JPH05109840A - インナリ−ドボンデイング装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【構成】 半導体チップ３の電極とフィルムキャリア５
のインナ−リ−ド６とを熱接合するインナ−リ−ドボン
ディング装置１であって、下端部にボンディングツ−ル
８が設けられたボンディング部材７を直接下降駆動する
ボ−ルねじ機構３３と、上記ボンディングツ−ル８の下
端面８ａが上記インナ−リ−ド６に当接したことを検知
するひずみゲ−ジ３８と、上記インナ−リ−ド６の押圧
量を検出するリニアエンコ−ダ５１と、上記インナ−リ
−ド６が所定量押圧されたならば、上記ボンディングツ
−ル８の下降を機械的に固定するエアシリンダ５２と、
上記ボ−ルねじ機構３３やエアシリンダ５２を制御する
制御手段とを具備する。 【効果】 ボンディングツ−ルの変位量の制御が容易で
あるとともに、上記半導体チップの電極上に形成された
バンプを潰し過ぎることがないので、信頼性の高いイン
ナ−リ−ドボンディングを行うことができるという効果
がある。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、例えば、ＴＡＢ（Tape
Automated Bonnding ）の技術を利用して、フィルムキ
ャリアのインナ−リ−ドと半導体チップの電極とをバン
プを介して接続（ボンディング）するインナ−リ−ドボ
ンディング方法およびその装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】一般に、半導体装置の製造装置として図
５に示すようなインナリ−ドボンディング装置１が知ら
れている。すなわち、このインナリ−ドボンディング装
置１は、載置台２に載置された半導体チップ３に突設さ
れた電極用バンプ（以下、バンプと称する）４…と、キ
ャリアテ−プ５に形成されたインナリ−ド６…とを位置
合わせしたのち、加熱されて高温になったボンディング
ツ−ル８を下降させる。

【０００３】そして、インナリ−ドボンディング装置１
は、ボンディングツ−ル８の下端面８ａをインナリ−ド
６…に当接させ、インナリ−ド６…をボンディングツ−
ル８で押圧してバンプ４…に圧接させる。そして、イン
ナリ−ド６…をバンプ４…に熱圧着させ、インナリ−ド
６…とバンプ４…とを一括接続する。

【０００４】さらに、インナリ−ドボンディング装置１
は、キャリアテ−プ５を間欠的に走行させながら上述の
ボンディング動作を行い、キャリアテ−プ５に半導体チ
ップ３を順次装着する。

【０００５】また、上記ボンディングツ−ルを上下方向
に駆動する機構として、例えば、図６に示すようなもの
がある。この機構は特願昭６３−７８７４４号明細書に
示されているもので運動変換機構９を介してボンディン
グツ−ル８を昇降させるようにしたものである。

【０００６】つまり、このインナリ−ドボンディング装
置１は載置台２の上方に、ツ−ル保持部１０ならびに引
張りばね１１で昇降自在に支持されたボンディングツ−
ル８を設けている。また、ツ−ル保持部１０を支持した
Ｘ−Ｙ駆動部１２の上方の基台１３上に、出力軸に円板
状のカム１４が装着されたサ−ボモ−タ１５を配置し、
このカム１４と上記ボンディングツ−ル８とを上記運動
変換機構９を介して連結した構造にしている。

【０００７】具体的には、運動変換機構９は、サ−ボモ
−タ１５の出力軸の側に隣接して、カム１４と組合うカ
ムフォロア１６が取着された第１の揺動レバ−１７を設
けるとともに、その第１の揺動レバ−１７の作用点側に
クランク形状の第２の揺動レバ−１８を回動自在に枢支
している。

【０００８】そして、第２の揺動レバ−１８の力点側と
第１の揺動レバ−１７の力点側との間に、ツ−ル移動量
調節用のダンパ−手段となるエア−シリンダ１９を介在
した構造となっていて、カム１４がサ−ボモ−タ１５の
作動に追従して回転すれば、その運動が第１および第２
の揺動レバ−１７、１８の上下方向に沿う直線運動に変
換され、押圧棒２０を介してボンディングツ−ル８を下
降させて下端面８ａでインナリ−ド６…を半導体チップ
３のバンプ４…に押圧する。

