JPH0513543B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0513543B2 JPH0513543B2 JP62283331A JP28333187A JPH0513543B2 JP H0513543 B2 JPH0513543 B2 JP H0513543B2 JP 62283331 A JP62283331 A JP 62283331A JP 28333187 A JP28333187 A JP 28333187A JP H0513543 B2 JPH0513543 B2 JP H0513543B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- aluminum
- solar cell
- type
- semiconductor substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 42
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 40
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 16
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 7
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 5
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 5
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 2
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 2
- 229910000676 Si alloy Inorganic materials 0.000 description 26
- CSDREXVUYHZDNP-UHFFFAOYSA-N alumanylidynesilicon Chemical compound [Al].[Si] CSDREXVUYHZDNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 25
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 19
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 19
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 17
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 9
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 9
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 6
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000006023 eutectic alloy Substances 0.000 description 2
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 description 2
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 2
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- -1 phosphorus ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003376 silicon Chemical class 0.000 description 1
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0224—Electrodes
- H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0236—Special surface textures
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は結晶形シリコン太陽電池に係り、特に
入射した光の変換効率の向上に好適な太陽電池の
製造方法に関する。
入射した光の変換効率の向上に好適な太陽電池の
製造方法に関する。
BSF（Back Surface Field）太陽電池素子の光
エネルギーの電気エネルギーへの変換効率は、理
論計算によればシリコン基板の厚さが少数キヤリ
ヤ拡散長の半分程度、即ち10μｍで最大となる。
又、太陽電池素子内部へ入射した光が素子の裏面
で反射され外部へ抜け出ることなく再び素子内部
へ進入していき、太陽電池のおもて面で再び内部
へ反射される構造の即ち光のとじ込め
（lighttrapping）の構造の太陽電池素子ではシリ
コン基板の厚さは薄ければ薄い程、変換効率は高
い。従つて太陽電池素子は薄いシリコン基板を用
い製作されることが望ましい。
エネルギーの電気エネルギーへの変換効率は、理
論計算によればシリコン基板の厚さが少数キヤリ
ヤ拡散長の半分程度、即ち10μｍで最大となる。
又、太陽電池素子内部へ入射した光が素子の裏面
で反射され外部へ抜け出ることなく再び素子内部
へ進入していき、太陽電池のおもて面で再び内部
へ反射される構造の即ち光のとじ込め
（lighttrapping）の構造の太陽電池素子ではシリ
コン基板の厚さは薄ければ薄い程、変換効率は高
い。従つて太陽電池素子は薄いシリコン基板を用
い製作されることが望ましい。
上記従来技術はシリコン基板の厚さを薄くする
ことにより、変換効率の向上を図つていたが反面
薄くすることにより太陽電池素子製作過程につい
て配慮がされておらず、製作中に破損しやすいと
云う問題があつた。
ことにより、変換効率の向上を図つていたが反面
薄くすることにより太陽電池素子製作過程につい
て配慮がされておらず、製作中に破損しやすいと
云う問題があつた。
本発明の目的は使用シリコン基板の厚さを薄く
することなく、高い変換効率の太陽電池素子の製
造方法を提供することにある。
することなく、高い変換効率の太陽電池素子の製
造方法を提供することにある。
上記問題点は、互いに反対側に位置する一対の
主表面を有する所定導電型の半導体基板の一方の
主表面側にｎ型層を形成する第１の工程と、半導
体基板の他方の主表面上にアルミニウムを含むペ
ースト層を形成する第２の工程と、半導体基板を
加熱して半導体基板の他方の主表面側略全面に半
導体基板より高不純物濃度を有するｐ型層及びｐ
型層に隣接するアルミニウム半導体合金層を形成
する第３の工程と、半導体基板の他方の主表面上
にレーザービームを選択的に照射して、ｐ型層及
びアルミニウム半導体合金層の選択された個所を
突起状に深くする第４の工程とにより太陽電池素
子を製造することによつて達成される。
主表面を有する所定導電型の半導体基板の一方の
主表面側にｎ型層を形成する第１の工程と、半導
体基板の他方の主表面上にアルミニウムを含むペ
ースト層を形成する第２の工程と、半導体基板を
加熱して半導体基板の他方の主表面側略全面に半
導体基板より高不純物濃度を有するｐ型層及びｐ
型層に隣接するアルミニウム半導体合金層を形成
する第３の工程と、半導体基板の他方の主表面上
にレーザービームを選択的に照射して、ｐ型層及
びアルミニウム半導体合金層の選択された個所を
突起状に深くする第４の工程とにより太陽電池素
子を製造することによつて達成される。
ｐ型層とそれに隣接する電極よりなる積層の一
部を基板領域側へ突出させる事により、太陽電池
製作過程での熱応力による反りの発生を防ぐ事が
できる。さらに突起部を設けたことにより基板領
域の厚さを、実質的に薄くしたことになる。
部を基板領域側へ突出させる事により、太陽電池
製作過程での熱応力による反りの発生を防ぐ事が
できる。さらに突起部を設けたことにより基板領
域の厚さを、実質的に薄くしたことになる。
以下第１図を用いて、本発明の一実施例を説明
する。
する。
太陽電池１は、n+型半導体層１４と、受光面
となる一方の主表面１７に設けた金属電極１３
と、ｐ型の基板領域１２である太陽電池ベース
と、その裏面となる他方の主表面１８にアルミニ
ウムシリコン合金層１０と、p+型半導体層１１
とを有している。このアルミニウムシリコン合金
層１０とp+型半導体層１１に形成される突起状
のアルミニウムシリコン合金層１０′、突起状の
p+型半導体層１１′が含まれる。このアルミニウ
ムシリコン合金層１０、p+型半導体層１１、突
起状のアルミニウムシリコン合金層１０′、突起
状のp+型半導体層１１′は次の様にして形成され
る。アルミニウムをｐ型半導体層の裏面に蒸着す
る事や、アルミニウムペーストをその裏面に印刷
した後アルミニウムとシリコンとの共晶温度以上
に加熱し、冷却すると共晶合金反応及びアルミニ
ウムのドーピング作用により、アルミニウムシリ
コン合金層１０p+型半導体層１１が形成される。
次にレーザ光やランプ光のスポツトを照射し部分
的に前記の加熱温度よりも高い温度で加熱し冷却
