JPH05128602A - 光磁気デイスクの製造方法 - Google Patents
光磁気デイスクの製造方法Info
- Publication number
- JPH05128602A JPH05128602A JP29028691A JP29028691A JPH05128602A JP H05128602 A JPH05128602 A JP H05128602A JP 29028691 A JP29028691 A JP 29028691A JP 29028691 A JP29028691 A JP 29028691A JP H05128602 A JPH05128602 A JP H05128602A
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- JP
- Japan
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- film
- recording film
- magneto
- optical disk
- plastic substrate
- Prior art date
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 プラスチック基板上に記録膜を成膜すること
で発生する有機的な汚染物を取り除くことの可能な光磁
気ディスクの製造方法を提供することにある。 【構成】 所望の情報信号に対応する凹凸パターンが形
成されたプラスチック基板上に成膜された記録膜上に保
護膜を塗布する光磁気ディスクの製造方法において、上
記プラスチック基板上に真空中で記録膜を成膜した後、
真空中から外へ取り出して上記記録膜に紫外線を照射し
て、前記記録膜上に保護膜を塗布することを特徴とする
光磁気ディスクの製造方法。
で発生する有機的な汚染物を取り除くことの可能な光磁
気ディスクの製造方法を提供することにある。 【構成】 所望の情報信号に対応する凹凸パターンが形
成されたプラスチック基板上に成膜された記録膜上に保
護膜を塗布する光磁気ディスクの製造方法において、上
記プラスチック基板上に真空中で記録膜を成膜した後、
真空中から外へ取り出して上記記録膜に紫外線を照射し
て、前記記録膜上に保護膜を塗布することを特徴とする
光磁気ディスクの製造方法。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はプラスチック基板を用い
た光磁気ディスクの製造方法に関し、特に上記プラスチ
ック基板上に成膜した記録膜上に保護膜を塗布する際の
前処理工程における光磁気ディスクの製造方法に関す
る。
た光磁気ディスクの製造方法に関し、特に上記プラスチ
ック基板上に成膜した記録膜上に保護膜を塗布する際の
前処理工程における光磁気ディスクの製造方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】従来の光磁気ディスクの製造工程を図２
を参照して説明する。従来は、プラスチック基板１１を
洗浄した後、真空中で上記プラスチック基板上１１に記
録膜１２を成膜していた（図２（ａ））。上記真空中か
ら外へ取り出す際に、上記記録膜上に有機的な汚染物１
３が付着する（図２（ｂ））。しかし今まではその状態
のまま上記記録膜に樹脂等の保護膜１４を塗布していた
（図２（ｃ））。
を参照して説明する。従来は、プラスチック基板１１を
洗浄した後、真空中で上記プラスチック基板上１１に記
録膜１２を成膜していた（図２（ａ））。上記真空中か
ら外へ取り出す際に、上記記録膜上に有機的な汚染物１
３が付着する（図２（ｂ））。しかし今まではその状態
のまま上記記録膜に樹脂等の保護膜１４を塗布していた
（図２（ｃ））。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記図２
に上げた光磁気ディスクの製造工程においては、プラス
チック基板上１１に記録膜１２を成膜して前処理無しで
保護膜１４を形成すると、上記基板上１１に成膜された
上記記録膜に付着した微量の汚染物１３によっても均一
に塗布できない。極端な場合にはピンホール１７が発生
し十分に保護膜として作用せず品質上の問題につながる
場合も有り得る。又、成膜された記録膜は、吸湿性があ
るため、信頼性の確保という意味で前処理として純水及
び有機溶剤での洗浄はできない。
に上げた光磁気ディスクの製造工程においては、プラス
チック基板上１１に記録膜１２を成膜して前処理無しで
保護膜１４を形成すると、上記基板上１１に成膜された
上記記録膜に付着した微量の汚染物１３によっても均一
に塗布できない。極端な場合にはピンホール１７が発生
し十分に保護膜として作用せず品質上の問題につながる
場合も有り得る。又、成膜された記録膜は、吸湿性があ
るため、信頼性の確保という意味で前処理として純水及
び有機溶剤での洗浄はできない。
【０００４】そこで本発明の目的はプラスチック基板上
に記録膜を成膜することで発生する有機的な汚染物を取
り除くことの可能な光磁気ディスクの製造方法を提供す
ることにある。
に記録膜を成膜することで発生する有機的な汚染物を取
り除くことの可能な光磁気ディスクの製造方法を提供す
ることにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に本発明の請求項１に係る光磁気ディスクの製造方法
は、所望の情報信号に対応する凹凸パターンが形成され
たプラスチック基板上に成膜された記録膜上に保護膜を
塗布する光磁気ディスクの製造方法において、上記プラ
スチック基板上に真空中で記録膜を成膜した後、真空中
から外へ取り出して上記記録膜に紫外線を照射して、前
記記録膜上に保護膜を塗布することを特徴としている。
に本発明の請求項１に係る光磁気ディスクの製造方法
は、所望の情報信号に対応する凹凸パターンが形成され
たプラスチック基板上に成膜された記録膜上に保護膜を
塗布する光磁気ディスクの製造方法において、上記プラ
スチック基板上に真空中で記録膜を成膜した後、真空中
から外へ取り出して上記記録膜に紫外線を照射して、前
記記録膜上に保護膜を塗布することを特徴としている。
【０００６】請求項２に係る光磁気ディスクの製造方法
は、所望の情報信号に対応する凹凸パターンが形成され
たプラスチック基板の全面に、真空中で第１の窒化アル
ミ（ＡｌＮ）を成膜して、前記第１の窒化アルミ上に磁
性層を成膜して、前記磁性層上に第２の窒化アルミ（Ａ
ｌＮ）を成膜して、前記第２の窒化アルミ上に反射膜を
成膜した後、真空中から外へ取り出して上記反射膜の表
面に紫外線を照射して、前記反射膜の表面が平坦になる
ように保護膜を塗布することを特徴としている。
は、所望の情報信号に対応する凹凸パターンが形成され
たプラスチック基板の全面に、真空中で第１の窒化アル
ミ（ＡｌＮ）を成膜して、前記第１の窒化アルミ上に磁
性層を成膜して、前記磁性層上に第２の窒化アルミ（Ａ
ｌＮ）を成膜して、前記第２の窒化アルミ上に反射膜を
成膜した後、真空中から外へ取り出して上記反射膜の表
面に紫外線を照射して、前記反射膜の表面が平坦になる
ように保護膜を塗布することを特徴としている。
【０００７】
【作用】プラスチック基板上に成膜された記録膜上の有
機的な汚染物は保護膜として塗布する樹脂等と前記記録
膜面とのぬれ性を極端に低下させ、上記保護膜を均一に
塗布する事はできない。
機的な汚染物は保護膜として塗布する樹脂等と前記記録
膜面とのぬれ性を極端に低下させ、上記保護膜を均一に
塗布する事はできない。
【０００８】そこで、前記記録膜上に保護膜を塗布する
工程の前処理として紫外線による照射を行ない、プラス
チック基板全面にわたって発生するオゾンが前記記録膜
上の有機的な汚染物を除去し、保護膜と前記記録膜面と
のぬれ性を改善し均一な保護膜を得ることができる。且
つ本発明の紫外線照射は乾式での前処理であるため極端
な照射を行なわない限り上記基板１１上に成膜された記
録膜への悪影響は無い。
工程の前処理として紫外線による照射を行ない、プラス
チック基板全面にわたって発生するオゾンが前記記録膜
上の有機的な汚染物を除去し、保護膜と前記記録膜面と
のぬれ性を改善し均一な保護膜を得ることができる。且
つ本発明の紫外線照射は乾式での前処理であるため極端
な照射を行なわない限り上記基板１１上に成膜された記
録膜への悪影響は無い。
【０００９】
【実施例】本発明の一実施例を図面に基づいて説明す
る。図１は本発明の光磁気ディスクの製造方法を示す一
実施例である。図１に示す工程では所望の情報信号に対
応する凹凸パターンが形成されたプラスチック基板上１
に真空中で記録膜２を成膜した後、真空中から外へ取り
出せば上記記録膜上２に極微少の有機的な汚染物３が付
着する（図１（ａ））。
る。図１は本発明の光磁気ディスクの製造方法を示す一
実施例である。図１に示す工程では所望の情報信号に対
応する凹凸パターンが形成されたプラスチック基板上１
に真空中で記録膜２を成膜した後、真空中から外へ取り
出せば上記記録膜上２に極微少の有機的な汚染物３が付
着する（図１（ａ））。
【００１０】上記記録膜はプラスチック基板上１の全面
に、真空中で第１の窒化アルミ（ＡｌＮ）を成膜して、
前記第１の窒化アルミの凹凸部上に磁性層（レアアース
とトランジットメタルの合金）を成膜して、前記磁性層
の凹凸部上に第２の窒化アルミ（ＡｌＮ）を成膜して、
前記第２の窒化アルミの凹凸部上に反射膜（アルミニウ
ム（Ａｌ））を成膜したものである。
に、真空中で第１の窒化アルミ（ＡｌＮ）を成膜して、
前記第１の窒化アルミの凹凸部上に磁性層（レアアース
とトランジットメタルの合金）を成膜して、前記磁性層
の凹凸部上に第２の窒化アルミ（ＡｌＮ）を成膜して、
前記第２の窒化アルミの凹凸部上に反射膜（アルミニウ
ム（Ａｌ））を成膜したものである。
【００１１】次に、上記記録膜上２に紫外線照射装置５
を用いて紫外線６を照射し（図１（ｂ））、前記紫外線
６によって発生するオゾンＯ3の作用によりプラスチッ
ク基板１全面にわたって有機的な汚染物３を除去するも