【０００９】その後も揺動レバ−１７は所定量押し上げ
られ、その分、エア−シリンダ１９のロッドが沈み込ん
で、サ−ボモ−タ１５は停止する。そして、エアシリン
ダ１９内の圧力に応じた力でインナリ−ド６が押圧され
る。ここで、２１は押圧棒２０を昇降自在に支持する案
内体、２２は第１の揺動レバ−１７を支持する支柱であ
る。

【００１０】さらに、このインナリ−ドボンディング装
置１は、ボンディングツ−ル８に押し下げられたインナ
リ−ド６…が半導体チップ３のバンプ４…に当接したと
きを検出するギャップセンサ２３を有している。そし
て、ギャップセンサ２３の検出信号に基づいて前記サ−
ボモ−タ１５の回転速度を制御し、インナリ−ド６…が
バンプ４…に当接した時点から一定の時間が経過した後
に、前記ボンディングツ−ル８による押圧工程を終了さ
せている。

【００１１】また、このようなボンディング方式、即ち
ＴＡＢ(Tape Automated Bonding)では、銅にすずめっき
を施してなるインナリ−ド６…と金バンプとを、金−す
ず共晶合金化させて結合することが一般的に行われてい
るが、近年は、金バンプに代わってハンダバンプを採用
し、材料費を低減することが検討されている。

【００１２】

【発明が解決しようとする課題】ところで、上述のよう
な従来のインナリ−ドボンディング装置１では、サ−ボ
モ−タ１５の駆動力を運動変換機構９を介してボンディ
ングツ−ル８に伝達していたので、装置の構成が複雑で
部品数が多かった。さらに、サ−ボモ−タ１５とボンデ
ィングツ−ル８との間に運動変換機構９を介在させるこ
とにより、押圧状態でのボンディングツ−ル１８の下降
量の制御ができなかった。

【００１３】また、ハンダバンプを採用した場合には、
ハンダバンプを溶融させてインナリ−ド６…と接合する
ため、半導体チップ３の接続不良を生じ信頼性を低下さ
せてしまうことがある。つまり、ハンダバンプを採用し
た場合には、図７（ａ）に示すように、ボンディングツ
−ル８により加圧してインナリ−ド６…をハンダバンプ
４…に当接させたのち更にインナリ−ド６…の加圧を続
けると、時間の経過とともにハンダバンプ４が融点に達
して溶融する。

【００１４】しかし、サ−ボモ−タ１５が停止しても、
エアシリンダ１９が作用しているので、図７（ｂ）に示
すようにハンダバンプ４…が溶融することに伴い、ボン
ディングツ−ル８およびインナリ−ド６…が上記バンプ
を押し潰しながら一気に下降するいうことがある。

【００１５】上記ハンダバンプ４を押し潰し過ぎると、
押し潰されたハンダバンプ４が上記電極上から流れだ
し、隣り合う電極上のハンダバンプ４と接触して導電不
良（ショ−ト）が生じることがある。

【００１６】この発明は、上述のような事情に鑑みてな
されたもので、ボンディングツ−ルの制御が容易で、か
つ、バンプを押し潰し過ぎることがないインナリ−ドボ
ンディング装置を提供することを目的とするものであ
る。

【００１７】

【課題を解決するための手段】この発明の第１の手段
は、半導体チップの電極とフィルムキャリアに設けられ
た配線パタ−ンのインナ−リ−ドとを熱圧着するボンデ
ィングツ−ルを有するインナ−リ−ドボンディング装置
において、このボンディングツ−ルを上下方向に駆動し
変位させる駆動手段と、上記ボンディングツ−ルが上記
インナ−リ−ドと上記半導体チップの電極とを当接させ
たことを検知するボンディングツ−ル状態検出手段と、
このボンディングツ−ルの下降量を検出するボンディン
グツ−ル位置検出手段と、上記ボンディングツ−ルが上
記インナ−リ−ドおよび上記半導体チップを所定加圧力
で加圧しながら所定量変位したときに、上記ボンディン
グツ−ルをその位置で固定する固定手段とを有すること
を特徴とする。