すると、同様の共晶合金反応により突起状のアル
ミニウムシリコン合金層１０′と、p+型半導体層
１１′が形成される。
となる一方の主表面１７に設けた金属電極１３
と、ｐ型の基板領域１２である太陽電池ベース
と、その裏面となる他方の主表面１８にアルミニ
ウムシリコン合金層１０と、p+型半導体層１１
とを有している。このアルミニウムシリコン合金
層１０とp+型半導体層１１に形成される突起状
のアルミニウムシリコン合金層１０′、突起状の
p+型半導体層１１′が含まれる。このアルミニウ
ムシリコン合金層１０、p+型半導体層１１、突
起状のアルミニウムシリコン合金層１０′、突起
状のp+型半導体層１１′は次の様にして形成され
る。アルミニウムをｐ型半導体層の裏面に蒸着す
る事や、アルミニウムペーストをその裏面に印刷
した後アルミニウムとシリコンとの共晶温度以上
に加熱し、冷却すると共晶合金反応及びアルミニ
ウムのドーピング作用により、アルミニウムシリ
コン合金層１０p+型半導体層１１が形成される。
次にレーザ光やランプ光のスポツトを照射し部分
的に前記の加熱温度よりも高い温度で加熱し冷却
すると、同様の共晶合金反応により突起状のアル
ミニウムシリコン合金層１０′と、p+型半導体層
１１′が形成される。
この突起部の深さをこの部分の太陽電池素子の
ベース厚さが、ベースのキヤリヤ拡散長の半分以
下になる様にし、突起部の裏面の全面積に対する
割合を大きくして行くと、太陽電池素子の変換効
率は大きくなる。しかしながらアルミニウムシリ
コン合金層とシリコン基板との熱膨張係数の違い
に起因する、シリコン基板の反りが大きくなり、
その後の太陽電池素子製作過程で割れる割合が高
くなり歩留が低下する。従つてアルミニウムシリ
コン合金層を部分的に突起状に深くすることによ
り、反り応力発生を少なくしたものである。そし
て太陽電池素子の変換効率向上の点に於いても、
そのベースの厚さをベースの少数キヤリヤ拡散長
の半分以下薄くすることによつて、始めて少数キ
ヤリヤの反射（BSF効果）という物理現象によ
つて効果が現われるので少なくとも、一部でもこ
の条件を満す様に深くするようにしたものであ
る。さらに太陽電池素子のベースは光学活性層で
あるためこのベースを薄くすることは、太陽光の
吸収による光生成電流を減らし、変換効率の低下
が考えられるがこれは太陽光がアルミニウムシリ
コン合金層が金属のため、この部分で反射される
ため、低下はほとんどなくむしろ受光面接合に近
い方向へ光の反射が起るため、変換効率は向上す
る。この突起部の深さの最適値及び裏面に対する
面積の最適に割合は使用するシリコン基板の厚さ
やその少数キヤリヤ拡散長や結晶粒界、結晶欠陥
の存在の有無や機械的強度等によつて異る。
ベース厚さが、ベースのキヤリヤ拡散長の半分以
下になる様にし、突起部の裏面の全面積に対する
割合を大きくして行くと、太陽電池素子の変換効
率は大きくなる。しかしながらアルミニウムシリ
コン合金層とシリコン基板との熱膨張係数の違い
に起因する、シリコン基板の反りが大きくなり、
その後の太陽電池素子製作過程で割れる割合が高
くなり歩留が低下する。従つてアルミニウムシリ
コン合金層を部分的に突起状に深くすることによ
り、反り応力発生を少なくしたものである。そし
て太陽電池素子の変換効率向上の点に於いても、
そのベースの厚さをベースの少数キヤリヤ拡散長
の半分以下薄くすることによつて、始めて少数キ
ヤリヤの反射（BSF効果）という物理現象によ
つて効果が現われるので少なくとも、一部でもこ
の条件を満す様に深くするようにしたものであ
る。さらに太陽電池素子のベースは光学活性層で
あるためこのベースを薄くすることは、太陽光の
吸収による光生成電流を減らし、変換効率の低下
が考えられるがこれは太陽光がアルミニウムシリ
コン合金層が金属のため、この部分で反射される
ため、低下はほとんどなくむしろ受光面接合に近
い方向へ光の反射が起るため、変換効率は向上す
る。この突起部の深さの最適値及び裏面に対する
面積の最適に割合は使用するシリコン基板の厚さ
やその少数キヤリヤ拡散長や結晶粒界、結晶欠陥
の存在の有無や機械的強度等によつて異る。
多結晶キヤストシリコン基板を使用した実施例
に於いて以下説明する。このシリコン基板の最初
の厚さは400μｍで少数キヤリヤ拡散長は約100μ
ｍ、ｐ型半導体層で比抵抗は1.5Ωcmであつた。
この基板に燐拡散により深さが約0.3μｍのn+型半
導体層１４を形成する。そしてこの反対面（以後
裏面と略す。）にアルミニウムを含む印刷用ペー
ストをその厚さが約30μｍスクリーン印刷し、
750℃10分間、窒素雰囲気中で加熱し、冷却して、
約40μｍの深さのアルミニウムシリコン合金層１
０及びこれと接するシリコン基板上に約5μｍの
