JPH05114183A - 光磁気デイスク装置 - Google Patents
光磁気デイスク装置Info
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- JPH05114183A JPH05114183A JP4102600A JP10260092A JPH05114183A JP H05114183 A JPH05114183 A JP H05114183A JP 4102600 A JP4102600 A JP 4102600A JP 10260092 A JP10260092 A JP 10260092A JP H05114183 A JPH05114183 A JP H05114183A
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- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
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- G11B11/10502—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing characterised by the transducing operation to be executed
- G11B11/10515—Reproducing
Abstract
(57)【要約】
【目的】 １ビームで情報を記録、再生または消去する
光磁気ディスク装置において、記録済み情報を記録また
は消去しながら同時に読み出すことで、ディスクの回転
待ちを不要とした光磁気ディスク装置を実現することを
目的とする。 【構成】 光磁気ディスク３に光ヘッド２のレーザスポ
ットを照射して情報の記録、再生または消去を行なう光
磁気ディスク装置に信号分離回路７を設け、記録動作ま
たは消去動作において、記録光または消去光を照射した
反射光で得られる光磁気再生信号６を前記信号分離回路
７に入力し、前記光磁気再生信号６に含まれる記録済み
情報の信号８を分離して出力することで、記録または消
去を実行しながら、同時にすでに記録されている情報の
信号１０を読み出すようにした光磁気ディスク装置。
光磁気ディスク装置において、記録済み情報を記録また
は消去しながら同時に読み出すことで、ディスクの回転
待ちを不要とした光磁気ディスク装置を実現することを
目的とする。 【構成】 光磁気ディスク３に光ヘッド２のレーザスポ
ットを照射して情報の記録、再生または消去を行なう光
磁気ディスク装置に信号分離回路７を設け、記録動作ま
たは消去動作において、記録光または消去光を照射した
反射光で得られる光磁気再生信号６を前記信号分離回路
７に入力し、前記光磁気再生信号６に含まれる記録済み
情報の信号８を分離して出力することで、記録または消
去を実行しながら、同時にすでに記録されている情報の
信号１０を読み出すようにした光磁気ディスク装置。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体レーザを用いて光
磁気ディスク上に情報信号を記録、再生または消去を行
う光磁気ディスク装置の消去前情報の読み取り（以下、
イレーズアフターリードと称す）および記録前情報の読
み取り（以下、ライトアフターリードと称す）に関す
る。
磁気ディスク上に情報信号を記録、再生または消去を行
う光磁気ディスク装置の消去前情報の読み取り（以下、
イレーズアフターリードと称す）および記録前情報の読
み取り（以下、ライトアフターリードと称す）に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】近年、情報記憶装置の大容量化、高速化
の需要にともない、半導体レーザビームで情報を記録、
再生または消去する光磁気ディスク装置が注目されてい
る。図８は従来の一般的な光磁気ディスク装置の構成を
ブロック図で示す。図において、１は半導体レーザ、２
は光ヘッド、３は光磁気ディスク、４は記録膜、５はバ
イアス磁界装置、６は光磁気再生信号、９は二値化回
路、１０は再生信号、１４はＣＰＵ、１１は半導体レー
ザ駆動回路、１２は記録再生消去切り換え信号、１３は
記録信号である。
の需要にともない、半導体レーザビームで情報を記録、
再生または消去する光磁気ディスク装置が注目されてい
る。図８は従来の一般的な光磁気ディスク装置の構成を
ブロック図で示す。図において、１は半導体レーザ、２
は光ヘッド、３は光磁気ディスク、４は記録膜、５はバ
イアス磁界装置、６は光磁気再生信号、９は二値化回
路、１０は再生信号、１４はＣＰＵ、１１は半導体レー
ザ駆動回路、１２は記録再生消去切り換え信号、１３は
記録信号である。
【０００３】上記構成要素の相互関係と動作について、
光磁気ディスク３が磁界変調方式で記録、消去が行われ
る手段を例に図８を参照しながら説明する。半導体レー
ザ１から出射したレーザビームは光ヘッド２によって光
磁気ディスク３の記録膜４に焦結される。記録膜４は未
記録状態では膜面に対して垂直方向、たとえば、レーザ
ビームの入射側がＮ極を向く磁化を持っている。
光磁気ディスク３が磁界変調方式で記録、消去が行われ
る手段を例に図８を参照しながら説明する。半導体レー
ザ１から出射したレーザビームは光ヘッド２によって光
磁気ディスク３の記録膜４に焦結される。記録膜４は未
記録状態では膜面に対して垂直方向、たとえば、レーザ
ビームの入射側がＮ極を向く磁化を持っている。
【０００４】記録時は、ＣＰＵ１４が半導体レーザ駆動
回路１１に記録再生消去切り換え信号１２を送り、記録
膜４がキュリー点以上の温度になり続けるように十分高
い光出力に半導体レーザ１を制御する。さらに、ＣＰＵ
１４が記録信号１３をバイアス磁界装置５に送り、記録
膜４に対するバイアス磁界に変調をかける。バイアス磁
界は記録膜面に対して垂直の方向にかけられ、記録情報
が”０”であればレーザビームの入射側がＮ極を向く方
向に、記録情報が”１”であれば”０”とは反対の方向
に向くように変調がかけられる。記録膜４はキュリー点
以上の温度になると保持力が０になり、記録膜４の磁化
はバイアス磁界装置５でかけられたバイアス磁界の方向
を向く。記録膜４がレーザビーム照射領域を過ぎ、温度
がキュリー点以下になると、記録膜４の磁化は変調され
ているバイアス磁界の向きに保持され、記録が終わる。
回路１１に記録再生消去切り換え信号１２を送り、記録
膜４がキュリー点以上の温度になり続けるように十分高
い光出力に半導体レーザ１を制御する。さらに、ＣＰＵ
１４が記録信号１３をバイアス磁界装置５に送り、記録
膜４に対するバイアス磁界に変調をかける。バイアス磁
界は記録膜面に対して垂直の方向にかけられ、記録情報
が”０”であればレーザビームの入射側がＮ極を向く方
向に、記録情報が”１”であれば”０”とは反対の方向
に向くように変調がかけられる。記録膜４はキュリー点
以上の温度になると保持力が０になり、記録膜４の磁化
はバイアス磁界装置５でかけられたバイアス磁界の方向
を向く。記録膜４がレーザビーム照射領域を過ぎ、温度
がキュリー点以下になると、記録膜４の磁化は変調され
ているバイアス磁界の向きに保持され、記録が終わる。
【０００５】再生時は、ＣＰＵ１４が半導体レーザ駆動
回路１１に記録再生消去切り換え信号１２を送り、記録
膜４がキュリー点以上の温度にならない十分低い光出力
に半導体レーザ１を制御し、レーザビームを記録膜４に
照射する。入射したレーザビームの偏光は記録膜４で反
射する際に、磁化された記録膜４との相互作用により回
転する。記録済み状態と未記録状態とで記録膜４の磁化
方向が異なるため、レーザビームの偏光の回転方向が異
なる。この偏光の回転量を光ヘッド２で検出して記録信
号を再生する。
回路１１に記録再生消去切り換え信号１２を送り、記録
膜４がキュリー点以上の温度にならない十分低い光出力
に半導体レーザ１を制御し、レーザビームを記録膜４に
照射する。入射したレーザビームの偏光は記録膜４で反
射する際に、磁化された記録膜４との相互作用により回
転する。記録済み状態と未記録状態とで記録膜４の磁化
方向が異なるため、レーザビームの偏光の回転方向が異
なる。この偏光の回転量を光ヘッド２で検出して記録信
号を再生する。
【０００６】消去時は、ＣＰＵが記録信号１３を制御し
てバイアス磁界装置５が記録膜に対し、未記録状態と同
じ方向にバイアス磁界を発生させ続ける動作が異なるだ
けで、その他の動作は記録時動作と同じである。
てバイアス磁界装置５が記録膜に対し、未記録状態と同
じ方向にバイアス磁界を発生させ続ける動作が異なるだ
けで、その他の動作は記録時動作と同じである。
【０００７】次に光変調型の一般的な光磁気ディスク装
置の構成図を図１５に示す。同図において１０１は半導
体レーザ、１０２は光ヘッド、１０３は光磁気ディス
ク、１０４は記録膜、１０５はバイアス磁界装置、１０
６は光磁気再生信号、１１９は二値化回路、１２０は再
生信号、１２５はＣＰＵ、１１１は半導体レーザ駆動回
路、１１２はバイアス磁界制御信号、１１３は記録再生