【００１８】また、第２の手段は、上記ボンディングツ
−ル位置検出手段および上記ボンディングツ−ル状態検
出手段の出力に基づいて電気信号を駆動手段へ出力する
とともに、上記駆動手段へ出力する電気信号の大きさを
変化させてボンディングツ−ルの加圧力を調節する制御
部を設けたことを特徴とする。

【００１９】また、第３の手段は、上記ボンディングツ
−ル位置検出手段および上記ボンディングツ−ル状態検
出手段の出力に基づいて上記ボンディングツ−ルの変位
量を制御する制御部とを具備したことを特徴とする。

【００２０】

【作用】このような構成によれば、ボンディングツ−ル
を効率よく駆動できると共に、上記バンプが潰れすぎる
の有効に防止することができる。

【００２１】

【実施例】以下、この発明の一実施例の要部を図１〜図
３に基づいて説明する。なお、従来の技術の項で説明し
たものと重複するものについては同一番号を付し、その
説明は省略する。図１はこの発明の一実施例を示すもの
で、図中１はＴＡＢ(Tape AutomatedBonding)を採用し
たインナリ−ドボンディング装置を示している。

【００２２】このインナリ−ドボンディング装置１は、
Ｘ−Ｙ駆動部１２にツ−ル保持部１０´を介してボンデ
ィング部材７を昇降自在に保持している。また、このボ
ンディング部材７は、半導体チップ３を載置した載置台
２の略真上に配置されている。

【００２３】さらに、このボンディング部材７の上端部
は、上記Ｘ−Ｙ駆動部１２の上方に設けられた基台１３
の自由端部に取り付けられたブラケット３２によってス
ライド自在に保持されている。

【００２４】上記ブラケット３２には、駆動手段として
のボ−ルねじ機構３３が設けられている。このボ−ルね
じ機構３３は、このブラケット３２の上部に軸線を垂直
にして固定されたサ−ボモ−タ３１と、このサ−ボモ−
タ３１に軸線を一致させた状態で接続されかつ上記ブラ
ケット３２内に延出されたねじ軸３５と、このねじ軸３
５に回転自在に螺着され、上記サ−ボモ−タ３１が作動
し、上記ねじ軸３５が回転駆動されることによって上下
方向に変位するナット３４とから構成される。

【００２５】上記ナット３４は、上記ボンディング部材
７の上部に固定されている。すなわち、このボンディン
グ部材７は上記ボ−ルねじ機構３３が作動することで、
上下方向に変位し、このボンディング部材７の下端部に
同軸的に配置されたボンディングツ−ル８を上下方向に
変位させる。

【００２６】ここで、図中に１１で示すのは、その両端
部をツ−ル保持部１０´とボンディング部材７とにそれ
ぞれ接続した引張ばねである。この引張ばね１１は、上
記ボンディング部材７（ボンディングツ−ル８）を常に
上方に付勢した状態で保持している。

【００２７】また、上記ツ−ル保持部１０´と上記ボン
ディング部材７には互いの進退量を検出する第１のボン
ディングツ−ル位置検出手段としての例えばリニアエン
コ−ダ５１が設けられている。さらに、上記ツ−ル保持
部１０´には、駆動軸５２ａの端面で上記ボンディング
部材７を水平方向に加圧することで上記ボンディング部
材７を所定の位置で固定する固定手段としてのエアシリ
ンダ５２が設けられている。

