JPH05110203A - 半導体レーザ装置およびその製造方法 - Google Patents
半導体レーザ装置およびその製造方法Info
- Publication number
- JPH05110203A JPH05110203A JP29850791A JP29850791A JPH05110203A JP H05110203 A JPH05110203 A JP H05110203A JP 29850791 A JP29850791 A JP 29850791A JP 29850791 A JP29850791 A JP 29850791A JP H05110203 A JPH05110203 A JP H05110203A
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- Japan
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- semiconductor laser
- solder
- laser device
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 半導体レーザの組立に際してのハンダの盛り
上がりによる短絡を防止すること。 【構成】 サブマウント１０上にハンダに対しぬれ性の
ない材質からなるスペーサ２１を設け、このスペーサの
内側に設けたハンダ１１により、発光面を下にして半導
体レーザ素子１２をサブマウント１０上に接着する。 【効果】 半導体レーザの組立に際してのハンダの盛り
上がりによる短絡を防止することができる。
上がりによる短絡を防止すること。 【構成】 サブマウント１０上にハンダに対しぬれ性の
ない材質からなるスペーサ２１を設け、このスペーサの
内側に設けたハンダ１１により、発光面を下にして半導
体レーザ素子１２をサブマウント１０上に接着する。 【効果】 半導体レーザの組立に際してのハンダの盛り
上がりによる短絡を防止することができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は半導体レーザ装置及び
その製造法に関するものである。
その製造法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図４は従来の半導体レーザ装置の構成を
示す模式図である。図において、１０は半導体装置を固
定するサブマウント、１１はサブマウント１０と半導体
装置を接着するハンダ、１２は半導体装置である半導体
レーザ素子、１３は発光出力、１５は発光端面を覆って
いる絶縁性の保護膜である。１６はレーザ発光を起こさ
せるためのダブルヘテロ構造である。
示す模式図である。図において、１０は半導体装置を固
定するサブマウント、１１はサブマウント１０と半導体
装置を接着するハンダ、１２は半導体装置である半導体
レーザ素子、１３は発光出力、１５は発光端面を覆って
いる絶縁性の保護膜である。１６はレーザ発光を起こさ
せるためのダブルヘテロ構造である。
【０００３】このように構成された半導体レーザ装置は
次のようにして製造される。サブマウント１０上にハン
ダ１１が供給され、これが加熱されて半導体レーザ素子
１２がその上に定位置にて置かれ、冷却されて接着され
る。
次のようにして製造される。サブマウント１０上にハン
ダ１１が供給され、これが加熱されて半導体レーザ素子
１２がその上に定位置にて置かれ、冷却されて接着され
る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来の半導体レーザ装
置は以上のように構成されているので、図５に示すよう
に、絶縁膜のついていないダブルヘテロ構造の周囲にハ
ンダ１１が盛り上がり、レーザ発光を起こさせるための
ダブルヘテロ構造１６を１７に示すように短絡してしま
うなどの問題点があった。
置は以上のように構成されているので、図５に示すよう
に、絶縁膜のついていないダブルヘテロ構造の周囲にハ
ンダ１１が盛り上がり、レーザ発光を起こさせるための
ダブルヘテロ構造１６を１７に示すように短絡してしま
うなどの問題点があった。
【０００５】この発明は上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、半導体レーザ装置を組み立てた
後に、ハンダによるダブルヘテロ構造の短絡を起こすこ
とのない半導体レーザ装置を得ることを目的としてい
る。
ためになされたもので、半導体レーザ装置を組み立てた
後に、ハンダによるダブルヘテロ構造の短絡を起こすこ
とのない半導体レーザ装置を得ることを目的としてい
る。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この発明に係る半導体レ
ーザ装置及びその製造方法は、ハンダがぬれない材質で
サブマウント上にスペーサを設け、スペーサの内側にハ
ンダを流し込み、上記ハンダにより、発光面を下にした
半導体レーザ素子をサブマウント上に接着するようにし
たものである。
ーザ装置及びその製造方法は、ハンダがぬれない材質で
サブマウント上にスペーサを設け、スペーサの内側にハ
ンダを流し込み、上記ハンダにより、発光面を下にした
半導体レーザ素子をサブマウント上に接着するようにし
たものである。
【０００７】
【作用】この発明における半導体レーザ装置及びその製
造方法においては接着時のハンダの盛り上がりによる半
導体レーザ素子のダブルヘテロ構造の短絡を防ぐように
したので、組立作業による半導体素子の短絡が抑制され
る。
造方法においては接着時のハンダの盛り上がりによる半
導体レーザ素子のダブルヘテロ構造の短絡を防ぐように
したので、組立作業による半導体素子の短絡が抑制され
る。
【０００８】
【実施例】以下、この発明の一実施例を図について説明
する。図１において、２１はハンダに対しぬれ性のない
ポリイミドで作られたスペーサ、１１はハンダ、１０は
サブマウントである。図２に示すように、スペーサの内
側にハンダが供給され、図３に示すようにハンダ１１に
より、半導体レーザ素子１２が発光面を下にして、サブ
マウント１０に接着される。
する。図１において、２１はハンダに対しぬれ性のない
ポリイミドで作られたスペーサ、１１はハンダ、１０は
サブマウントである。図２に示すように、スペーサの内
側にハンダが供給され、図３に示すようにハンダ１１に
より、半導体レーザ素子１２が発光面を下にして、サブ
マウント１０に接着される。
【０００９】このように本実施例の半導体レーザ装置で
は、スペーサ２１内のハンダ１１により、半導体レーザ
素子１２とサブマウント１０が接着されており、組立時
にポリイミドで作られたスペーサ２１上にはハンダが存
在しない。従ってダブルヘテロ構造１６のハンダによる
短絡が生じることはなくなり、組立による半導体素子の
短絡を防止できる。
は、スペーサ２１内のハンダ１１により、半導体レーザ
素子１２とサブマウント１０が接着されており、組立時
にポリイミドで作られたスペーサ２１上にはハンダが存
在しない。従ってダブルヘテロ構造１６のハンダによる
短絡が生じることはなくなり、組立による半導体素子の
短絡を防止できる。
【００１０】なお、上記実施例では、サブマウントと半
導体レーザ素子との間のスペーサの材質をポリイミドと
したが、これはモリブデンであってもよく、上記実施例
と同様の効果を奏する。