p+型半導体層１１とを形成する。しかる後、裏
面より突起部の径が約100μｍ、そのエネルギー
が約4KWのレーザービームを約５ｍsec、照射
し、突起状のアルミニウムシリコン合金層１０′、
p+半導体層１１′をその深さが、約300μｍとなる
ようにして、この部分のベース１２の厚さが約
50μｍになるようにする。このような突起状のア
ルミニウムシリコン合金層１０′、p+型半導体層
１１′を裏面に多数形成する。この後受光面電極
１３を形成し、太陽電池素子とする。
に於いて以下説明する。このシリコン基板の最初
の厚さは400μｍで少数キヤリヤ拡散長は約100μ
ｍ、ｐ型半導体層で比抵抗は1.5Ωcmであつた。
この基板に燐拡散により深さが約0.3μｍのn+型半
導体層１４を形成する。そしてこの反対面（以後
裏面と略す。）にアルミニウムを含む印刷用ペー
ストをその厚さが約30μｍスクリーン印刷し、
750℃10分間、窒素雰囲気中で加熱し、冷却して、
約40μｍの深さのアルミニウムシリコン合金層１
０及びこれと接するシリコン基板上に約5μｍの
p+型半導体層１１とを形成する。しかる後、裏
面より突起部の径が約100μｍ、そのエネルギー
が約4KWのレーザービームを約５ｍsec、照射
し、突起状のアルミニウムシリコン合金層１０′、
p+半導体層１１′をその深さが、約300μｍとなる
ようにして、この部分のベース１２の厚さが約
50μｍになるようにする。このような突起状のア
ルミニウムシリコン合金層１０′、p+型半導体層
１１′を裏面に多数形成する。この後受光面電極
１３を形成し、太陽電池素子とする。
本実施例によれば、突起状のアルミニウムシリ
コン合金層１０′、p+半導体層１１′の数を増す
につれ、太陽電池素子の変換効率向上の効果があ
る。また突起状のアルミニウムシリコン合金層１
０′、p+型半導体層１１′が裏面の面積に対して、
20％以上の割合となると、前記の反りの発生によ
り歩留の低下が見られた。さらにこの実施例にお
いて、突起状のアルミニウムシリコン合金層１
０′、p+型半導体層１１′を多結晶シリコン基板
の結晶粒界の密度の高い部分に形成した場合、及
び受光面金属電極１３の下面の、電極による光の
影部のｐ型半導体層領域を含む部分に選択的に形
成した場合、最部の有効利用となり、著しい変換
効率向上の効果がある。
コン合金層１０′、p+半導体層１１′の数を増す
につれ、太陽電池素子の変換効率向上の効果があ
る。また突起状のアルミニウムシリコン合金層１
０′、p+型半導体層１１′が裏面の面積に対して、
20％以上の割合となると、前記の反りの発生によ
り歩留の低下が見られた。さらにこの実施例にお
いて、突起状のアルミニウムシリコン合金層１
０′、p+型半導体層１１′を多結晶シリコン基板
の結晶粒界の密度の高い部分に形成した場合、及
び受光面金属電極１３の下面の、電極による光の
影部のｐ型半導体層領域を含む部分に選択的に形
成した場合、最部の有効利用となり、著しい変換
効率向上の効果がある。
本発明の他の実施例を第２図により説明する。
この太陽電池素子はｎ型基板領域１２上に形成
されたn+型半導体層１４、ｎ型基板領域１２の
下面に形成されたp+型半導体層１１及び受光面
側電極１３、裏面電極（アルミニウム−シリコン
合金層）１０で構成されている。また、裏面電極
１０及びp+層１１から一部スパイク状に基板領
域１２内に伸びたスパイク状アルミニウム−シリ
コン合金層１０′及びスパイク状p+層１１′が含
まれる。
されたn+型半導体層１４、ｎ型基板領域１２の
下面に形成されたp+型半導体層１１及び受光面
側電極１３、裏面電極（アルミニウム−シリコン
合金層）１０で構成されている。また、裏面電極
１０及びp+層１１から一部スパイク状に基板領
域１２内に伸びたスパイク状アルミニウム−シリ
コン合金層１０′及びスパイク状p+層１１′が含
まれる。
このスパイク状アルミニウム−シリコン合金層
１０′及びスパイク状p+層１１′は第１図の実施
例と同じ方法で形成される。
１０′及びスパイク状p+層１１′は第１図の実施
例と同じ方法で形成される。
かかる構成にすれば半導体基板の厚を薄くする
ことなく実効的な基板領域を薄くすることがで
き、少数キヤリヤ拡散長の短い半導体基板を使用
しても、低コストで変換効率の高い太陽電池が得
られる。
ことなく実効的な基板領域を薄くすることがで
き、少数キヤリヤ拡散長の短い半導体基板を使用
しても、低コストで変換効率の高い太陽電池が得
られる。
また、スパイク状のアルミニウム−シリコン合
金層は光の裏面反射効果をも有し、光の有効利用
につながる。
金層は光の裏面反射効果をも有し、光の有効利用
につながる。
また、pn接合１５が従来より長くなるためキ
ヤリヤの収集効率向上につながる。
