JPH05135618A - 導電性樹脂粒子 - Google Patents
導電性樹脂粒子Info
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- JPH05135618A JPH05135618A JP3770092A JP3770092A JPH05135618A JP H05135618 A JPH05135618 A JP H05135618A JP 3770092 A JP3770092 A JP 3770092A JP 3770092 A JP3770092 A JP 3770092A JP H05135618 A JPH05135618 A JP H05135618A
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- Japan
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- resin particles
- film
- composite film
- conductive
- electroconductive
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- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/321—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by conductive adhesives
Landscapes
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Conductive Materials (AREA)
- Non-Insulated Conductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】樹脂等に分散させたとき導電性にむらが生じる
ことなく、しかも導電膜の密着性が優れ、圧縮応力を受
けても導電膜が剥離しにくい導電性樹脂粒子 【構成】樹脂粒子表面に形成された複合膜が、プラズマ
重合によって形成された共役系高分子もしくはシロキサ
ン系高分子と、スパッタリングによって形成された金属
の混合物からなる複合膜であり、その膜の上に導電膜が
形成されている。上記複合膜中の共役系高分子もしくは
シロキサン系高分子は下記有機モノマ−をプラズマ重合
して得られる。 （共役系高分子の場合の例）ペリレン、3,4,9,10−ペリ
レンテトラカルボン酸ジイミド、3,4,9,10−ペリレンテ
トラカルボン酸二無水物およびそれらの誘導体等の縮合
芳香族化合物、ビフェニル化合物、ターフェニル化合
物、クォ−タ−フェニル化合物等のフェニル化合物およ
びその誘導体などの共役系モノマ− （シロキサン系高分子の場合の例）アルコキシシラン、
アルキル置換ジシロキサンなどのシラン系モノマ−。
ことなく、しかも導電膜の密着性が優れ、圧縮応力を受
けても導電膜が剥離しにくい導電性樹脂粒子 【構成】樹脂粒子表面に形成された複合膜が、プラズマ
重合によって形成された共役系高分子もしくはシロキサ
ン系高分子と、スパッタリングによって形成された金属
の混合物からなる複合膜であり、その膜の上に導電膜が
形成されている。上記複合膜中の共役系高分子もしくは
シロキサン系高分子は下記有機モノマ−をプラズマ重合
して得られる。 （共役系高分子の場合の例）ペリレン、3,4,9,10−ペリ
レンテトラカルボン酸ジイミド、3,4,9,10−ペリレンテ
トラカルボン酸二無水物およびそれらの誘導体等の縮合
芳香族化合物、ビフェニル化合物、ターフェニル化合
物、クォ−タ−フェニル化合物等のフェニル化合物およ
びその誘導体などの共役系モノマ− （シロキサン系高分子の場合の例）アルコキシシラン、
アルキル置換ジシロキサンなどのシラン系モノマ−。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は導電性樹脂粒子に関す
る。
る。
【０００２】
【従来の技術】一般に、導電性ペ−スト、導電性接着
剤、異方導電フィルム等の導電性材料には、金、銀、ニ
ッケル等の導電粒子と樹脂からなる組成物が用いられて
いる。しかしながら、金属粒子は樹脂にくらべて比重が
大きく、形状も不定形をしているため、樹脂中に均一に
分散させることが難しく、導電性にむらが生じやすい。
剤、異方導電フィルム等の導電性材料には、金、銀、ニ
ッケル等の導電粒子と樹脂からなる組成物が用いられて
いる。しかしながら、金属粒子は樹脂にくらべて比重が
大きく、形状も不定形をしているため、樹脂中に均一に
分散させることが難しく、導電性にむらが生じやすい。
【０００３】上記欠点を解決するために、球状の導電粒
子が種々提案されており、例えば、特開昭５９−２８１
８５号公報に、ガラスビ−ズ、プラスチックボ−ル等の
粒子を金属で被覆した導電粒子が記載されている。しか
し、上記導電粒子は、金、銀、ニッケル等の金属を粒子
表面に無電解メッキして製造されているため、金属と粒
子の密着性が悪く、温度変化や機械的な圧縮によって粒
子が変形したとき金属が剥離するという欠点があった。
子が種々提案されており、例えば、特開昭５９−２８１