【００２８】上記ボンディング部材７はボ−ルねじ機構
３３に駆動されて下降することによりボンディングツ−
ル８の下端面８ａを、載置台２の上方に供給されて停止
したインナリ−ド６…に接し、更にこのインナリ−ド６
…をキャリアテ−プ５とともに押し下げて上記半導体チ
ップ３の対応する電極用バンプ（以下、バンプと称す
る）４…に熱伝的に当接させる。そして、加熱されて高
温になったボンディングツ−ル８の加圧力と熱とによ
り、インナリ−ド６…とバンプ４…とを一括接続し、半
導体チップ３をキャリアテ−プ４に装着する。

【００２９】また、ボンディング部材７は、サ−ボモ−
タ３１に取付けられボ−ルねじ３５の回転量等を利用し
てボンディングツ−ル８の位置を知る第２のボンディン
グツ−ル位置検出手段としての位置検出器３７によりボ
ンディングツ−ル８の位置が検出されるようになってい
る。

【００３０】また、ボンディング部材７は、押圧棒２０
の外周面に、ボンディングツ−ル状態検出手段としての
ひずみゲ−ジ３８を取付けられており、このひずみゲ−
ジ３８によってボンディングツ−ル８がインナリ−ド５
…をバンプ３…に当接させているか否かが検出されるよ
うになっている。

【００３１】さらに、上記サ−ボモ−タ３１、ひずみゲ
−ジ３８、リニアエンコ−ダ５１、エアシリンダ５２
は、それぞれ、このインナ−リ−ドボンディング装置１
を制御する制御手段５３に接続されている。次に、この
制御手段５３を図２を参照して説明する。この制御手段
５３は、互いに接続された制御部４０、位置速度変換器
４１、コンパレ−タ４２、増幅器４６とを有する。

【００３２】上記位置検出器３７はサ−ボモ−タ３１の
駆動量からボンディングツ−ル８の位置を知り、ボンデ
ィングツ−ル８の位置と対応するフィ−ドバック信号３
９を、制御部４０と位置速度変換器４１とに出力する。
そして、制御部４０は、マイクロコンピュ−タにより、
位置検出器３７からのフィ−ドバック信号３９を参照し
てコンパレ−タ４２へ速度指令信号４３を出力する。

【００３３】さらに、コンパレ−タ４２は制御部４０か
らの速度指令信号４３と、位置速度変換器４１からの速
度フィ−ドバック信号４４とを比較し、電流指令信号４
５を増幅器４６へ発する。そして、増幅器４６により増
幅された電流４７がサ−ボモ−タ３１へ送られる。ま
た、上記制御部４０は、ひずみゲ−ジ３８の出力４８を
も受けるようになっている。

【００３４】さらに、上記制御部４０はリニアエンコ−
ダ５１からの位置検出信号５５をも受ける。そして、上
記制御部４０は上記リニアエンコ−ダ５１からの位置検
出信号５５に基づいて上記エアシリンダ５２に駆動信号
５６を出力し、上記ボンディング部材７を所定の位置で
固定するようこのエアシリンダ５２の駆動軸５２ａを突
出方向に作動させる。次に、上述の構成のインナリ−ド
ボンディング装置１の動作を図３を参照して説明する。

【００３５】図３中の（ａ）は、略１サイクルのボンデ
ィング作業におけるボンディングツ−ル８の昇降動作
（上記位置検出器３７で検出された上記ボンディング部
材７の変位）を表している。すなわち、ボンディングツ
−ル８は載置台２の上方で停止した状態から、サ−ボモ
−タ３１により駆動されインナリ−ド６…に向かって下
降を開始し、さらに、下降を開始した当初はＡで示すよ
うに高速で移動する。

【００３６】そして、ボンディングツ−ル８は、インナ
リ−ド６…をバンプ４…に当接させたときに下端面８ａ
が位置する平面、即ちボンディング面の幾分手前の部位
から上記ボンディング面に達するまでの間においては、
Ｂで示すようにそれ以前よりも低い値の等速運動を行い
ながら下降する。そして、ボンディングツ−ル８はボン
ディング面に達すると、インナリ−ド６…とバンプ３…
とが当接することによって、押圧棒２０とともに軸方向
に圧縮される。ここで、図３中の一点鎖線Ｃは上記ボン
ディング面の位置を示している。