ヤリヤの収集効率向上につながる。
本発明の更に他の実施例を第３図に基づいて説
明する。
明する。
この太陽電池１はp+型ボロン拡散層１１、受
光面側電極となるアルミニウムシリコン合金層１
０、p+シリコン再成長層１１′、ｎ型の基板領域
は太陽電池のベース層、n+型半導体層１４と裏
面電極１３を有している。この受光面側１０，１
１′は次の様にして形成される。
光面側電極となるアルミニウムシリコン合金層１
０、p+シリコン再成長層１１′、ｎ型の基板領域
は太陽電池のベース層、n+型半導体層１４と裏
面電極１３を有している。この受光面側１０，１
１′は次の様にして形成される。
ｎ型基板領域１２に、例えばボロンを拡散し、
p+型拡散層１１を形成し、端面及び裏面１１を
エツチングで除去した後、裏面にイオン打込み法
で燐イオンを打込みn+型半導体層１４を形成す
る。次にアルミニウムペーストを用いて印刷法に
より１１上に電極パターンを形成する。
p+型拡散層１１を形成し、端面及び裏面１１を
エツチングで除去した後、裏面にイオン打込み法
で燐イオンを打込みn+型半導体層１４を形成す
る。次にアルミニウムペーストを用いて印刷法に
より１１上に電極パターンを形成する。
次に、レーザー光やランプ光を前記電極上に照
射する。この時の照射条件は、照射部の温度がア
ルミニウムとシリコンの共晶反応温度以上となる
条件がある。その合金反応により、アルミニウム
シリコン合金層１０、p+シリコン再成長層１
１′が溝状に深く形成される。この１０，１１′が
形成される条件として、例えば、レーザー照射に
より照射部の温度を750℃とすることにより、１
２の深さが約50μｍ、１３の厚さが約10μｍ形成
される。そして、裏面金属電極１３を裏面全面に
形成する。
射する。この時の照射条件は、照射部の温度がア
ルミニウムとシリコンの共晶反応温度以上となる
条件がある。その合金反応により、アルミニウム
シリコン合金層１０、p+シリコン再成長層１
１′が溝状に深く形成される。この１０，１１′が
形成される条件として、例えば、レーザー照射に
より照射部の温度を750℃とすることにより、１
２の深さが約50μｍ、１３の厚さが約10μｍ形成
される。そして、裏面金属電極１３を裏面全面に
形成する。
この実施例では、基板割れによる歩留りの低下
はなく、変換効率の大きな向上が見られた。
はなく、変換効率の大きな向上が見られた。
上記実施例では、アルミニウムペーストを用い
て印刷法にて電極パターンを形成しているが、ア
ルミニウム蒸着とホトリソグラフイー法にて電極
パターンを形成しても、同様の効果が実験により
確認されている。
て印刷法にて電極パターンを形成しているが、ア
ルミニウム蒸着とホトリソグラフイー法にて電極
パターンを形成しても、同様の効果が実験により
確認されている。
次に、本発明の別の実施例について述べる。ｐ
型又はｎ型の多結晶基板を用いて、上述の実施例
と同様の製法で太陽電池素子を製作した。ただ
し、本実施例では、アルミニウムシリコン合金層
とp+型シリコン再成長層を結晶粒界密度の高い
所へ選択的に通常よりも多く形成した。この結
果、変換効率の著しい向上が見られた。
型又はｎ型の多結晶基板を用いて、上述の実施例
と同様の製法で太陽電池素子を製作した。ただ
し、本実施例では、アルミニウムシリコン合金層
とp+型シリコン再成長層を結晶粒界密度の高い
所へ選択的に通常よりも多く形成した。この結
果、変換効率の著しい向上が見られた。
本発明によれば、p+型層とそれに接触する電
極金属よりなる積層の一部を基板領域側に突起さ
せたことにより、太陽電池素子の製作過程での熱
応力による反りの発生を防ぐことができるので、
製作過程における破損防止の効果がある。
極金属よりなる積層の一部を基板領域側に突起さ
せたことにより、太陽電池素子の製作過程での熱
応力による反りの発生を防ぐことができるので、
製作過程における破損防止の効果がある。
さらに突起部を設けたことにより、基板領域の
厚さを実質的に薄くしたことになり、受光した光
エネルギーを効率良く電気エネルギーに変換でき
る効果がある。
厚さを実質的に薄くしたことになり、受光した光
エネルギーを効率良く電気エネルギーに変換でき
る効果がある。
第１図は本発明太陽電池素子の製造方法で得ら
れた太陽電池素子の一例を示す概略断面図、第２
図は本発明製造方法で得られた太陽電池素子の他
の例を示す概略断面図、第３図は本発明製造方法
で得られた太陽電池素子の更に他の例を示す概略
断面図である。 １０……アルミニウムシリコン合金層、１１…
…p+型シリコン再成長層、１２……基板領域、
１３……金属、１４……n+型層、１０′……突起
状のアルミニウムシリコン合金層、１１′……突
起状のp+型シリコン再成長層。
れた太陽電池素子の一例を示す概略断面図、第２
図は本発明製造方法で得られた太陽電池素子の他
の例を示す概略断面図、第３図は本発明製造方法
で得られた太陽電池素子の更に他の例を示す概略
断面図である。 １０……アルミニウムシリコン合金層、１１…
…p+型シリコン再成長層、１２……基板領域、
１３……金属、１４……n+型層、１０′……突起
状のアルミニウムシリコン合金層、１１′……突
起状のp+型シリコン再成長層。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 互いに反対側に位置する一対の主表面を有す
る所定導電型の半導体基板の一方の主表面側にｎ
型層を形成する工程と、 半導体基板の他方の主表面上にアルミニウムを
含むペースト層を形成する工程と、 半導体基板を加熱して半導体基板の他方の主表
面側略全面に半導体基板より高不純物濃度を有す
るｐ型層及びｐ型層に隣接するアルミニウム半導
体合金層を形成する工程と、 半導体基板の他方の主表面上にレーザービーム
を選択的に照射して、ｐ型層及びアルミニウム半
導体合金層の選択された個所を突起状に深くする
工程とを具備することを特徴とする太陽電池素子
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62283331A JPH01125988A (ja) | 1987-11-11 | 1987-11-11 | 太陽電池素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62283331A JPH01125988A (ja) | 1987-11-11 | 1987-11-11 | 太陽電池素子の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01125988A JPH01125988A (ja) | 1989-05-18 |
| JPH0513543B2 true JPH0513543B2 (ja) | 1993-02-22 |
Family
ID=17664090
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62283331A Granted JPH01125988A (ja) | 1987-11-11 | 1987-11-11 | 太陽電池素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01125988A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2015098470A1 (ja) | 2013-12-26 | 2015-07-02 | カトリック ユニヴェルシテット ルーヴェン | プリフォーム、シート材料および一体化シート材料 |
| CN105659389A (zh) * | 2013-10-25 | 2016-06-08 | 夏普株式会社 | 光电转换元件、光电转换模块以及太阳光发电系统 |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0682854B2 (ja) * | 1989-11-24 | 1994-10-19 | 株式会社日立製作所 | 太陽電池 |
| US5358574A (en) * | 1993-11-22 | 1994-10-25 | Midwest Research Institute | Dry texturing of solar cells |
| KR20020010005A (ko) * | 2000-07-28 | 2002-02-02 | 준 신 이 | 결정입계에 자기정열 함몰전극을 이용한 다결정태양전지의 제조방법 |
| KR101000067B1 (ko) * | 2008-12-30 | 2010-12-10 | 엘지전자 주식회사 | 고효율 태양전지용 레이저 소성장치 및 고효율 태양전지 제조방법 |
| DE102009044038A1 (de) * | 2009-09-17 | 2011-03-31 | Schott Solar Ag | Verfahren zur Herstellung eines Kontaktbereichs eines elektronischen Bauteils |
| KR101940074B1 (ko) * | 2012-04-30 | 2019-04-10 | 주성엔지니어링(주) | 태양 전지 및 그 제조 방법 |
| RU2659618C1 (ru) * | 2017-01-31 | 2018-07-03 | Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС" | Преобразователь ионизирующих излучений с сетчатой объемной структурой и способ его изготовления |
-
1987
- 1987-11-11 JP JP62283331A patent/JPH01125988A/ja active Granted
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105659389A (zh) * | 2013-10-25 | 2016-06-08 | 夏普株式会社 | 光电转换元件、光电转换模块以及太阳光发电系统 |
| CN105659389B (zh) * | 2013-10-25 | 2018-10-19 | 夏普株式会社 | 光电转换元件、光电转换模块以及太阳光发电系统 |
| WO2015098470A1 (ja) | 2013-12-26 | 2015-07-02 | カトリック ユニヴェルシテット ルーヴェン | プリフォーム、シート材料および一体化シート材料 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01125988A (ja) | 1989-05-18 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4703553A (en) | Drive through doping process for manufacturing low back surface recombination solar cells | |
| US5449626A (en) | Method for manufacture of a solar cell | |
| JP3789474B2 (ja) | バックサーフィスフィールドを有するソーラーセル及びその製造方法 | |
| EP0993052B1 (en) | Space solar cell | |
| JP5193058B2 (ja) | バックコンタクト太陽電池 | |
| US20120225515A1 (en) | Laser doping techniques for high-efficiency crystalline semiconductor solar cells | |
| JPH09172196A (ja) | アルミニウム合金接合自己整合裏面電極型シリコン太陽電池の構造および製造 | |
| KR20110097827A (ko) | 깊은 홈 후측 콘택 광발전 태양 전지들 | |
| KR19990063990A (ko) | 부분적으로 깊게 확산된 에미터가 있는 자가조정식(salde) 태양 전지 및 그 제조 방법 | |
| WO1995012898A1 (en) | High efficiency silicon solar cells and methods of fabrication | |
| JP2005502206A (ja) | ソーラセル及びソーラセルの製造法 | |
| US20100276772A1 (en) | Photoelectric conversion device and method of manufacturing photoelectric conversion device | |
| JP2015130527A (ja) | 太陽電池及びその製造方法 | |
| JPS6215864A (ja) | 太陽電池の製造方法 | |
| JP2989373B2 (ja) | 光電変換装置の製造方法 | |
| JPH0513543B2 (ja) | ||
| JP2001044470A (ja) | 太陽電池および太陽電池の製造方法並びに集光型太陽電池モジュール | |
| JP2808004B2 (ja) | 太陽電池 | |
| KR101396027B1 (ko) | 고효율 후면 접촉 후면 접합 태양 전지의 이온 주입 및 어닐링 | |
| KR20170143074A (ko) | 양면 수광형 실리콘 태양전지 및 그 제조 방법 | |
| JPH04356972A (ja) | 光電変換素子の製造方法 | |
| JP3206350B2 (ja) | 太陽電池 | |
| JP3133494B2 (ja) | 光起電力素子 | |
| JPS5810872A (ja) | 太陽電池の製造方法 | |
| TW202224200A (zh) | 背接觸式太陽電池及其製造 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |