JPH05124848A - セラミツクスの乾燥方法 - Google Patents
セラミツクスの乾燥方法Info
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- JPH05124848A JPH05124848A JP31542091A JP31542091A JPH05124848A JP H05124848 A JPH05124848 A JP H05124848A JP 31542091 A JP31542091 A JP 31542091A JP 31542091 A JP31542091 A JP 31542091A JP H05124848 A JPH05124848 A JP H05124848A
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- drying
- pressure
- steam
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 セラミックス１の雰囲気の状態や水分傾斜の
発生による、表面の微細なひび割れや歪を防ぎ、短時間
に乾燥させる。 【構成】 成形後のセラミックス１を缶体Ａ内に収容し
密閉し、その缶体Ａ内に飽和蒸気を送給すると共に誘電
加熱を印加してセラミックス１を内部加熱し、一定時間
経過した後、飽和蒸気の送給を止め、次いで、缶体Ａ内
を徐々に減圧し所定の真空度に達すると、その真空状態
を保持してセラミックス１を乾燥させる。
発生による、表面の微細なひび割れや歪を防ぎ、短時間
に乾燥させる。 【構成】 成形後のセラミックス１を缶体Ａ内に収容し
密閉し、その缶体Ａ内に飽和蒸気を送給すると共に誘電
加熱を印加してセラミックス１を内部加熱し、一定時間
経過した後、飽和蒸気の送給を止め、次いで、缶体Ａ内
を徐々に減圧し所定の真空度に達すると、その真空状態
を保持してセラミックス１を乾燥させる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、触媒に用いる成形後の
湿式セラミックスを乾燥させる方法に関するものであ
る。
湿式セラミックスを乾燥させる方法に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】従来、成形後の湿式セラミックスを乾燥
させる技術として、大気圧中で熱風を循環させて乾燥さ
せるか、または、マイクロ波加熱で乾燥させているが、
両者ともセラミックスにひび割れが生じ商品とならな
い。そのため、熱風乾燥の場合は熱風温度を低く、マイ
クロ波加熱の場合は出力を小さくし、長時間かけて徐々
に乾燥させている。
させる技術として、大気圧中で熱風を循環させて乾燥さ
せるか、または、マイクロ波加熱で乾燥させているが、
両者ともセラミックスにひび割れが生じ商品とならな
い。そのため、熱風乾燥の場合は熱風温度を低く、マイ
クロ波加熱の場合は出力を小さくし、長時間かけて徐々
に乾燥させている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、熱風乾
燥の場合、長時間かけて徐々に乾燥させても、熱風を循
環させているため、風の流れで被乾燥物（セラミック
ス）に風が当る部分（表の部分）と当らない部分（影の
部分）とが生じる。その結果、その両者に温度差が生
じ、その温度差により水分傾斜が発生する。そして、表
面に微細なひび割れが発生するものが多くなり、また、
歪度も大きく製品の歩留まりが悪くなる。また、マイク
ロ波加熱においても長時間かけて徐々に乾燥させている
ため、生産性が極めて悪く且つ周囲の状態によっては、
表面に微細なひび割れが発生する恐れもあり、信頼性に
欠けるなど各種課題を抱えている。
燥の場合、長時間かけて徐々に乾燥させても、熱風を循
環させているため、風の流れで被乾燥物（セラミック
ス）に風が当る部分（表の部分）と当らない部分（影の
部分）とが生じる。その結果、その両者に温度差が生
じ、その温度差により水分傾斜が発生する。そして、表