消去切り換え信号、１１４は記録信号である。構成は図
８に示す装置と類似しているが、各構成要素の機能が若
干異なったものになっている。
置の構成図を図１５に示す。同図において１０１は半導
体レーザ、１０２は光ヘッド、１０３は光磁気ディス
ク、１０４は記録膜、１０５はバイアス磁界装置、１０
６は光磁気再生信号、１１９は二値化回路、１２０は再
生信号、１２５はＣＰＵ、１１１は半導体レーザ駆動回
路、１１２はバイアス磁界制御信号、１１３は記録再生
消去切り換え信号、１１４は記録信号である。構成は図
８に示す装置と類似しているが、各構成要素の機能が若
干異なったものになっている。
【０００８】光磁気ディスク１０３が光変調方式で記
録、消去が行われるタイプの場合の動作を図１５を用い
て説明する。半導体レーザ１０１から出射したレーザビ
ームは光ヘッド１０２によって光磁気ディスク１０３上
の記録膜１０４に焦結される。記録膜１０４は未記録状
態では膜面に対して垂直方向、例えばレーザビームの入
射側がＮ極を向く磁化を持っている。
録、消去が行われるタイプの場合の動作を図１５を用い
て説明する。半導体レーザ１０１から出射したレーザビ
ームは光ヘッド１０２によって光磁気ディスク１０３上
の記録膜１０４に焦結される。記録膜１０４は未記録状
態では膜面に対して垂直方向、例えばレーザビームの入
射側がＮ極を向く磁化を持っている。
【０００９】記録時はＣＰＵ１１４がバイアス磁界制御
信号１１２をバイアス磁界装置１０５に送り、光磁気デ
ィスク１０３の記録膜１０４に対し、未記録状態とは逆
の方向に、すなわちレーザビーム入射側がＳ極をむくよ
うにバイアス磁界を発生させる。さらに半導体レーザ駆
動回路１１１に記録再生消去切り換え信号１１３と記録
信号１１４を送り、半導体レーザ１０１の光出力に変調
をかける。光出力の変調は記録膜１０４に温度分布の変
化をもたらし、温度がキュリー点以上になると記録膜１
０４の保持力は０になり、記録膜１０４の磁化はバイア
ス磁界装置１０５によってかけられたバイアス磁界の方
向を向く。レーザビームの照射が終わり記録膜１０４の
温度がキュリー点以下になると、記録膜１０４の磁化は
バイアス磁界の方向に保持され、記録が終わる。
信号１１２をバイアス磁界装置１０５に送り、光磁気デ
ィスク１０３の記録膜１０４に対し、未記録状態とは逆
の方向に、すなわちレーザビーム入射側がＳ極をむくよ
うにバイアス磁界を発生させる。さらに半導体レーザ駆
動回路１１１に記録再生消去切り換え信号１１３と記録
信号１１４を送り、半導体レーザ１０１の光出力に変調
をかける。光出力の変調は記録膜１０４に温度分布の変
化をもたらし、温度がキュリー点以上になると記録膜１
０４の保持力は０になり、記録膜１０４の磁化はバイア
ス磁界装置１０５によってかけられたバイアス磁界の方
向を向く。レーザビームの照射が終わり記録膜１０４の
温度がキュリー点以下になると、記録膜１０４の磁化は
バイアス磁界の方向に保持され、記録が終わる。
【００１０】再生はＣＰＵ１２５が半導体レーザ駆動回
路１１１に記録再生消去切り換え信号１１３を送り、記
録膜１０４がキュリー点以上の温度にならない十分低い
光出力に半導体レーザ１０１を制御し、レーザビームを
記録膜１０４に照射する。入射したレーザビームの偏光
は記録膜１０４で反射する際に、磁化された記録膜１０
４との相互作用により回転する。記録と未記録で記録膜
１０４の磁化方向が異なるため、レーザビームの偏光の
回転方向が異なる。この偏光の回転量を光ヘッド１０２
で検出し、記録信号を再生する。
路１１１に記録再生消去切り換え信号１１３を送り、記
録膜１０４がキュリー点以上の温度にならない十分低い
光出力に半導体レーザ１０１を制御し、レーザビームを
記録膜１０４に照射する。入射したレーザビームの偏光
は記録膜１０４で反射する際に、磁化された記録膜１０
４との相互作用により回転する。記録と未記録で記録膜
１０４の磁化方向が異なるため、レーザビームの偏光の
回転方向が異なる。この偏光の回転量を光ヘッド１０２
で検出し、記録信号を再生する。
【００１１】一方消去は、ＣＰＵ１２５がバイアス磁界
制御信号１１２をバイアス磁界装置１０５に送り、光磁
気ディスク１０３の記録膜１０４に対し、未記録状態と
同じ方向に、すなわちレーザビーム入射側がＮ極をむく
ようにバイアス磁界を発生させる。さらに半導体レーザ
駆動回路１１１に記録再生消去切り換え信号１１３を送
り、記録膜１０４がキュリー点以上の温度になり続ける
ように十分高い光出力に半導体レーザ１０１を制御す
る。記録膜１０４の温度がキュリー点以上になると記録
膜１０４の保持力は０になり、記録膜１０４の磁化はバ
イアス磁界装置１０５によってかけられたバイアス磁
界、すなわち未記録状態の方向を向く。レーザビームの
照射が終わり記録膜１０４の温度がキュリー点以下にな
ると、記録膜１０４の磁化は未記録状態の方向に保持さ
れ、消去が終わる。
制御信号１１２をバイアス磁界装置１０５に送り、光磁
気ディスク１０３の記録膜１０４に対し、未記録状態と
同じ方向に、すなわちレーザビーム入射側がＮ極をむく
ようにバイアス磁界を発生させる。さらに半導体レーザ
駆動回路１１１に記録再生消去切り換え信号１１３を送
り、記録膜１０４がキュリー点以上の温度になり続ける
ように十分高い光出力に半導体レーザ１０１を制御す
る。記録膜１０４の温度がキュリー点以上になると記録
膜１０４の保持力は０になり、記録膜１０４の磁化はバ
イアス磁界装置１０５によってかけられたバイアス磁
界、すなわち未記録状態の方向を向く。レーザビームの
照射が終わり記録膜１０４の温度がキュリー点以下にな
ると、記録膜１０４の磁化は未記録状態の方向に保持さ
れ、消去が終わる。
【００１２】前記光磁気ディスク装置において、必要な
情報を誤って消去したり、重ね書きするといった誤操作
や、装置のトラック飛びなどの誤動作時にも、情報を再
現できるイレーズアフターリードや、ライトアフターリ
ードの必要性が提案され始めている。
情報を誤って消去したり、重ね書きするといった誤操作
や、装置のトラック飛びなどの誤動作時にも、情報を再
現できるイレーズアフターリードや、ライトアフターリ
ードの必要性が提案され始めている。
【００１３】以下、イレーズアフターリードの動作につ
いて説明する。図９はイレーズアフターリードの動作を
フローチャートで示す。図において、まず、ステップＳ
１１で、消去すべき情報が記録されている場所を再生し
て情報を読み取る。次に、ステップＳ１２で、所定の場
所にレーザビームが再び照射されるまで最低一回転の回
転待ちを行う。このあとステップＳ１３で消去を行う。
光磁気ディスクが一回転するのに数十ｍｓｅｃかかる
が、回転待ちの時間の大半は、光磁気ディスク装置は何
もすることがない。したがって、イレーズアフターリー
ドにおける光磁気ディスクの回転待ち動作が、光磁気デ
ィスク装置の動作を高速化するのに大きな障害となって
いる。
いて説明する。図９はイレーズアフターリードの動作を
フローチャートで示す。図において、まず、ステップＳ
１１で、消去すべき情報が記録されている場所を再生し
て情報を読み取る。次に、ステップＳ１２で、所定の場
所にレーザビームが再び照射されるまで最低一回転の回
転待ちを行う。このあとステップＳ１３で消去を行う。
光磁気ディスクが一回転するのに数十ｍｓｅｃかかる
が、回転待ちの時間の大半は、光磁気ディスク装置は何
もすることがない。したがって、イレーズアフターリー
ドにおける光磁気ディスクの回転待ち動作が、光磁気デ
ィスク装置の動作を高速化するのに大きな障害となって
いる。
【００１４】一方、ライトアフターリードの動作につい
ては、磁界変調方式の場合、原理的にダイレクトオーバ
ーライトが可能であり、記録と消去は記録信号の制御が
異なるのみで動作は同じであるため、ライトアフターリ
ードとイレーズアフターリードは同様な扱いとなる。図
１０はライトアフターリードの動作をフローチャートで
示す。まず、ステップＳ２１で、記録すべき情報が記録
されている場所を再生し、情報を読みとる。次にステッ
プＳ２２で、所定の場所にレーザビームが再び照射され
るまで最低一回転の回転待ちを行う。このあとステップ
Ｓ２３で記録を行う。ライトアフターリードもイレーズ
アフターリード同様に、光磁気ディスクの回転待ち動作
が光磁気ディスク装置の動作を高速化するのに大きな障
害となっている。
ては、磁界変調方式の場合、原理的にダイレクトオーバ
ーライトが可能であり、記録と消去は記録信号の制御が
異なるのみで動作は同じであるため、ライトアフターリ
ードとイレーズアフターリードは同様な扱いとなる。図
１０はライトアフターリードの動作をフローチャートで
示す。まず、ステップＳ２１で、記録すべき情報が記録
されている場所を再生し、情報を読みとる。次にステッ
プＳ２２で、所定の場所にレーザビームが再び照射され
るまで最低一回転の回転待ちを行う。このあとステップ
Ｓ２３で記録を行う。ライトアフターリードもイレーズ
アフターリード同様に、光磁気ディスクの回転待ち動作
が光磁気ディスク装置の動作を高速化するのに大きな障
害となっている。