導体レーザ素子との間のスペーサの材質をポリイミドと
したが、これはモリブデンであってもよく、上記実施例
と同様の効果を奏する。
【００１１】
【発明の効果】以上のように、この発明によれば、ハン
ダに対しぬれ性のない材質でできたスペーサを介して、
ハンダによりダブルヘテロ領域を下方にした半導体レー
ザ素子を台座に接着するようにしたので、組立時のハン
ダの盛り上がりによるダブルヘテロ構造の短絡が生じる
ことがないという効果がある。
ダに対しぬれ性のない材質でできたスペーサを介して、
ハンダによりダブルヘテロ領域を下方にした半導体レー
ザ素子を台座に接着するようにしたので、組立時のハン
ダの盛り上がりによるダブルヘテロ構造の短絡が生じる
ことがないという効果がある。
【図１】この発明の一実施例による半導体レーザ装置の
組立前の斜視図。
組立前の斜視図。
【図２】この発明の一実施例による半導体レーザ装置を
組立中の斜視図。
組立中の斜視図。
【図３】この発明の一実施例による半導体レーザ装置の
側面図。
側面図。
【図４】従来の半導体レーザ装置を示す斜視図。
【図５】従来の半導体レーザ装置を示す側面図。
１０ サブマウント １１ ハンダ １２ 半導体レーザ素子 １３ レーザ発光出力 １５ 絶縁保護膜 １６ ダブルヘテロ領域 １７ ハンダの盛り上がり ２１ ポリイミド製のスペーサ
Claims (4)
- 【請求項１】 半導体レーザ装置において、 台座上に載置されたハンダに対してぬれ性のない材質か
らなるコの字型のスペーサと、 前記スペーサの内側に設けたハンダにより、発光面を下
方にして上記台座に接着された、端面を劈開してなる半
導体レーザダイオードとを備えたことを特徴とする半導
体レーザ装置。 - 【請求項２】 台座上にハンダに対してぬれ性のない材
質からなるコの字型のスペーサを載置し、 前記スペーサの内側にハンダを流し込み、 前記ハンダにより、端面を劈開してなる半導体レーザダ
イオードを発光面を下方にして台座に接着することを特
徴とする半導体レーザ装置の製造方法。 - 【請求項３】 上記スペーサの材質をポリイミドとした
ことを特徴とする請求項１記載の半導体レーザ装置。 - 【請求項４】 上記スペーサの材質をモリブデンとした
ことを特徴とする請求項１記載の半導体レーザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29850791A JPH05110203A (ja) | 1991-10-15 | 1991-10-15 | 半導体レーザ装置およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29850791A JPH05110203A (ja) | 1991-10-15 | 1991-10-15 | 半導体レーザ装置およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05110203A true JPH05110203A (ja) | 1993-04-30 |
Family
ID=17860614
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29850791A Pending JPH05110203A (ja) | 1991-10-15 | 1991-10-15 | 半導体レーザ装置およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05110203A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007157961A (ja) * | 2005-12-05 | 2007-06-21 | Sony Corp | 半導体レーザ装置の製造方法および半導体レーザ装置 |
| JP2010074195A (ja) * | 2002-03-28 | 2010-04-02 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | 支持体上にフリップ−チップ−マウンティングするための発光ダイオードチップ及びその製造方法 |
| JP2010171047A (ja) * | 2009-01-20 | 2010-08-05 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザ装置 |
| EP2053709B1 (de) * | 2007-10-22 | 2012-08-01 | TRUMPF Laser GmbH + Co. KG | Lager für optische Bauteile |
| JP2013526032A (ja) * | 2010-04-23 | 2013-06-20 | セミコン・ライト・カンパニー・リミテッド | 化合物半導体発光素子 |
| US8625646B2 (en) | 2010-04-07 | 2014-01-07 | Mitsubishi Electric Corporation | Semiconductor device |
| EP1939993B1 (en) * | 2006-12-28 | 2018-02-28 | A.L.M.T. Corp. | Heat spreader and semiconductor device using the same |
-
1991
- 1991-10-15 JP JP29850791A patent/JPH05110203A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010074195A (ja) * | 2002-03-28 | 2010-04-02 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | 支持体上にフリップ−チップ−マウンティングするための発光ダイオードチップ及びその製造方法 |
| JP2007157961A (ja) * | 2005-12-05 | 2007-06-21 | Sony Corp | 半導体レーザ装置の製造方法および半導体レーザ装置 |
| EP1939993B1 (en) * | 2006-12-28 | 2018-02-28 | A.L.M.T. Corp. | Heat spreader and semiconductor device using the same |
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| JP2010171047A (ja) * | 2009-01-20 | 2010-08-05 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザ装置 |
| US8625646B2 (en) | 2010-04-07 | 2014-01-07 | Mitsubishi Electric Corporation | Semiconductor device |
| JP2013526032A (ja) * | 2010-04-23 | 2013-06-20 | セミコン・ライト・カンパニー・リミテッド | 化合物半導体発光素子 |
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