JPH05132382A - グレーズドセラミツク基板の製造方法 - Google Patents
グレーズドセラミツク基板の製造方法Info
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- JPH05132382A JPH05132382A JP31976191A JP31976191A JPH05132382A JP H05132382 A JPH05132382 A JP H05132382A JP 31976191 A JP31976191 A JP 31976191A JP 31976191 A JP31976191 A JP 31976191A JP H05132382 A JPH05132382 A JP H05132382A
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- C04B41/00—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
- C04B41/45—Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements
- C04B41/50—Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements with inorganic materials
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- C04B41/5035—Silica
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 発熱体から発生した熱をグレーズ層が効率
よく蓄え、その後発熱が止むと速やかに基板に熱を移動
させるグレーズドセラミック基板をゾル−ゲル法によっ
て、少ない工程で簡単に製造する。 【構成】 シリカ微粒子を含むゾルをセラミック基板
の片面に塗布する工程と、この塗布されたゾルを乾燥し
てゲル化し前記セラミック基板の片面にゲル層を形成す
る工程と、このゲル層を構成する微粒子の焼結が進行し
かつゲル層内の空隙が消滅しない温度と時間で前記セラ
ミック基板を熱処理してゲル層を多孔質ガラスグレーズ
層にする工程とを含む。
よく蓄え、その後発熱が止むと速やかに基板に熱を移動
させるグレーズドセラミック基板をゾル−ゲル法によっ
て、少ない工程で簡単に製造する。 【構成】 シリカ微粒子を含むゾルをセラミック基板
の片面に塗布する工程と、この塗布されたゾルを乾燥し
てゲル化し前記セラミック基板の片面にゲル層を形成す
る工程と、このゲル層を構成する微粒子の焼結が進行し
かつゲル層内の空隙が消滅しない温度と時間で前記セラ
ミック基板を熱処理してゲル層を多孔質ガラスグレーズ
層にする工程とを含む。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はサーマルヘッド用基板に
適するグレーズドセラミック基板の製造方法に関する。
更に詳しくはゾル−ゲル法によりグレーズ層を形成する
グレーズドセラミック基板の製造方法に関するものであ
る。
適するグレーズドセラミック基板の製造方法に関する。
更に詳しくはゾル−ゲル法によりグレーズ層を形成する
グレーズドセラミック基板の製造方法に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】サーマルヘッド用基板にはアルミナセラ
ミック基板の片面にガラス層を設けたグレーズド基板が
用いられる。このガラス層は熱伝導率が小さく、発熱抵
抗体から発生した熱を効率よく感熱紙に伝達するため蓄
熱層の役割を果す。近年、高速で印字品質が高く、かつ
低電力で駆動できるサーマルヘッド用基板に対する要求
が高まっている。従来のサーマルヘッド用基板では高速
印字はガラスグレーズ層を薄くすれば可能となるが、印
字品質を高く保つためには高い駆動電力が必要になる。
一方、低電力でサーマルヘッドを駆動させるためには蓄
熱性のあるグレーズ層を厚くしなければならないが、そ
うするとグレーズ層が放熱しにくくなって尾引き現象や
ドット間の熱分離が不十分になり、その結果、印字品質
の低下を招く。
ミック基板の片面にガラス層を設けたグレーズド基板が
用いられる。このガラス層は熱伝導率が小さく、発熱抵
抗体から発生した熱を効率よく感熱紙に伝達するため蓄
熱層の役割を果す。近年、高速で印字品質が高く、かつ
低電力で駆動できるサーマルヘッド用基板に対する要求
が高まっている。従来のサーマルヘッド用基板では高速
印字はガラスグレーズ層を薄くすれば可能となるが、印
字品質を高く保つためには高い駆動電力が必要になる。
一方、低電力でサーマルヘッドを駆動させるためには蓄
熱性のあるグレーズ層を厚くしなければならないが、そ
うするとグレーズ層が放熱しにくくなって尾引き現象や
ドット間の熱分離が不十分になり、その結果、印字品質
の低下を招く。
【０００３】この点を解決するために、従来、グレーズ
層に多孔質ガラスを含むサーマルヘッド用基板（特開昭
６３−２２４９６９）やセラミック基板とグレーズ層の
間に多孔性物質の被膜を設けたサーマルヘッド用基板
（特開昭６２−２１２２８１）が提案されている。セラ
ミック基板上に多孔質のグレーズ層又は多孔性物質を設
けることにより、熱伝導率がより小さくなり蓄熱性が高
まる。前者のサーマルヘッド用基板は、ホウケイ酸ガラ
スよりなるグレーズ層を有するセラミック基板を例えば
５５０℃で２００時間程度熱処理した後、更に例えば９
０℃の１ＮのＨ2ＳＯ4液に５０時間浸漬して酸処理する
ことにより作られる。また後者のサーマルヘッド用基板
は、ＢａＴｉＯ3及び少量のガラス粉末に焼結促進剤、
結合剤、溶剤等を加えて調製した誘電体ペーストをセラ
ミック基板上にスクリーン印刷し、９００〜９５０℃の
温度で焼成して多孔性物質の被膜を形成し、更にこの多
孔性物質被膜上に結晶化ガラスペーストをスクリーン印
刷し、９００〜９５０℃で焼成して前記多孔性物質被膜
と密着したグレーズ層を形成することにより作られる。
層に多孔質ガラスを含むサーマルヘッド用基板（特開昭
６３−２２４９６９）やセラミック基板とグレーズ層の
間に多孔性物質の被膜を設けたサーマルヘッド用基板
（特開昭６２−２１２２８１）が提案されている。セラ
ミック基板上に多孔質のグレーズ層又は多孔性物質を設
けることにより、熱伝導率がより小さくなり蓄熱性が高
まる。前者のサーマルヘッド用基板は、ホウケイ酸ガラ
スよりなるグレーズ層を有するセラミック基板を例えば
５５０℃で２００時間程度熱処理した後、更に例えば９
０℃の１ＮのＨ2ＳＯ4液に５０時間浸漬して酸処理する
ことにより作られる。また後者のサーマルヘッド用基板
は、ＢａＴｉＯ3及び少量のガラス粉末に焼結促進剤、
結合剤、溶剤等を加えて調製した誘電体ペーストをセラ
ミック基板上にスクリーン印刷し、９００〜９５０℃の
温度で焼成して多孔性物質の被膜を形成し、更にこの多
孔性物質被膜上に結晶化ガラスペーストをスクリーン印
刷し、９００〜９５０℃で焼成して前記多孔性物質被膜
と密着したグレーズ層を形成することにより作られる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、前者の方法に
おいてはグレーズ層を形成した後、熱処理工程と酸処理
工程を必要とし、後者の方法においてはグレーズ層を形
成する前にセラミック基板上に多孔質物質の被膜を形成
する必要があり、両方法とも製造工程数が多く、製造条
件が複雑になる問題点があった。本発明の目的は、発熱
体から発生した熱をグレーズ層が効率よく蓄え、その後
発熱が止むと速やかに基板に熱を移動させるグレーズド
セラミック基板を少ない工程で簡単に製造する方法を提
供することにある。
おいてはグレーズ層を形成した後、熱処理工程と酸処理
工程を必要とし、後者の方法においてはグレーズ層を形
成する前にセラミック基板上に多孔質物質の被膜を形成
する必要があり、両方法とも製造工程数が多く、製造条
件が複雑になる問題点があった。本発明の目的は、発熱
体から発生した熱をグレーズ層が効率よく蓄え、その後
発熱が止むと速やかに基板に熱を移動させるグレーズド
セラミック基板を少ない工程で簡単に製造する方法を提