【００１５】これらの課題を解決する手段として、図１
１に示したように先行スポット用半導体レーザ５３、メ
インスポット用半導体レーザ５１の２つの半導体レーザ
を用い、先行スポット５８で記録信号を再生するととも
に、メインスポット５９で記録、消去を行うことで、光
磁気ディスクの回転待ちを行うことなくライトアフター
リードまたはイレーズアフターリードを行う手段があ
る。また、図１２に示したような２ビーム半導体レーザ
６５を用いる手段や、さらに、図１３に示したように、
回折格子６７を用いて、半導体レーザ６６の前面出射光
を分割し、マルチレーザビームにして光磁気ディスク６
０の記録膜６１にレーザ照射を行う手段もある。
１に示したように先行スポット用半導体レーザ５３、メ
インスポット用半導体レーザ５１の２つの半導体レーザ
を用い、先行スポット５８で記録信号を再生するととも
に、メインスポット５９で記録、消去を行うことで、光
磁気ディスクの回転待ちを行うことなくライトアフター
リードまたはイレーズアフターリードを行う手段があ
る。また、図１２に示したような２ビーム半導体レーザ
６５を用いる手段や、さらに、図１３に示したように、
回折格子６７を用いて、半導体レーザ６６の前面出射光
を分割し、マルチレーザビームにして光磁気ディスク６
０の記録膜６１にレーザ照射を行う手段もある。
【００１６】
【発明が解決しようとする課題】このような従来の光磁
気ディスク装置で、たとえば、図１１に示した先行スポ
ット用半導体レーザ５３とメインスポット用半導体レー
ザ５１との２つの半導体レーザを用いる手段では、２つ
の半導体レーザを使用するので、それぞれに半導体レー
ザ駆動回路が必要であり、回路が複雑になったり、また
２つの半導体レーザのレーザビームを同時に収差なく光
磁気ディスク６０の記録膜６１に焦結させなくてはなら
ないため、光学系が複雑になり、設計、調整が難しいと
いう問題があり、コスト的にも高くなる。
気ディスク装置で、たとえば、図１１に示した先行スポ
ット用半導体レーザ５３とメインスポット用半導体レー
ザ５１との２つの半導体レーザを用いる手段では、２つ
の半導体レーザを使用するので、それぞれに半導体レー
ザ駆動回路が必要であり、回路が複雑になったり、また
２つの半導体レーザのレーザビームを同時に収差なく光
磁気ディスク６０の記録膜６１に焦結させなくてはなら
ないため、光学系が複雑になり、設計、調整が難しいと
いう問題があり、コスト的にも高くなる。
【００１７】また、図１２に示したように２ビーム半導
体レーザ６５を用い、光学系の簡略化を図った手段もあ
るが、基本的に上記光学系の複雑化の問題はなくならな
い上、半導体レーザ駆動回路も２つ必要であり回路系も
同様の問題を抱えている。
体レーザ６５を用い、光学系の簡略化を図った手段もあ
るが、基本的に上記光学系の複雑化の問題はなくならな
い上、半導体レーザ駆動回路も２つ必要であり回路系も
同様の問題を抱えている。
【００１８】さらに、図１３に示したように、回折格子
６７を用いて、半導体レーザ６６の前面出射光を分割
し、マルチレーザビームにして光磁気ディスク６０の記
録膜６１にレーザ照射を行う手段では、半導体レーザが
１つなので、半導体レーザ駆動回路が１つで済むため回
路系の問題はなくなるが、光学系に関しては先の２つの
例と同様の問題を抱えている。
６７を用いて、半導体レーザ６６の前面出射光を分割
し、マルチレーザビームにして光磁気ディスク６０の記
録膜６１にレーザ照射を行う手段では、半導体レーザが
１つなので、半導体レーザ駆動回路が１つで済むため回
路系の問題はなくなるが、光学系に関しては先の２つの
例と同様の問題を抱えている。
【００１９】本発明は上記課題を解決するもので、１つ
の半導体レーザで、マルチレーザビームを用いることな
く、さらに現行の記録再生方式を変えることなく、光磁
気ディスクの回転待ちなしに１動作でライトアフターリ
ードまたはイレーズアフターリードを容易に実現できる
光磁気ディスク装置を提供することを目的とする。
の半導体レーザで、マルチレーザビームを用いることな
く、さらに現行の記録再生方式を変えることなく、光磁
気ディスクの回転待ちなしに１動作でライトアフターリ
ードまたはイレーズアフターリードを容易に実現できる
光磁気ディスク装置を提供することを目的とする。
【００２０】
【課題を解決するための手段】本発明は上記目的を達成
するために、半導体レーザと磁界変調または光変調によ
って情報が記録または消去される光磁気ディスクと、前
記半導体レーザの出射光を前記光磁気ディスクの記録膜
面上に焦結させた１つのレーザスポットで情報の記録、
再生または消去を行う光ヘッドと、信号分離回路と、前
記信号分離回路の出力を二値化する二値化回路と、前記
半導体レーザの光出力を記録、再生または消去動作に応
じて制御する半導体レーザ駆動回路と、記録、消去動作
に応じて前記光磁気ディスクの記録膜にバイアス磁界を
与えるバイアス磁界手段と、前記各構成要素の動作を制
御する制御回路とを備え、前記レーザスポットを光磁気
ディスクに連続照射して記録または消去を行うとき、前
記信号分離回路が記録または消去光の反射光で得られる
光磁気再生信号を入力し、すでに記録されている情報の
信号成分を分離して出力することで、光ディスク上の記
録前または消去前の記録済み情報を、記録または消去と
同時に読み取るようにした光磁気ディスク装置とする。
するために、半導体レーザと磁界変調または光変調によ
って情報が記録または消去される光磁気ディスクと、前
記半導体レーザの出射光を前記光磁気ディスクの記録膜
面上に焦結させた１つのレーザスポットで情報の記録、
再生または消去を行う光ヘッドと、信号分離回路と、前
記信号分離回路の出力を二値化する二値化回路と、前記
半導体レーザの光出力を記録、再生または消去動作に応
じて制御する半導体レーザ駆動回路と、記録、消去動作
に応じて前記光磁気ディスクの記録膜にバイアス磁界を
与えるバイアス磁界手段と、前記各構成要素の動作を制
御する制御回路とを備え、前記レーザスポットを光磁気
ディスクに連続照射して記録または消去を行うとき、前
記信号分離回路が記録または消去光の反射光で得られる
光磁気再生信号を入力し、すでに記録されている情報の
信号成分を分離して出力することで、光ディスク上の記
録前または消去前の記録済み情報を、記録または消去と
同時に読み取るようにした光磁気ディスク装置とする。
【００２１】
【作用】本発明は上記の構成において、半導体レーザの
高パワー照射により光磁気ディスクに対して磁気変調方
式の記録あるいは消去及び光変調方式の消去を行う際
に、同時に光磁気ディスクでの反射光から前記光ヘッド
を通して光磁気信号を再生し、既に記録されている情報
を読みとろうとするものである。従って、光磁気ディス
クの回転待ち無しにライトアフターリードおよびイレー
ズアフターリードができ、高速な光磁気ディスク装置を
実現できる。さらに半導体レーザ１つで、かつ１つのレ
ーザビームで良いため、現行の記録再生消去の光ヘッド
構成を変えることがなく、従来の光学系、回路系を使う
ことができるので、低コストで信頼性の高いの光磁気デ
ィスク装置が容易に実現できるものである。
高パワー照射により光磁気ディスクに対して磁気変調方
式の記録あるいは消去及び光変調方式の消去を行う際
に、同時に光磁気ディスクでの反射光から前記光ヘッド
を通して光磁気信号を再生し、既に記録されている情報
を読みとろうとするものである。従って、光磁気ディス
クの回転待ち無しにライトアフターリードおよびイレー
ズアフターリードができ、高速な光磁気ディスク装置を
実現できる。さらに半導体レーザ１つで、かつ１つのレ
ーザビームで良いため、現行の記録再生消去の光ヘッド
構成を変えることがなく、従来の光学系、回路系を使う
ことができるので、低コストで信頼性の高いの光磁気デ
ィスク装置が容易に実現できるものである。
【００２２】
【実施例】以下、本発明の一実施例の光磁気ディスク装
置について図面を参照しながら説明する。図１は、本発
明の一実施例の光磁気ディスク装置の構成をを示すブロ
ック図である。図において、１は半導体レーザ、２は光
ヘッド、３は光磁気ディスク、４は記録膜、５はバイア
ス磁界装置、６は光磁気再生信号、７は信号分離回路、
８は分離信号、９は二値化回路、１０は再生信号、１１
は半導体レーザ駆動回路、１２は記録再生消去切り換え
信号、１３は記録信号、１４はＣＰＵである。半導体レ
ーザ１から出射したレーザビームは光ヘッド２によって
光磁気ディスク３の記録膜４に焦結される。記録膜４は
未記録状態では膜面に対して垂直方向、たとえば、レー
ザビームの入射側がＮ極を向く磁化を持っている。
置について図面を参照しながら説明する。図１は、本発
明の一実施例の光磁気ディスク装置の構成をを示すブロ
ック図である。図において、１は半導体レーザ、２は光
ヘッド、３は光磁気ディスク、４は記録膜、５はバイア
ス磁界装置、６は光磁気再生信号、７は信号分離回路、
８は分離信号、９は二値化回路、１０は再生信号、１１
は半導体レーザ駆動回路、１２は記録再生消去切り換え
信号、１３は記録信号、１４はＣＰＵである。半導体レ
ーザ１から出射したレーザビームは光ヘッド２によって
光磁気ディスク３の記録膜４に焦結される。記録膜４は
未記録状態では膜面に対して垂直方向、たとえば、レー
ザビームの入射側がＮ極を向く磁化を持っている。
【００２３】以下、上記の構成要素の相互関係と動作に
ついて説明する。なお、記録の原理、動作については従
来の技術の項で説明したので省略する。
ついて説明する。なお、記録の原理、動作については従
来の技術の項で説明したので省略する。
【００２４】再生時は、ＣＰＵ１４が半導体レーザ駆動
回路１１に記録再生消去切り換え信号１２を送り、記録
膜４がキュリー点以上の温度にならない十分低い光出力
に半導体レーザ１を制御し、レーザビームを記録膜４に
照射する。入射したレーザビームの偏光は記録膜４で反
射する際に、磁化された記録膜４との相互作用により回
転する。記録と未記録で記録膜４の磁化方向が異なるた
め、レーザビームの偏光の回転方向が異なる。この偏光
の回転量を光ヘッド２で検出し、光磁気再生信号６を得
る。再生時に得られる光磁気再生信号６はすでに記録さ
れている信号成分のみを含んでいる。ＣＰＵ１４からの
記録再生消去切り換え信号１２で信号分離回路７を光磁
気再生信号６になんらの変化も与えない動作にすると、
分離信号８には光磁気再生信号６がそのまま現われる。
この場合の信号分離回路７の動作としては、たとえば波
形変化を伴わない回路動作であればよく、もちろん信号
分離の機能を有する回路をバイパスする動作をしてもよ
いことは明かである。そののち二値化回路９で二値化
し、ＣＰＵ１４が再生信号１０を読み取り、記録された
信号を再生する。
回路１１に記録再生消去切り換え信号１２を送り、記録
膜４がキュリー点以上の温度にならない十分低い光出力
に半導体レーザ１を制御し、レーザビームを記録膜４に
照射する。入射したレーザビームの偏光は記録膜４で反
射する際に、磁化された記録膜４との相互作用により回
転する。記録と未記録で記録膜４の磁化方向が異なるた
め、レーザビームの偏光の回転方向が異なる。この偏光
の回転量を光ヘッド２で検出し、光磁気再生信号６を得
る。再生時に得られる光磁気再生信号６はすでに記録さ
れている信号成分のみを含んでいる。ＣＰＵ１４からの
記録再生消去切り換え信号１２で信号分離回路７を光磁
気再生信号６になんらの変化も与えない動作にすると、
分離信号８には光磁気再生信号６がそのまま現われる。
この場合の信号分離回路７の動作としては、たとえば波
形変化を伴わない回路動作であればよく、もちろん信号
分離の機能を有する回路をバイパスする動作をしてもよ
いことは明かである。そののち二値化回路９で二値化
し、ＣＰＵ１４が再生信号１０を読み取り、記録された
信号を再生する。
【００２５】また、消去の原理と動作は、従来の技術の
項ですでに説明した手順と同じである。
項ですでに説明した手順と同じである。
【００２６】最初に、ライトアフターリードの動作につ
いて説明する。磁界変調方式の場合、原理的にダイレク
トオーバーライトが可能である。本発明に係るライトア
フターリードは以下のようにして行なう。光磁気ディス
ク３の記録膜４に半導体レーザ１の高パワー照射によっ
て記録を行う際に、再生と同様に記録膜４からの反射光
を光ヘッド２で検出し、光磁気再生信号６を得る。そし
て信号分離回路７を通した後、二値化回路９で二値化
し、ＣＰＵ１４が読み取ることにより、記録と同時にす
でに記録されている記録信号の再生を行い、ライトアフ
ターリードを行う。
いて説明する。磁界変調方式の場合、原理的にダイレク
トオーバーライトが可能である。本発明に係るライトア
フターリードは以下のようにして行なう。光磁気ディス
ク３の記録膜４に半導体レーザ１の高パワー照射によっ
て記録を行う際に、再生と同様に記録膜４からの反射光
を光ヘッド２で検出し、光磁気再生信号６を得る。そし
て信号分離回路７を通した後、二値化回路９で二値化
し、ＣＰＵ１４が読み取ることにより、記録と同時にす
でに記録されている記録信号の再生を行い、ライトアフ
ターリードを行う。
【００２７】図２はライトアフターリード時の記録膜の
状態を示す説明図である。図において、光磁気ディスク
の記録膜２１がレーザビーム２２の照射領域２３に到達
すると、記録膜２１の温度が上昇する。レーザビーム２
２の照射による記録膜２１の温度上昇には有限の時間遅
れがあり、さらに、光磁気ディスクが回転しているため
に、照射領域２３と記録膜２１の温度分布領域、たとえ
ば、キュ−リ点以上の領域Ｔｃ２４には一定のずれが生
じ、照射領域２３を領域Ｔｃ２４が追いかける状態とな
る。したがって、照射領域２３には温度がキュリー点以
上の領域Ａ２５と、キュリー点に到達していない領域Ｂ
２６とが存在する。温度がキュリー点以上になると記録
膜２１の保持力は０になり、記録膜２１の磁化はバイア
ス磁界装置でかけられた磁界方向を向く。バイアス磁界
は記録する信号に応じて変調されているので、温度がキ
ュリー点以上である領域Ａ２５の磁化は記録する信号に
応じて磁化の向きを変え、そこからの反射光はこれから
記録する信号成分を含んでいる。一方、領域Ｂ２６の磁
化は温度がキュリー点に到達していなので、すでに記録
されている記録信号の状態に対応した磁化を保持してお
り、この領域Ｂ２６からの反射光はすでに記録されてい
る記録信号の成分を含んでいる。したがって、照射領域
２３からの反射光を光学ヘッドで検出した光磁気再生信
号には、これから記録する記録信号の光磁気再生信号
と、すでに記録されている記録信号の光磁気再生信号と
が含まれていることになる。これは、あたかも領域Ａ２
５を照射するレーザビームの反射光と領域２６Ｂを照射
するレーザビームの反射光をそれぞれ独立して信号再生
したものを合成したものと見なすことができる。
状態を示す説明図である。図において、光磁気ディスク
の記録膜２１がレーザビーム２２の照射領域２３に到達
すると、記録膜２１の温度が上昇する。レーザビーム２
２の照射による記録膜２１の温度上昇には有限の時間遅
れがあり、さらに、光磁気ディスクが回転しているため
に、照射領域２３と記録膜２１の温度分布領域、たとえ
ば、キュ−リ点以上の領域Ｔｃ２４には一定のずれが生
じ、照射領域２３を領域Ｔｃ２４が追いかける状態とな
る。したがって、照射領域２３には温度がキュリー点以
上の領域Ａ２５と、キュリー点に到達していない領域Ｂ
２６とが存在する。温度がキュリー点以上になると記録
膜２１の保持力は０になり、記録膜２１の磁化はバイア
ス磁界装置でかけられた磁界方向を向く。バイアス磁界
は記録する信号に応じて変調されているので、温度がキ
ュリー点以上である領域Ａ２５の磁化は記録する信号に
応じて磁化の向きを変え、そこからの反射光はこれから
記録する信号成分を含んでいる。一方、領域Ｂ２６の磁
化は温度がキュリー点に到達していなので、すでに記録
されている記録信号の状態に対応した磁化を保持してお
り、この領域Ｂ２６からの反射光はすでに記録されてい
る記録信号の成分を含んでいる。したがって、照射領域
２３からの反射光を光学ヘッドで検出した光磁気再生信
号には、これから記録する記録信号の光磁気再生信号
と、すでに記録されている記録信号の光磁気再生信号と
が含まれていることになる。これは、あたかも領域Ａ２
５を照射するレーザビームの反射光と領域２６Ｂを照射
するレーザビームの反射光をそれぞれ独立して信号再生
したものを合成したものと見なすことができる。
【００２８】図３は記録時に得られる光磁気再生信号の
状態を説明図で示す。図において、３１はレーザビー
ム、３２は照射領域、３３は記録膜の磁化方向、３４は
記録信号、３５はバイアス磁界方向、３８は光ヘッドで
検出される光磁気再生信号である。照射領域３２の移動
にともない、領域Ａ２５からはバイアス磁界方向３５、
すなわちこれから記録する信号に応じた光磁気再生信号
ａ３６が得られる。記録信号３４に対しバイアス磁界方
向３５の反転が遅れ、かつ光磁気再生信号ａ３６の変化
がなまっているのは、磁界変調用コイルの自己インダク
タンスによる影響をはじめとするバイアス磁界装置の応
答、バイアス磁界に対する記録膜の磁化反転の応答、光
検出の電流−電圧変換系の応答などの原因による。一
方、領域Ｂ２６からは、すでに記録された信号に応じた
光磁気再生信号ｂ３７が得られる。光磁気再生信号ｂ３
７がなまっているのは光ヘッドの空間周波数応答や光検
出の電流−電圧変換系の応答などの原因による。この両
信号の和が光学ヘッドから得られる光磁気再生信号３８
となる。光磁気再生信号ａ３６と光磁気再生信号ｂ３７
のレベルの違いは、入射されるレーザビームの強度、媒
体とレーザビームの相対速度、記録材料の感度などによ
って異なり、図２における領域Ａ２５と領域Ｂ２６の面
積及びレーザビーム強度比に比例するものである。ここ
で、光磁気再生信号ａ３６は記録信号３４をバイアス磁
界装置、記録膜、光学ヘッドを伝達して得られる応答信
号であるから、この伝達特性を装置で再現した装置を用
いれば、記録信号３４から光磁気再生信号ａ３６と等価
的な疑似光磁気再生信号３９をつくることができる。こ
の装置、すなわち疑似光磁気再生信号生成回路は、実際
にはコイル、コンデンサ、抵抗素子などの組み合わせ
や、デジタル的な処理によるフィルタで実現できる。こ
うして作った疑似光磁気再生信号３９を光学ヘッドから
得られる光磁気再生信号３８から信号分離回路を用いて
差し引けば、既に記録されている信号である光磁気再生
信号ｂ３７と同じ信号が分離信号４０として得られ、既
に記録されている信号のみの分離、抽出ができる。
状態を説明図で示す。図において、３１はレーザビー
ム、３２は照射領域、３３は記録膜の磁化方向、３４は
記録信号、３５はバイアス磁界方向、３８は光ヘッドで
検出される光磁気再生信号である。照射領域３２の移動
にともない、領域Ａ２５からはバイアス磁界方向３５、
すなわちこれから記録する信号に応じた光磁気再生信号
ａ３６が得られる。記録信号３４に対しバイアス磁界方
向３５の反転が遅れ、かつ光磁気再生信号ａ３６の変化
がなまっているのは、磁界変調用コイルの自己インダク
タンスによる影響をはじめとするバイアス磁界装置の応
答、バイアス磁界に対する記録膜の磁化反転の応答、光
検出の電流−電圧変換系の応答などの原因による。一
方、領域Ｂ２６からは、すでに記録された信号に応じた
光磁気再生信号ｂ３７が得られる。光磁気再生信号ｂ３
７がなまっているのは光ヘッドの空間周波数応答や光検
出の電流−電圧変換系の応答などの原因による。この両
信号の和が光学ヘッドから得られる光磁気再生信号３８
となる。光磁気再生信号ａ３６と光磁気再生信号ｂ３７
のレベルの違いは、入射されるレーザビームの強度、媒
体とレーザビームの相対速度、記録材料の感度などによ
って異なり、図２における領域Ａ２５と領域Ｂ２６の面
積及びレーザビーム強度比に比例するものである。ここ
で、光磁気再生信号ａ３６は記録信号３４をバイアス磁
界装置、記録膜、光学ヘッドを伝達して得られる応答信
号であるから、この伝達特性を装置で再現した装置を用
いれば、記録信号３４から光磁気再生信号ａ３６と等価
的な疑似光磁気再生信号３９をつくることができる。こ
の装置、すなわち疑似光磁気再生信号生成回路は、実際
にはコイル、コンデンサ、抵抗素子などの組み合わせ
や、デジタル的な処理によるフィルタで実現できる。こ
うして作った疑似光磁気再生信号３９を光学ヘッドから
得られる光磁気再生信号３８から信号分離回路を用いて
差し引けば、既に記録されている信号である光磁気再生
信号ｂ３７と同じ信号が分離信号４０として得られ、既
に記録されている信号のみの分離、抽出ができる。
【００２９】図４は信号分離回路の構成の一例を示すブ
ロック図である。図において、４１は光磁気再生信号、
４２は記録信号、４３は記録再生消去切り換え信号、４
４は疑似光磁気再生信号生成回路、４５は疑似光磁気再
生信号、４６は減算回路、４７は分離信号である。記録
時にＣＰＵからの記録再生消去切り換え信号４３で疑似
光磁気再生信号生成回路４４を制御して、記録信号４２
から疑似光磁気再生信号４５を作る。光磁気再生信号４
１から疑似光磁気再生信号４５を減算回路４６で減算
し、すでに記録されている信号だけを分離信号４７とし
て得る。この分離信号４７を、二値化回路で二値化して
ＣＰＵで読み取ることにより、記録レーザビームが記録
ピットを照射する際に得られる反射光から、すでに記録
されている信号を正しく再生できることができる。
ロック図である。図において、４１は光磁気再生信号、
４２は記録信号、４３は記録再生消去切り換え信号、４
４は疑似光磁気再生信号生成回路、４５は疑似光磁気再
生信号、４６は減算回路、４７は分離信号である。記録
時にＣＰＵからの記録再生消去切り換え信号４３で疑似
光磁気再生信号生成回路４４を制御して、記録信号４２
から疑似光磁気再生信号４５を作る。光磁気再生信号４
１から疑似光磁気再生信号４５を減算回路４６で減算
し、すでに記録されている信号だけを分離信号４７とし
て得る。この分離信号４７を、二値化回路で二値化して
ＣＰＵで読み取ることにより、記録レーザビームが記録
ピットを照射する際に得られる反射光から、すでに記録
されている信号を正しく再生できることができる。
【００３０】図５は上記のライトアフターリードの動作
を示すフローチャートである。図において、ステップＳ
１のみで所定の情報内容を再生するととともに、その場
所に新たな情報を記録する。ここでは、再生と記録の間
には光磁気ディスクの回転待ちは当然のことながら存在
しない。
を示すフローチャートである。図において、ステップＳ
１のみで所定の情報内容を再生するととともに、その場
所に新たな情報を記録する。ここでは、再生と記録の間
には光磁気ディスクの回転待ちは当然のことながら存在
しない。
【００３１】次に、イレーズアフターリードの動作につ
いて説明する。イレーズアフターリードはバイアス磁界
が変調されず、未記録状態方向を向いたままであり、基
本的な動作はライトアフターリードと同じである。図２
に示した領域Ａ２５の磁化は、バイアス磁界によって未
記録状態方向を向いており、そこからの反射光は信号成
分を含んでいない。一方、領域Ｂ２６の磁化はすでに記
録されている記録信号の状態に対応した方向を保持して
おり、この領域Ｂ２６からの反射光はすでに記録されて
いる記録信号の成分を含んでいる。したがって、照射領
域２３からの反射光にはすでに記録されている記録信号
の光磁気信号のみが含まれていることになる。この反射
光を光学ヘッドで検出し、光磁気信号を再生することに
より、すでに記録されている記録信号の再生を行うこと
ができる。
いて説明する。イレーズアフターリードはバイアス磁界
が変調されず、未記録状態方向を向いたままであり、基
本的な動作はライトアフターリードと同じである。図２
に示した領域Ａ２５の磁化は、バイアス磁界によって未
記録状態方向を向いており、そこからの反射光は信号成
分を含んでいない。一方、領域Ｂ２６の磁化はすでに記
録されている記録信号の状態に対応した方向を保持して
おり、この領域Ｂ２６からの反射光はすでに記録されて
いる記録信号の成分を含んでいる。したがって、照射領
域２３からの反射光にはすでに記録されている記録信号
の光磁気信号のみが含まれていることになる。この反射
光を光学ヘッドで検出し、光磁気信号を再生することに
より、すでに記録されている記録信号の再生を行うこと
ができる。
【００３２】図６は消去時に得られる光磁気再生信号の
状態を示す説明図である。照射領域３２の移動にともな
い、領域Ａ２５からはバイアス磁界方向３５、すなわち
未記録状態の光磁気再生信号ａ３６が得られる。一方、
領域Ｂ２６からは、すでに記録さている信号に応じた光
磁気再生信号ｂ３７が得られる。光磁気再生信号ｂ３７
がなまっているのはライトアフターリードのときと同様
の理由による。この両信号の和が光磁気再生信号３８と
なるが、光磁気再生信号ａ３６は未記録状態のため無信
号なので、光磁気再生信号３８がそのまま光磁気再生信
号ｂ３７となる。従って疑似光磁気再生信号３９を作る
必要も、さらに光磁気再生信号３８に処理を加える必要
はなく、既に記録されている信号である光磁気再生信号
ａ３７を分離信号４０に得ることができる。
状態を示す説明図である。照射領域３２の移動にともな
い、領域Ａ２５からはバイアス磁界方向３５、すなわち
未記録状態の光磁気再生信号ａ３６が得られる。一方、
領域Ｂ２６からは、すでに記録さている信号に応じた光
磁気再生信号ｂ３７が得られる。光磁気再生信号ｂ３７
がなまっているのはライトアフターリードのときと同様
の理由による。この両信号の和が光磁気再生信号３８と
なるが、光磁気再生信号ａ３６は未記録状態のため無信
号なので、光磁気再生信号３８がそのまま光磁気再生信
号ｂ３７となる。従って疑似光磁気再生信号３９を作る
必要も、さらに光磁気再生信号３８に処理を加える必要
はなく、既に記録されている信号である光磁気再生信号
ａ３７を分離信号４０に得ることができる。
【００３３】図４に示した信号分離回路はイレーズアフ
ターリードの際、以下の動作を行う。記録時にＣＰＵか
らの記録再生消去切り換え信号４３によって疑似光磁気
再生信号生成回路４４を制御して、無信号を疑似光磁気
再生信号４５に出力させる。光磁気再生信号４１から疑
似光磁気再生信号４５を減算回路４６で減算するわけで
あるが、結局は何の影響も与えず光磁気再生信号４１が
分離信号４７としてそのまま現れる。光磁気再生信号４
１はすでに記録されている記録信号そのものであるの
で、二値化回路で二値化し、ＣＰＵが読み取ることによ
り、消去レーザビームが記録ピットを照射する際に得ら
れる反射光から、すでに記録されている信号を正しく再
生できることができる。
ターリードの際、以下の動作を行う。記録時にＣＰＵか
らの記録再生消去切り換え信号４３によって疑似光磁気
再生信号生成回路４４を制御して、無信号を疑似光磁気
再生信号４５に出力させる。光磁気再生信号４１から疑
似光磁気再生信号４５を減算回路４６で減算するわけで
あるが、結局は何の影響も与えず光磁気再生信号４１が
分離信号４７としてそのまま現れる。光磁気再生信号４
１はすでに記録されている記録信号そのものであるの
で、二値化回路で二値化し、ＣＰＵが読み取ることによ
り、消去レーザビームが記録ピットを照射する際に得ら
れる反射光から、すでに記録されている信号を正しく再
生できることができる。
【００３４】図７は以上のイレーズアフターリードの動
作をフローチャートで示す。図において、ステップＳ２
のみで所定の情報内容を再生するととともに、その場所
を消去する。ここでも、再生と消去の間には光磁気ディ
スクの回転待ちは当然のことながら存在しない。
作をフローチャートで示す。図において、ステップＳ２
のみで所定の情報内容を再生するととともに、その場所
を消去する。ここでも、再生と消去の間には光磁気ディ
スクの回転待ちは当然のことながら存在しない。
【００３５】以下、本発明の光磁気ディスク装置の第２
の実施例について図面を参照しながら説明する。図１４
は、本発明の光変調方式の光磁気ディスク装置の一実施
例を示したものである。１０１は半導体レーザ、１０２
は光ヘッド、１０３は光磁気ディスク、１０４は記録
膜、１０５はバイアス磁界装置、１０６は光磁気再生信
号、１０９は二値化回路、１１０は再生信号、１１１は
半導体レーザ駆動回路、１１２はバイアス磁界制御信
号、１１３は記録、再生、消去切り換え信号、１１４は
記録信号、１１５はＣＰＵである。半導体レーザ１０１
から出射したレーザビームは光ヘッド１０２によって光
磁気ディスク１０３の記録膜１０４に焦結される。記録
膜１０４は未記録状態では膜面に対して垂直方向、例え
ばレーザビームの入射側がＮ極を向く磁化を持ってい
る。
の実施例について図面を参照しながら説明する。図１４
は、本発明の光変調方式の光磁気ディスク装置の一実施
例を示したものである。１０１は半導体レーザ、１０２
は光ヘッド、１０３は光磁気ディスク、１０４は記録
膜、１０５はバイアス磁界装置、１０６は光磁気再生信
号、１０９は二値化回路、１１０は再生信号、１１１は
半導体レーザ駆動回路、１１２はバイアス磁界制御信
号、１１３は記録、再生、消去切り換え信号、１１４は
記録信号、１１５はＣＰＵである。半導体レーザ１０１
から出射したレーザビームは光ヘッド１０２によって光
磁気ディスク１０３の記録膜１０４に焦結される。記録
膜１０４は未記録状態では膜面に対して垂直方向、例え
ばレーザビームの入射側がＮ極を向く磁化を持ってい
る。
【００３６】再生はＣＰＵ１１５が半導体レーザ駆動回
路１１１に記録再生消去切り換え信号１１３を送り、記
録膜１０４がキュリー点以上の温度にならない十分低い
光出力に半導体レーザ１０１を制御し、レーザビームを
記録膜１０４に照射する。入射したレーザビームの偏光
は記録膜１０４で反射する際に、磁化された記録膜１０
４との相互作用により回転する。記録と未記録の磁界方
向が異なるため、レーザビームの偏光の回転方向が異な
る。この偏光の回転量を光ヘッド１０２で検出し、光磁
気再生信号１０６を得る。その後二値化回路１０９で二
値化し、ＣＰＵ１１５が読み取り、記録された信号を再
生する。
路１１１に記録再生消去切り換え信号１１３を送り、記
録膜１０４がキュリー点以上の温度にならない十分低い
光出力に半導体レーザ１０１を制御し、レーザビームを
記録膜１０４に照射する。入射したレーザビームの偏光
は記録膜１０４で反射する際に、磁化された記録膜１０
４との相互作用により回転する。記録と未記録の磁界方
向が異なるため、レーザビームの偏光の回転方向が異な
る。この偏光の回転量を光ヘッド１０２で検出し、光磁
気再生信号１０６を得る。その後二値化回路１０９で二
値化し、ＣＰＵ１１５が読み取り、記録された信号を再
生する。
【００３７】次にイレーズアフターリードの動作につい
て説明する。消去を光磁気ディスク１０３の記録膜１０
４への半導体レーザ１０１の高パワー照射によって行う
際に、再生と同様に記録膜１０４からの反射光を光ヘッ
ド１０２で検出し、光磁気再生信号１０６を得る。この
信号を二値化回路１０９で二値化し、ＣＰＵ１１５が読
み取ることにより、消去と同時に既に記録されている記
録信号の再生を行い、イレーズアフターリードを行う。
て説明する。消去を光磁気ディスク１０３の記録膜１０
４への半導体レーザ１０１の高パワー照射によって行う
際に、再生と同様に記録膜１０４からの反射光を光ヘッ
ド１０２で検出し、光磁気再生信号１０６を得る。この
信号を二値化回路１０９で二値化し、ＣＰＵ１１５が読
み取ることにより、消去と同時に既に記録されている記
録信号の再生を行い、イレーズアフターリードを行う。
【００３８】これらの各動作を示す原理、フローチャー
トは図２、６、７で上記で説明した内容と同じである。
トは図２、６、７で上記で説明した内容と同じである。
【００３９】いずれの場合も上記動作によって読み出さ
れた情報は、必要に応じて、前記ＣＰＵ１４、または１
１５内のメモリもしくは独立したメモリに一時的に蓄え
られる。その後トラック飛びなどの誤動作や、誤操作と
確認された場合は同じ場所に再度記録するか、同一ブロ
ックの内容を再度読み出して別の場所に記録し直すこと
によって、必要な情報を簡単に修復することができる。
れた情報は、必要に応じて、前記ＣＰＵ１４、または１
１５内のメモリもしくは独立したメモリに一時的に蓄え
られる。その後トラック飛びなどの誤動作や、誤操作と
確認された場合は同じ場所に再度記録するか、同一ブロ
ックの内容を再度読み出して別の場所に記録し直すこと
によって、必要な情報を簡単に修復することができる。
【００４０】また、上記の誤操作による修復動作は、操
作者による確認などが必要なため時間を要する。そのた
め、上記の修復動作の動作、不動差を選択できるように
してもよい。
作者による確認などが必要なため時間を要する。そのた
め、上記の修復動作の動作、不動差を選択できるように
してもよい。
【００４１】以上のように本発明の実施例の光磁気ディ
スク装置によれば、半導体レーザと磁界変調によって情
報が記録または消去される光磁気ディスクと、前記半導
体レーザの出射光を前記光磁気ディスクの記録膜面上に
焦結させた１つのレーザスポットで情報の記録、再生ま
たは消去を行う光ヘッドと、信号分離回路と、前記信号
分離回路の出力を二値化する二値化回路と、前記半導体
レーザの光出力を記録、再生または消去動作に応じて制
御する半導体レーザ駆動回路と、記録、消去動作に応じ
て前記光磁気ディスクの記録膜にバイアス磁界を与える
バイアス磁界手段と、前記各構成要素の動作を制御する
制御回路とを備え、前記レーザスポットを光磁気ディス
クに連続照射して記録または消去を行うとき、前記信号
分離回路が記録または消去光の反射光で得られる光磁気
再生信号を入力し、すでに記録されている情報の信号成
分を分離して出力することで、光ディスク上の記録前ま
たは消去前の記録済み情報を、記録または消去と同時に
読み取るようにした光磁気ディスク装置とすることによ
り、光磁気ディスクの回転待ちなしにライトアフターリ
ードおよびイレーズアフターリードができ、高速で誤動
作時などの情報の保護を実現した信頼性の高い光磁気デ
ィスク装置を実現できる。光変調によって情報の記録を
行なう光磁気ディスク装置の消去時も同様である。
スク装置によれば、半導体レーザと磁界変調によって情
報が記録または消去される光磁気ディスクと、前記半導
体レーザの出射光を前記光磁気ディスクの記録膜面上に
焦結させた１つのレーザスポットで情報の記録、再生ま
たは消去を行う光ヘッドと、信号分離回路と、前記信号
分離回路の出力を二値化する二値化回路と、前記半導体
レーザの光出力を記録、再生または消去動作に応じて制
御する半導体レーザ駆動回路と、記録、消去動作に応じ
て前記光磁気ディスクの記録膜にバイアス磁界を与える
バイアス磁界手段と、前記各構成要素の動作を制御する
制御回路とを備え、前記レーザスポットを光磁気ディス
クに連続照射して記録または消去を行うとき、前記信号
分離回路が記録または消去光の反射光で得られる光磁気
再生信号を入力し、すでに記録されている情報の信号成
分を分離して出力することで、光ディスク上の記録前ま
たは消去前の記録済み情報を、記録または消去と同時に
読み取るようにした光磁気ディスク装置とすることによ
り、光磁気ディスクの回転待ちなしにライトアフターリ
ードおよびイレーズアフターリードができ、高速で誤動
作時などの情報の保護を実現した信頼性の高い光磁気デ
ィスク装置を実現できる。光変調によって情報の記録を
行なう光磁気ディスク装置の消去時も同様である。
【００４２】さらに、一つの半導体レーザと１つのレー
ザビームで済むため、現行の記録再生消去の方式を変え
ることがなく、従来の光学系、回路系を使うことがで
き、低コストの光磁気ディスク装置が容易に実現でき
る。
ザビームで済むため、現行の記録再生消去の方式を変え
ることがなく、従来の光学系、回路系を使うことがで
き、低コストの光磁気ディスク装置が容易に実現でき
る。
【００４３】なお本発明は、ディスク状の記録媒体を用
いた、記録再生装置について説明したが、これに限定さ
れるもので無く、カード状やテープ状の記録媒体を用い
た装置に応用できる事は自明である。
いた、記録再生装置について説明したが、これに限定さ
れるもので無く、カード状やテープ状の記録媒体を用い
た装置に応用できる事は自明である。
【００４４】
【発明の効果】以上の実施例から明かなように、本発明
は、半導体レーザと磁界変調または光変調によって情報
が記録または消去される光磁気ディスクと、前記半導体
レーザの出射光を前記光磁気ディスクの記録膜面上に焦
結させた１つのレーザスポットで情報の記録、再生また
は消去を行う光ヘッドと、信号分離回路と、前記信号分
離回路の出力を二値化する二値化回路と、前記半導体レ
ーザの光出力を記録、再生または消去動作に応じて制御
する半導体レーザ駆動回路と、記録、消去動作に応じて
前記光磁気ディスクの記録膜にバイアス磁界を与えるバ
イアス磁界手段と、前記各構成要素の動作を制御する制
御回路とを備え、前記レーザスポットを光磁気ディスク
に連続照射して記録または消去を行うとき、前記信号分
離回路が記録または消去光の反射光で得られる光磁気再
生信号を入力し、すでに記録されている情報の信号成分
を分離して出力することで、光ディスク上の記録前また
は消去前の記録済み情報を、記録または消去と同時に読
み取るようにした光磁気ディスク装置とすることによ
り、光磁気ディスクの回転待ちなしにライトアフターリ
ードおよびイレーズアフターリードができ、高速で誤動
作時などの情報の保護を実現した信頼性の高い光磁気デ
ィスク装置を実現できる。さらに、一つの半導体レーザ
と１つのレーザビームで済むため、現行の記録再生消去
の方式を変えることがなく、従来の光学系、回路系を使
うことができ、低コストの光磁気ディスク装置が容易に
実現できるものである。
は、半導体レーザと磁界変調または光変調によって情報
が記録または消去される光磁気ディスクと、前記半導体
レーザの出射光を前記光磁気ディスクの記録膜面上に焦
結させた１つのレーザスポットで情報の記録、再生また
は消去を行う光ヘッドと、信号分離回路と、前記信号分
離回路の出力を二値化する二値化回路と、前記半導体レ
ーザの光出力を記録、再生または消去動作に応じて制御
する半導体レーザ駆動回路と、記録、消去動作に応じて
前記光磁気ディスクの記録膜にバイアス磁界を与えるバ
イアス磁界手段と、前記各構成要素の動作を制御する制
御回路とを備え、前記レーザスポットを光磁気ディスク
に連続照射して記録または消去を行うとき、前記信号分
離回路が記録または消去光の反射光で得られる光磁気再
生信号を入力し、すでに記録されている情報の信号成分
を分離して出力することで、光ディスク上の記録前また
は消去前の記録済み情報を、記録または消去と同時に読
み取るようにした光磁気ディスク装置とすることによ
り、光磁気ディスクの回転待ちなしにライトアフターリ
ードおよびイレーズアフターリードができ、高速で誤動
作時などの情報の保護を実現した信頼性の高い光磁気デ
ィスク装置を実現できる。さらに、一つの半導体レーザ
と１つのレーザビームで済むため、現行の記録再生消去
の方式を変えることがなく、従来の光学系、回路系を使
うことができ、低コストの光磁気ディスク装置が容易に
実現できるものである。
【００４５】上記したように、記録、消去時は必ずライ
トアフターリードまたはイレーズアフターリードで行
い、読みとった情報を制御回路に記憶しておき、記録、
消去をその情報の位置する場所に行うことが誤りであっ
た場合、あるいは記録、消去中に誤動作が生じた場合で
も、記憶した情報を再び光磁気ディスクに記録すること
により記録情報の修復を行うことができるものである。
トアフターリードまたはイレーズアフターリードで行
い、読みとった情報を制御回路に記憶しておき、記録、
消去をその情報の位置する場所に行うことが誤りであっ
た場合、あるいは記録、消去中に誤動作が生じた場合で
も、記憶した情報を再び光磁気ディスクに記録すること
により記録情報の修復を行うことができるものである。
【図１】本発明の一実施例の光磁気ディスク装置の構成
を示すブロック図
を示すブロック図
【図２】ライトアフターリードまたはイレーズアフター
リード動作時における記録膜の状態を示す説明図
リード動作時における記録膜の状態を示す説明図
【図３】記録時における光磁気再生信号の状態を示す説
明図
明図
【図４】本発明の一実施例の光磁気ディスク装置におけ
る信号分離回路の構成を示すブロック図
る信号分離回路の構成を示すブロック図
【図５】本発明の一実施例の光磁気ディスク装置のライ
トアフターリードの動作を示すフローチャート
トアフターリードの動作を示すフローチャート
【図６】本発明の一実施例の光磁気ディスク装置におけ
る光磁気再生信号の状態を示す説明図
る光磁気再生信号の状態を示す説明図
【図７】本発明の一実施例の光磁気ディスク装置のイレ
ーズアフターリードの動作を示すフローチャート
ーズアフターリードの動作を示すフローチャート
【図８】従来の一般的な光磁気ディスク装置の構成を示
すブロック図
すブロック図
【図９】従来の光磁気ディスク装置のイレーズアフター
リードの動作を示すフローチャート
リードの動作を示すフローチャート
【図１０】従来の光磁気ディスク装置のライトアフター
リードの動作を示すフローチャート
リードの動作を示すフローチャート
【図１１】従来の光磁気ディスク装置における２つの半
導体レーザを用いた光ヘッドの構成を示す説明図
導体レーザを用いた光ヘッドの構成を示す説明図
【図１２】従来の光磁気ディスク装置における２ビーム
半導体レーザを用いた光ヘッドの構成を示す説明図
半導体レーザを用いた光ヘッドの構成を示す説明図
【図１３】従来の光磁気ディスク装置における回折格子
を用いた光ヘッドの構成を示す説明図
を用いた光ヘッドの構成を示す説明図
【図１４】 本発明の一実施例の光磁気ディスク装置の
構成を示すブロック図
構成を示すブロック図
【図１５】 従来の一般的な光磁気ディスク装置の構成
を示すブロック図
を示すブロック図
１ 半導体レーザ ２ 光ヘッド ３ 光磁気ディスク ４ 記録膜 ５ バイアス磁界装置（バイアス磁界手段） ６ 光磁気再生信号 ７ 信号分離回路 ９ 二値化回路 １１ 半導体レーザ駆動回路 １４ ＣＰＵ（制御回路） １０１ 半導体レーザ １０２ 光ヘッド １０３ 光磁気ディスク １０４ 記録膜 １０５ バイアス磁界装置 １０６ 光磁気再生信号 １０９ 二値化回路 １１１ 半導体レーザ駆動回路 １１５ ＣＰＵ（制御回路）
Claims (9)
- 【請求項１】 半導体レーザと磁界変調によって情報が
記録または消去される光磁気ディスクと、前記半導体レ
ーザの出射光を前記光磁気ディスクの記録膜面上に焦結
させた１つのレーザスポットで情報の記録、再生または
消去を行う光ヘッドと、信号分離回路と、前記信号分離
回路の出力を二値化する二値化回路と、前記半導体レー
ザの光出力を記録、再生または消去動作に応じて制御す
る半導体レーザ駆動回路と、記録、消去動作に応じて前
記光磁気ディスクの記録膜にバイアス磁界を与えるバイ
アス磁界手段と、前記各構成要素の動作を制御する制御
回路とを備え、前記レーザスポットを光磁気ディスクに
連続照射して記録または消去を行うとき、前記信号分離
回路が記録または消去光の反射光で得られる光磁気再生
信号を入力し、すでに記録されている情報の信号成分を
分離して出力することで、光ディスク上の記録前または
消去前の記録済み情報を、記録または消去と同時に読み
取るようにした光磁気ディスク装置。 - 【請求項２】 信号分離回路が、記録信号を入力して疑
似光磁気再生信号を発生する疑似光磁気再生信号生成回
路と、前記疑似光磁気再生信号と光磁気再生信号とを入
力してその差をとる減算回路とを備え、前記差の信号に
より前記光磁気再生信号からすでに記録されていた情報
の信号を分離して出力するようにした請求項１記載の光
磁気ディスク装置。 - 【請求項３】 疑似光磁気再生信号生成回路をバイアス
磁界装置、記録膜、光学ヘッドの伝達特性を等価的に実
現したフィルタで構成した請求項２記載の光磁気ディス
ク装置。 - 【請求項４】 疑似光磁気再生信号生成回路の特性を記
録時と再生時とで切り替える構成とした請求項２記載の
光磁気ディスク装置。 - 【請求項５】 読み出した記録前または消去前の情報の
二値化回路出力を記録または消去動作が終了した後も一
定時間以上、制御回路に記憶する構成とした請求項１記
載の光磁気ディスク装置。 - 【請求項６】 制御回路に記憶した記録前または消去前
の情報を必要に応じて光磁気ディスクに再記録する構成
とした請求項５記載の光磁気ディスク装置。 - 【請求項７】 半導体レーザと、光変調によって記録、
消去を行う光磁気ディスクと、前記半導体レーザの出射
光を前記光磁気ディスクの記録膜面上に焦結させ記録、
消去、再生を行う光ヘッドと、前記光ヘッドの出力を二
値化する二値化回路と、前記半導体レーザを記録、再
生、消去に応じて光出力制御を行う半導体レーザ駆動回
路と、前記光磁気ディスクの記録膜へのバイアス磁界を
記録、消去に応じて与えるバイアス磁界装置と、前記構
成要素を制御する制御回路を備え、光磁気ディスクへの
半導体レーザの連続照射によって消去を行う際に、前記
光磁気ディスクによる反射光を前記光ヘッドで検出し、
前記光ヘッドで得られる光磁気再生信号を前記二値化回
路で二値化し、前記制御回路が読み取ることにより、光
ディスク上の消去前情報の読み取りを行うことを特徴と
する光磁気ディスク装置。 - 【請求項８】 前記二値化回路の出力を消去動作が終了
した後も一定時間以上メモリ回路に記憶することを特徴
とする請求項７記載の光磁気ディスク装置。 - 【請求項９】 前記制御回路内に記憶した情報を必要に
応じ、再度前記光磁気ディスクに記録することを特徴と
する請求項７記載の光磁気ディスク装置。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10260092A JP3412163B2 (ja) | 1991-05-24 | 1992-04-22 | 光磁気ディスク装置 |
| EP97102975A EP0784317B1 (en) | 1991-05-24 | 1992-05-22 | Magneto-optic disk apparatus |
| EP92304679A EP0515219B1 (en) | 1991-05-24 | 1992-05-22 | Magneto-optic disk apparatus |
| US07/888,547 US5420835A (en) | 1991-05-24 | 1992-05-22 | Magneto-optic disk apparatus |
| DE69221939T DE69221939T2 (de) | 1991-05-24 | 1992-05-22 | Gerät für magnetooptische Platte |
| DE69230600T DE69230600T2 (de) | 1991-05-24 | 1992-05-22 | Gerät für magnetooptische Platte |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11983891 | 1991-05-24 | ||
| JP3-119838 | 1991-05-24 | ||
| JP10260092A JP3412163B2 (ja) | 1991-05-24 | 1992-04-22 | 光磁気ディスク装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05114183A true JPH05114183A (ja) | 1993-05-07 |
| JP3412163B2 JP3412163B2 (ja) | 2003-06-03 |
Family
ID=26443284
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10260092A Expired - Fee Related JP3412163B2 (ja) | 1991-05-24 | 1992-04-22 | 光磁気ディスク装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5420835A (ja) |
| EP (2) | EP0515219B1 (ja) |
| JP (1) | JP3412163B2 (ja) |
| DE (2) | DE69230600T2 (ja) |
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|---|---|---|---|---|
| EP0523944A3 (en) * | 1991-07-16 | 1994-02-16 | Canon Kk | Magneto optical recording medium and method |
| JPH0612719A (ja) * | 1992-06-29 | 1994-01-21 | Canon Inc | 光ヘッド及び情報読取装置 |
| JPH09306030A (ja) * | 1996-05-10 | 1997-11-28 | Sony Corp | 記録媒体 |
| JPH10283653A (ja) * | 1997-04-04 | 1998-10-23 | Victor Co Of Japan Ltd | 光情報記録再生装置及び光記録媒体 |
| US7133233B1 (en) * | 2000-10-24 | 2006-11-07 | Maxtor Corporation | Disk drive with read while write capability |
| DE102004010707B4 (de) | 2004-03-04 | 2013-08-22 | Austriamicrosystems Ag | Energiezähleranordnung und Verfahren zum Kalibrieren |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2574765B2 (ja) * | 1986-07-09 | 1997-01-22 | 株式会社日立製作所 | 光磁気デイスク装置 |
| US4754446A (en) * | 1987-01-23 | 1988-06-28 | General Electric Company | Optical recording system using refracted write beam for erasing |
| KR910003039B1 (ko) * | 1987-01-26 | 1991-05-17 | 가부시기가이샤 히다찌세이사꾸쇼 | 정보의 기록 재생 방법 |
| JPH01229446A (ja) * | 1988-03-09 | 1989-09-13 | Hitachi Maxell Ltd | 光磁気記録装置 |
| US4991158A (en) * | 1988-03-11 | 1991-02-05 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Optical information recording and reproducing apparatus |
| US4941139A (en) * | 1988-09-02 | 1990-07-10 | International Business Machines Corporation | Checking media operations and recording during optical recording |
| US5204847A (en) * | 1989-11-20 | 1993-04-20 | International Business Machines Corporation | Sensing previously-recorded information while recording or erasing a magnetooptic storage number |
| CA2026740C (en) * | 1989-11-20 | 1995-08-29 | Morovat Tayefeh | Sensing previously-recorded information while recording or erasing a magnetooptic storage number |
-
1992
- 1992-04-22 JP JP10260092A patent/JP3412163B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1992-05-22 DE DE69230600T patent/DE69230600T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1992-05-22 DE DE69221939T patent/DE69221939T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1992-05-22 US US07/888,547 patent/US5420835A/en not_active Expired - Lifetime
- 1992-05-22 EP EP92304679A patent/EP0515219B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1992-05-22 EP EP97102975A patent/EP0784317B1/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
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| EP0784317B1 (en) | 2000-01-19 |
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| EP0784317A2 (en) | 1997-07-16 |
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|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |