JPH05123952A - 半導体ウエーハの周縁ポリシング装置 - Google Patents
半導体ウエーハの周縁ポリシング装置Info
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- JPH05123952A JPH05123952A JP12671291A JP12671291A JPH05123952A JP H05123952 A JPH05123952 A JP H05123952A JP 12671291 A JP12671291 A JP 12671291A JP 12671291 A JP12671291 A JP 12671291A JP H05123952 A JPH05123952 A JP H05123952A
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- polishing wheel
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- Grinding Of Cylindrical And Plane Surfaces (AREA)
- Grinding And Polishing Of Tertiary Curved Surfaces And Surfaces With Complex Shapes (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体ウエーハの周縁をミラー面と同等に効
率的にポリシング可能とする。 【構成】 複数のポリシング用周溝５を有し、適宜方向
へ回転する水平なポリシング用ホイール１と、ポリシン
グ用ホイール１の各周溝５と対応する複数の周溝を有
し、ポリシング用ホイール１と協働して複数のシリコン
ウエーハ４を垂直に支持し、かつ各シリコンウエーハ４
を適宜方向へ回転する送りローラー６と、複数のシリコ
ンウエーハ４をポリシング用ホイール１及び送りローラ
ー６に個別に加圧可能な加圧装置７と、ポリシング用ホ
イール１の各周溝５に研磨剤を供給する研磨剤供給装置
２６とを備え、シリコンウエーハ４をポリシング用ホイ
ール１、送りローラー６及び加圧装置７の３点で安定保
持しながら、送りローラー６によって回転し、ポリシン
グ用ホイール１の周溝５で周縁を加圧研磨する。
率的にポリシング可能とする。 【構成】 複数のポリシング用周溝５を有し、適宜方向
へ回転する水平なポリシング用ホイール１と、ポリシン
グ用ホイール１の各周溝５と対応する複数の周溝を有
し、ポリシング用ホイール１と協働して複数のシリコン
ウエーハ４を垂直に支持し、かつ各シリコンウエーハ４
を適宜方向へ回転する送りローラー６と、複数のシリコ
ンウエーハ４をポリシング用ホイール１及び送りローラ
ー６に個別に加圧可能な加圧装置７と、ポリシング用ホ
イール１の各周溝５に研磨剤を供給する研磨剤供給装置
２６とを備え、シリコンウエーハ４をポリシング用ホイ
ール１、送りローラー６及び加圧装置７の３点で安定保
持しながら、送りローラー６によって回転し、ポリシン
グ用ホイール１の周溝５で周縁を加圧研磨する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体デバイスの製造
に用いられるシリコンウエーハ等の半導体ウエーハの周
縁を仕上げるのに用いられる周縁ポリシング装置に関す
る。
に用いられるシリコンウエーハ等の半導体ウエーハの周
縁を仕上げるのに用いられる周縁ポリシング装置に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体ウエーハの周縁を仕上げる
装置としては，インゴットをスライスした半導体ウエー
ハを１枚ずつチャック固定してベベル砥石によって研削
したり、多数枚を同時に研削できるようにしたベベリン
グ装置が知られている（特開昭６２−１３６３５７号公
報、特開昭６２−１３６３５８号公報及び特開昭６２−
１３６３５９号公報参照）。
装置としては，インゴットをスライスした半導体ウエー
ハを１枚ずつチャック固定してベベル砥石によって研削
したり、多数枚を同時に研削できるようにしたベベリン
グ装置が知られている（特開昭６２−１３６３５７号公
報、特開昭６２−１３６３５８号公報及び特開昭６２−
１３６３５９号公報参照）。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、これらのベベ
リング装置による半導体ウエーハの周縁の仕上げ加工
は、ベベル砥石による研削加工である。このため、周縁
の仕上げ平面は粗いものとなっている。
リング装置による半導体ウエーハの周縁の仕上げ加工
は、ベベル砥石による研削加工である。このため、周縁
の仕上げ平面は粗いものとなっている。
【０００４】近年、半導体業界は超精密化の方向へ進
み、上記従来のベベリング装置により研削加工された半
導体ウエーハは、周縁からのカケ、パーティクル等の発
生が問題となっている。
み、上記従来のベベリング装置により研削加工された半
導体ウエーハは、周縁からのカケ、パーティクル等の発
生が問題となっている。
【０００５】このため、半導体ウエーハの周縁からのカ
ケ、パーティクル等が発生しないミラー面と同等のポリ
シングの可能な周縁加工装置の出現が要望されている。
ケ、パーティクル等が発生しないミラー面と同等のポリ
シングの可能な周縁加工装置の出現が要望されている。
【０００６】そこで、本発明は、複数の半導体ウエーハ
の周縁をミラー面と同等に効率的にポリシング可能な半
導体ウエーハの周縁ポリシング装置の提供を目的とす
る。
の周縁をミラー面と同等に効率的にポリシング可能な半
導体ウエーハの周縁ポリシング装置の提供を目的とす
る。
【０００７】
【課題を解決するための手段】前記課題を解決するた
め、本発明の半導体ウエーハの周縁ポリシング装置は、
複数のポリシング用周溝を有し、適宜方向へ回転する水
平なポリシング用ホイールと、ポリシング用ホイールの
各周溝と対応する複数の周溝を有し、ポリシング用ホイ
ールと協働して複数の半導体ウエーハを垂直に支持し、
かつ各半導体ウエーハを適宜方向へ回転する送りローラ
ーと、上記複数の半導体ウエーハをポリシング用ホイー
ル及び送りローラーに個別に加圧可能な加圧装置と、前
記ポリシング用ホイールの各周溝に研磨剤を供給する研
磨剤供給装置とを備えたものである。
め、本発明の半導体ウエーハの周縁ポリシング装置は、
複数のポリシング用周溝を有し、適宜方向へ回転する水
平なポリシング用ホイールと、ポリシング用ホイールの
各周溝と対応する複数の周溝を有し、ポリシング用ホイ
ールと協働して複数の半導体ウエーハを垂直に支持し、
かつ各半導体ウエーハを適宜方向へ回転する送りローラ
ーと、上記複数の半導体ウエーハをポリシング用ホイー
ル及び送りローラーに個別に加圧可能な加圧装置と、前
記ポリシング用ホイールの各周溝に研磨剤を供給する研
磨剤供給装置とを備えたものである。
【０００８】そして、送りローラー及び加圧装置は、ポ
リシング用ホイールに対して進退可能であることが好ま
しい。
リシング用ホイールに対して進退可能であることが好ま
しい。
【０００９】
【作用】上記手段においては、半導体ウエーハは、ポリ
シング用ホイール及び送りローラーの各週溝に１枚ずつ
セットされ、ポリシング用ホイール、送りローラー及び
加圧装置の３点で安定保持されながら、送りローラーに
よって回転され、研磨剤が供給されるポリシング用ホイ
ールの周溝で周縁が加圧研磨される。
シング用ホイール及び送りローラーの各週溝に１枚ずつ
セットされ、ポリシング用ホイール、送りローラー及び
加圧装置の３点で安定保持されながら、送りローラーに
よって回転され、研磨剤が供給されるポリシング用ホイ
ールの周溝で周縁が加圧研磨される。
【００１０】又、送りローラー及び加圧装置を水平移動
可能とすることにより、ポリシング用ホイールと送りロ
ーラー及び加圧装置との間隔が可変となる。
可能とすることにより、ポリシング用ホイールと送りロ
ーラー及び加圧装置との間隔が可変となる。
【００１１】
【実施例】以下、本発明の実施例を図１〜図５に基づい
て説明する。
て説明する。
【００１２】図１は本発明の一実施例を示す半導体ウエ
ーハの周縁ポリシング装置の正面図である。
ーハの周縁ポリシング装置の正面図である。
【００１３】図中１はポリシング用ホイールで、機台２
上に軸受ブラケット３により水平に支承されており、図
示しないモーターによっ適宜方向（図１においては左回
り）に高速回転される。ポリシング用ホイール１は、ウ
レタン、不織布等の研磨剤保持能力があり、かつ弾性の
ある材料により円柱状に形成されており、その外周に
は、図２に示すように、シリコンウエーハ４の周縁部を
収容可能とする複数の周溝５が軸方向に適宜に離隔して
設けられている。
上に軸受ブラケット３により水平に支承されており、図
示しないモーターによっ適宜方向（図１においては左回
り）に高速回転される。ポリシング用ホイール１は、ウ
レタン、不織布等の研磨剤保持能力があり、かつ弾性の
ある材料により円柱状に形成されており、その外周に
は、図２に示すように、シリコンウエーハ４の周縁部を
収容可能とする複数の周溝５が軸方向に適宜に離隔して
設けられている。
【００１４】ポリシング用ホイール１の側方には、機台
２上に立設した図示しない軸受ブラケットに支承され、
かつ図示しないモーターによって適宜方向（図１におい
ては左回り）に低速回転される送りローラー６が、ポリ
シング用ホイール１と平行に、かつポリシング用ホイー
ル１に対して進退すべく図示矢印Ａに示すように水平移
動可能に配置されている。送りローラー６は、ポリシン
グ用ホイール１と協働して複数のシリコンウエーハ４を
垂直に支持し、かつ各シリコンウエーハ４を適宜方向
（図１においては右回り）に回転するもので、摩擦力の
大きい特殊ゴム等により円柱状に形成されており、その
外周には、シリコンウエーハ４の周縁部を収容可能とす
る複数の周溝（図示せず）が、ポリシング用ホイール１
の各周溝５と対応させて設けられている。
２上に立設した図示しない軸受ブラケットに支承され、
かつ図示しないモーターによって適宜方向（図１におい
ては左回り）に低速回転される送りローラー６が、ポリ
シング用ホイール１と平行に、かつポリシング用ホイー
ル１に対して進退すべく図示矢印Ａに示すように水平移
動可能に配置されている。送りローラー６は、ポリシン
グ用ホイール１と協働して複数のシリコンウエーハ４を
垂直に支持し、かつ各シリコンウエーハ４を適宜方向
（図１においては右回り）に回転するもので、摩擦力の
大きい特殊ゴム等により円柱状に形成されており、その
外周には、シリコンウエーハ４の周縁部を収容可能とす
る複数の周溝（図示せず）が、ポリシング用ホイール１
の各周溝５と対応させて設けられている。
【００１５】７は加圧装置で、上記ポリシング用ホイー
ル１と送りローラー６に垂直に支持された複数のシリコ
ンウエーハ４をポリシング用ホイール１及び送りローラ
ー６に個別に加圧するものであり、ポリシング用ホイー
ル１の周溝５等と対応する複数の加圧アーム８を備えて
いる。各加圧アーム８は、シリコンウエーハ４の周辺部
と係合するウエーハ押え９を先端部（図１においては右
端部）に枢着してある。又、各加圧アーム８は、基端部
（図１においては左端部）付近をポリシング用ホイール
１と平行な支軸１０に枢支されており、支軸１０は、こ
の支軸１０と同方向へ水平に延在するスライドプレート
１１に立設した軸受ブラケット１２に横架されている。
スライドプレート１１は、機台２上に記置したガイドブ
ロック１３に支承され、機台２上のケーシング１４に取
り付けた流体圧シリンダー１５により図示矢印Ｂに示す
ように水平移動可能に設けられており、その移動に伴っ
て加圧アーム８をポリシング用ホイール１に対して進退
させる。スライドプレート１１上には、各加圧アーム８
の基端部を個別に又は一括して真空又は磁力により吸着
し、各加圧アーム８をほぼ水平に保持する水平保持装置
１６が設けられている。そして、各加圧アーム８の中間
部上には、ウエーハ押え９をシリコンウエーハ４に押圧
させるウエイト１７の下端部が当接可能に設けられてお
り、各ウエイト１７は、ケーシング１４上に付設したウ
エイトホルダー１８に上下動自在に保持されている上述
したポリシング用ホイール１、送りローラー６及び加圧
装置７の位置関係は、図３に示すように設けられてい
る。すなわち、水平移動可能な送りローラー６は、その
中心と、この送りローラー６とポリシング用ホイール１
に垂直に支持されたシリコンウエーハ４の中心とのなす
線分が、ポリシング用ホイール１の中心と、シリコンウ
エーハ４の中心とのなす線分に対して８０°の角度をな
す位置に配置され、又、送りローラー６と同様に水平移
動可能な加圧装置７のウエーハ押え９は、その枢着点
が、ポリシング用ホイール１の中心と、シリコンウエー
ハ４の中心とのなす線分の延長線上に位置して配置され
ている。なお、シリコンウエーハ４を安定して保持回転
するには、上記位置関係に限らず、図４に示すように、
送りローラー６の中心とシリコンウエーハ４の中心がな
す線分と、ポリシング用ホイール１の中心とシリコンウ
エーハ４の中心がなす線分とで形成される５０〜８０°
の角度の範囲内に送りローラー６の中心を位置させ、
又、ウエーハ押え９の枢着点を、ポリシング用ホイール
１の中心とシリコンウエーハ４の中心がなす線分の延長
線の両側において、シリコンウエーハ４の中心を中心と
する片側１５°の中心角をなす範囲内に位置させればよ
い。
ル１と送りローラー６に垂直に支持された複数のシリコ
ンウエーハ４をポリシング用ホイール１及び送りローラ
ー６に個別に加圧するものであり、ポリシング用ホイー
ル１の周溝５等と対応する複数の加圧アーム８を備えて
いる。各加圧アーム８は、シリコンウエーハ４の周辺部
と係合するウエーハ押え９を先端部（図１においては右
端部）に枢着してある。又、各加圧アーム８は、基端部
（図１においては左端部）付近をポリシング用ホイール
１と平行な支軸１０に枢支されており、支軸１０は、こ
の支軸１０と同方向へ水平に延在するスライドプレート
１１に立設した軸受ブラケット１２に横架されている。
スライドプレート１１は、機台２上に記置したガイドブ
ロック１３に支承され、機台２上のケーシング１４に取
り付けた流体圧シリンダー１５により図示矢印Ｂに示す
ように水平移動可能に設けられており、その移動に伴っ
て加圧アーム８をポリシング用ホイール１に対して進退
させる。スライドプレート１１上には、各加圧アーム８
の基端部を個別に又は一括して真空又は磁力により吸着
し、各加圧アーム８をほぼ水平に保持する水平保持装置
１６が設けられている。そして、各加圧アーム８の中間
部上には、ウエーハ押え９をシリコンウエーハ４に押圧
させるウエイト１７の下端部が当接可能に設けられてお
り、各ウエイト１７は、ケーシング１４上に付設したウ
エイトホルダー１８に上下動自在に保持されている上述
したポリシング用ホイール１、送りローラー６及び加圧
装置７の位置関係は、図３に示すように設けられてい
る。すなわち、水平移動可能な送りローラー６は、その
中心と、この送りローラー６とポリシング用ホイール１
に垂直に支持されたシリコンウエーハ４の中心とのなす
線分が、ポリシング用ホイール１の中心と、シリコンウ
エーハ４の中心とのなす線分に対して８０°の角度をな
す位置に配置され、又、送りローラー６と同様に水平移
動可能な加圧装置７のウエーハ押え９は、その枢着点
が、ポリシング用ホイール１の中心と、シリコンウエー
ハ４の中心とのなす線分の延長線上に位置して配置され
ている。なお、シリコンウエーハ４を安定して保持回転
するには、上記位置関係に限らず、図４に示すように、
送りローラー６の中心とシリコンウエーハ４の中心がな
す線分と、ポリシング用ホイール１の中心とシリコンウ
エーハ４の中心がなす線分とで形成される５０〜８０°
の角度の範囲内に送りローラー６の中心を位置させ、
又、ウエーハ押え９の枢着点を、ポリシング用ホイール
１の中心とシリコンウエーハ４の中心がなす線分の延長
線の両側において、シリコンウエーハ４の中心を中心と
する片側１５°の中心角をなす範囲内に位置させればよ
い。
【００１６】前記ポリシング用ホイール１と送りローラ
ー６の上方におけるケーシング１４には、図１に示すよ
うに、方形状のウエーハ昇降口１９が設けられており、
このウエーハ昇降口１９を囲むケーシング１４上には、
図示しなウエーハキャリア機構によって運ばれるウエー
ハキャリア２０が、開口部を下方にして載量可能に設け
られている。そして、ウエーハ昇降口１９の下方には、
図５に示すようにウエーハ昇降口１９を通過する複数の
シリコンウエーハ４を支持して昇降するウエーハ昇降ア
ーム２１が配置されている。ウエーハ昇降アーム２１
は、ケーシング１４上に立設した流体圧シリンダー２２
により昇降されるもので、ポリシング用ホイール１及び
送りローラー６より下方へ降下可能に設けられている。
一方、ウエーハ昇降アーム２１の昇降経路の両側には、
このウエーハ昇降アーム２１に支持されて昇降する複数
のシリコンウエーハ４の周縁部を案内する複数のガイド
溝を有するウエーハガイド２３，２４がそれぞれ配置さ
れている。一側（図５においては左側）のウエーハガイ
ド２３は、図示矢印Ｃに示すように昇降可能に、かつ加
圧装置７のウエーハ押え９の水平移動経路より下方へ降
下可能に設けられ、更に他側（図５においては右側）の
ウエーハガイド２４に対して進退すべく図示矢印Ｄに示
すように水平移動可能に設けられている。
ー６の上方におけるケーシング１４には、図１に示すよ
うに、方形状のウエーハ昇降口１９が設けられており、
このウエーハ昇降口１９を囲むケーシング１４上には、
図示しなウエーハキャリア機構によって運ばれるウエー
ハキャリア２０が、開口部を下方にして載量可能に設け
られている。そして、ウエーハ昇降口１９の下方には、
図５に示すようにウエーハ昇降口１９を通過する複数の
シリコンウエーハ４を支持して昇降するウエーハ昇降ア
ーム２１が配置されている。ウエーハ昇降アーム２１
は、ケーシング１４上に立設した流体圧シリンダー２２
により昇降されるもので、ポリシング用ホイール１及び
送りローラー６より下方へ降下可能に設けられている。
一方、ウエーハ昇降アーム２１の昇降経路の両側には、
このウエーハ昇降アーム２１に支持されて昇降する複数
のシリコンウエーハ４の周縁部を案内する複数のガイド
溝を有するウエーハガイド２３，２４がそれぞれ配置さ
れている。一側（図５においては左側）のウエーハガイ
ド２３は、図示矢印Ｃに示すように昇降可能に、かつ加
圧装置７のウエーハ押え９の水平移動経路より下方へ降
下可能に設けられ、更に他側（図５においては右側）の
ウエーハガイド２４に対して進退すべく図示矢印Ｄに示
すように水平移動可能に設けられている。
【００１７】図１において２５はポリシング用ホイール
１の周溝５に研磨剤を供給する研磨剤供給装置２６の一
部を構成する研磨剤剤供給ノズルで、上記周溝５と対応
する数だけ設けられている。一方、ポリシング用ホイー
ル１及び送りローラー６等の下方における機台２上に
は、ポリシング用ホイール１等から落下する研磨剤を受
ける研摩剤受け２７が設けられており、この研磨剤受け
２７によって受けられた研磨剤は、導管２８により機台
２内に設けた研磨剤タンク２９に貯留され、かつこの研
磨剤タンク２９と前記研磨剤供給ノズル２５とを接続す
る導管３０に介装したポンプ３１により循環使用される
ように構成されている。
１の周溝５に研磨剤を供給する研磨剤供給装置２６の一
部を構成する研磨剤剤供給ノズルで、上記周溝５と対応
する数だけ設けられている。一方、ポリシング用ホイー
ル１及び送りローラー６等の下方における機台２上に
は、ポリシング用ホイール１等から落下する研磨剤を受
ける研摩剤受け２７が設けられており、この研磨剤受け
２７によって受けられた研磨剤は、導管２８により機台
２内に設けた研磨剤タンク２９に貯留され、かつこの研
磨剤タンク２９と前記研磨剤供給ノズル２５とを接続す
る導管３０に介装したポンプ３１により循環使用される
ように構成されている。
【００１８】上記構成の周縁ポリシング装置において、
ウエーハキャリア２０がウエーハキャリア移動機構によ
って図１に示すようにケーシング１４上に載置される
と、その中に収容された複数のシリコンウエーハ４は、
ウエーハ昇降アーム２１に支持され、図５に示すように
ウエーハ昇降アーム２１の降下に伴って両側のウエーハ
ガイド２３，２４のガイド溝に案内されて降下した後、
ポリシング用ホイール１及び送りローラー６の各周溝５
に垂直に支持される。
ウエーハキャリア２０がウエーハキャリア移動機構によ
って図１に示すようにケーシング１４上に載置される
と、その中に収容された複数のシリコンウエーハ４は、
ウエーハ昇降アーム２１に支持され、図５に示すように
ウエーハ昇降アーム２１の降下に伴って両側のウエーハ
ガイド２３，２４のガイド溝に案内されて降下した後、
ポリシング用ホイール１及び送りローラー６の各周溝５
に垂直に支持される。
【００１９】ついで、一側のウエーハガイド２３を図１
で実線で示すように降下させ、加圧装置７の流体圧シリ
ンダー１５を作動してスライドプレート１１を移動し、
ウエーハ押え９をシリコンウエーハ４に係合した後、水
平保持装置１６よる加圧アーム８の基端部の吸着を解除
する。この吸着解除によりウエーハ１７の荷重が加圧ア
ーム８に負荷されて、ウエーハ押え９がシリコンウエー
ハ４をポリシング用ホイール１及び送りローラー６の周
溝５に個々に押圧して保持する。
で実線で示すように降下させ、加圧装置７の流体圧シリ
ンダー１５を作動してスライドプレート１１を移動し、
ウエーハ押え９をシリコンウエーハ４に係合した後、水
平保持装置１６よる加圧アーム８の基端部の吸着を解除
する。この吸着解除によりウエーハ１７の荷重が加圧ア
ーム８に負荷されて、ウエーハ押え９がシリコンウエー
ハ４をポリシング用ホイール１及び送りローラー６の周
溝５に個々に押圧して保持する。
【００２０】シリコンウエーハ４を図１に示すようにセ
ットした後、送りローラー６を低速で回転すると共に、
ポリシング用ホイール１を高速で回転し、かつ研磨剤供
給ノズル２５から研磨剤を供給すると、シリコンウエー
ハ４の周縁が研磨（ポリシング）されてミラー面とな
る。
ットした後、送りローラー６を低速で回転すると共に、
ポリシング用ホイール１を高速で回転し、かつ研磨剤供
給ノズル２５から研磨剤を供給すると、シリコンウエー
ハ４の周縁が研磨（ポリシング）されてミラー面とな
る。
【００２１】上記周縁ポリシングに際し、シリコンウエ
ーハ４の周縁にオリエンテーションフラット等の切欠き
があっても、シリコンウエーハ４が個々に加圧保持され
ているので、切欠きの位置に関係なく周縁をポリシング
することができる。又、研磨剤としては、アルカリベー
スのコロイダルシリカ、分散タイプのシリカ質研磨剤が
用いられる。更に、シリコンウエーハ４の大きさが変化
した場合には、送りローラ６、一側のウエーハガイド２
３及び加圧装置７を水平方向へ適宜に移動する。
ーハ４の周縁にオリエンテーションフラット等の切欠き
があっても、シリコンウエーハ４が個々に加圧保持され
ているので、切欠きの位置に関係なく周縁をポリシング
することができる。又、研磨剤としては、アルカリベー
スのコロイダルシリカ、分散タイプのシリカ質研磨剤が
用いられる。更に、シリコンウエーハ４の大きさが変化
した場合には、送りローラ６、一側のウエーハガイド２
３及び加圧装置７を水平方向へ適宜に移動する。
【００２２】そして、周縁ポリシングが完了したシリコ
ンウエーハ４は、前述したセット時とは逆の操作手順で
ウエーハキャリア２０に収容され、ウエーハキャリア機
構によって自動的に運び去られる。
ンウエーハ４は、前述したセット時とは逆の操作手順で
ウエーハキャリア２０に収容され、ウエーハキャリア機
構によって自動的に運び去られる。
【００２３】なお、上述した実施例では、シリコンウエ
ーハの周縁ポリシングについて説明したが、ポリシング
用ホイールの材質、研磨剤を所要のものとすることによ
り、シリコン以外の半導体ウエーハにも対応できる。
又、加圧装置はデッドウエイトを使用したが、シリンダ
ー加圧でもよい。更に、ウエーハを個々に加圧アーム及
びウエーハ押えで加圧しているが、ウエーハ押えに弾性
体を使用することにより一括加圧も可能となる。
ーハの周縁ポリシングについて説明したが、ポリシング
用ホイールの材質、研磨剤を所要のものとすることによ
り、シリコン以外の半導体ウエーハにも対応できる。
又、加圧装置はデッドウエイトを使用したが、シリンダ
ー加圧でもよい。更に、ウエーハを個々に加圧アーム及
びウエーハ押えで加圧しているが、ウエーハ押えに弾性
体を使用することにより一括加圧も可能となる。
【００２４】ここで、上述した周縁ポリシング装置と、
従来のベベリング装置によって６インチのシリコンウエ
ーハの周縁を仕上げ加工し、それぞれのシリコンウエー
ハを横型拡散炉で酸化し（１１００℃×９０min in ste
am）、それを希ＨＦディップした後のウエーハ面のパー
ティクルを測定したところ表１に示すようになった。
従来のベベリング装置によって６インチのシリコンウエ
ーハの周縁を仕上げ加工し、それぞれのシリコンウエー
ハを横型拡散炉で酸化し（１１００℃×９０min in ste
am）、それを希ＨＦディップした後のウエーハ面のパー
ティクルを測定したところ表１に示すようになった。
【００２５】
【表１】 表１からも明らかなように、本発明の周縁ポリシング装
置による周縁ミラー研磨ウエーハによる場合は、従来の
ベベリング装置による周縁ベベリング加工ウエーハより
もパーティクル等の発生を１／１０程度に低減できる。
置による周縁ミラー研磨ウエーハによる場合は、従来の
ベベリング装置による周縁ベベリング加工ウエーハより
もパーティクル等の発生を１／１０程度に低減できる。
【００２６】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、半導体ウ
エーハは、ポリシング用ホイール及び送りローラーの各
周溝に１枚ずつセットされ、ポリシング用ホイール、送
りローラー及び加圧装置の３点で安定保持されながら、
送りローラーによって回転され、研磨剤が供給されるポ
リシング用ホイールの周溝で周縁が加圧研磨されるの
で、複数の半導体ウエーハの周縁をミラー面と同等に効
率的にポリシングできる。
エーハは、ポリシング用ホイール及び送りローラーの各
周溝に１枚ずつセットされ、ポリシング用ホイール、送
りローラー及び加圧装置の３点で安定保持されながら、
送りローラーによって回転され、研磨剤が供給されるポ
リシング用ホイールの周溝で周縁が加圧研磨されるの
で、複数の半導体ウエーハの周縁をミラー面と同等に効
率的にポリシングできる。
【００２７】又、送りローラー及び加圧装置をポリシン
グ用ホイールに対して進退可能とすることにより、ポリ
シング用ホイールと送りローラー及び加圧装置との間隔
が可変となるので、半導体ウエーハの大きさの変化に対
応できる。
グ用ホイールに対して進退可能とすることにより、ポリ
シング用ホイールと送りローラー及び加圧装置との間隔
が可変となるので、半導体ウエーハの大きさの変化に対
応できる。
【図１】本発明の一実施例を示す半導体ウエーハの周縁
ポリシング装置の正面図である。
ポリシング装置の正面図である。
【図２】ポリシング用ホイールの一部を省略した半断面
側面図である。
側面図である。
【図３】ポリシング用ホイール、送りローラー及び加圧
装置の配置関係の説明図である。
装置の配置関係の説明図である。
【図４】ポリシング用ホイール、送りローラー及び加圧
装置の許容できる配置関係の説明図である。
装置の許容できる配置関係の説明図である。
【図５】周縁ポリシング装置の要部の作用説明図であ
る。
る。
１ ポリシング用ホイール ４ シリコンウエーハ ５ 周溝 ６ 送りローラー ７ 加圧装置 ８ 加圧アーム ９ ウエーハ押え ２５ 研磨剤供給ノズル ２６ 研磨剤供給装置
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成４年１０月２７日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正内容】
【発明の名称】 半導体ウエーハの周縁ポリシング装置
Claims (2)
- 【請求項１】 複数のポリシング用周溝を有し、適宜方
向へ回転する水平なポリシング用ホイールと、ポリシン
グ用ホイールの各周溝と対応する複数の周溝を有し、ポ
リシング用ホイールと協働して複数の半導体ウエーハを
垂直に支持し、かつ各半導体ウエーハを適宜方向へ回転
する送りローラーと、上記複数の半導体ウエーハをポリ
シング用ホイール及び送りローラーに個別に加圧可能な
加圧装置と、前記ポリシング用ホイールの各周溝に研磨
剤を供給する研磨剤供給装置とを備えたことを特徴とす
る半導体ウエーハの周縁ポリシング装置。 - 【請求項２】 請求項１記載の半導体ウエーハの周縁ポ
リシング装置において、送りローラー及び加圧装置がポ
リシング用ホイールに対して進退可能であることを特徴
とする半導体ウエーハの周縁ポリシング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12671291A JP3256808B2 (ja) | 1991-04-30 | 1991-04-30 | 半導体ウエーハの周縁ポリシング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12671291A JP3256808B2 (ja) | 1991-04-30 | 1991-04-30 | 半導体ウエーハの周縁ポリシング装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05123952A true JPH05123952A (ja) | 1993-05-21 |
| JP3256808B2 JP3256808B2 (ja) | 2002-02-18 |
Family
ID=14941995
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12671291A Expired - Fee Related JP3256808B2 (ja) | 1991-04-30 | 1991-04-30 | 半導体ウエーハの周縁ポリシング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3256808B2 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6332834B1 (en) | 1999-03-31 | 2001-12-25 | Nippei Toyama Corporation | Method and apparatus for grinding a workpiece |
| JP2003260655A (ja) * | 2002-03-06 | 2003-09-16 | Speedfam Co Ltd | 円板状ワークのための研磨装置 |
| US6685539B1 (en) | 1999-08-24 | 2004-02-03 | Ricoh Company, Ltd. | Processing tool, method of producing tool, processing method and processing apparatus |
| US7559825B2 (en) | 2006-12-21 | 2009-07-14 | Memc Electronic Materials, Inc. | Method of polishing a semiconductor wafer |
| JP2010034429A (ja) * | 2008-07-31 | 2010-02-12 | Sumco Corp | 半導体ウェーハ周辺部の研磨方法及びその装置 |
| CN111922888A (zh) * | 2020-08-11 | 2020-11-13 | 西安奕斯伟硅片技术有限公司 | 边缘抛光装置和抛光方法 |
-
1991
- 1991-04-30 JP JP12671291A patent/JP3256808B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6332834B1 (en) | 1999-03-31 | 2001-12-25 | Nippei Toyama Corporation | Method and apparatus for grinding a workpiece |
| US6685539B1 (en) | 1999-08-24 | 2004-02-03 | Ricoh Company, Ltd. | Processing tool, method of producing tool, processing method and processing apparatus |
| JP2003260655A (ja) * | 2002-03-06 | 2003-09-16 | Speedfam Co Ltd | 円板状ワークのための研磨装置 |
| US7559825B2 (en) | 2006-12-21 | 2009-07-14 | Memc Electronic Materials, Inc. | Method of polishing a semiconductor wafer |
| JP2010034429A (ja) * | 2008-07-31 | 2010-02-12 | Sumco Corp | 半導体ウェーハ周辺部の研磨方法及びその装置 |
| CN111922888A (zh) * | 2020-08-11 | 2020-11-13 | 西安奕斯伟硅片技术有限公司 | 边缘抛光装置和抛光方法 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3256808B2 (ja) | 2002-02-18 |
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|---|---|---|---|
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