【００３７】押圧棒２０が圧縮されると、図３中の
（ｂ）にＤで示すように、ひずみゲ−ジ３８の出力信号
４８が変化する。そして、ひずみゲ−ジ３８の出力信号
４８を入力される制御部４０は、この出力信号４８の変
化によってボンディングツ−ル８がボンディング面Ｃに
達したことを感知し、所定の加圧指令信号を出力する。

【００３８】これと同時に、上記リニアエンコ−ダ５１
は、図３（ｅ）に示すように、上記ツ−ル保持部１０´
と上記ボンディング部材７の相対位置関係の検知を開始
する。

【００３９】上記制御部４０から発せられた加圧指令信
号は、前記速度指令信号４３と同様に増幅器４６によっ
て増幅され、図３中の（Ｃ）に示すように、増幅された
加圧指令信号に応じた値の電流がサ−ボモ−タ３１に流
れる。そして、サ−ボモ−タ３１は、入力された電流に
応じたトルクを発生させ、ボ−ルねじ３５、ナット３
４、及び押圧棒２０を介してボンディングツ−ル８を、
インナリ−ド６…を加圧するよう動作させる。

【００４０】さらに、半導体チップ３のバンプ４…にハ
ンダを採用した場合には、ハンダバンプ４…がインナリ
−ド５…を介してボンディングツ−ル８に接すると、ボ
ンディングツ−ル８の加圧力と熱とにより、ハンダバン
プ４…が溶ける。そして、ハンダバンプ４…が溶け始め
ると、ボンディングツ−ル８が、ハンダバンプ４…の溶
融に伴って徐々に下降する。

【００４１】そして、上記制御部４０は、常時位置フィ
−ドバック信号３９およびリニアエンコ−ダ５１からの
位置検出信号を受けてボンディングツ−ル８の位置を監
視しており、ボンディングツ−ル８がボンディング面Ｃ
から所定距離ｆだけ下降した時に、加圧指令信号に代え
て加圧停止信号をサ−ボモ−タ３１の側へ出力する。こ
れと同時に、上記エアシリンダ５２に駆動信号を出力
し、上記駆動軸５２ａを突出方向に作動させ、上記ボン
ディング部材７をその位置で固定する。

【００４２】そして、制御部４０は、ボンディングツ−
ル８がボンディング面Ｃから所定距離ｆだけ下降した時
点から所定時間ｔが経過するまでボンディングツ−ル８
をその位置で保持した後、上記エアシリンダ５２に信号
を出力し、上記駆動軸５２ａを後退させて上記ボンディ
ング部材７の固定状態を解除する。

【００４３】ついで、上記制御部４０は図３（ａ）中に
Ｅで示すように、上記ボンディング部材７（ボンディン
グツ−ル８）を高速で下降当初と同等の速度で上昇させ
る。

【００４４】このような構成のインナリ−ドボンディン
グ装置１によれば、サ−ボモ−タ３１の駆動量をボ−ル
ねじ３５からナット３４へ直接的に伝達してボンディン
グ部材７を駆動しているから、構成を簡略化することが
でき、部品数を低減することができる。

【００４５】また、ボンディングツ−ル８がボンディン
グ面Ｃに達した後もボンディングツ−ル８の位置を監視
し、ボンディングツ−ル８の、ボンディング面Ｃに達し
てからの変位量を規制しているので、融点が比較的低い
ハンダバンプ４…を採用した場合に、ボンディングツ−
ル８がハンダバンプ４…の溶融に伴って過度に下降する
こと、及び、ハンダバンプ４…が潰れ過ぎることを防ぐ
ことができる。

