JPH05121263A - コンデンサ - Google Patents
コンデンサInfo
- Publication number
- JPH05121263A JPH05121263A JP28440791A JP28440791A JPH05121263A JP H05121263 A JPH05121263 A JP H05121263A JP 28440791 A JP28440791 A JP 28440791A JP 28440791 A JP28440791 A JP 28440791A JP H05121263 A JPH05121263 A JP H05121263A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- capacitor
- film
- monomolecular film
- chlorosilane
- counter electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y30/00—Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 電気、電子機器に用いられるコンデンサにお
いて、誘電体酸化皮膜に亀裂が入りやすい、または実装
時に正負の方向を間違えやすいという課題を解決し、小
形，大容量で、高周波特性の優れた無極性のコンデンサ
を提供する。 【構成】 多孔質化した導電体の表面上に、シロキサン
系単分子膜を介してクロロシラン系界面活性剤よりなる
化学吸着単分子膜または化学吸着単分子累積膜を誘電体
層として形成し、さらに対極となる導電体層を形成す
る。 【効果】 均一で欠陥部の無い高耐電圧の単分子膜を誘
電体として効率良く形成でき、さらに対極となる導電体
層を備えることにより、小形，大容量で、高周波特性の
優れた無極性のコンデンサが得られる。
いて、誘電体酸化皮膜に亀裂が入りやすい、または実装
時に正負の方向を間違えやすいという課題を解決し、小
形，大容量で、高周波特性の優れた無極性のコンデンサ
を提供する。 【構成】 多孔質化した導電体の表面上に、シロキサン
系単分子膜を介してクロロシラン系界面活性剤よりなる
化学吸着単分子膜または化学吸着単分子累積膜を誘電体
層として形成し、さらに対極となる導電体層を形成す
る。 【効果】 均一で欠陥部の無い高耐電圧の単分子膜を誘
電体として効率良く形成でき、さらに対極となる導電体
層を備えることにより、小形，大容量で、高周波特性の
優れた無極性のコンデンサが得られる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、電気・電子機器等の電
子回路などに使用するコンデンサに関するものである。
子回路などに使用するコンデンサに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】電気・電子機器等の小形・軽量化、高集
積回路の採用に伴い、電子部品に対する小形化，高性能
化の要望がますます強くなっている。その中にあって、
コンデンサも同様に小形で高周波特性の優れた大容量コ
ンデンサを開発する試みが種々行われている。
積回路の採用に伴い、電子部品に対する小形化，高性能
化の要望がますます強くなっている。その中にあって、
コンデンサも同様に小形で高周波特性の優れた大容量コ
ンデンサを開発する試みが種々行われている。
【０００３】高周波特性の優れたコンデンサとして、フ
ィルム，マイカ，セラミック等を誘電体としたコンデン
サがあるが、大容量を得ようとすると形状が大きくな
り、価格も高くなるため、実用上不向きである。
ィルム，マイカ，セラミック等を誘電体としたコンデン
サがあるが、大容量を得ようとすると形状が大きくな
り、価格も高くなるため、実用上不向きである。
【０００４】大容量コンデンサとして知られているアル
ミ電解コンデンサは高周波特性が劣るため、最近、固体
電解質に導電性高分子を用いたアルミ固体電解コンデン
サが出現してきている。
ミ電解コンデンサは高周波特性が劣るため、最近、固体
電解質に導電性高分子を用いたアルミ固体電解コンデン
サが出現してきている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら固体電解
質に導電性高分子を用いたアルミ固体電解コンデンサ
は、小形で大容量のコンデンサを得るために巻回すると
その応力により誘電体酸化皮膜に亀裂が入りやすいとい
う問題や、電解コンデンサ特有の有極性のため実装時に
正負の方向を違えてはならないという問題を有してい
た。
質に導電性高分子を用いたアルミ固体電解コンデンサ
は、小形で大容量のコンデンサを得るために巻回すると
その応力により誘電体酸化皮膜に亀裂が入りやすいとい
う問題や、電解コンデンサ特有の有極性のため実装時に
正負の方向を違えてはならないという問題を有してい
た。
【０００６】本発明は上記従来の問題点を解決するもの
で、小形，大容量で高周波特性の優れた無極性のコンデ
ンサを提供することを目的とする。
で、小形，大容量で高周波特性の優れた無極性のコンデ
ンサを提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に本発明のコンデンサは、多孔質化した導電体の表面上
に、シロキサン系単分子膜を介してクロロシラン系界面
活性剤よりなる化学吸着単分子膜または化学吸着単分子
累積膜を誘電体層として形成し、さらに対極となる導電
体層を形成している。
に本発明のコンデンサは、多孔質化した導電体の表面上
に、シロキサン系単分子膜を介してクロロシラン系界面
活性剤よりなる化学吸着単分子膜または化学吸着単分子
累積膜を誘電体層として形成し、さらに対極となる導電
体層を形成している。
【０００８】
【作用】したがって本発明によれば、シロキサン系単分
子膜を形成しシロール基を発生させることにより、水酸
基の少ない金属電極の表面にでも効率良くかつ完全な化
学吸着単分子膜を形成することが可能となる。したがっ
て、多孔質化した導電体の表面上に、均一で欠陥部の無
い高耐電圧の単分子膜を誘電体として形成することがで
きる。また、フッ化炭素を含むクロロシラン系界面活性
剤を用いることにより、高耐熱性が得られる。 さら
に、対極となる導電体層を形成することにより、小形，
大容量で高周波特性の優れた無極性のコンデンサを提供
することができる。
子膜を形成しシロール基を発生させることにより、水酸
基の少ない金属電極の表面にでも効率良くかつ完全な化
学吸着単分子膜を形成することが可能となる。したがっ
て、多孔質化した導電体の表面上に、均一で欠陥部の無
い高耐電圧の単分子膜を誘電体として形成することがで
きる。また、フッ化炭素を含むクロロシラン系界面活性
剤を用いることにより、高耐熱性が得られる。 さら
に、対極となる導電体層を形成することにより、小形，
大容量で高周波特性の優れた無極性のコンデンサを提供
することができる。
【０００９】
【実施例】以下本発明の実施例について説明する。
【００１０】（実施例１）約５０倍に粗面化したアルミ
エッチング箔を５mm×５mmに切断した後、超音波溶接付
けによりアルミリードを接合して金属電極を得た。
エッチング箔を５mm×５mmに切断した後、超音波溶接付
けによりアルミリードを接合して金属電極を得た。
【００１１】一方、クロロシリル基含有物質としてＳｉ
Ｃｌ4 を用い、１重量％の濃度でクロロホルムに溶解し
た溶液を調整し、上記金属電極を１時間浸漬した。 こ
のとき金属電極の表面で脱塩酸反応が起こり、（化１）
に示されるように、分子がシロキサン結合を介して金属
電極の表面に固定される。
Ｃｌ4 を用い、１重量％の濃度でクロロホルムに溶解し
た溶液を調整し、上記金属電極を１時間浸漬した。 こ
のとき金属電極の表面で脱塩酸反応が起こり、（化１）
に示されるように、分子がシロキサン結合を介して金属
電極の表面に固定される。
【００１２】
【化１】
【００１３】その後、クロロホルムで洗浄し、さらに純
水で洗浄すると、（化２）のようにシロール基を含んだ
シロキサン系単分子膜が形成される。
水で洗浄すると、（化２）のようにシロール基を含んだ
シロキサン系単分子膜が形成される。
【００１４】
【化２】
【００１５】次に、クロロシラン系界面活性剤としてフ
ッ素を含んだＣＦ3（ＣＦ2）7（ＣＨ2）2ＳｉＣｌ3を用
い、１重量％の濃度で、ｎ−ヘキサデカン、四塩化炭素
およびクロロホルムの重量比８０：１２：８の混合溶液
に溶解した溶液を調整し、シロキサン系単分子膜を形成
した金属電極を１時間浸漬した後、クロロホルムで洗浄
し、続いて純水で洗浄すると、（化３）に示されるよう
な化学吸着単分子膜が形成され、これを素子とした。
ッ素を含んだＣＦ3（ＣＦ2）7（ＣＨ2）2ＳｉＣｌ3を用
い、１重量％の濃度で、ｎ−ヘキサデカン、四塩化炭素
およびクロロホルムの重量比８０：１２：８の混合溶液
に溶解した溶液を調整し、シロキサン系単分子膜を形成
した金属電極を１時間浸漬した後、クロロホルムで洗浄
し、続いて純水で洗浄すると、（化３）に示されるよう
な化学吸着単分子膜が形成され、これを素子とした。
【００１６】
【化３】
【００１７】この素子を２０wt％の硝酸マンガン水溶液
に５分間浸漬した後、２００℃で３０分間熱分解し、表
面に二酸化マンガンを形成した。次に、この素子をピロ
ールモノマー１mol／lおよび支持電解質としてブチルナ
フタレンスルホン酸ナトリウム１mol／lを含む溶液中に
浸漬し、二酸化マンガンを陽極として、外部電極との間
に定電流電解重合（１mA／cm2，３０分）を行い、ポリ
ピロール膜を形成した。続いてこの素子をコロイダルカ
ーボンに浸漬し、銀ペーストを塗布して導電性塗膜を形
成し、その一部から対極を取り出し、エポキシ樹脂を外
装してコンデンサを完成させた。
に５分間浸漬した後、２００℃で３０分間熱分解し、表
面に二酸化マンガンを形成した。次に、この素子をピロ
ールモノマー１mol／lおよび支持電解質としてブチルナ
フタレンスルホン酸ナトリウム１mol／lを含む溶液中に
浸漬し、二酸化マンガンを陽極として、外部電極との間
に定電流電解重合（１mA／cm2，３０分）を行い、ポリ
ピロール膜を形成した。続いてこの素子をコロイダルカ
ーボンに浸漬し、銀ペーストを塗布して導電性塗膜を形
成し、その一部から対極を取り出し、エポキシ樹脂を外
装してコンデンサを完成させた。
【００１８】（実施例２）実施例１において、クロロシ
ラン系界面活性剤としてＣｌ3 Ｓｉ（ＣＨ2）2（Ｃ
Ｆ2）6（ＣＨ2）2ＳｉＣｌ3を用いると、（化４）に示
されるような化学吸着単分子膜が形成される。
ラン系界面活性剤としてＣｌ3 Ｓｉ（ＣＨ2）2（Ｃ
Ｆ2）6（ＣＨ2）2ＳｉＣｌ3を用いると、（化４）に示
されるような化学吸着単分子膜が形成される。
【００１９】
【化４】
【００２０】さらにこの化学吸着工程を繰り返し、最終
層形成時にのみＣＦ3（ＣＦ2）7（ＣＨ2）2ＳｉＣｌ3を
用いて化学吸着を行い、金属電極の表面上に１０層の化
学吸着単分子累積膜を形成して素子を得た。 この素子
に、実施例１に準じて導電体層を形成し、コンデンサを
完成させた。
層形成時にのみＣＦ3（ＣＦ2）7（ＣＨ2）2ＳｉＣｌ3を
用いて化学吸着を行い、金属電極の表面上に１０層の化
学吸着単分子累積膜を形成して素子を得た。 この素子
に、実施例１に準じて導電体層を形成し、コンデンサを
完成させた。
【００２１】（比較例１）実施例１において、シロキサ
ン系単分子膜を形成する工程を省いた以外は、実施例１
に準じてコンデンサを完成させた。
ン系単分子膜を形成する工程を省いた以外は、実施例１
に準じてコンデンサを完成させた。
【００２２】（比較例２）実施例２において、シロキサ
ン系単分子膜を形成する工程を省いた以外は、実施例２
に準じてコンデンサを完成させた。
ン系単分子膜を形成する工程を省いた以外は、実施例２
に準じてコンデンサを完成させた。
【００２３】上記実施例１，２および比較例１，２にお
いて得られたコンデンサの特性を（表１）に示す。
いて得られたコンデンサの特性を（表１）に示す。
【００２４】
【表１】
【００２５】この（表１）から明らかなように、本実施
例において得られるコンデンサは、誘電正接，漏れ電
流，耐電圧の点で、比較例において得られるコンデンサ
よりも優れている。
例において得られるコンデンサは、誘電正接，漏れ電
流，耐電圧の点で、比較例において得られるコンデンサ
よりも優れている。
【００２６】なお、上記実施例において、クロロシリル
基含有物質としてＳｉＣｌ4を用いたが、ＳｉＨＣｌ3，
ＳｉＨ2Ｃｌ2，Ｃｌ（ＳｉＣｌ2Ｏ）nＳｉＣｌ3（但し
ｎは整数）を用いた場合にも同様の効果が得られた。
基含有物質としてＳｉＣｌ4を用いたが、ＳｉＨＣｌ3，
ＳｉＨ2Ｃｌ2，Ｃｌ（ＳｉＣｌ2Ｏ）nＳｉＣｌ3（但し
ｎは整数）を用いた場合にも同様の効果が得られた。
【００２７】また、上記実施例および比較例において、
クロロシラン系界面活性剤としてＣＦ3（ＣＦ2）7（Ｃ
Ｈ2）2ＳｉＣｌ3およびＣｌ3Ｓｉ（ＣＨ2）2（ＣＦ2）6
（ＣＨ2）2ＳｉＣｌ3を用いたが、ＣＦ3（ＣＦ2）m（Ｃ
Ｈ2）2ＳｉＣｌ3（但しｍは整数、ｍ＝８〜２２）およ
びＣｌ3Ｓｉ（ＣＨ 2）2（ＣＦ2）p（ＣＨ2）2ＳｉＣ
ｌ3（但しｐは整数、ｐ＝７〜２１）を用いた場合に
も、材料の組合せ如何にかかわらず同じ結果が得られ
た。
クロロシラン系界面活性剤としてＣＦ3（ＣＦ2）7（Ｃ
Ｈ2）2ＳｉＣｌ3およびＣｌ3Ｓｉ（ＣＨ2）2（ＣＦ2）6
（ＣＨ2）2ＳｉＣｌ3を用いたが、ＣＦ3（ＣＦ2）m（Ｃ
Ｈ2）2ＳｉＣｌ3（但しｍは整数、ｍ＝８〜２２）およ
びＣｌ3Ｓｉ（ＣＨ 2）2（ＣＦ2）p（ＣＨ2）2ＳｉＣ
ｌ3（但しｐは整数、ｐ＝７〜２１）を用いた場合に
も、材料の組合せ如何にかかわらず同じ結果が得られ
た。
【００２８】
【発明の効果】以上のように本発明は、多孔質化した導
電体の表面上にシロキサン系単分子膜を形成することに
より、均一で欠陥部の無い高耐電圧の単分子膜を誘電体
として効率良く形成することが可能となり、さらに対極
となる導電体層を形成することにより、小形，大容量で
高周波特性の優れた無極性のコンデンサを実現できるも
のである。
電体の表面上にシロキサン系単分子膜を形成することに
より、均一で欠陥部の無い高耐電圧の単分子膜を誘電体
として効率良く形成することが可能となり、さらに対極
となる導電体層を形成することにより、小形，大容量で
高周波特性の優れた無極性のコンデンサを実現できるも
のである。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 小川 一文 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内
Claims (6)
- 【請求項１】多孔質化した導電体の表面上に、シロキサ
ン系単分子膜を介してクロロシラン系界面活性剤よりな
る化学吸着単分子膜または化学吸着単分子累積膜を誘電
体層として形成し、さらに対極となる導電体層を形成し
たコンデンサ。 - 【請求項２】シロキサン系単分子膜の原料として、Ｓｉ
Ｃｌ4，ＳｉＨＣｌ3，ＳｉＨ2Ｃｌ2，Ｃｌ（ＳｉＣｌ2
Ｏ）nＳｉＣｌ3（但しｎは整数）のいずれかを用いてな
る請求項１記載のコンデンサ。 - 【請求項３】クロロシラン系界面活性剤が、炭素数１０
〜２５の直鎖状の炭素鎖を有する請求項１記載のコンデ
ンサ。 - 【請求項４】クロロシラン系界面活性剤の炭化水素の一
部が、少なくともフッ化炭素で置換されている請求項３
記載のコンデンサ。 - 【請求項５】クロロシラン系界面活性剤が、一端もしく
は両端にクロロシリル基を有する請求項１記載のコンデ
ンサ。 - 【請求項６】対極となる導電体層が、導電性高分子膜を
形成したものである請求項１記載のコンデンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28440791A JPH05121263A (ja) | 1991-10-30 | 1991-10-30 | コンデンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28440791A JPH05121263A (ja) | 1991-10-30 | 1991-10-30 | コンデンサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05121263A true JPH05121263A (ja) | 1993-05-18 |
Family
ID=17678172
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28440791A Pending JPH05121263A (ja) | 1991-10-30 | 1991-10-30 | コンデンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05121263A (ja) |
-
1991
- 1991-10-30 JP JP28440791A patent/JPH05121263A/ja active Pending
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