面に微細なひび割れが発生するものが多くなり、また、
歪度も大きく製品の歩留まりが悪くなる。また、マイク
ロ波加熱においても長時間かけて徐々に乾燥させている
ため、生産性が極めて悪く且つ周囲の状態によっては、
表面に微細なひび割れが発生する恐れもあり、信頼性に
欠けるなど各種課題を抱えている。
【０００４】本発明は、前述の課題を解決することを目
的として開発したものである。
的として開発したものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、図１ないし図
４に示すように、成形後のセラミックス１を缶体Ａ内に
収容し密閉した後、該セラミックスを誘電加熱すると共
に前記缶体Ａ内に６０〜８０℃前後の飽和蒸気を送給
し、その状態を保持するよう制御して所定時間経過した
後、飽和蒸気の送給を停止し、次いで、缶体Ａ内を１０
〜２５mmHg/min前後の速度で徐々に減圧し、缶体Ａ内が
３５０〜６２０mmHgに到達して、その状態を保持するよ
う制御しセラミックス１を乾燥させ、乾燥終了後、誘電
加熱と減圧とを停止させ、然る後、缶体Ａ内を大気圧に
戻しセラミックス１を搬出するようにしたものである。
４に示すように、成形後のセラミックス１を缶体Ａ内に
収容し密閉した後、該セラミックスを誘電加熱すると共
に前記缶体Ａ内に６０〜８０℃前後の飽和蒸気を送給
し、その状態を保持するよう制御して所定時間経過した
後、飽和蒸気の送給を停止し、次いで、缶体Ａ内を１０
〜２５mmHg/min前後の速度で徐々に減圧し、缶体Ａ内が
３５０〜６２０mmHgに到達して、その状態を保持するよ
う制御しセラミックス１を乾燥させ、乾燥終了後、誘電
加熱と減圧とを停止させ、然る後、缶体Ａ内を大気圧に
戻しセラミックス１を搬出するようにしたものである。
【０００６】
【実施例】以下、添付図面に従い本発明の実施例を説明
する。本発明を実施する装置は、成形後のセラミックス
１を収容でき且つ扉Ａａにて密閉可能に設けた缶体Ａ
と、該缶体に収容したセラミックス１を内部より加熱す
る誘電加熱手段Ｂと、缶体Ａに飽和蒸気を供給すると共
に缶体Ａ内温度を制御する缶内蒸気温度制御手段Ｃと、
缶体Ａ内を所定の真空度に減圧すると共に所定の真空度
に減圧された缶体Ａ内の真空度を保持する缶内減圧制御
手段Ｄと、缶体Ａ内より発生した凝縮水を排出するドレ
ン排出手段Ｅとより構成したものである。
する。本発明を実施する装置は、成形後のセラミックス
１を収容でき且つ扉Ａａにて密閉可能に設けた缶体Ａ
と、該缶体に収容したセラミックス１を内部より加熱す
る誘電加熱手段Ｂと、缶体Ａに飽和蒸気を供給すると共
に缶体Ａ内温度を制御する缶内蒸気温度制御手段Ｃと、
缶体Ａ内を所定の真空度に減圧すると共に所定の真空度
に減圧された缶体Ａ内の真空度を保持する缶内減圧制御
手段Ｄと、缶体Ａ内より発生した凝縮水を排出するドレ
ン排出手段Ｅとより構成したものである。
【０００７】次に、各手段についてその詳細を説明す
る。誘電加熱手段Ｂは、図１に示すように、缶体Ａ外部
位置に高周波発振機３を設置し、該缶体と高周波発振機
３とは同軸４により接続され、該同軸は、図２に示すよ
うに、電極板（＋）５ａと電極板（−）５ｂとが接続さ
れており、電極板（−）５ｂは缶体Ａ内の架台６上に載
置し、その上に乾燥させるセラミックス１を割型のスポ
ンジ、ウレタンマットなど保護材（受けトチ）２によっ
て保護された状態で置かれ、更に、その上には電極板
（＋）５ａを載せることができるよう構成したものであ
る。そして、図１に示す高周波発振機３により発振され
た高周波は同軸４を介し、図２に示す缶体Ａ内の電極板
（＋）５ａ、電極板（−）５ｂに印加され、セラミック
ス１を内部加熱させ、セラミックス１内の水分は内部か
ら表面部へと移行し、表面部より蒸発する。
る。誘電加熱手段Ｂは、図１に示すように、缶体Ａ外部
位置に高周波発振機３を設置し、該缶体と高周波発振機
３とは同軸４により接続され、該同軸は、図２に示すよ
うに、電極板（＋）５ａと電極板（−）５ｂとが接続さ
れており、電極板（−）５ｂは缶体Ａ内の架台６上に載
置し、その上に乾燥させるセラミックス１を割型のスポ
ンジ、ウレタンマットなど保護材（受けトチ）２によっ
て保護された状態で置かれ、更に、その上には電極板
（＋）５ａを載せることができるよう構成したものであ
る。そして、図１に示す高周波発振機３により発振され
た高周波は同軸４を介し、図２に示す缶体Ａ内の電極板
（＋）５ａ、電極板（−）５ｂに印加され、セラミック
ス１を内部加熱させ、セラミックス１内の水分は内部か
ら表面部へと移行し、表面部より蒸発する。
【０００８】また、誘電加熱手段Ｂの他の実施例とし
て、缶体１外部位置にマイクロ波発振機７を設置し、該
マイクロ波発振機は導波管８を介して缶体Ａに接続さ
れ、更に、該缶体内下部位置には、図３に示すように、
セラミックス１を載せてモーター９にて回転する回転テ
ーブル１０を設け、缶体Ａ内上部位置には導波管８を通
してマイクロ波の照射口１１を設け、該照射口の側部に
はマイクロ波がセラミックス１に均等に照射できるよう
にモーター１２により回転するスターラーファン１３を
設けている。そして、マイクロ波発振機７により発振さ
れるマイクロ波は導波管８を通して照射口１１より照射
され、スターラーファン１３により電波が拡散されてセ
ラミックス１に照射される。そして、セラミックス１を
内部加熱させ、セラミックス１内の水分は内部から表面
部へと移行し、表面部より蒸発する。
て、缶体１外部位置にマイクロ波発振機７を設置し、該
マイクロ波発振機は導波管８を介して缶体Ａに接続さ
れ、更に、該缶体内下部位置には、図３に示すように、
セラミックス１を載せてモーター９にて回転する回転テ
ーブル１０を設け、缶体Ａ内上部位置には導波管８を通
してマイクロ波の照射口１１を設け、該照射口の側部に
はマイクロ波がセラミックス１に均等に照射できるよう
にモーター１２により回転するスターラーファン１３を
設けている。そして、マイクロ波発振機７により発振さ
れるマイクロ波は導波管８を通して照射口１１より照射
され、スターラーファン１３により電波が拡散されてセ
ラミックス１に照射される。そして、セラミックス１を
内部加熱させ、セラミックス１内の水分は内部から表面
部へと移行し、表面部より蒸発する。
【０００９】缶内蒸気温度制御手段Ｃは、図１に示すよ
うに、ボイラーなどより配管された蒸気供給源より弁１
６〜ストレーナー１７〜自動弁１８を介して缶体Ａ内の
蒸気パイプ１９に接続されると共に、缶体Ａ内に温度検
出器２０を挿入し、該温度検出器の信号は温度調節計２
１に伝達できるよう接続され、該温度調節計により調節
された信号は自動弁１８に伝達できるよう設けたもので
ある。そして、缶体Ａに飽和蒸気を供給すると共に缶体
内温度を制御するよう構成したものである。
うに、ボイラーなどより配管された蒸気供給源より弁１
６〜ストレーナー１７〜自動弁１８を介して缶体Ａ内の
蒸気パイプ１９に接続されると共に、缶体Ａ内に温度検
出器２０を挿入し、該温度検出器の信号は温度調節計２
１に伝達できるよう接続され、該温度調節計により調節
された信号は自動弁１８に伝達できるよう設けたもので
ある。そして、缶体Ａに飽和蒸気を供給すると共に缶体
内温度を制御するよう構成したものである。
【００１０】缶内減圧制御手段Ｄは、図１に示すよう
に、缶体Ａより真空調節計２２を配管すると共に真空制
御弁２３を介してコンデンサー２４の一端部に配管さ
れ、該コンデンサーの他端部は減圧速度設定弁２５に配
管され、該減圧速度設定弁の一方は真空ポンプ２６の吸
引部に接続せしめている。また、コンデンサー２４には
吸引された水蒸気を凝縮させるための冷却水を給水弁２
７を介して循環できるよう配管されている。そして、最
初に真空ポンプ２６を作動させ、減圧速度設定弁２５を
調節して所望の減圧速度を予め設定しておく。次に、再
度真空ポンプ２６を作動させ所定の真空度まで減圧し、
真空調節計２２により所定の真空度に減圧された缶内Ａ
の真空度を保持するよう構成したものである。
に、缶体Ａより真空調節計２２を配管すると共に真空制
御弁２３を介してコンデンサー２４の一端部に配管さ
れ、該コンデンサーの他端部は減圧速度設定弁２５に配
管され、該減圧速度設定弁の一方は真空ポンプ２６の吸
引部に接続せしめている。また、コンデンサー２４には
吸引された水蒸気を凝縮させるための冷却水を給水弁２
７を介して循環できるよう配管されている。そして、最
初に真空ポンプ２６を作動させ、減圧速度設定弁２５を
調節して所望の減圧速度を予め設定しておく。次に、再
度真空ポンプ２６を作動させ所定の真空度まで減圧し、
真空調節計２２により所定の真空度に減圧された缶内Ａ
の真空度を保持するよう構成したものである。
【００１１】更に、前記缶内減圧制御手段とは別に、図
１に示すように、缶体Ａより空気導入弁２８と大気圧確
認用の圧力スイッチ２９とを設け、乾燥終了後、缶体Ａ
内を大気圧に戻すよう設けている。
１に示すように、缶体Ａより空気導入弁２８と大気圧確
認用の圧力スイッチ２９とを設け、乾燥終了後、缶体Ａ
内を大気圧に戻すよう設けている。
【００１２】ドレン排出手段Ｅは、図１に示すように、
缶体Ａ底部とコンデンサー２４の他端部とより自動弁３
２を介してドレンタンク３１に配管すると共に、該ドレ
ンタンクの上部他端部には空気導入弁３３を介して空気
が供給できるよう設け、更に、ドレンタンク３１の下部
他端部には排水弁３４を介して外部に排水できるよう設
け、缶体内Ａより、また、コンデンサー２４を介して発
生する凝縮水を自動的に排出できるよう構成したもので
ある。
缶体Ａ底部とコンデンサー２４の他端部とより自動弁３
２を介してドレンタンク３１に配管すると共に、該ドレ
ンタンクの上部他端部には空気導入弁３３を介して空気
が供給できるよう設け、更に、ドレンタンク３１の下部
他端部には排水弁３４を介して外部に排水できるよう設
け、缶体内Ａより、また、コンデンサー２４を介して発
生する凝縮水を自動的に排出できるよう構成したもので
ある。
【００１３】次に、その作用を説明する。最初に、図１
に示す真空ポンプ２６を作動させ、減圧速度設定弁２５
を調節して所望の真空速度を予め設定しておく。次に、
缶体Ａ内に成形後のセラミックス１を搬入し、図２に示
すように、電極板（−）５ｂの上に載置し、その上に電
極板（＋）５ａを載せ扉Ａａにて缶体Ａを閉鎖する。次
に、高周波発振器３を発振させてセラミックス１を誘電
加熱すると共に缶内蒸気温度制御手段Ｃの自動弁１８を
作動させ蒸気パイプ１９より缶体Ａ内に飽和蒸気を供給
し、温度検出器２０の信号により温度調節計２１にて缶
体Ａ内が６０〜８０℃前後の所望の設定温度（例えば７
０℃）になるよう制御する。そして、所定時間経過した
後、自動弁１８を閉鎖し飽和蒸気の送給を停止する。次
いで、予め設定しておいた減圧速度設定弁２５により缶
体Ａ内を１０〜２５mmHg/min内の所望の速度（例えば２
２mmHg/min）で徐々に減圧する。そして、真空調節計２
２に設定しておいた真空度（３５０〜６２０mmHgで所望
の真空度、例えば４００mHg）に到達して、その真空度
を保持するよう制御しセラミックス１を乾燥させる。こ
こで、セラミックス１の水分が蒸発するにつれて、即ち
乾燥するにつれて、高周波発振機３の陽極電流が減少す
る。これは、平行電極板５ａと５ｂとの間にセラミック
ス１の誘電率が変化したからであり、ここでは、セラミ
ックス１の乾燥状態を陽極電流の減少で捉え、所定の乾
燥状態になった時点で乾燥終了の信号を、高周波発振機
３と缶内減圧制御手段Ｄに伝達して、誘電加熱と減圧と
を停止させる。然る後、缶体Ａ内を大気圧に戻しセラミ
ックス１を搬出しする乾燥の一工程が完了する。
に示す真空ポンプ２６を作動させ、減圧速度設定弁２５
を調節して所望の真空速度を予め設定しておく。次に、
缶体Ａ内に成形後のセラミックス１を搬入し、図２に示
すように、電極板（−）５ｂの上に載置し、その上に電
極板（＋）５ａを載せ扉Ａａにて缶体Ａを閉鎖する。次
に、高周波発振器３を発振させてセラミックス１を誘電
加熱すると共に缶内蒸気温度制御手段Ｃの自動弁１８を
作動させ蒸気パイプ１９より缶体Ａ内に飽和蒸気を供給
し、温度検出器２０の信号により温度調節計２１にて缶
体Ａ内が６０〜８０℃前後の所望の設定温度（例えば７
０℃）になるよう制御する。そして、所定時間経過した
後、自動弁１８を閉鎖し飽和蒸気の送給を停止する。次
いで、予め設定しておいた減圧速度設定弁２５により缶
体Ａ内を１０〜２５mmHg/min内の所望の速度（例えば２
２mmHg/min）で徐々に減圧する。そして、真空調節計２
２に設定しておいた真空度（３５０〜６２０mmHgで所望
の真空度、例えば４００mHg）に到達して、その真空度
を保持するよう制御しセラミックス１を乾燥させる。こ
こで、セラミックス１の水分が蒸発するにつれて、即ち
乾燥するにつれて、高周波発振機３の陽極電流が減少す
る。これは、平行電極板５ａと５ｂとの間にセラミック
ス１の誘電率が変化したからであり、ここでは、セラミ
ックス１の乾燥状態を陽極電流の減少で捉え、所定の乾
燥状態になった時点で乾燥終了の信号を、高周波発振機
３と缶内減圧制御手段Ｄに伝達して、誘電加熱と減圧と
を停止させる。然る後、缶体Ａ内を大気圧に戻しセラミ
ックス１を搬出しする乾燥の一工程が完了する。
【００１４】ここで、乾燥終了の信号を本発明実施例で
は、高周波発振機の陽極電流の減少によって発している
が、例えば、高周波加熱及びマイクロ波加熱の出力と被
乾燥物（セラミックス）の蒸発量により乾燥時間が計算
できるため、乾燥終了の信号は時間によって終点管理す
るようにしてもよく、本発明は本実施例には限定されな
い。
は、高周波発振機の陽極電流の減少によって発している
が、例えば、高周波加熱及びマイクロ波加熱の出力と被
乾燥物（セラミックス）の蒸発量により乾燥時間が計算
できるため、乾燥終了の信号は時間によって終点管理す
るようにしてもよく、本発明は本実施例には限定されな
い。
【００１５】なお、本発明において、缶体内の飽和蒸気
の温度を６０〜８０℃前後としたのは、例えば、９０℃
にした場合、セラミックスの成形状態が柔らかいため、
高温をかけると、セラミックスに大きな歪が生ずる。ま
た、逆に５０℃にした場合、セラミックス表面の凝縮水
が不足のため、表面割れが生ずるからである。
の温度を６０〜８０℃前後としたのは、例えば、９０℃
にした場合、セラミックスの成形状態が柔らかいため、
高温をかけると、セラミックスに大きな歪が生ずる。ま
た、逆に５０℃にした場合、セラミックス表面の凝縮水
が不足のため、表面割れが生ずるからである。
【００１６】また、缶体内の減圧速度を１０〜２５mmHg
/minに前後に限定したのは、例えば、３０mmHg/minの速
度で早く減圧した場合、セラミックスの蒸発速度が早い
ため、表面が乾燥され、セラミックスの内外層に水分傾
斜が生じ、表面割れが発生する。逆に５mmHg/minの速度
で遅く減圧した場合、乾燥時間が非常に長くなり、生産
性が悪くなるからである。
/minに前後に限定したのは、例えば、３０mmHg/minの速
度で早く減圧した場合、セラミックスの蒸発速度が早い
ため、表面が乾燥され、セラミックスの内外層に水分傾
斜が生じ、表面割れが発生する。逆に５mmHg/minの速度
で遅く減圧した場合、乾燥時間が非常に長くなり、生産
性が悪くなるからである。
【００１７】また、缶体内の設定真空度を３５０〜６２
０mmHgに限定したのは、例えば、真空度を７００mmHgと
した場合、沸点が４２℃と下がり過ぎ、セラミックスの
温度と沸点との温度差が大となる。その結果、セラミッ
クスの蒸発速度が早くなり、ひび割れが生ずる。逆に、
３００mmHgにした場合、セラミックスの温度と沸点との
温度差が小さくなり、乾燥が遅く、乾燥時間が長くなる
からである。
０mmHgに限定したのは、例えば、真空度を７００mmHgと
した場合、沸点が４２℃と下がり過ぎ、セラミックスの
温度と沸点との温度差が大となる。その結果、セラミッ
クスの蒸発速度が早くなり、ひび割れが生ずる。逆に、
３００mmHgにした場合、セラミックスの温度と沸点との
温度差が小さくなり、乾燥が遅く、乾燥時間が長くなる
からである。
【００１８】更に、飽和蒸気の通蒸時間は、セラミック
ス表面に凝縮水が適度に発生する時間で且つセラミック
スの温度が６０〜８０℃前後に到達する時間が望まし
い。
ス表面に凝縮水が適度に発生する時間で且つセラミック
スの温度が６０〜８０℃前後に到達する時間が望まし
い。
【００１９】実施例 缶体Ａ内に成形後のセラミックス１を搬入し缶体Ａを密
閉した後、該セラミックスに高周波（陽極電流０，６
A）を印加すると共に缶体Ａ内に８０℃の飽和蒸気を送
給し（缶体内が８０℃になるまでの時間８分）、その８
０℃の状態を保持するよう制御して１０分経過した後、
飽和蒸気の送給を停止し、次いで、缶体内を１７mmHg/m
inの速度で徐々に減圧し、缶体Ａ内が５５０mmHgの真空
度に到達して、その状態を保持するよう制御し、陽極電
流が０，３７Aになった時点（減圧開始後３２分経過
後）で乾燥が終了し、乾燥終了後、高周波の印加と減圧
とを停止させた。その結果、図４に示すように、Ｕ、
Ｖ、Ｗ位置における乾燥前の直径が１５４．０mmであっ
たものが、乾燥後では、Ｕ、Ｖ、Ｗ位置における直径は
Ｘ：１５３．８mm、Ｙ：１５３．４mm、Ｚ：１５３．３
５mmとなっていた。それ故、このセラミックスの寸法差
は１５３．８−１５３．３５＝０．４５mmとなり、その
歪度は０．４５÷１５３．８×１００＝０．２９％とな
り、非常に小さく、高品質の製品が得られた。
閉した後、該セラミックスに高周波（陽極電流０，６
A）を印加すると共に缶体Ａ内に８０℃の飽和蒸気を送
給し（缶体内が８０℃になるまでの時間８分）、その８
０℃の状態を保持するよう制御して１０分経過した後、
飽和蒸気の送給を停止し、次いで、缶体内を１７mmHg/m
inの速度で徐々に減圧し、缶体Ａ内が５５０mmHgの真空
度に到達して、その状態を保持するよう制御し、陽極電
流が０，３７Aになった時点（減圧開始後３２分経過
後）で乾燥が終了し、乾燥終了後、高周波の印加と減圧
とを停止させた。その結果、図４に示すように、Ｕ、
Ｖ、Ｗ位置における乾燥前の直径が１５４．０mmであっ
たものが、乾燥後では、Ｕ、Ｖ、Ｗ位置における直径は
Ｘ：１５３．８mm、Ｙ：１５３．４mm、Ｚ：１５３．３
５mmとなっていた。それ故、このセラミックスの寸法差
は１５３．８−１５３．３５＝０．４５mmとなり、その
歪度は０．４５÷１５３．８×１００＝０．２９％とな
り、非常に小さく、高品質の製品が得られた。
【００２０】
【発明の効果】本発明は、以上のように構成しているか
ら、飽和蒸気により雰囲気を適宜な湿度にすると共に誘
電加熱によりセラミックスの内部から表面部へと水分が
移行し表面より蒸発させる速度を調節するようにしてい
るため、従来の熱風乾燥方法及びマイクロ波加熱方法と
比べて乾燥時間が大幅に短縮できると共に、セラミック
スに水分傾斜が発生することなく、表面の微細なひび割
れも発生せず歪度も非常に小さくなり、歩留まりがよ
く、高品質な製品を提供することができる。
ら、飽和蒸気により雰囲気を適宜な湿度にすると共に誘
電加熱によりセラミックスの内部から表面部へと水分が
移行し表面より蒸発させる速度を調節するようにしてい
るため、従来の熱風乾燥方法及びマイクロ波加熱方法と
比べて乾燥時間が大幅に短縮できると共に、セラミック
スに水分傾斜が発生することなく、表面の微細なひび割
れも発生せず歪度も非常に小さくなり、歩留まりがよ
く、高品質な製品を提供することができる。
【図１】本発明の一実施例を示す概略システム図。
【図２】本発明を構成する誘電加熱手段の一実施例を示
す概略正面断面図。
す概略正面断面図。
【図３】本発明を構成する誘電加熱手段の他の実施例を
示す概略正面断面図。
示す概略正面断面図。
【図４】本発明を実施する装置で乾燥させたセラミック
スの歪の測定位置を示す概略立体図。
スの歪の測定位置を示す概略立体図。
Ａ 缶体 Ａａ 扉 Ｂ 誘電加熱手段 Ｃ 缶内蒸気温度制御手段 Ｄ 缶内減圧制御手段 Ｅ ドレン排出手段 １ セラミックス ２ 保護材 ３ 高周波発振機 ４ 同軸 ５ａ 電極板（＋） ５ｂ 電極板（−） ６ 架台 ７ マイクロ波発振機 ８ 導波管 ９ モーター １０ 回転テーブル １１ 照射口 １２ モーター １３ スターラーファン １６ 弁 １７ ストレーナー １８ 自動弁 １９ 蒸気パイプ ２０ 温度検出器 ２１ 温度調節計 ２２ 真空調節計 ２３ 真空制御弁 ２４ コンデンサー ２５ 減圧速度制御弁 ２６ 真空ポンプ ２７ 給水弁 ２８ 空気導入弁 ２９ 圧力スイッチ ３１ ドレンタンク ３２ 自動弁 ３３ 空気導入弁 ３４ 排水弁
Claims (1)
- 【請求項１】 成形後のセラミックス１を缶体Ａ内に収
容し密閉した後、該セラミックスを誘電加熱すると共に
前記缶体Ａ内に６０〜８０℃前後の飽和蒸気を送給し、
その状態を保持するよう制御して所定時間経過した後、
飽和蒸気の送給を停止し、次いで、缶体Ａ内を１０〜２
５mmHg/min前後の速度で徐々に減圧し、缶体Ａ内が３５
０〜６２０mmHgに到達して、その状態を保持するよう制
御しセラミックス１を乾燥させ、乾燥終了後、誘電加熱
と減圧とを停止させ、然る後、缶体Ａ内を大気圧に戻し
セラミックス１を搬出するようにしたことを特徴とする
セラミックスの乾燥方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31542091A JPH05124848A (ja) | 1991-11-01 | 1991-11-01 | セラミツクスの乾燥方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31542091A JPH05124848A (ja) | 1991-11-01 | 1991-11-01 | セラミツクスの乾燥方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05124848A true JPH05124848A (ja) | 1993-05-21 |
Family
ID=18065170
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31542091A Pending JPH05124848A (ja) | 1991-11-01 | 1991-11-01 | セラミツクスの乾燥方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05124848A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1075049A (ja) * | 1997-08-05 | 1998-03-17 | Hitachi Ltd | 電子回路の製造方法 |
| JP2012020442A (ja) * | 2010-07-13 | 2012-02-02 | Sumitomo Chemical Co Ltd | ハニカム構造体の製造方法 |
| JP2012106484A (ja) * | 2010-10-06 | 2012-06-07 | Ibiden Co Ltd | セラミック焼成体の製造方法、ハニカム構造体の製造方法、排ガス浄化装置の製造方法及び乾燥装置 |
-
1991
- 1991-11-01 JP JP31542091A patent/JPH05124848A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1075049A (ja) * | 1997-08-05 | 1998-03-17 | Hitachi Ltd | 電子回路の製造方法 |
| JP2012020442A (ja) * | 2010-07-13 | 2012-02-02 | Sumitomo Chemical Co Ltd | ハニカム構造体の製造方法 |
| JP2012106484A (ja) * | 2010-10-06 | 2012-06-07 | Ibiden Co Ltd | セラミック焼成体の製造方法、ハニカム構造体の製造方法、排ガス浄化装置の製造方法及び乾燥装置 |
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