供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明のグレーズドセラミック基板の製造方法は、
シリカ微粒子を含むゾルをセラミック基板の片面に塗布
する工程と、この塗布されたゾルを乾燥してゲル化し前
記セラミック基板の片面にゲル層を形成する工程と、こ
のゲル層を構成する微粒子の焼結が進行しかつゲル層内
の空隙が消滅しない温度と時間で前記セラミック基板を
熱処理してゲル層を多孔質ガラスグレーズ層にする工程
とを含む方法である。
に、本発明のグレーズドセラミック基板の製造方法は、
シリカ微粒子を含むゾルをセラミック基板の片面に塗布
する工程と、この塗布されたゾルを乾燥してゲル化し前
記セラミック基板の片面にゲル層を形成する工程と、こ
のゲル層を構成する微粒子の焼結が進行しかつゲル層内
の空隙が消滅しない温度と時間で前記セラミック基板を
熱処理してゲル層を多孔質ガラスグレーズ層にする工程
とを含む方法である。
【０００６】以下、本発明を詳述する。本発明のシリカ
微粒子を含むゾルは、第一に二酸化珪素（ＳｉＯ2）も
しくはその水酸化物の微粒子を水や有機溶液に分散させ
るか、第二に珪素アルコキシドのような有機珪素化合物
を加水分解した後、この加水分解生成物を解膠処理する
か、或いは第三に珪素アルコキシドのような有機珪素化
合物と、Ａｌ，Ｂ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｐｂ，Ｍｂ，Ｃａ，Ｂ
ａ等の金属アルコキシド又は金属有機酸塩を１種又は２
種以上含む有機溶液を加水分解した後、この加水分解生
成物を解膠処理して調製される。第一のゾルのシリカ微
粒子は後述するグレーズ層の細孔径のバラツキを小さく
するため１０〜３００ｎｍの平均粒径を有することが好
ましい。第二及び第三のゾルには加水分解生成物の解膠
処理により数ｎｍ〜数１００ｎｍの粒径の微粒子が含ま
れる。第一及び第二のゾルからはＳｉＯ2からなる多孔
質ガラスグレーズ層が作られ、第三のゾルからは５０重
量％以上のＳｉＯ2と残部がＡｌ2Ｏ3，Ｂ2Ｏ3，Ｔｉ
Ｏ2，ＺｒＯ2，ＰｂＯ，ＭｇＯ，ＣａＯ又はＢａＯの１
種又は２種以上の酸化物又は水酸化物を含む複合ガラス
からなる多孔質ガラスグレーズ層が作られる。グレーズ
層を複合ガラスにすることにより、グレーズ層の機械的
又は化学的特性が向上する。
微粒子を含むゾルは、第一に二酸化珪素（ＳｉＯ2）も
しくはその水酸化物の微粒子を水や有機溶液に分散させ
るか、第二に珪素アルコキシドのような有機珪素化合物
を加水分解した後、この加水分解生成物を解膠処理する
か、或いは第三に珪素アルコキシドのような有機珪素化
合物と、Ａｌ，Ｂ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｐｂ，Ｍｂ，Ｃａ，Ｂ
ａ等の金属アルコキシド又は金属有機酸塩を１種又は２
種以上含む有機溶液を加水分解した後、この加水分解生
成物を解膠処理して調製される。第一のゾルのシリカ微
粒子は後述するグレーズ層の細孔径のバラツキを小さく
するため１０〜３００ｎｍの平均粒径を有することが好
ましい。第二及び第三のゾルには加水分解生成物の解膠
処理により数ｎｍ〜数１００ｎｍの粒径の微粒子が含ま
れる。第一及び第二のゾルからはＳｉＯ2からなる多孔
質ガラスグレーズ層が作られ、第三のゾルからは５０重
量％以上のＳｉＯ2と残部がＡｌ2Ｏ3，Ｂ2Ｏ3，Ｔｉ
Ｏ2，ＺｒＯ2，ＰｂＯ，ＭｇＯ，ＣａＯ又はＢａＯの１
種又は２種以上の酸化物又は水酸化物を含む複合ガラス
からなる多孔質ガラスグレーズ層が作られる。グレーズ
層を複合ガラスにすることにより、グレーズ層の機械的
又は化学的特性が向上する。
【０００７】上記ゾルをセラミック基板の片面に均一に
塗布する。セラミック基板としては熱伝導率が大きく機
械的特性に優れしかも大型化が容易なアルミナ基板が好
ましい。ゾルの塗布方法には、ゾルを噴霧するスプレー
コーティング法、ゾル中にセラミック基板を浸漬した後
引上げるディップコーティング法、スピンコータを用い
て塗膜の厚みの均一化と薄膜化をはかるスピンコーティ
ング法等がある。膜厚の均一性の観点からスピンコーテ
ィング法が望ましい。塗布されたゾルは大気中で３０〜
４０℃において乾燥してゲル化する。乾燥中にゲルに亀
裂が入ることを防ぐために、１回のコーティングにおけ
る膜厚（乾燥後）は１μｍ以下に抑えることが好まし
い。所望の膜厚が１μｍ以上の場合には、ゲル化後、４
００〜５００℃で５〜１０分間熱処理し、ある程度膜の
強度を上げた後、前記コーティング、乾燥及び熱処理を
繰返す。
塗布する。セラミック基板としては熱伝導率が大きく機
械的特性に優れしかも大型化が容易なアルミナ基板が好
ましい。ゾルの塗布方法には、ゾルを噴霧するスプレー
コーティング法、ゾル中にセラミック基板を浸漬した後
引上げるディップコーティング法、スピンコータを用い
て塗膜の厚みの均一化と薄膜化をはかるスピンコーティ
ング法等がある。膜厚の均一性の観点からスピンコーテ
ィング法が望ましい。塗布されたゾルは大気中で３０〜
４０℃において乾燥してゲル化する。乾燥中にゲルに亀
裂が入ることを防ぐために、１回のコーティングにおけ
る膜厚（乾燥後）は１μｍ以下に抑えることが好まし
い。所望の膜厚が１μｍ以上の場合には、ゲル化後、４
００〜５００℃で５〜１０分間熱処理し、ある程度膜の
強度を上げた後、前記コーティング、乾燥及び熱処理を
繰返す。
【０００８】ゲル層が形成されたセラミック基板を熱処
理してゲル層を多孔質ガラスグレーズ層にする。一般に
ゲルのガラス化は、熱処理によって湿潤ゲルから液体
を蒸発し、空隙の形成された乾燥ゲルにし、更に熱処
理温度を上げて乾燥ゲルを構成する微粒子の焼結を進行
させ、最終的に乾燥ゲルの空隙を消滅させて緻密化す
ることにより行われる。本発明の多孔質ガラスグレーズ
層にする際の特徴ある点は、上記の段階で、微粒子の
焼結の進行を止めてガラスグレーズ層中に本発明の目的
に適合する程度の空隙を残し、かつ所定の強度を得るこ
とにある。このための熱処理条件は処理温度と処理時間
に依存する。処理温度が高過ぎるか又は処理時間が長過
ぎると、グレーズ層に亀裂が入り、空隙が消滅して緻密
化する。反対に処理温度が低過ぎるか又は処理時間が短
過ぎると、空隙が多くしかも緻密化が不十分のためグレ
ーズ層の強度が低下する。このグレーズ層の空隙は例え
ばグレーズ層の気孔率又は平均細孔径で、その強度は例
えばグレーズ層のビッカース強度でそれぞれ評価され
る。本発明の目的に適合するグレーズ層の気孔率は３０
〜５０％、平均細孔径は５〜５０ｎｍで、ビッカース強
度は２００Ｋｇ／ｍｍ2以上である。前述した第一のゾ
ルから形成されたゲル層を大気圧下、１１２０〜１１８
０℃の温度で１時間熱処理すると、また第二及び第三の
ゾルから形成されたゲル層を大気圧下、１０００〜１１
００℃で０．５〜１時間熱処理すると、上記特性のグレ
ーズ層がそれぞれ得られる。熱処理温度までの加熱速度
はそれぞれ１〜２℃／分が好ましい。
理してゲル層を多孔質ガラスグレーズ層にする。一般に
ゲルのガラス化は、熱処理によって湿潤ゲルから液体
を蒸発し、空隙の形成された乾燥ゲルにし、更に熱処
理温度を上げて乾燥ゲルを構成する微粒子の焼結を進行
させ、最終的に乾燥ゲルの空隙を消滅させて緻密化す
ることにより行われる。本発明の多孔質ガラスグレーズ
層にする際の特徴ある点は、上記の段階で、微粒子の
焼結の進行を止めてガラスグレーズ層中に本発明の目的
に適合する程度の空隙を残し、かつ所定の強度を得るこ
とにある。このための熱処理条件は処理温度と処理時間
に依存する。処理温度が高過ぎるか又は処理時間が長過
ぎると、グレーズ層に亀裂が入り、空隙が消滅して緻密
化する。反対に処理温度が低過ぎるか又は処理時間が短
過ぎると、空隙が多くしかも緻密化が不十分のためグレ
ーズ層の強度が低下する。このグレーズ層の空隙は例え
ばグレーズ層の気孔率又は平均細孔径で、その強度は例
えばグレーズ層のビッカース強度でそれぞれ評価され
る。本発明の目的に適合するグレーズ層の気孔率は３０
〜５０％、平均細孔径は５〜５０ｎｍで、ビッカース強
度は２００Ｋｇ／ｍｍ2以上である。前述した第一のゾ
ルから形成されたゲル層を大気圧下、１１２０〜１１８
０℃の温度で１時間熱処理すると、また第二及び第三の
ゾルから形成されたゲル層を大気圧下、１０００〜１１
００℃で０．５〜１時間熱処理すると、上記特性のグレ
ーズ層がそれぞれ得られる。熱処理温度までの加熱速度
はそれぞれ１〜２℃／分が好ましい。
【０００９】
【作用】シリカ微粒子を含むゾルをセラミック基板の片
面に塗布し、これを乾燥して湿潤ゲル層にした後、上述
した所定の条件で熱処理すると、この湿潤ゲル層から液
体が蒸発して空隙の多い乾燥ゲル層となり、続いてこの
乾燥ゲル層を構成する微粒子の焼結が進行して、空隙が
適度に消滅し、多孔質ガラスグレーズ層となる。このグ
レーズ層がセラミック基板の片面に形成されたグレーズ
ドセラミック基板は、グレーズ層が多孔質であって保温
性があり、熱容量が小さいため、発熱体から発生した熱
を効率よく蓄え、その後発熱が止むと速やかに基板に熱
を移動させる。
面に塗布し、これを乾燥して湿潤ゲル層にした後、上述
した所定の条件で熱処理すると、この湿潤ゲル層から液
体が蒸発して空隙の多い乾燥ゲル層となり、続いてこの
乾燥ゲル層を構成する微粒子の焼結が進行して、空隙が
適度に消滅し、多孔質ガラスグレーズ層となる。このグ
レーズ層がセラミック基板の片面に形成されたグレーズ
ドセラミック基板は、グレーズ層が多孔質であって保温
性があり、熱容量が小さいため、発熱体から発生した熱
を効率よく蓄え、その後発熱が止むと速やかに基板に熱
を移動させる。
【００１０】
【発明の効果】以上述べたように、従来法では製造工程
数が多く製造条件が複雑であったものが、本発明の方法
によれば、シリカ微粒子を含むゾルをセラミック基板の
片面に塗布し、これを乾燥した後、所定の条件で熱処理
するという僅かな工程で簡単にガラスグレーズ層を有す
るグレーズドセラミック基板を製造することができる。
このガラスグレーズ層は多孔質であるためその熱伝導率
はより小さくなり、多孔質でないグレーズ層と比べて蓄
熱性が高まる。また多孔質にすることによってグレーズ
層の熱容量が小さくなり、発熱が止むと蓄熱していた熱
が速やかに基板に移動する。このグレーズドセラミック
基板をサーマルヘッド用基板に適用すれば、低電力で高
品質な印字を高速度に行うことができる。
数が多く製造条件が複雑であったものが、本発明の方法
によれば、シリカ微粒子を含むゾルをセラミック基板の
片面に塗布し、これを乾燥した後、所定の条件で熱処理
するという僅かな工程で簡単にガラスグレーズ層を有す
るグレーズドセラミック基板を製造することができる。
このガラスグレーズ層は多孔質であるためその熱伝導率
はより小さくなり、多孔質でないグレーズ層と比べて蓄
熱性が高まる。また多孔質にすることによってグレーズ
層の熱容量が小さくなり、発熱が止むと蓄熱していた熱
が速やかに基板に移動する。このグレーズドセラミック
基板をサーマルヘッド用基板に適用すれば、低電力で高
品質な印字を高速度に行うことができる。
【００１１】
【実施例】次に本発明の具体的態様を示すために、本発
明の実施例を説明する。以下に述べる実施例は本発明の
技術的範囲を限定するものではない。 ＜実施例＞１０〜４０ｎｍの粒径を有するシリカ微粒子
５ｇを水９５ｇに分散させて、シリカゾルを調製した。
このシリカゾルをアルミナ含有量が９６重量％で、厚さ
が１ｍｍで寸法が５．１×５．１ｍｍのアルミナ基板の
片面にスピンコータを用いて均一に塗布した。このアル
ミナ基板上のシリカゾルを大気中において３０℃で乾燥
した後、５００℃で５分間熱処理してゲル層を得た。こ
のゲル層の厚さは０．８μｍであった。以上の操作を５
回繰返して厚さ４μｍのゲル層を得た。得られたゲル層
は表面が平滑で亀裂や反り等のない無欠陥のゲル層であ
った。このようなゲル層を片面に有するアルミナ基板を
大気圧下、加熱速度１℃／分で昇温し、１１５０℃に達
したところで１時間保持し、その後徐冷した。
明の実施例を説明する。以下に述べる実施例は本発明の
技術的範囲を限定するものではない。 ＜実施例＞１０〜４０ｎｍの粒径を有するシリカ微粒子
５ｇを水９５ｇに分散させて、シリカゾルを調製した。
このシリカゾルをアルミナ含有量が９６重量％で、厚さ
が１ｍｍで寸法が５．１×５．１ｍｍのアルミナ基板の
片面にスピンコータを用いて均一に塗布した。このアル
ミナ基板上のシリカゾルを大気中において３０℃で乾燥
した後、５００℃で５分間熱処理してゲル層を得た。こ
のゲル層の厚さは０．８μｍであった。以上の操作を５
回繰返して厚さ４μｍのゲル層を得た。得られたゲル層
は表面が平滑で亀裂や反り等のない無欠陥のゲル層であ
った。このようなゲル層を片面に有するアルミナ基板を
大気圧下、加熱速度１℃／分で昇温し、１１５０℃に達
したところで１時間保持し、その後徐冷した。
【００１２】＜比較例１＞実施例と同様に形成したゲル
層を片面に有するアルミナ基板を大気圧下、１０５０℃
の温度で１時間熱処理した以外は実施例と同様にグレー
ズドアルミナ基板を作製した。加熱速度は実施例と同じ
であった。 ＜比較例２＞実施例と同様に形成したゲル層を片面に有
するアルミナ基板を大気圧下、１１００℃の温度で１時
間熱処理した以外は実施例と同様にグレーズドアルミナ
基板を作製した。加熱速度は実施例と同じであった。 ＜比較例３＞実施例と同様に形成したゲル層を片面に有
するアルミナ基板を大気圧下、１２００℃の温度で１時
間熱処理した以外は実施例と同様にグレーズドアルミナ
基板を作製した。加熱速度は実施例と同じであった。
層を片面に有するアルミナ基板を大気圧下、１０５０℃
の温度で１時間熱処理した以外は実施例と同様にグレー
ズドアルミナ基板を作製した。加熱速度は実施例と同じ
であった。 ＜比較例２＞実施例と同様に形成したゲル層を片面に有
するアルミナ基板を大気圧下、１１００℃の温度で１時
間熱処理した以外は実施例と同様にグレーズドアルミナ
基板を作製した。加熱速度は実施例と同じであった。 ＜比較例３＞実施例と同様に形成したゲル層を片面に有
するアルミナ基板を大気圧下、１２００℃の温度で１時
間熱処理した以外は実施例と同様にグレーズドアルミナ
基板を作製した。加熱速度は実施例と同じであった。
【００１３】＜比較試験と評価＞実施例及び比較例１〜
３で得られたグレーズドセラミック基板の気孔率、平均
細孔径及びビッカース硬度をそれぞれ測定した。その結
果を表１に示す。表１より明らかなように、比較例１及
び比較例２の熱処理温度が１０５０℃及び１１００℃の
場合には、いずれもガラスグレーズ層の気孔率が５０％
を超え、平均細孔径が５０ｎｍを超え、しかもビッカー
ス強度が２００Ｋｇ／ｍｍ2に達しない。また比較例３
の熱処理温度が１２００℃の場合には、ビッカース強度
は十分に大きいが、気孔率及び平均細孔径がそれぞれゼ
ロであり、本発明の目的とする特性が得られない。これ
に対して、実施例の１１５０℃の熱処理によって得られ
たグレーズドセラミック基板は気孔率、平均細孔径及び
強度が全て本発明の目的とする範囲内に入る。
３で得られたグレーズドセラミック基板の気孔率、平均
細孔径及びビッカース硬度をそれぞれ測定した。その結
果を表１に示す。表１より明らかなように、比較例１及
び比較例２の熱処理温度が１０５０℃及び１１００℃の
場合には、いずれもガラスグレーズ層の気孔率が５０％
を超え、平均細孔径が５０ｎｍを超え、しかもビッカー
ス強度が２００Ｋｇ／ｍｍ2に達しない。また比較例３
の熱処理温度が１２００℃の場合には、ビッカース強度
は十分に大きいが、気孔率及び平均細孔径がそれぞれゼ
ロであり、本発明の目的とする特性が得られない。これ
に対して、実施例の１１５０℃の熱処理によって得られ
たグレーズドセラミック基板は気孔率、平均細孔径及び
強度が全て本発明の目的とする範囲内に入る。
【００１４】
【表１】
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 大村 智春 埼玉県秩父郡横瀬町大字横瀬2270番地 三 菱マテリアル株式会社セラミツクス研究所 内
Claims (7)
- 【請求項１】 シリカ微粒子を含むゾルをセラミック基
板の片面に塗布する工程と、 この塗布されたゾルを乾燥してゲル化し前記セラミック
基板の片面にゲル層を形成する工程と、 このゲル層を構成する微粒子の焼結が進行しかつゲル層
内の空隙が消滅しない温度と時間で前記セラミック基板
を熱処理してゲル層を多孔質ガラスグレーズ層にする工
程とを含むグレーズドセラミック基板の製造方法。 - 【請求項２】 シリカ微粒子を含むゾルは１０〜３００
ｎｍの平均粒径を有するシリカ微粒子を水に分散させて
調製された請求項１記載のグレーズドセラミック基板の
製造方法。 - 【請求項３】 ゲル層の熱処理を大気圧下、１１２０〜
１１８０℃で、１時間行う請求項２記載のグレーズドセ
ラミック基板の製造方法。 - 【請求項４】 シリカ微粒子を含むゾルは珪素アルコキ
シドを加水分解した後、この加水分解生成物を解膠処理
して調製された請求項１記載のグレーズドセラミック基
板の製造方法。 - 【請求項５】 シリカ微粒子を含むゾルは珪素アルコキ
シドとＡｌ，Ｂ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｐｂ，Ｍｂ，Ｃａ又はＢ
ａのアルコキシドを１種又は２種以上含む有機溶液を加
水分解した後、この加水分解生成物を解膠処理して調製
された請求項１記載のグレーズドセラミック基板の製造
方法。 - 【請求項６】 多孔質ガラスグレーズ層は５０重量％以
上のＳｉＯ2と残部がＡｌ2Ｏ3，Ｂ2Ｏ3，ＴｉＯ2，Ｚｒ
Ｏ2，ＰｂＯ，ＭｇＯ，ＣａＯ又はＢａＯの１種又は２
種以上の酸化物又は水酸化物を含む複合ガラスからなる
請求項５記載のグレーズドセラミック基板の製造方法。 - 【請求項７】 多孔質ガラスグレーズ層の平均細孔径は
５〜５０ｎｍである請求項１記載のグレーズドセラミッ
ク基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31976191A JPH05132382A (ja) | 1991-11-07 | 1991-11-07 | グレーズドセラミツク基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31976191A JPH05132382A (ja) | 1991-11-07 | 1991-11-07 | グレーズドセラミツク基板の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05132382A true JPH05132382A (ja) | 1993-05-28 |
Family
ID=18113888
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31976191A Withdrawn JPH05132382A (ja) | 1991-11-07 | 1991-11-07 | グレーズドセラミツク基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05132382A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4683743B2 (ja) * | 2001-02-28 | 2011-05-18 | 京セラ株式会社 | 配線基板の製造方法 |
| CN102101794A (zh) * | 2011-01-20 | 2011-06-22 | 潮州市波士发陶瓷制作有限公司 | 一种釉上低温艳红釉及其陶瓷制品的生产工艺 |
| CN109336558A (zh) * | 2018-10-23 | 2019-02-15 | 沈泓志 | 紫陶紫金烧制工艺 |
-
1991
- 1991-11-07 JP JP31976191A patent/JPH05132382A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4683743B2 (ja) * | 2001-02-28 | 2011-05-18 | 京セラ株式会社 | 配線基板の製造方法 |
| CN102101794A (zh) * | 2011-01-20 | 2011-06-22 | 潮州市波士发陶瓷制作有限公司 | 一种釉上低温艳红釉及其陶瓷制品的生产工艺 |
| CN109336558A (zh) * | 2018-10-23 | 2019-02-15 | 沈泓志 | 紫陶紫金烧制工艺 |
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