→光出力ファイバ7の金属
管6→金属ベ−ス4の垂直部4b→金属ベ−ス4の平坦
部4a」の経路でまわり込むけれども、集光用ロッドレ
ンズ5が4分の3以上にわたって保持、固定されている
から、前記した図6に示す歪の方向11の熱ひずみが極
めて少ない。この場合の金属ベ−スの熱ひずみモデル
は、図3に示すようになり、従来の半導体レ−ザ装置に
比べ、光学結合系(半導体レ−ザ素子2、集光用ロッド
レンズ5、光出力用ファイバ7によって構成される光学
結合系)に与える光軸ずれ量は、極めて小さいことが理
解できる。
【0015】例えば、金属ベ−ス4の温度を25℃の一
定温度とし、金属ケ−ス1の周囲温度を−20〜60℃
まで変化させた場合、従来の半導体レ−ザ装置では、光
ファイバ出力の安定性は、±5%程度であるが、本発明
を適用した場合、±3%となり、周囲温度の変化に対し
非常に安定な光出力が得られる。
定温度とし、金属ケ−ス1の周囲温度を−20〜60℃
まで変化させた場合、従来の半導体レ−ザ装置では、光
ファイバ出力の安定性は、±5%程度であるが、本発明
を適用した場合、±3%となり、周囲温度の変化に対し
非常に安定な光出力が得られる。
【0016】
【発明の効果】本発明は、以上説明したように、集光用
ロッドレンズを、このレンズの光軸方向の長さの4分の
3以上にわたって固定、保持する点を特徴とするもので
あり、これによって、広範囲におよぶ動作温度、周囲温
度に対し安定な光出力が得られる効果が生ずる。即ち、
本発明の半導体レ−ザ装置において、ペルチェ素子を動
作させ、金属ベ−スを、例えば、25℃の一定温度に制
御し動作させる通常の使用状態とした場合、周囲温度の
変化によって生ずる光出力の不安定性を大幅に改善する
ことができ、例えば、周囲温度の変化(−20℃〜60
℃)に対し、±3%以下の安定した光出力が得られる効
果が生ずる。
ロッドレンズを、このレンズの光軸方向の長さの4分の
3以上にわたって固定、保持する点を特徴とするもので
あり、これによって、広範囲におよぶ動作温度、周囲温
度に対し安定な光出力が得られる効果が生ずる。即ち、
本発明の半導体レ−ザ装置において、ペルチェ素子を動
作させ、金属ベ−スを、例えば、25℃の一定温度に制
御し動作させる通常の使用状態とした場合、周囲温度の
変化によって生ずる光出力の不安定性を大幅に改善する
ことができ、例えば、周囲温度の変化(−20℃〜60
℃)に対し、±3%以下の安定した光出力が得られる効
果が生ずる。
【図1】図1は、本発明の実施例を示す半導体レ−ザ装
置の上面図である。
置の上面図である。
【図2】図2は、図1に示す半導体レ−ザ装置の縦断面
図である。
図である。
【図3】図3は、本発明の半導体レ−ザ装置における金
属ベ−スの熱ひずみモデルを示す図である。
属ベ−スの熱ひずみモデルを示す図である。
【図4】図4は、従来の半導体レ−ザ装置の上面図であ
る。
る。
【図5】図5は、従来の半導体レ−ザ装置のの縦断面図
である。
である。
【図6】図6は、従来の半導体レ−ザ装置における金属
ベ−スの熱ひずみモデルを示す図である。
ベ−スの熱ひずみモデルを示す図である。
1 金属ケ−ス 2 半導体レ−ザ素子 3 チップキャリア 4 金属ベ−ス 4a 平坦部 4b 垂直部 5 集光用ロッドレンズ 6 金属管 7 光出力ファイバ 8 スライドリング 9 ハンダ 10 ペルチェ素子 11 歪の方向
Claims (1)
- 金属ケ−ス内に半導体レ−ザ素子及び光出力用光ファイ
バを備え、また、該半導体レ−ザ素子の光出力として、
該光出力用光ファイバに集光し、結合させるための集光
用ロッドレンズを備えた半導体レ−ザモジュ−ルにおい
て、該ロッドレンズが固定されている金属ベ−スが、該
ロッドレンズの軸方向の長さの4分の3以上にわたって
保持してなることを特徴とする半導体レ−ザ装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4568491A JPH05136517A (ja) | 1991-02-20 | 1991-02-20 | 半導体レ−ザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4568491A JPH05136517A (ja) | 1991-02-20 | 1991-02-20 | 半導体レ−ザ装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH05136517A true JPH05136517A (ja) | 1993-06-01 |
Family
ID=12726222
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP4568491A Pending JPH05136517A (ja) | 1991-02-20 | 1991-02-20 | 半導体レ−ザ装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH05136517A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000111764A (ja) * | 1998-09-30 | 2000-04-21 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 発光素子モジュール |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02150811A (ja) * | 1988-12-01 | 1990-06-11 | Nec Corp | 半導体レーザモジュール |
-
1991
- 1991-02-20 JP JP4568491A patent/JPH05136517A/ja active Pending
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02150811A (ja) * | 1988-12-01 | 1990-06-11 | Nec Corp | 半導体レーザモジュール |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000111764A (ja) * | 1998-09-30 | 2000-04-21 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 発光素子モジュール |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7903706B2 (en) | Compact, thermally stable multi-laser engine | |
US5210650A (en) | Compact, passively athermalized optical assembly | |
EP0604327A1 (en) | Method and apparatus for combined active and passive athermalization of an optical assembly | |
JP4413417B2 (ja) | レーザダイオードモジュール | |
US5247530A (en) | Laser diode module | |
US4431947A (en) | Controlled light source | |
JPS61162014A (ja) | 平行レ−ザ−ビ−ム用光源装置 | |
JPS6343904B2 (ja) | ||
JP3288888B2 (ja) | 光ファイバ光源組立体 | |
JP2010050137A (ja) | 光モジュール、それを用いた光通信装置及び反射光路設定方法 | |
US6002702A (en) | Radiation source for laser spectroscopy | |
JPS62109385A (ja) | 半導体レ−ザ装置 | |
JPH05136517A (ja) | 半導体レ−ザ装置 | |
JP2000284334A (ja) | 結晶保持装置 | |
JPH0552927B2 (ja) | ||
JPS5947789A (ja) | 光フアイバを備えた光半導体モジユ−ル | |
JPH10281883A (ja) | 光周波数基準セル装置 | |
JPS62139375A (ja) | 半導体レーザモジュール | |
JPS63316812A (ja) | 光半導体装置 | |
JPH06230252A (ja) | 温度補償型光素子モジュール | |
JPH0479391A (ja) | 半導体レーザモジュール | |
JPH01122183A (ja) | 半導体レーザ装置 | |
SU1165210A1 (ru) | Стабилизированный лазер | |
JPH109867A (ja) | レーザ装置 | |
US20030099274A1 (en) | Laser module |