【００４６】さらに、上記ボ−ルねじ機構３３に熱など
によって歪みが生じている場合にも、上記リニアエンコ
−ダ５１で実際の変位量を検知し、さらに、上記エアシ
リンダ５１で上記ボンディング部材７を機械的に固定す
るようにしているから、上記ボ−ルねじ機構３３に作動
誤差や歪み誤差が生じていても上記バンプ４を潰し過ぎ
ることがなく、より信頼性の高いインナ−リ−ドボンデ
ィングを行うことができる。

【００４７】これらのことにより、上記インナ−リ−ド
ボンディング装置１の構成を簡略化することができると
共に、バンプを過度に押し潰しすぎることが少ないの
で、接続不良の少ないインナ−リ−ドボンディングが効
率良く行える。

【００４８】また、上記一実施例中の説明から明らかな
ように、ボンディングツ−ル８の高速下降領域Ａ、低速
下降領域Ｂ、及び高速上昇領域Ｅの速度プロファイル、
ボンディングツ−ル８の高速下降領域Ａから低速下降領
域Ｂへ移行する位置ｍ、インナリ−ド６…およびバンプ
４…への加圧時の加圧力のプロファイル、ボンディング
ツ−ル８のボンディング面からの所定下降距離ｆ、およ
び、ボンディング時間ｔ等は、制御部４０により容易に
プログラムすることが可能である。

【００４９】なお、上記一実施例では、連続的に加熱さ
れるボンディングツ−ル８を用いたものについて説明し
たが、この発明はこれに限定されるものではなく、例え
ば、パルスヒ−トと呼ばれるもののように間欠的に急加
熱することが可能なボンディングツ−ル８を用い、ボン
ディングツ−ルがボンディング面に達してからボンディ
ングツ−ルの加熱を開始するようにしてもよい。

【００５０】そして、ハンダバンプ４…の溶融に伴いボ
ンディングツ−ル８が所定距離ｆだけ下降した後に加熱
を中止し、圧縮空気等を吹付けてボンディングツ−ル８
を急冷却し、ハンダバンプ４…を固めてからボンディン
グツ−ル８を上昇させるようにすれば、より安定したイ
ンナリ−ドボンディングを行うことができる。

【００５１】また、上記一実施例では、ボンディングツ
−ル状態検出手段としてひずみゲ−ジ３８を採用してい
るが、この他にもボンディングツ−ル状態検出手段とし
て例えばロ−ドセル等を採用してもよい。さらに、ボン
ディングツ−ル状態検出手段の取付け位置は、ボンディ
ングツ−ル８がボンディング面に到達したときに応力の
変化が生じる部位であればよく、取付け位置として押圧
棒２０の外に、例えば載置台２等が考えられる。

【００５２】また、上記一実施例ではボンディングツ−
ル位置検出手段としてリニアエンコ−ダ５１を用いた
が、上記ボンディング部材とツ−ル保持部１０´の微小
相対変位を検知できるセンサであれば他のものであって
も良い。

【００５３】さらに、上記一実施例では、固定手段とし
て、エアシリンダ５２を用いたが上記ボンディング部材
を固定することができるものであれば、例えば、油圧シ
リンダなどであっても良い。

【００５４】また、上記一実施例では、駆動手段として
ボ−ルねじ機構３３を用いたが、駆動手段として、例え
ば、図４に示すように、駆動手段としてリニアモ−タ５
６を採用し、このリニアモ−タ５６により押圧棒２１
（および、ボンディングツ−ル８）を直接駆動して昇降
させるとともに、押圧棒２０の位置をリニア位置検出器
５７で検出するようにしても良い。

【００５５】

【発明の効果】以上説明したように、この発明のインナ
−リ−ドボンディング装置は、半導体チップの電極とフ
ィルムキャリアに設けられた配線パタ−ンのインナ−リ
−ドとを熱圧着するボンディングツ−ルを有するインナ
−リ−ドボンディング装置において、このボンディング
ツ−ルを上下方向に駆動し変位させる駆動手段と、上記
ボンディングツ−ルが上記インナ−リ−ドと上記半導体
チップの電極とを当接させたことを検知するボンディン
グツ−ル状態検出手段と、このボンディングツ−ルの下
降量を検出するボンディングツ−ル位置検出手段と、上
記ボンディングツ−ルが上記インナ−リ−ドおよび上記
半導体チップを所定加圧力で加圧しながら所定量変位し
たときに、上記ボンディングツ−ルをその位置で固定す
る固定手段とを有する。

