JPH05109716A - 化合物半導体素子の配線方法 - Google Patents
化合物半導体素子の配線方法Info
- Publication number
- JPH05109716A JPH05109716A JP29817191A JP29817191A JPH05109716A JP H05109716 A JPH05109716 A JP H05109716A JP 29817191 A JP29817191 A JP 29817191A JP 29817191 A JP29817191 A JP 29817191A JP H05109716 A JPH05109716 A JP H05109716A
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- JP
- Japan
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- compound semiconductor
- wiring
- etching
- etching surface
- semiconductor layer
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 化合物半導体素子の段差部分の上部と下部と
を接続するいかなる方向の配線においても、断線を防止
する。 【構成】 段差がある下部の化号物半導体層１と上部の
化号物半導体層２とを接続すべく、その段差部分に金属
配線３を設ける際に、順テーパ状のエッチング面1aと逆
テーパ状のエッチング面1bとを各段差部分に形成してお
く。金属配線３は順テーパ状のエッチング面1aと強固に
接続し、断線は生じない。
を接続するいかなる方向の配線においても、断線を防止
する。 【構成】 段差がある下部の化号物半導体層１と上部の
化号物半導体層２とを接続すべく、その段差部分に金属
配線３を設ける際に、順テーパ状のエッチング面1aと逆
テーパ状のエッチング面1bとを各段差部分に形成してお
く。金属配線３は順テーパ状のエッチング面1aと強固に
接続し、断線は生じない。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、化合物半導体素子の配
線方法に関し、特に段差がある上部及び下部の化合物半
導体を接続するための配線を行う方法に関するものであ
る。
線方法に関し、特に段差がある上部及び下部の化合物半
導体を接続するための配線を行う方法に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】多数の化合物半導体素子の作製工程にあ
っては、エピタキシャル結晶成長によって動作層を形成
する場合に、素子間分離を行うべく素子作製領域以外の
動作層のエッチングを行う。この場合、エッチング断面
がメサ状をなすメサエッチングが行われる。その後、電
極などを形成して各素子を作製するが、上記エッチング
により生じたエッチング面（段差面）上に、段差部分の
上部及び下部の化合物半導体を接続するための金属配線
を設けることが必要となる場合もある。このような際に
は、段差の上部及び下部の化合物半導体を覆うように金
属配線を行うことが通常である。
っては、エピタキシャル結晶成長によって動作層を形成
する場合に、素子間分離を行うべく素子作製領域以外の
動作層のエッチングを行う。この場合、エッチング断面
がメサ状をなすメサエッチングが行われる。その後、電
極などを形成して各素子を作製するが、上記エッチング
により生じたエッチング面（段差面）上に、段差部分の
上部及び下部の化合物半導体を接続するための金属配線
を設けることが必要となる場合もある。このような際に
は、段差の上部及び下部の化合物半導体を覆うように金
属配線を行うことが通常である。
【０００３】ところで、GaAs系などの化合物半導体にあ
っては、使用するエッチング液等のエッチング条件によ
り、エッチング境界線の方向によって、エッチング後に
エッチング断面の形状が順テーパ状になったり、逆テー
パ状になったりすることがある。このようなエッチング
断面の形状を図１に示す。
っては、使用するエッチング液等のエッチング条件によ
り、エッチング境界線の方向によって、エッチング後に
エッチング断面の形状が順テーパ状になったり、逆テー
パ状になったりすることがある。このようなエッチング
断面の形状を図１に示す。
【０００４】下部の化合物半導体層１及び上部の化合物
半導体層２をエッチングした際に、図１（ａ）に示す例
では、下部の化合物半導体層１のエッチング面1aが順テ
ーパ状をなしており、図１（ｂ）に示す例では、下部の
化合物半導体層１のエッチング面1bが逆テーパ状をなし
ている。NaOH系またはリン酸系のエッチング液を用いた
場合には、図１（ａ）に示すようにエッチング面が順テ
ーパ状となり、酒石酸系または臭素系のエッチング液を
用いた場合には、J. Electrochemm. Soc. 118(1971) に
も示されているように、図１（ｂ）に示すようにエッチ
ング面が逆テーパ状となることが知られている。
半導体層２をエッチングした際に、図１（ａ）に示す例
では、下部の化合物半導体層１のエッチング面1aが順テ
ーパ状をなしており、図１（ｂ）に示す例では、下部の
化合物半導体層１のエッチング面1bが逆テーパ状をなし
ている。NaOH系またはリン酸系のエッチング液を用いた
場合には、図１（ａ）に示すようにエッチング面が順テ
ーパ状となり、酒石酸系または臭素系のエッチング液を
用いた場合には、J. Electrochemm. Soc. 118(1971) に
も示されているように、図１（ｂ）に示すようにエッチ
ング面が逆テーパ状となることが知られている。
【０００５】図１（ａ）のような順テーパ状の段差上に
金属配線を施す場合には、この金属配線とエッチング面
との接着が良好であり問題はないが、図１（ｂ）のよう
な逆テーパ状の段差面上に金属配線を施した場合、この
金属配線とエッチング面との接着状態が悪く、断線する
可能性が高いという問題がある。
金属配線を施す場合には、この金属配線とエッチング面
との接着が良好であり問題はないが、図１（ｂ）のよう
な逆テーパ状の段差面上に金属配線を施した場合、この
金属配線とエッチング面との接着状態が悪く、断線する
可能性が高いという問題がある。
【０００６】このような問題を解決する方法として、順
テーパ状となる段差部分にのみ金属配線を施すようにす
ることが考えられる。ところが、この方法では、素子作
製上のフレキシビリティが損なわれる。また、前述のエ
ッチング液を用いてすべてのエッチング面を順テーパ状
とすることも検討されているが、マスク材料を含めた他
のエッチング条件を考慮してすべてを順テーパ状とする
ことは困難である。
テーパ状となる段差部分にのみ金属配線を施すようにす
ることが考えられる。ところが、この方法では、素子作
製上のフレキシビリティが損なわれる。また、前述のエ
ッチング液を用いてすべてのエッチング面を順テーパ状
とすることも検討されているが、マスク材料を含めた他
のエッチング条件を考慮してすべてを順テーパ状とする
ことは困難である。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】以上のように、従来の
配線方法では、段差面（エッチング面）が順テーパ状に
ならない配線部分においては、断線が生じやすいという
難点がある。
配線方法では、段差面（エッチング面）が順テーパ状に
ならない配線部分においては、断線が生じやすいという
難点がある。
【０００８】本発明はかかる事情に鑑みてなされたもの
であり、配線する部分の段差の境界線が互いに略直交す
る２方向を有するようにしておくことにより、任意の方
向の配線においても断線を防止できる化合物半導体素子
の配線方法を提供することを目的とする。
であり、配線する部分の段差の境界線が互いに略直交す
る２方向を有するようにしておくことにより、任意の方
向の配線においても断線を防止できる化合物半導体素子
の配線方法を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明に係る化合物半導
体素子の配線方法は、上部の化合物半導体と下部の化合
物半導体とが段差をなして積層されている化合物半導体
素子にあって、前記両半導体をその段差部分にて接続す
べく配線する方法において、配線部における段差面が少
なくとも前記下部の化合物半導体の結晶方位方向に平行
な方向とこれに略垂直な方向との２方向を有することを
特徴とする。
体素子の配線方法は、上部の化合物半導体と下部の化合
物半導体とが段差をなして積層されている化合物半導体
素子にあって、前記両半導体をその段差部分にて接続す
べく配線する方法において、配線部における段差面が少
なくとも前記下部の化合物半導体の結晶方位方向に平行
な方向とこれに略垂直な方向との２方向を有することを
特徴とする。
【００１０】
【作用】本発明では、配線が段差面（エッチング面）と
交叉する部分において互いに直交する２方向のエッチン
グ境界線が設けられ、その部分において２方向のエッチ
ング面が存在するので、いかなる方向の配線に対して
も、少なくとも１つのエッチング面は断線の虞がない順
テーパ形状となる。従って、このエッチング面と配線と
が強固に接続され、任意の方向の配線についても断線は
防止される。
交叉する部分において互いに直交する２方向のエッチン
グ境界線が設けられ、その部分において２方向のエッチ
ング面が存在するので、いかなる方向の配線に対して
も、少なくとも１つのエッチング面は断線の虞がない順
テーパ形状となる。従って、このエッチング面と配線と
が強固に接続され、任意の方向の配線についても断線は
防止される。
【００１１】
【実施例】以下、本発明の実施例について説明する。
【００１２】図２は、本発明を適用して金属配線を施し
た状態を示す、上から見た平面図である。図中１，２は
夫々下部の化合物半導体層，上部の化合物半導体層であ
り、これらの各層１，２は、酒石酸を用いてパターンエ
ッチングされており、複数の段差部分が形成されてい
る。これらの各段差部分において下部の化合物半導体層
１及び上部の化合物半導体層２を接続するように、金属
配線３，３が形成されている。各段差部分におけるエッ
チング面は、順テーパ状をなすエッチング面1aと逆テー
パ状をなすエッチング面1bとが混在している。
た状態を示す、上から見た平面図である。図中１，２は
夫々下部の化合物半導体層，上部の化合物半導体層であ
り、これらの各層１，２は、酒石酸を用いてパターンエ
ッチングされており、複数の段差部分が形成されてい
る。これらの各段差部分において下部の化合物半導体層
１及び上部の化合物半導体層２を接続するように、金属
配線３，３が形成されている。各段差部分におけるエッ
チング面は、順テーパ状をなすエッチング面1aと逆テー
パ状をなすエッチング面1bとが混在している。
【００１３】このようにしておくと、酒石酸を用いてエ
ッチングを行っても、各段差部分においてＸ方向，Ｙ方
向の何れか一方が順テーパ状をなすエッチング面1aとな
るので、そのエッチング面1aにおいて金属配線３との強
固な接続がなされるので、その部分における金属配線３
の方向が任意であっても、断線は生じない。
ッチングを行っても、各段差部分においてＸ方向，Ｙ方
向の何れか一方が順テーパ状をなすエッチング面1aとな
るので、そのエッチング面1aにおいて金属配線３との強
固な接続がなされるので、その部分における金属配線３
の方向が任意であっても、断線は生じない。
【００１４】
【発明の効果】以上のように、本発明の配線方法では、
配線との配線領域における段差部分のエッチング面が互
いに略直交する２方向を有しているので、いかなる方向
の配線においても断線を防止することができ、素子の配
置，エッチング処理条件等に制約を設ける必要がなく、
これらのフレキシビリティが損なわれることがない等、
本発明は優れた効果を奏する。
配線との配線領域における段差部分のエッチング面が互
いに略直交する２方向を有しているので、いかなる方向
の配線においても断線を防止することができ、素子の配
置，エッチング処理条件等に制約を設ける必要がなく、
これらのフレキシビリティが損なわれることがない等、
本発明は優れた効果を奏する。
【図１】段差部分におけるエッチング面の形状を示す模
式的断面図である。
式的断面図である。
【図２】本発明に係る配線方法を適用した配線状態を示
す模式的平面図である。
す模式的平面図である。
１ 下部の化合物半導体層 ２ 上部の化合物半導体層 1a 順テーパ状のエッチング面 1b 逆テーパ状のエッチング面 ３ 金属配線
Claims (1)
- 【請求項１】 上部の化合物半導体と下部の化合物半導
体とが段差をなして積層されている化合物半導体素子に
あって、前記両半導体をその段差部分にて接続すべく配
線する方法において、配線部における段差面が少なくと
も前記下部の化合物半導体の結晶方位方向に平行な方向
とこれに略垂直な方向との２方向を有することを特徴と
する化合物半導体素子の配線方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29817191A JPH05109716A (ja) | 1991-10-17 | 1991-10-17 | 化合物半導体素子の配線方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29817191A JPH05109716A (ja) | 1991-10-17 | 1991-10-17 | 化合物半導体素子の配線方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05109716A true JPH05109716A (ja) | 1993-04-30 |
Family
ID=17856126
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29817191A Pending JPH05109716A (ja) | 1991-10-17 | 1991-10-17 | 化合物半導体素子の配線方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05109716A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2021125599A (ja) * | 2020-02-06 | 2021-08-30 | ローム株式会社 | 半導体装置 |
-
1991
- 1991-10-17 JP JP29817191A patent/JPH05109716A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2021125599A (ja) * | 2020-02-06 | 2021-08-30 | ローム株式会社 | 半導体装置 |
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