のである（図１（ｃ））。
を用いて紫外線６を照射し（図１（ｂ））、前記紫外線
６によって発生するオゾンＯ3の作用によりプラスチッ
ク基板１全面にわたって有機的な汚染物３を除去するも
のである（図１（ｃ））。
【００１２】次いで前記記録膜上２に耐湿性の富んだ樹
脂等の保護膜４を塗布する（図１（ｄ））。上記紫外線
照射装置５により上記記録膜２に紫外線を照射しなけれ
ば上記プラスチック基板１に成膜した記録膜上２の有機
的な汚染物３によって保護膜４としての樹脂と前記成膜
された記録膜面２とのぬれ性が低下し、極端な場合には
ピンホールが発生し保護膜４の効果が十分に発揮できな
い。
脂等の保護膜４を塗布する（図１（ｄ））。上記紫外線
照射装置５により上記記録膜２に紫外線を照射しなけれ
ば上記プラスチック基板１に成膜した記録膜上２の有機
的な汚染物３によって保護膜４としての樹脂と前記成膜
された記録膜面２とのぬれ性が低下し、極端な場合には
ピンホールが発生し保護膜４の効果が十分に発揮できな
い。
【００１３】通常の光磁気ディスクの製造方法におい
て、上記有機的な汚染物３は極微少であるが数回の成膜
での滞留によって保護膜４を塗布する直前では前記有機
的な汚染量は大きくなる。
て、上記有機的な汚染物３は極微少であるが数回の成膜
での滞留によって保護膜４を塗布する直前では前記有機
的な汚染量は大きくなる。
【００１４】本実施例では保護膜４を塗布する直前にお
いて成膜された記録膜２に対し、前記紫外線照射装置５
により積算光量約１〜３Ｊ／ｃｍ2の紫外線６を照射す
ることによって上記膜上の有機的な汚染物３を容易に除
去する。但し、本実施例では紫外線照射に関する積算光
量を指定するのみであり、方法，装置は限定しない。
いて成膜された記録膜２に対し、前記紫外線照射装置５
により積算光量約１〜３Ｊ／ｃｍ2の紫外線６を照射す
ることによって上記膜上の有機的な汚染物３を容易に除
去する。但し、本実施例では紫外線照射に関する積算光
量を指定するのみであり、方法，装置は限定しない。
【００１５】
【発明の効果】本発明によりプラスチック基板上の記録
膜上の有機的な汚染物を取り除くことができるオゾンＯ
3を発生することができる。
膜上の有機的な汚染物を取り除くことができるオゾンＯ
3を発生することができる。
【図１】本発明の光磁気ディスクの製造方法を示す一説
明図である。
明図である。
【図２】従来の光磁気ディスクの製造方法を示す一説明
図である。
図である。
１ プラスチック基板 ２ 記録膜 ３ 有機的な汚染物 ４ 保護膜 ５ 紫外線照射装置 ６ 紫外線
Claims (2)
- 【請求項１】 所望の情報信号に対応する凹凸パターン
が形成されたプラスチック基板上に成膜された記録膜上
に保護膜を塗布する光磁気ディスクの製造方法におい
て、上記プラスチック基板上に真空中で記録膜を成膜し
た後、真空中から外へ取り出して上記記録膜に紫外線を
照射して、前記記録膜上に保護膜を塗布することを特徴
とする光磁気ディスクの製造方法 - 【請求項２】 所望の情報信号に対応する凹凸パターン
が形成されたプラスチック基板の全面に、真空中で第１
の窒化アルミ（ＡｌＮ）を成膜して、前記第１の窒化ア
ルミ上に磁性層を成膜して、前記磁性層上に第２の窒化
アルミ（ＡｌＮ）を成膜して、前記第２の窒化アルミ上
に反射膜を成膜した後、真空中から外へ取り出して上記
反射膜の表面に紫外線を照射して、前記反射膜の表面が
平坦になるように保護膜を塗布することを特徴とする光
磁気ディスクの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29028691A JPH05128602A (ja) | 1991-11-07 | 1991-11-07 | 光磁気デイスクの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29028691A JPH05128602A (ja) | 1991-11-07 | 1991-11-07 | 光磁気デイスクの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05128602A true JPH05128602A (ja) | 1993-05-25 |
Family
ID=17754177
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29028691A Pending JPH05128602A (ja) | 1991-11-07 | 1991-11-07 | 光磁気デイスクの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05128602A (ja) |
-
1991
- 1991-11-07 JP JP29028691A patent/JPH05128602A/ja active Pending
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