【００５６】また、上記ボンディングツ−ル位置検出手
段および上記ボンディングツ−ル状態検出手段の出力に
基づいて電気信号を駆動手段へ出力するとともに、上記
駆動手段へ出力する電気信号の大きさを変化させてボン
ディングツ−ルの加圧力を調節する制御部を設けた。

【００５７】また、上記ボンディングツ−ル位置検出手
段および上記ボンディングツ−ル状態検出手段の出力に
基づいて上記ボンディングツ−ルの変位量を制御する制
御部とを具備した。

【００５８】このような構成によれば、簡単な構成でボ
ンディングツ−ルの位置をおよび加圧力を制御でき、さ
らに、半導体チップの接続不良の発生を防止して信頼性
を向上できるという効果がある。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の一実施例を示す概略構成図。

【図２】同じく、制御回路を示すブロック図。

【図３】同じく、ボンディングツ−ルの昇降動作をひず
みゲ−ジの出力信号及びサ−ボモ−タの入力電流ととも
に示す線図。

【図４】他の実施例を示す概略構成図。

【図５】従来例を示す概略構成図。

【図６】同じく、側面図。

【図７】（ａ）はボンディングツ−ルがボンディング面
に到達した時の状態を拡大して示す同じく側面図、
（ｂ）はハンダバンプが溶融した時の状態を拡大して示
す同じく側面図。

【符号の説明】

１…インナリ−ドボンディング装置、３…半導体チッ
プ、４…電極用バンプ、６…インナリ−ド、７…ボンデ
ィング部材、８…ボンディングツ−ル、３３…ボ−ルね
じ機構（駆動手段）、３７…位置検出器（ボンディング
ツ−ル位置検出手段）、３８…ひずみゲ−ジ（ボンディ
ングツ−ル状態検出手段）、５１リニアエンコ−ダ（ボ
ンディングツ−ル位置検出手段）、５２エアシリンダ
（固定手段）、５３…制御手段。

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】半導体チップの電極とフィルムキャリアに
   設けられた配線パタ−ンのインナ−リ−ドとを熱圧着す
   るボンディングツ−ルを有するインナ−リ−ドボンディ
   ング装置において、 このボンディングツ−ルを上下方向に駆動し変位させる
   駆動手段と、上記ボンディングツ−ルが上記インナ−リ
   −ドと上記半導体チップの電極とを当接させたことを検
   知するボンディングツ−ル状態検出手段と、このボンデ
   ィングツ−ルの下降量を検出するボンディングツ−ル位
   置検出手段と、上記ボンディングツ−ルが上記インナ−
   リ−ドおよび上記半導体チップを所定加圧力で加圧しな
   がら所定量変位したときに、上記ボンディングツ−ルを
   その位置で固定する固定手段とを有することを特徴とす
   るインナ−リ−ドボンディング装置。
2. 【請求項２】 ボンディングツ−ル位置検出手段および
   ボンディングツ−ル状態検出手段の出力に基づいて電気
   信号を駆動手段へ出力するとともに、上記駆動手段へ出
   力する電気信号の大きさを変化させてボンディングツ−
   ルの加圧力を調節する制御手段を設けたことを特徴とす
   る請求項１記載のインナリ−ドボンディング装置。
3. 【請求項３】 上記ボンディングツ−ル位置検出手段お
   よび上記ボンディングツ−ル状態検出手段の出力に基づ
   いて上記ボンディングツ−ルの変位量を制御する制御手
   段を具備したことを特徴とする請求項２記載のインナ−
   リ−ドボンディング装置。