JPH0513015Y2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0513015Y2 JPH0513015Y2 JP5653686U JP5653686U JPH0513015Y2 JP H0513015 Y2 JPH0513015 Y2 JP H0513015Y2 JP 5653686 U JP5653686 U JP 5653686U JP 5653686 U JP5653686 U JP 5653686U JP H0513015 Y2 JPH0513015 Y2 JP H0513015Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- series
- diodes
- terminal
- diode
- cathode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 13
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims 1
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
Landscapes
- Rectifiers (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本考案は複数のダイオードを直列接続したもの
を、対設されたアノード端子とカソード端子の回
りに配置してなる円形状半導体ダイオードに関す
る。
を、対設されたアノード端子とカソード端子の回
りに配置してなる円形状半導体ダイオードに関す
る。
従来、高電圧ダイオードスタツクの構造として
は種々なものがあるが、その組立時に簡便である
という面から円形状ダイオードが用いられる場合
が多い。この円形状ダイオードにおいても、電流
容量の大きさの関係上からダイオードを直列接続
したものをアノード端子とカソード端子間に並列
接続することがある。斯かる従来の代表的な円形
状ダイオードとして第2図に示すものがある。
は種々なものがあるが、その組立時に簡便である
という面から円形状ダイオードが用いられる場合
が多い。この円形状ダイオードにおいても、電流
容量の大きさの関係上からダイオードを直列接続
したものをアノード端子とカソード端子間に並列
接続することがある。斯かる従来の代表的な円形
状ダイオードとして第2図に示すものがある。
第2図A,Bにより従来の円形状ダイオードの
一例を説明すると、1はエポキシ樹脂のようなモ
ールド樹脂であり、そのほぼ中央部にカソード端
子2とアノード端子3とが対設されている。カソ
ード端子2は雄ネジ構造となつており、アノード
端子3は雌ネジ構造となつている。これらカソー
ド端子2及びアノード端子3は、円形状ダイオー
ドが複数個積み重ねられて直列接続される場合、
隣接する円形状ダイオードのアノード端子、カソ
ード端子と螺合できるように構成されている。ア
ノード端子2とカソード端子3間には、電流容量
の関係からダイオードD1,D2,D3の直列接続体
4とダイオードD′1,D′2,D′3の直列接続体4′と
が並列になるよう、接続されている。
一例を説明すると、1はエポキシ樹脂のようなモ
ールド樹脂であり、そのほぼ中央部にカソード端
子2とアノード端子3とが対設されている。カソ
ード端子2は雄ネジ構造となつており、アノード
端子3は雌ネジ構造となつている。これらカソー
ド端子2及びアノード端子3は、円形状ダイオー
ドが複数個積み重ねられて直列接続される場合、
隣接する円形状ダイオードのアノード端子、カソ
ード端子と螺合できるように構成されている。ア
ノード端子2とカソード端子3間には、電流容量
の関係からダイオードD1,D2,D3の直列接続体
4とダイオードD′1,D′2,D′3の直列接続体4′と
が並列になるよう、接続されている。
同図からも分るように、直列接続体4,4′
夫々の最外側のアノード側リード線La,L′a(点線
で示す)はアノード端子3からほぼ並行して外方
向に延び、その後互いにほぼ逆方向に折り曲げら
れている。同様に直列接続体4,4′夫々の最外
側のカソード側リード線Lk,L′kはカソード端子
2からほぼ並行して外方向に延び、その後互いに
ほぼ逆方向に折り曲げられている。斯かる従来の
円形状ダイオードを流れる電流は直列接続体4,
4′の双方とも矢印方向に流れ、つまり同一方向
に流れる。
夫々の最外側のアノード側リード線La,L′a(点線
で示す)はアノード端子3からほぼ並行して外方
向に延び、その後互いにほぼ逆方向に折り曲げら
れている。同様に直列接続体4,4′夫々の最外
側のカソード側リード線Lk,L′kはカソード端子
2からほぼ並行して外方向に延び、その後互いに
ほぼ逆方向に折り曲げられている。斯かる従来の
円形状ダイオードを流れる電流は直列接続体4,
4′の双方とも矢印方向に流れ、つまり同一方向
に流れる。
一般にこの様な構成の半導体装置における各ダ
イオード間を接続するリード線などのインダクタ
ンスは、リード線などの内部に発生する磁界と空
間に発生する磁界との影響を受け、隣接するダイ
オードを夫々流れる電流が同一方向の場合には
夫々の電流によつて形成される磁界の方向が同じ
であるので、半導体装置のインダクタンスは低減
されない。従つて、従来の斯かる半導体装置に立
上り時間の非常に短い電圧パルスを印加する場
合、又は高周波交流電圧を整流する場合にはその
インダクタンスによる電圧降下が大きくならざる
を得ないという欠点があつた。
イオード間を接続するリード線などのインダクタ
ンスは、リード線などの内部に発生する磁界と空
間に発生する磁界との影響を受け、隣接するダイ
オードを夫々流れる電流が同一方向の場合には
夫々の電流によつて形成される磁界の方向が同じ
であるので、半導体装置のインダクタンスは低減
されない。従つて、従来の斯かる半導体装置に立
上り時間の非常に短い電圧パルスを印加する場
合、又は高周波交流電圧を整流する場合にはその
インダクタンスによる電圧降下が大きくならざる
を得ないという欠点があつた。
円形状ダイオードのほぼ中央部に対設されたア
ノード端子とカソード端子間に、ダイオードを直
列した直列接続体を通流する電流が逆方向になる
ようこれら直列接続体を配置する。
ノード端子とカソード端子間に、ダイオードを直
列した直列接続体を通流する電流が逆方向になる
ようこれら直列接続体を配置する。
前記ダイオードの直列接続体夫々を流れる電流
が逆向きになるので、夫々の直列接続体のダイオ
ード及びリード線を流れる電流により生じる磁界
が互いに打ち消し合い、従つてこの半導体装置の
インダクタンスが低減され、電圧降下も小さくな
る。
が逆向きになるので、夫々の直列接続体のダイオ
ード及びリード線を流れる電流により生じる磁界
が互いに打ち消し合い、従つてこの半導体装置の
インダクタンスが低減され、電圧降下も小さくな
る。
第1図A,Bにより本考案の一実施例を説明す
る。同図において、第2図に示した記号と同一の
ものは同一性あるものとする。
る。同図において、第2図に示した記号と同一の
ものは同一性あるものとする。
ダイオードD1〜D3を直列接続した直列接続体
4の最外側のアノード側リード線La、及びダイ
オードD′1〜D3を直列接続した直列接続体4′の
最外側のアノード側リード線L′aは夫々点線で示
すように、アノード端子3から外方向で、かつほ
ぼ逆方向に延び、同様に夫々のダイオード直列接
続体4,4′の最外側のカソード側リード線Lk,
L′kもカソード端子2から外方向で、かつほぼ逆
方向に延びる。そしてこれらリード線LaとL′kは
ほぼ並行しており、またリード線LkとL′aもほぼ
並行している。そしてこれらリード線を通流する
電流は矢印で示されているように互いに逆方向で
あるので、発生する磁界は互いにほぼ打ち消し合
う。またダイオードD1〜D3、D′1〜D′3間を夫々
流れる電流も発生される磁界を打ち消すような方
向である。従つて、この半導体装置全体のインダ
クタンスは低減される。
4の最外側のアノード側リード線La、及びダイ
オードD′1〜D3を直列接続した直列接続体4′の
最外側のアノード側リード線L′aは夫々点線で示
すように、アノード端子3から外方向で、かつほ
ぼ逆方向に延び、同様に夫々のダイオード直列接
続体4,4′の最外側のカソード側リード線Lk,
L′kもカソード端子2から外方向で、かつほぼ逆
方向に延びる。そしてこれらリード線LaとL′kは
ほぼ並行しており、またリード線LkとL′aもほぼ
並行している。そしてこれらリード線を通流する
電流は矢印で示されているように互いに逆方向で
あるので、発生する磁界は互いにほぼ打ち消し合
う。またダイオードD1〜D3、D′1〜D′3間を夫々
流れる電流も発生される磁界を打ち消すような方
向である。従つて、この半導体装置全体のインダ
クタンスは低減される。
なお、ダイオードD1〜D3及びD′1〜D′3夫々は
単一の半導体ダイオードでも良く、複数の半導体
ダイオードを直列接続したもの、又は直並列接続
したものであつても良い。
単一の半導体ダイオードでも良く、複数の半導体
ダイオードを直列接続したもの、又は直並列接続
したものであつても良い。
以上述べたように、本考案によれば円形状ダイ
オードにおける一対のダイオード直列接続体のア
ノード側リード線とカソードリード線はほぼ並行
するように配置され、これらを夫々流れる電流は
互いにほぼ逆方向なので、それら電流により発生
する磁界もほぼ逆方向になり、互いにほぼ打ち消
し合うので、この半導体装置のインダクタンスは
低減される。従つて、急峻な立上りをもつ電圧パ
ルス、或いは高周波交流電圧の印加時における電
圧降下を低減できる。
オードにおける一対のダイオード直列接続体のア
ノード側リード線とカソードリード線はほぼ並行
するように配置され、これらを夫々流れる電流は
互いにほぼ逆方向なので、それら電流により発生
する磁界もほぼ逆方向になり、互いにほぼ打ち消
し合うので、この半導体装置のインダクタンスは
低減される。従つて、急峻な立上りをもつ電圧パ
ルス、或いは高周波交流電圧の印加時における電
圧降下を低減できる。
第1図は本考案に係る半導体装置の一実施例を
示す図であり、そのAは上面図、Bは側面図であ
る。第2図は従来の半導体装置の一例を示し、そ
のAは上面図、Bは側面図である。 1……モールド樹脂、2……カソード端子、3
……アノード端子、4,4′……ダイオード直列
接続体、La,L′a……アノード側リード線、Lk,
L′k……カソード側リード線。
示す図であり、そのAは上面図、Bは側面図であ
る。第2図は従来の半導体装置の一例を示し、そ
のAは上面図、Bは側面図である。 1……モールド樹脂、2……カソード端子、3
……アノード端子、4,4′……ダイオード直列
接続体、La,L′a……アノード側リード線、Lk,
L′k……カソード側リード線。
Claims (1)
- ほぼ中央部に絶縁物を介して対設されたアノー
ド端子とカソード端子の回りに配置された複数の
ダイオードを直列接続してなるダイオード直列接
続体を前記アノード端子とカソード端子間に並列
接続した半導体装置において、並列接続された前
記ダイオード直列接続体を夫々流れる電流が互い
に逆向きになるよう配置したことを特徴とする半
導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5653686U JPH0513015Y2 (ja) | 1986-04-15 | 1986-04-15 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5653686U JPH0513015Y2 (ja) | 1986-04-15 | 1986-04-15 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62168656U JPS62168656U (ja) | 1987-10-26 |
JPH0513015Y2 true JPH0513015Y2 (ja) | 1993-04-06 |
Family
ID=30885428
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP5653686U Expired - Lifetime JPH0513015Y2 (ja) | 1986-04-15 | 1986-04-15 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0513015Y2 (ja) |
-
1986
- 1986-04-15 JP JP5653686U patent/JPH0513015Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS62168656U (ja) | 1987-10-26 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2658427B2 (ja) | 電力変換用半導体素子のスナバ回路とそのモジュール装置 | |
US6972657B1 (en) | Power converter and planar transformer therefor | |
FI88088B (fi) | Laoginduktiv anod-katod-koppling av en fraonslagbar effekttyristor | |
US10021802B2 (en) | Electronic module assembly having low loop inductance | |
JPH0628292B2 (ja) | 逆阻止形トランジスタモジュール | |
JP3420021B2 (ja) | 半導体電力変換装置 | |
JPH0513015Y2 (ja) | ||
JPS5875490U (ja) | Gtoの保護回路 | |
JP2000216331A (ja) | パワ―半導体モジュ―ルおよびそれを用いた電力変換装置 | |
JPH0638507A (ja) | 電力変換装置 | |
JPH08126302A (ja) | 電力変換装置およびその製造方法 | |
JPH0445230Y2 (ja) | ||
JP2543166Y2 (ja) | 電力変換装置 | |
JPH046199Y2 (ja) | ||
JPH02130954A (ja) | 逆阻止形トランジスタモジュール | |
JP3391348B2 (ja) | 電力変換装置 | |
JPH0351957Y2 (ja) | ||
JP2539733Y2 (ja) | 電力変換装置 | |
JPH0546263Y2 (ja) | ||
JP2799760B2 (ja) | 共振形コンバータ | |
JPH0747872Y2 (ja) | 半導体装置 | |
JPS5812541Y2 (ja) | 高電圧半導体整流装置 | |
JPS61119068A (ja) | 半導体スイツチのスナバ回路 | |
JPH0422572Y2 (ja) | ||
JPS5851527A (ja) | 半導体装置 |