８５号公報に、ガラスビ−ズ、プラスチックボ−ル等の
粒子を金属で被覆した導電粒子が記載されている。しか
し、上記導電粒子は、金、銀、ニッケル等の金属を粒子
表面に無電解メッキして製造されているため、金属と粒
子の密着性が悪く、温度変化や機械的な圧縮によって粒
子が変形したとき金属が剥離するという欠点があった。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記欠点に
鑑みてなされたものであり、その目的は、樹脂等に分散
させたとき導電性にむらが生じることなく、しかも、圧
縮応力を受けても導電膜が剥離しにくい導電性樹脂粒子
を提供することにある。
鑑みてなされたものであり、その目的は、樹脂等に分散
させたとき導電性にむらが生じることなく、しかも、圧
縮応力を受けても導電膜が剥離しにくい導電性樹脂粒子
を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明で使用される樹脂
粒子としては特に限定されるものではなく、例えば、ポ
リエチレン、ポリプロピレン、ポリスチレン、ポリ塩化
ビニル、ポリフッ化ビニル、ポリテトラフルオロエチレ
ン、ポリエチレンテレフタレ−ト、ポリスルホン、ポリ
カ−ボネ−ト、ポリアクリロニトリル、ポリアミド、ポ
リアセタ−ル等の高分子からなる粒子があげられ、これ
らは、一定の範囲の粒径に分級して使用するのが好まし
い。
粒子としては特に限定されるものではなく、例えば、ポ
リエチレン、ポリプロピレン、ポリスチレン、ポリ塩化
ビニル、ポリフッ化ビニル、ポリテトラフルオロエチレ
ン、ポリエチレンテレフタレ−ト、ポリスルホン、ポリ
カ−ボネ−ト、ポリアクリロニトリル、ポリアミド、ポ
リアセタ−ル等の高分子からなる粒子があげられ、これ
らは、一定の範囲の粒径に分級して使用するのが好まし
い。
【０００６】本発明の導電性樹脂粒子は、上記樹脂粒子
表面に、プラズマ重合法によって形成された共役系高分
子もしくはシロキサン系高分子と、スパッタリング法に
よって形成された金属との混合物からなる複合膜、およ
び導電膜がこの順序で順次形成されたものであり、上記
プラズマ重合とスパッタリングは同一容器内で同時に行
われる。
表面に、プラズマ重合法によって形成された共役系高分
子もしくはシロキサン系高分子と、スパッタリング法に
よって形成された金属との混合物からなる複合膜、およ
び導電膜がこの順序で順次形成されたものであり、上記
プラズマ重合とスパッタリングは同一容器内で同時に行
われる。
【０００７】上記共役系高分子は、共役二重結合を有す
る有機モノマ−を出発原料としてプラズマ重合して形成
され、該有機モノマ−としては、例えば、ペリレン、3,
4,9,10−ペリレンテトラカルボン酸ジイミド、3,4,9,10
−ペリレンテトラカルボン酸二無水物およびそれらの誘
導体等の縮合芳香族化合物、ビフェニル、４，４’−ビ
フェニルジオ−ル等のビフェニル化合物、ｐ−タ−フェ
ニル等のタ−フェニル化合物、ｐ−クォ−タ−フェニ
ル、４−ヒドロキシ−ｐ−クォ−タ−フェニル、４，
４’−ジヒドロキシ−ｐ−クォ−タ−フェニル等のクォ
−タ−フェニル化合物などのフェニル化合物およびその
誘導体等があげられる。
る有機モノマ−を出発原料としてプラズマ重合して形成
され、該有機モノマ−としては、例えば、ペリレン、3,
4,9,10−ペリレンテトラカルボン酸ジイミド、3,4,9,10
−ペリレンテトラカルボン酸二無水物およびそれらの誘
導体等の縮合芳香族化合物、ビフェニル、４，４’−ビ
フェニルジオ−ル等のビフェニル化合物、ｐ−タ−フェ
ニル等のタ−フェニル化合物、ｐ−クォ−タ−フェニ
ル、４−ヒドロキシ−ｐ−クォ−タ−フェニル、４，
４’−ジヒドロキシ−ｐ−クォ−タ−フェニル等のクォ
−タ−フェニル化合物などのフェニル化合物およびその
誘導体等があげられる。
【０００８】一方、シロキサン系高分子は、珪素を含有
する有機モノマ−を出発原料としてプラズマ重合して形
成され、該有機モノマ−としては、例えば、一般式 Si
(R1)4（式中、Ｒ1 としては、アルキル基、アルコキシ
基、フェニル基、ビニル基等があげられ、それぞれ同一
であっても異なっていてもよい）で表されるシラン系モ
ノマ−、シロキサン結合を有するシロキサン系モノマ−
等があげられる。なお、シラン系モノマ−中で酸素を含
まないモノマ−を使用する場合は、別途、酸素ガスを導
入してやればよい。
する有機モノマ−を出発原料としてプラズマ重合して形
成され、該有機モノマ−としては、例えば、一般式 Si
(R1)4（式中、Ｒ1 としては、アルキル基、アルコキシ
基、フェニル基、ビニル基等があげられ、それぞれ同一
であっても異なっていてもよい）で表されるシラン系モ
ノマ−、シロキサン結合を有するシロキサン系モノマ−
等があげられる。なお、シラン系モノマ−中で酸素を含
まないモノマ−を使用する場合は、別途、酸素ガスを導
入してやればよい。
【０００９】上記シラン系モノマ−の具体例としては、
例えば、テトラエチルシラン、テトラメトキシシラン、
テトラエトキシシラン、メチルトリメトキシシラン、メ
チルトリエトキシシラン、エチルトリエトキシシラン、
ビニルトリエトキシシラン、フェニルトリエトキシシラ
ン等があげられ、シロキサン系モノマ−の具体例として
は、例えば、ヘキサメチルジシロキサン、ヘキサエチル
ジシロキサン等があげられる。
例えば、テトラエチルシラン、テトラメトキシシラン、
テトラエトキシシラン、メチルトリメトキシシラン、メ
チルトリエトキシシラン、エチルトリエトキシシラン、
ビニルトリエトキシシラン、フェニルトリエトキシシラ
ン等があげられ、シロキサン系モノマ−の具体例として
は、例えば、ヘキサメチルジシロキサン、ヘキサエチル
ジシロキサン等があげられる。
【００１０】上記有機モノマ−のプラズマ重合は、キャ
リアガスで一定圧力に調整された容器内にガス化された
有機モノマ−を導入し、電極間に電力を供給することに
より行われる。上記キャリアガスとしては、例えば、Ｎ
2 、Ａｒ等の不活性ガスが好適に使用され、そのときの
圧力は、１０-1〜１０-4Torrが好ましく、より好ましく
は１０ -2〜１０-3Torrである。
リアガスで一定圧力に調整された容器内にガス化された
有機モノマ−を導入し、電極間に電力を供給することに
より行われる。上記キャリアガスとしては、例えば、Ｎ
2 、Ａｒ等の不活性ガスが好適に使用され、そのときの
圧力は、１０-1〜１０-4Torrが好ましく、より好ましく
は１０ -2〜１０-3Torrである。
【００１１】ガス化された有機モノマ−を容器内に導入
する方法は、使用するモノマ−の性状によって適宜決定
されるが、例えば、固体状のモノマ−の場合は、容器内
に設置した加熱容器中でモノマ−を加熱してガス化する
方法が好ましく、液体状のモノマ−の場合は、容器外で
モノマ−を加熱してガス化し、それを容器内に導入する
方法が好ましい。上記加熱温度は、モノマ−の種類によ
って適宜決定されるが、例えば、１００〜５００℃が好
ましい。
する方法は、使用するモノマ−の性状によって適宜決定
されるが、例えば、固体状のモノマ−の場合は、容器内
に設置した加熱容器中でモノマ−を加熱してガス化する
方法が好ましく、液体状のモノマ−の場合は、容器外で
モノマ−を加熱してガス化し、それを容器内に導入する
方法が好ましい。上記加熱温度は、モノマ−の種類によ
って適宜決定されるが、例えば、１００〜５００℃が好
ましい。
【００１２】上記供給される電力の種類としては特に限
定されるものではなく、例えば、周波数が１０ｋＨｚ〜
３５ｋＨｚまたは１０ＭＨｚ〜５０ＭＨｚのもの、直流
等が好適に使用でき、その出力は、５０Ｗ〜１ｋＷが好
ましい。
定されるものではなく、例えば、周波数が１０ｋＨｚ〜
３５ｋＨｚまたは１０ＭＨｚ〜５０ＭＨｚのもの、直流
等が好適に使用でき、その出力は、５０Ｗ〜１ｋＷが好
ましい。
【００１３】上記スパッタリングされる金属としては、
特に限定されるものではなく、例えば、金、銀、銅、
鉄、錫、クロム、ニッケル、コバルト、チタン等の単一
金属や、ステンレス鋼、Ｎｉ−Ｆｅ（パーマロイ）、Ｃ
ｕ−Ｃｏ、Ｃｏ−Ｃｒ、Ｓｎ−Ｃｏ、Ｇｄ−Ｃｏ、Ｇｄ
−Ｆｅ等の合金などが挙げられる。
特に限定されるものではなく、例えば、金、銀、銅、
鉄、錫、クロム、ニッケル、コバルト、チタン等の単一
金属や、ステンレス鋼、Ｎｉ−Ｆｅ（パーマロイ）、Ｃ
ｕ−Ｃｏ、Ｃｏ−Ｃｒ、Ｓｎ−Ｃｏ、Ｇｄ−Ｃｏ、Ｇｄ
−Ｆｅ等の合金などが挙げられる。
【００１４】上記金属のスパッタリングは、金属を陽極
電極材料として使用し、キャリアガスで一定圧力に調整
された容器内で、電極間に電力を供給して上記キャリア
ガスをイオン化し、加速することにより上記金属電極を
スパッタして行われる。上記スパッタリングは、同一容
器内で有機モノマ−のプラズマ重合と同時におこなわれ
るので、その条件は、上記プラズマ重合条件と同一であ
る。
電極材料として使用し、キャリアガスで一定圧力に調整
された容器内で、電極間に電力を供給して上記キャリア
ガスをイオン化し、加速することにより上記金属電極を
スパッタして行われる。上記スパッタリングは、同一容
器内で有機モノマ−のプラズマ重合と同時におこなわれ
るので、その条件は、上記プラズマ重合条件と同一であ
る。
【００１５】本発明で使用される複合膜の膜厚は、特に
限定されるものではないが、薄くなると樹脂粒子表面に
導電膜を強固に密着させるためのバインダ−効果が低下
し、厚くなると導電性樹脂粒子の粒径が不均一となり、
マトリックス中に分散させたときに導電性にむらが生じ
やすくなるので、０．０２〜１μｍが好ましく、より好
ましくは０．０５〜０．５μｍ、さらに好ましくは０．
１〜０．５μｍである。
限定されるものではないが、薄くなると樹脂粒子表面に
導電膜を強固に密着させるためのバインダ−効果が低下
し、厚くなると導電性樹脂粒子の粒径が不均一となり、
マトリックス中に分散させたときに導電性にむらが生じ
やすくなるので、０．０２〜１μｍが好ましく、より好
ましくは０．０５〜０．５μｍ、さらに好ましくは０．
１〜０．５μｍである。
【００１６】本発明で使用される導電膜は金属からなっ
ており、その金属としては特に限定されるものではな
く、金、銀、銅、鉄、錫、クロム、ニッケル、コバル
ト、チタン等の単一金属や、ステンレス鋼、Ｎｉ−Ｆｅ
（パーマロイ）、Ｃｕ−Ｃｏ、Ｃｏ−Ｃｒ、Ｓｎ−Ｃ
ｏ、Ｇｄ−Ｃｏ、Ｇｄ−Ｆｅ等の合金などが挙げられ
る。
ており、その金属としては特に限定されるものではな
く、金、銀、銅、鉄、錫、クロム、ニッケル、コバル
ト、チタン等の単一金属や、ステンレス鋼、Ｎｉ−Ｆｅ
（パーマロイ）、Ｃｕ−Ｃｏ、Ｃｏ−Ｃｒ、Ｓｎ−Ｃ
ｏ、Ｇｄ−Ｃｏ、Ｇｄ−Ｆｅ等の合金などが挙げられ
る。
【００１７】上記金属を膜状に形成する方法としては、
スパッタリング法、真空蒸着法、イオンプレ−ティング
法、メッキ法等の従来公知の成膜方法を用いることがで
きるが、複合膜との密着性をより強固なものとするため
には、スパッタリング法が好ましい。
スパッタリング法、真空蒸着法、イオンプレ−ティング
法、メッキ法等の従来公知の成膜方法を用いることがで
きるが、複合膜との密着性をより強固なものとするため
には、スパッタリング法が好ましい。
【００１８】尚、スパッタリング法を用いて導電膜を成
膜する場合、前記複合膜を形成する際のスパッタリング
条件と同様の条件を用いて成膜すればよい。
膜する場合、前記複合膜を形成する際のスパッタリング
条件と同様の条件を用いて成膜すればよい。
【００１９】上記導電膜の膜厚は、薄くなると導電性が
低下し、厚くなると導電性樹脂粒子が温度変化や機械的
な圧縮等により変形したとき、複合膜から剥離しやすく
なるので、０．０２〜１μｍが好ましく、より好ましく
は０．０５〜０．５μｍである。
低下し、厚くなると導電性樹脂粒子が温度変化や機械的
な圧縮等により変形したとき、複合膜から剥離しやすく
なるので、０．０２〜１μｍが好ましく、より好ましく
は０．０５〜０．５μｍである。
【００２０】本発明で使用される複合膜および導電膜
は、上記した材料および方法を用いて形成されるが、樹
脂粒子の表面に均一な膜厚で複合膜を形成し、さらにそ
の上に導電膜を均一な膜厚で形成するためには、樹脂粒
子が保持される容器に振動装置や攪拌装置を設け、樹脂
粒子を攪拌しながら導電膜を形成するのが好ましい。
は、上記した材料および方法を用いて形成されるが、樹
脂粒子の表面に均一な膜厚で複合膜を形成し、さらにそ
の上に導電膜を均一な膜厚で形成するためには、樹脂粒
子が保持される容器に振動装置や攪拌装置を設け、樹脂
粒子を攪拌しながら導電膜を形成するのが好ましい。
【００２１】本発明の用途としては、導電ペースト、導
電性接着剤、異方導電フィルム、電磁波シールド等が挙
げられる。また、本発明の他の用途としては、例えば、
二枚のプリント回路基板を電気的に接続するための接点
が挙げられる。
電性接着剤、異方導電フィルム、電磁波シールド等が挙
げられる。また、本発明の他の用途としては、例えば、
二枚のプリント回路基板を電気的に接続するための接点
が挙げられる。
【００２２】上記接点として、前記複合膜又は導電膜
が、例えば、鉄、コバルト、ニッケル等の強磁性金属に
より形成された導電性樹脂粒子を用いた場合、該樹脂粒
子を、一枚のプリント回路基板の裏側より磁石で吸着さ
せて電極部に固定し、固定された樹脂粒子に、もう一枚
のプリント回路基板の電極部を圧着して、非電極部を接
着することにより、二枚のプリント回路基板の電極間を
正確に接続することができる。
が、例えば、鉄、コバルト、ニッケル等の強磁性金属に
より形成された導電性樹脂粒子を用いた場合、該樹脂粒
子を、一枚のプリント回路基板の裏側より磁石で吸着さ
せて電極部に固定し、固定された樹脂粒子に、もう一枚
のプリント回路基板の電極部を圧着して、非電極部を接
着することにより、二枚のプリント回路基板の電極間を
正確に接続することができる。
【００２３】
【実施例】以下、本発明の実施例を説明する。
【００２４】実施例１ （複合膜の成膜）上部電極（陽極）および下部電極（陰
極）がステンレス鋼板（ＳＵＳ−３０４）からなる並行
平板電極を設置した反応容器内の下部電極に直径４０ｍ
ｍのペトリ皿を置き、この中にポリスチレン系樹脂粒子
（積水ファインケミカル社製、商品名：ミクロパ−ルＳ
Ｐ）を供給した。次いで、反応容器内に別途設置された
タングステンボ−ドに４，４’−ジヒドロキシ−ｐ−ク
オ−タ−フェニルを供給し、容器内を１×１０-5Torrに
減圧した後、Ａｒガスを容器内の全圧が５×１０-3Torr
となるように供給した。次いで、タングステンボ−ドに
電流を流して４，４’−ジヒドロキシ−ｐ−クオ−タ−
フェニルを３００℃に加熱するとともに、電極間に１
３．５６ＭＨｚの高周波を１００Ｗの出力で印加し、上
記樹脂粒子を攪拌しながら樹脂粒子表面に０．２μｍの
厚さの複合膜を形成した。得られた複合膜の元素分析を
Ｘ線光電子分光法により行ったところ、主元素の原子数
の割合は、Ｃ：４１％、Ｏ：３１％、Ｆｅ：１１％、Ｃ
ｒ：４％であった。上記複合膜が形成された樹脂粒子を
電極面積３mm2 、電極間距離７０μｍの電極に挟んで電
気抵抗値を測定したところ１０4 Ωであった。 （導電膜の成膜）上部電極（陽極）が金製、下部電極
（陰極）がステンレス鋼板（ＳＵＳ−３０４）からなる
並行平板電極を設置した反応容器内の下部電極に直径４
０ｍｍのペトリ皿を置き、この中に上記複合膜が形成さ
れた樹脂粒子を供給した。次いで、反応容器内を１×１
０-5Torrに減圧した後、Ａｒガスを容器内の全圧が５×
１０-3Torrとなるように供給し、電極間に１３．５６Ｍ
Ｈｚの高周波を１００Ｗの出力で印加し、上記複合膜が
形成された樹脂粒子を攪拌しながら複合膜表面に、０．
１μｍの厚さで金導電膜を形成して導電性樹脂粒子を得
た。得られた導電性樹脂粒子を電極面積３mm2 、電極間
距離７０μｍの電極に挟んで電気抵抗値を測定したとこ
ろ７０Ωであった。また、上記導電性樹脂粒子をガラス
板上に３０〜４０個／mm2 の密度で散布し、別のガラス
板を重ねた状態で、ガラス板上から１５ｋｇ／cm2 の圧
力を加えた後、導電性樹脂粒子表面を光学顕微鏡で観察
したところ、導電膜の剥離は全くみられなかった。
極）がステンレス鋼板（ＳＵＳ−３０４）からなる並行
平板電極を設置した反応容器内の下部電極に直径４０ｍ
ｍのペトリ皿を置き、この中にポリスチレン系樹脂粒子
（積水ファインケミカル社製、商品名：ミクロパ−ルＳ
Ｐ）を供給した。次いで、反応容器内に別途設置された
タングステンボ−ドに４，４’−ジヒドロキシ−ｐ−ク
オ−タ−フェニルを供給し、容器内を１×１０-5Torrに
減圧した後、Ａｒガスを容器内の全圧が５×１０-3Torr
となるように供給した。次いで、タングステンボ−ドに
電流を流して４，４’−ジヒドロキシ−ｐ−クオ−タ−
フェニルを３００℃に加熱するとともに、電極間に１
３．５６ＭＨｚの高周波を１００Ｗの出力で印加し、上
記樹脂粒子を攪拌しながら樹脂粒子表面に０．２μｍの
厚さの複合膜を形成した。得られた複合膜の元素分析を
Ｘ線光電子分光法により行ったところ、主元素の原子数
の割合は、Ｃ：４１％、Ｏ：３１％、Ｆｅ：１１％、Ｃ
ｒ：４％であった。上記複合膜が形成された樹脂粒子を
電極面積３mm2 、電極間距離７０μｍの電極に挟んで電
気抵抗値を測定したところ１０4 Ωであった。 （導電膜の成膜）上部電極（陽極）が金製、下部電極
（陰極）がステンレス鋼板（ＳＵＳ−３０４）からなる
並行平板電極を設置した反応容器内の下部電極に直径４
０ｍｍのペトリ皿を置き、この中に上記複合膜が形成さ
れた樹脂粒子を供給した。次いで、反応容器内を１×１
０-5Torrに減圧した後、Ａｒガスを容器内の全圧が５×
１０-3Torrとなるように供給し、電極間に１３．５６Ｍ
Ｈｚの高周波を１００Ｗの出力で印加し、上記複合膜が
形成された樹脂粒子を攪拌しながら複合膜表面に、０．
１μｍの厚さで金導電膜を形成して導電性樹脂粒子を得
た。得られた導電性樹脂粒子を電極面積３mm2 、電極間
距離７０μｍの電極に挟んで電気抵抗値を測定したとこ
ろ７０Ωであった。また、上記導電性樹脂粒子をガラス
板上に３０〜４０個／mm2 の密度で散布し、別のガラス
板を重ねた状態で、ガラス板上から１５ｋｇ／cm2 の圧
力を加えた後、導電性樹脂粒子表面を光学顕微鏡で観察
したところ、導電膜の剥離は全くみられなかった。
【００２５】実施例２ 実施例１において、導電膜の成膜の際に使用した金製の
上部電極に代えて、銀製の上部電極を用いた以外は、実
施例１と同様にして導電性樹脂粒子を得た。得られた導
電性樹脂粒子を電極面積３mm2 、電極間距離７０μｍの
電極に挟んで電気抵抗値を測定したところ１００Ωであ
った。また、上記導電性樹脂粒子をガラス板上に３０〜
４０個／mm2 の密度で散布し、別のガラス板を重ねた状
態で、ガラス板上から１５ｋｇ／cm2の圧力を加えた
後、導電性樹脂粒子表面を光学顕微鏡で観察したとこ
ろ、導電膜の剥離は全くみられなかった。
上部電極に代えて、銀製の上部電極を用いた以外は、実
施例１と同様にして導電性樹脂粒子を得た。得られた導
電性樹脂粒子を電極面積３mm2 、電極間距離７０μｍの
電極に挟んで電気抵抗値を測定したところ１００Ωであ
った。また、上記導電性樹脂粒子をガラス板上に３０〜
４０個／mm2 の密度で散布し、別のガラス板を重ねた状
態で、ガラス板上から１５ｋｇ／cm2の圧力を加えた
後、導電性樹脂粒子表面を光学顕微鏡で観察したとこ
ろ、導電膜の剥離は全くみられなかった。
【００２６】比較例１ 実施例１において、複合膜を形成せず、導電膜のみを形
成した以外は、実施例１と同様にして導電性樹脂粒子を
得た。得られた導電性樹脂粒子をガラス板上に３０〜４
０個／mm2 の密度で散布し、別のガラス板を重ねた状態
で、ガラス板上から１５ｋｇ／cm2 の圧力を加えた後、
導電性樹脂粒子表面を光学顕微鏡で観察したところ、一
部に導電膜の剥離がみられた。
成した以外は、実施例１と同様にして導電性樹脂粒子を
得た。得られた導電性樹脂粒子をガラス板上に３０〜４
０個／mm2 の密度で散布し、別のガラス板を重ねた状態
で、ガラス板上から１５ｋｇ／cm2 の圧力を加えた後、
導電性樹脂粒子表面を光学顕微鏡で観察したところ、一
部に導電膜の剥離がみられた。
【００２７】実施例３ （複合膜の成膜）上部電極（陽極）が金製、下部電極
（陰極）がステンレス鋼板（ＳＵＳ−３０４）からなる
並行平板電極を設置した反応容器内の下部電極に直径４
０ｍｍのペトリ皿を置き、この中ポリスチレン系樹脂粒
子（積水ファインケミカル社製、商品名：ミクロパ−ル
ＳＰ）を供給した。次いで、反応容器内を１×１０-5To
rrに減圧した後、Ａｒガスを容器内の全圧が５×１０-3
Torrとなるように供給した。次いで、テトラメトキシシ
ランの蒸気を反応容器内に導入するとともに、電極間に
１３．５６ＭＨｚの高周波を１００Ｗの出力で印加し、
上記樹脂粒子を攪拌しながら樹脂粒子表面に０．１μｍ
の厚さの複合膜を形成した。得られた複合膜の元素分析
をＸ線光電子分光法により行ったところ、主元素の原子
数の割合は、Ｃ：３９％、Ｏ：２１％、Ｓｉ：２５％、
Ａｕ：１５％であった。上記複合膜が形成された樹脂粒
子を電極面積３mm2 、電極間距離７０μｍの電極に挟ん
で電気抵抗値を測定したところ１０11Ωであった。 （導電膜の成膜）上部電極（陽極）が金製、下部電極
（陰極）がステンレス鋼板（ＳＵＳ−３０４）からなる
並行平板電極を設置した反応容器内の下部電極に直径４
０ｍｍのペトリ皿を置き、この中に上記複合膜が形成さ
れた樹脂粒子を供給した。次いで、反応容器内を１×１
０-5Torrに減圧した後、Ａｒガスを容器内の全圧が５×
１０-3Torrとなるように供給し、電極間に１３．５６Ｍ
Ｈｚの高周波を１００Ｗの出力で印加し、上記複合膜が
形成された樹脂粒子を攪拌しながら複合膜表面に、０．
０７μｍの厚さで導電膜を形成して導電性樹脂粒子を得
た。得られた導電性樹脂粒子を電極面積３mm2 、電極間
距離７０μｍの電極に挟んで電気抵抗値を測定したとこ
ろ７０Ωであった。また、上記導電性樹脂粒子をガラス
板上に３０〜４０個／mm2 の密度で散布し、別のガラス
板を重ねた状態で、ガラス板上から１５ｋｇ／cm2 の圧
力を加えた後、導電性樹脂粒子表面を光学顕微鏡で観察
したところ、導電膜の剥離は全くみられなかった。
（陰極）がステンレス鋼板（ＳＵＳ−３０４）からなる
並行平板電極を設置した反応容器内の下部電極に直径４
０ｍｍのペトリ皿を置き、この中ポリスチレン系樹脂粒
子（積水ファインケミカル社製、商品名：ミクロパ−ル
ＳＰ）を供給した。次いで、反応容器内を１×１０-5To
rrに減圧した後、Ａｒガスを容器内の全圧が５×１０-3
Torrとなるように供給した。次いで、テトラメトキシシ
ランの蒸気を反応容器内に導入するとともに、電極間に
１３．５６ＭＨｚの高周波を１００Ｗの出力で印加し、
上記樹脂粒子を攪拌しながら樹脂粒子表面に０．１μｍ
の厚さの複合膜を形成した。得られた複合膜の元素分析
をＸ線光電子分光法により行ったところ、主元素の原子
数の割合は、Ｃ：３９％、Ｏ：２１％、Ｓｉ：２５％、
Ａｕ：１５％であった。上記複合膜が形成された樹脂粒
子を電極面積３mm2 、電極間距離７０μｍの電極に挟ん
で電気抵抗値を測定したところ１０11Ωであった。 （導電膜の成膜）上部電極（陽極）が金製、下部電極
（陰極）がステンレス鋼板（ＳＵＳ−３０４）からなる
並行平板電極を設置した反応容器内の下部電極に直径４
０ｍｍのペトリ皿を置き、この中に上記複合膜が形成さ
れた樹脂粒子を供給した。次いで、反応容器内を１×１
０-5Torrに減圧した後、Ａｒガスを容器内の全圧が５×
１０-3Torrとなるように供給し、電極間に１３．５６Ｍ
Ｈｚの高周波を１００Ｗの出力で印加し、上記複合膜が
形成された樹脂粒子を攪拌しながら複合膜表面に、０．
０７μｍの厚さで導電膜を形成して導電性樹脂粒子を得
た。得られた導電性樹脂粒子を電極面積３mm2 、電極間
距離７０μｍの電極に挟んで電気抵抗値を測定したとこ
ろ７０Ωであった。また、上記導電性樹脂粒子をガラス
板上に３０〜４０個／mm2 の密度で散布し、別のガラス
板を重ねた状態で、ガラス板上から１５ｋｇ／cm2 の圧
力を加えた後、導電性樹脂粒子表面を光学顕微鏡で観察
したところ、導電膜の剥離は全くみられなかった。
【００２８】実施例４ （複合膜の成膜）上部電極（陽極）が鉄製としたこと以
外は、実施例１と同様にして、ポリスチレン系樹脂粒子
表面に０．２μｍの厚さの複合膜を形成した。得られた
複合膜の元素分析をＸ線光電子分光法により行ったとこ
ろ、主元素の原子数の割合は、Ｃ：２４％、Ｏ：１８
％、Ｆｅ：５８％であった。 （導電膜の成膜）上記複合膜表面に、実施例１と同様に
して、０．１μｍの厚さで金導電膜を形成して、導電性
樹脂粒子を得た。得られた導電性樹脂粒子を電極面積
０．０９mm2 （０．３mm×０．３mm）、電極間距離７０
μｍの電極に挟んで電気抵抗値を測定したところ７８Ω
であった。 （導電性樹脂粒子の実装）太さ３００μｍの直線状電極
を３００μｍのピッチで形成したプリント回路基板
（Ａ）の電極部のみに、裏面より磁石を当てて、上記導
電性樹脂粒子を電極部に吸着させた。次いで、プリント
回路基板（Ａ）の導電性粒子に、別のプリント回路基板
（Ｂ）の電極部を圧着し、両方の回路基板（Ａ）及び
（Ｂ）の非電極部を接着剤で接着することにより、両方
の電極部同士が、導電性樹脂粒子を接点として電気的に
接続された二層プリント回路基板を作製した。この二層
プリント回路基板の導電性樹脂粒子により接続された電
極間の電気抵抗値を、導電性樹脂粒子の電気抵抗と同様
な方法により測定したところ、７８Ωであった。また、
同様な測定方法により、プリント回路基板（Ａ）の隣合
った電極間（電気的に非接続）の電気抵抗値を測定した
ところ、導通はみられなかった。
外は、実施例１と同様にして、ポリスチレン系樹脂粒子
表面に０．２μｍの厚さの複合膜を形成した。得られた
複合膜の元素分析をＸ線光電子分光法により行ったとこ
ろ、主元素の原子数の割合は、Ｃ：２４％、Ｏ：１８
％、Ｆｅ：５８％であった。 （導電膜の成膜）上記複合膜表面に、実施例１と同様に
して、０．１μｍの厚さで金導電膜を形成して、導電性
樹脂粒子を得た。得られた導電性樹脂粒子を電極面積
０．０９mm2 （０．３mm×０．３mm）、電極間距離７０
μｍの電極に挟んで電気抵抗値を測定したところ７８Ω
であった。 （導電性樹脂粒子の実装）太さ３００μｍの直線状電極
を３００μｍのピッチで形成したプリント回路基板
（Ａ）の電極部のみに、裏面より磁石を当てて、上記導
電性樹脂粒子を電極部に吸着させた。次いで、プリント
回路基板（Ａ）の導電性粒子に、別のプリント回路基板
（Ｂ）の電極部を圧着し、両方の回路基板（Ａ）及び
（Ｂ）の非電極部を接着剤で接着することにより、両方
の電極部同士が、導電性樹脂粒子を接点として電気的に
接続された二層プリント回路基板を作製した。この二層
プリント回路基板の導電性樹脂粒子により接続された電
極間の電気抵抗値を、導電性樹脂粒子の電気抵抗と同様
な方法により測定したところ、７８Ωであった。また、
同様な測定方法により、プリント回路基板（Ａ）の隣合
った電極間（電気的に非接続）の電気抵抗値を測定した
ところ、導通はみられなかった。
【００２９】実施例５ （複合膜の成膜）上部電極（陽極）を鉄の代わりに、ニ
ッケル製としたこと以外は、実施例４と同様にして、ポ
リスチレン系樹脂粒子の表面に０．２μｍの厚さの複合
膜を形成した。得られた複合膜の元素分析をＸ線光電子
分光法により行ったところ、主元素の原子数の割合は、
Ｎｉ：６７％、Ｃ：２１％、Ｏ：１２％であった。 （導電膜の成膜）次いで、実施例４と同様な方法によ
り、樹脂粒子の表面に０．１μｍの厚さの導電膜を有す
る導電性樹脂粒子を得た。得られた導電性樹脂粒子を、
実施例１と同様な方法により、電気抵抗値を測定したと
ころ１１Ωであった。また、上記導電性樹脂粒子を、実
施例１と同様な方法によって、ガラス板上で圧力を加え
た後、導電性樹脂粒子表面を光学顕微鏡で観察したとこ
ろ、導電膜の剥離は全くみられなかった。 （導電性樹脂粒子の実装）上記導電性樹脂粒子により電
気的に接続された二層プリント回路基板を、実施例４と
同様にして作製した後、電気的に接続された電極間の電
気抵抗値を測定したところ、１１Ωであった。また、実
施例４と同様にして、隣合った電極間（電気的に非接
続）の電気抵抗値を測定したところ、導通はみられなか
った。
ッケル製としたこと以外は、実施例４と同様にして、ポ
リスチレン系樹脂粒子の表面に０．２μｍの厚さの複合
膜を形成した。得られた複合膜の元素分析をＸ線光電子
分光法により行ったところ、主元素の原子数の割合は、
Ｎｉ：６７％、Ｃ：２１％、Ｏ：１２％であった。 （導電膜の成膜）次いで、実施例４と同様な方法によ
り、樹脂粒子の表面に０．１μｍの厚さの導電膜を有す
る導電性樹脂粒子を得た。得られた導電性樹脂粒子を、
実施例１と同様な方法により、電気抵抗値を測定したと
ころ１１Ωであった。また、上記導電性樹脂粒子を、実
施例１と同様な方法によって、ガラス板上で圧力を加え
た後、導電性樹脂粒子表面を光学顕微鏡で観察したとこ
ろ、導電膜の剥離は全くみられなかった。 （導電性樹脂粒子の実装）上記導電性樹脂粒子により電
気的に接続された二層プリント回路基板を、実施例４と
同様にして作製した後、電気的に接続された電極間の電
気抵抗値を測定したところ、１１Ωであった。また、実
施例４と同様にして、隣合った電極間（電気的に非接
続）の電気抵抗値を測定したところ、導通はみられなか
った。
【００３０】
【発明の効果】本発明の導電性樹脂粒子の構成は前述し
た通り、複合膜が、スパッタリング法によって形成され
た金属とプラズマ重合法によって形成された有機高分子
（共役系高分子もしくはシロキサン系高分子）の混合物
からなっており、その膜の上に導電膜が形成されている
から、上記導電性樹脂粒子は、樹脂粒子表面と複合膜、
および複合膜と導電膜の密着性が優れ、しかも圧縮応力
を加え、導電性樹脂粒子を変形させても、複合膜中の有
機高分子部分が可とう性を有するので導電膜の剥離が殆
どない。また、上記導電性樹脂粒子を樹脂等に分散した
とき、均一な導電性が得られ、かつ外圧による変形にも
耐えることができる。
た通り、複合膜が、スパッタリング法によって形成され
た金属とプラズマ重合法によって形成された有機高分子
（共役系高分子もしくはシロキサン系高分子）の混合物
からなっており、その膜の上に導電膜が形成されている
から、上記導電性樹脂粒子は、樹脂粒子表面と複合膜、
および複合膜と導電膜の密着性が優れ、しかも圧縮応力
を加え、導電性樹脂粒子を変形させても、複合膜中の有
機高分子部分が可とう性を有するので導電膜の剥離が殆
どない。また、上記導電性樹脂粒子を樹脂等に分散した
とき、均一な導電性が得られ、かつ外圧による変形にも
耐えることができる。
【００３１】また、プラズマ重合もしくはスパッタリン
グする金属として、強磁性金属を使用する場合は、得ら
れた導電性樹脂粒子は、磁気を利用して、移動、固定、
分散や回収が可能となる。
グする金属として、強磁性金属を使用する場合は、得ら
れた導電性樹脂粒子は、磁気を利用して、移動、固定、
分散や回収が可能となる。
【００３２】従って、上記導電性樹脂粒子は、導電ペ−
スト、導電性接着剤、異方導電フィルム、電磁波シ−ル
ド、面電極間の接点等の用途に好適に使用される。
スト、導電性接着剤、異方導電フィルム、電磁波シ−ル
ド、面電極間の接点等の用途に好適に使用される。
Claims (1)
- 【請求項１】樹脂粒子の表面に、プラズマ重合法によっ
て形成された共役系高分子もしくはシロキサン系高分子
と、スパッタリング法によって形成された金属との混合
物よりなる複合膜、および導電膜がこの順序で順次積層
されていることを特徴とする導電性樹脂粒子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3770092A JPH05135618A (ja) | 1991-09-18 | 1992-02-25 | 導電性樹脂粒子 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23787191 | 1991-09-18 | ||
| JP3-237871 | 1991-09-18 | ||
| JP3770092A JPH05135618A (ja) | 1991-09-18 | 1992-02-25 | 導電性樹脂粒子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05135618A true JPH05135618A (ja) | 1993-06-01 |
Family
ID=26376839
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3770092A Pending JPH05135618A (ja) | 1991-09-18 | 1992-02-25 | 導電性樹脂粒子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05135618A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20010046335A (ko) * | 1999-11-11 | 2001-06-15 | 이병철 | 플라스틱과 코팅되는 금속박막의 밀착성을 향상시키는 방법 |
| SG91372A1 (en) * | 2000-07-13 | 2002-09-17 | Mitsui Takeda Chemicals Inc | Conductive, multilayer-structured resin particles and anisotropic conductive adhesives using the same |
| KR20030094867A (ko) * | 2002-06-08 | 2003-12-18 | 태성엠앤엠주식회사 | 도전성 수지 분말의 제조방법 |
| JP2006156068A (ja) * | 2004-11-29 | 2006-06-15 | Sanyo Chem Ind Ltd | 導電性微粒子 |
| KR100811001B1 (ko) * | 2007-10-04 | 2008-03-11 | 플라즈마제닉스(주) | 고분자-금속 복합입자, 고분자-금속 나노복합체 및 그 제조방법 |
| KR100845520B1 (ko) * | 2007-02-08 | 2008-07-10 | 연세대학교 산학협력단 | 이방성 도전필름용 코어하드볼의 제조방법 |
| WO2014115467A1 (ja) * | 2013-01-24 | 2014-07-31 | 積水化学工業株式会社 | 基材粒子、導電性粒子、導電材料及び接続構造体 |
-
1992
- 1992-02-25 JP JP3770092A patent/JPH05135618A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20010046335A (ko) * | 1999-11-11 | 2001-06-15 | 이병철 | 플라스틱과 코팅되는 금속박막의 밀착성을 향상시키는 방법 |
| SG91372A1 (en) * | 2000-07-13 | 2002-09-17 | Mitsui Takeda Chemicals Inc | Conductive, multilayer-structured resin particles and anisotropic conductive adhesives using the same |
| KR20030094867A (ko) * | 2002-06-08 | 2003-12-18 | 태성엠앤엠주식회사 | 도전성 수지 분말의 제조방법 |
| JP2006156068A (ja) * | 2004-11-29 | 2006-06-15 | Sanyo Chem Ind Ltd | 導電性微粒子 |
| KR100845520B1 (ko) * | 2007-02-08 | 2008-07-10 | 연세대학교 산학협력단 | 이방성 도전필름용 코어하드볼의 제조방법 |
| KR100811001B1 (ko) * | 2007-10-04 | 2008-03-11 | 플라즈마제닉스(주) | 고분자-금속 복합입자, 고분자-금속 나노복합체 및 그 제조방법 |
| WO2014115467A1 (ja) * | 2013-01-24 | 2014-07-31 | 積水化学工業株式会社 | 基材粒子、導電性粒子、導電材料及び接続構造体 |
| JP5571271B1 (ja) * | 2013-01-24 | 2014-08-13 | 積水化学工業株式会社 | 基材粒子、導電性粒子、導電材料及び接続構造体 |
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