JPH05107558A - アクテイブマトリクス基板及びアクテイブマトリクス基板の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 レーザ照射により、電気的特性の優れた駆動
回路を絶縁基板上に形成し、配線の短絡の少ないアクテ
ィブマトリクス基板とその製造方法を提供する。 【構成】 駆動回路を、絶縁基板上にパルスレーザビー
ムの大きさに含まれるように分割して交互配置する。シ
リコン薄膜を、ビームのエッジ部分が集積回路の外部に
存在するようにレーザ照射して結晶化する。この結晶化
シリコン薄膜で駆動回路を形成する。また、ゲート電極
と走査線を陽極酸化し短絡を防止する。 【効果】 レーザビームの照射によるシリコン薄膜の不
均一性を防止することができるので、歪温度が低いガラ
ス基板上に優れた電気的特性の駆動回路が内蔵されたア
クティブマトリクス基板を形成することができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明はアクティブマトリクス基
板を用いる液晶表示装置のなどに関するものである。な
お、本発明の構成及び製造方法はアクティブマトリクス
型液晶表示装置に限らず、駆動回路を絶縁基板上に構成
するラインセンサや平面センサ、あるいは液晶シャッタ
ーなどの分野でも本発明を適用することが可能である。

【０００２】

【従来の技術】近年、平面画像表示装置の中で特にアク
ティブマトリクス方式の液晶表示装置の研究が進みブラ
ウン管方式の画像表示装置と同等以上の画質を得られる
ようになっている。高精細な画質と製造コスト低減のた
め、画素の薄膜トランジスタの駆動回路を画素と同一の
絶縁基板上に構成する研究が盛んに行われている。Ｃ−
ＭＯＳの駆動回路を構成するためには移動度の高い薄膜
トランジスタを絶縁基板上に製造する必要がある。特開
昭５８−４１８０号に示すように薄膜トランジスタの活
性シリコン層を固相成長法あるいはレーザ照射法によっ
て結晶化することにより移動度の高い薄膜トランジスタ
を製造することが可能である。特に、レーザ照射によっ
てシリコン層を結晶化する方法は、基板を室温に保った
まま優れた薄膜トランジスタを製造することが可能なた
め、歪点の低い安価なガラス基板上に駆動回路を構成で
きる。

【０００３】シリコン薄膜をレーザビームの照射によ
り、結晶粒のグレンサイズの大きな、あるいはダングリ
ングボンドの少ないシリコン薄膜を製造する方法とし
て、特開昭６１−７８１１９号に示すように短波長レー
ザにより表面部だけをいったん再結晶化し、その後熱処
理によって固相成長を行わせることで結晶粒径を大きく
し、粒径を揃えて特性を向上させる方法や、特開昭６３
−３１１０８号に示すように、結晶化する半導体薄膜の
下に熱伝導率の小さい枠型絶縁膜を形成し、レーザ光を
照射することで枠型内部の多結晶シリコン膜の結晶化を
中心部から枠型方向に進め、結晶性を向上させ、その部
分に素子を形成することで特性を向上させる方法を検討
している。あるいは特開平３−３０４３３号に示すよう
に、レーザ光のエッジ部に起因する結晶性の不均一性
を、レーザ光の照射で、最初に結晶化させる部分と未結
晶部分のエッジ部となる半導体膜の基板側に、紫外光を
透過する絶縁膜を介して、この絶縁膜より融点が低く、
紫外光に対する吸収係数が結晶化した半導体薄膜より大
きい材質の膜を形成する方法を用いることにより、レー
ザ光の照射によって、結晶性の向上した均一な半導体薄
膜を得る試みが行われてきた。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、レーザ
ビームの照射によってシリコン層を基板全体にわたって
均一に結晶化することは困難である。ＰＥＣＶＤ法ある
いは減圧化学気層成長法などにより形成したシリコン薄
膜をエキシマレーザのビームで結晶化すると、エネルギ
ー強度を光学系により均一化されたレーザビームの照射
でも、最初のレーザビームによって結晶された部分とレ
ーザビームが照射されない境界部分のエッジで生じた微
結晶粒子がその後レーザビームをずらして照射しても残
るという問題点があった。

【０００５】また一方、特殊な光学系をレーザビームの
発振源とサンプルであるシリコン層の間に設けて、ビー
ムのエネルギー分布を均一化する試みが行われてきた。
レーザ発振器から出射したレーザビームのエネルギーは
空間的にガウス分布している。このレーザビームを、フ
ライアイレンズなどの光学系により、図１１に示すよう
にエネルギー分布を空間的に均一化する。しかしなが
ら、この特殊な光学系によるビーム強度分布の改良によ
る結果は、ビーム全体に渡って均一になっていることな
く、ビームの縁ではなお依然として不均一性が残り、図
１１のように台形状のエネルギー分布となる。図１１
で、Ｅ₂からＥ₁の照射エネルギーでシリコン薄膜が融解
し大粒径の多結晶シリコン薄膜が形成できるとすると、
シリコン薄膜を融解するのに不十分なＥ₃からＥ₂のエネ
ルギー強度では、レーザビームが照射されたシリコン薄
膜は微結晶シリコン薄膜となる。つまり、ＸｂからＸｃ
の間と、ＸｄからＸｅの間の照射領域で微結晶シリコン
薄膜が生じる。次にこの微結晶シリコン層に、大粒径粒
子を有するシリコン層を形成するために必要なエネルギ
ー（Ｅ₂からＥ₁）を照射しても、微結晶状態のままであ
る。したがって、従来のようにパルスレーザのビームを
重なり部分が生じるように照射する方法では、図１２に
示すように、多結晶シリコン薄膜ＣＰＳの間に微結晶シ
リコン層の領域が発生し、パルスレーザのビームよりも
広い面積のシリコン薄膜を均一に多結晶シリコン化する
ことができない。このように、パルスレーザ照射では、
ビームより大きな大面積にわたって均一な特性の結晶性
のシリコン薄膜を得られることは極めて困難であった。

【０００６】特開平３−３０４３３号では、格子状に紫
外光の吸収係数の大きい薄膜を形成することにより、レ
ーザ照射によるシリコン薄膜の均一化を試みているが、
この方法では、駆動回路を構成する薄膜トランジスタの
シリコン層の配置が制約される他、液晶表示体の画素ト
ランジスタの配置は、格子状に制約されることになり、
画像表示のより優れたデルタ配置型のアクティブマトリ
クス基板ができない欠点があった。さらに、特開平３−
３０４３３号の方法では、レーザ照射によって駆動回路
のための均一なシリコン薄膜を形成することができない
欠点があった。特開昭６４−４５１６２号では、アクテ
ィブマトリクス基板にＸｅＣｌパルスレーザ照射により
形成された駆動回路を内蔵しているが、パルスレーザビ
ームのエッジ部分に起因するシリコン薄膜の微結晶化に
よる薄膜トランジスタの電気的特性のバラツキについて
は、全く対策が考慮されていないため、高性能の周辺回
路を内蔵できない欠点があった。

【０００７】また、アクティブマトリクス基板では、塵
などが原因で発生する信号線と走査線の間の短絡の問題
がある。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明は、上記の問題を
鑑み、安価なガラス基板上にアクティブマトリクス型の
液晶表示装置の電気的に均一な駆動回路をパルスレーザ
の照射によって構成することのできる構造とその製造方
法を提供するものである。

【０００９】また、本発明は上記の問題を鑑み、安価な
ガラス基板上にアクティブマトリクス型の液晶表示装置
の表示領域の短絡による欠陥がないアクティブマトリク
ス基板の構造とその製造方法を提供するものである。

【００１０】また、本発明は上記の問題を鑑み、薄膜ト
ランジスタのソース・ドレイン電極の接触不良による欠
陥を防止し、良好な表示を与えるアクティブマトリクス
基板の構造とその製造方法を提供するものである。

【００１１】

【実施例】以下図面を参照して実施例を詳細に説明す
る。

【００１２】本発明の周辺駆動回路内蔵型のアクティプ
マトリックス基板の構成を図１に示す。

【００１３】画素トランジスタが配置されている画像の
表示領域の周辺部に表示領域と同一基板上に薄膜トラン
ジスタによって駆動回路が構成されている。駆動回路の
信号側駆動回路が、図１に示すようにＤＡＲ１、ＤＡＲ
２、ＤＡＲ３と複数の領域に分割され、表示領域を挟ん
で交互に配置されている。また、走査線側駆動回路は、
必要に応じてＳＤＲ１、ＳＤＲ２、およびＳＤＲ３の複
数に分割され表示領域を挟んで交互に配置されている。
それぞれの領域の長辺方向の長さは、駆動回路を構成す
る薄膜トランジスタのシリコン薄膜を結晶化するパルス
レーザビームのビーム面積や、薄膜トランジスタの能力
によって変化する。

【００１４】薄膜トランジスタの活性シリコン薄膜のた
めの、減圧化学気相成長法で製膜した膜厚が２５ｎｍの
多結晶シリコン薄膜を波長３０８ｎｍのＦＷＨＭが５０
ｎｓのＸｅＣｌエキシマレーザの照射によって再結晶化
する際には、レーザビームのエネルギー強度が２５０〜
５００ｍＪ／ｃｍ²程度必要である。上記のエキシマレ
ーザビームの１パルスのエネルギーが試料直前で５００
ｍＪであり、上記駆動回路の短辺の長さが２ｍｍであれ
ば、上記の分割されたそれぞれの駆動回路の長辺の長さ
は、５０ｍｍ〜１００ｍｍである。長辺が３００ｍｍで
あり、短辺が２２５ｍｍである大きさの長方形の表示領
域であれば、長辺に信号側駆動回路があり、短辺に走査
側の駆動回路があるアクティブマトリクス型の液晶表示
体の場合、長辺にある信号側駆動回路を３分割し、短辺
の走査側駆動回路を３分割した構成にすることができ
る。３分割された信号線側駆動回路のそれぞれの領域の
大きさは２ｍｍ×１００ｍｍであり、また３分割された
走査線側駆動回路のそれぞれの領域の大きさは２ｍｍ×
７５ｍｍでよい。図１に示されるように駆動回路の分割
する領域の数と、それぞれの領域の面積は上記の例に限
らない。分割された駆動回路のそれぞれの領域の形状は
長方形でなくでも構わない。さらに、信号線側駆動回路
の分割されたそれぞれの領域は、同じ面積でなくても構
わない。上記に述べた信号線側駆動回路の分割方法と同
様に走査線側駆動回路を分割配置することができる。

【００１５】図２に上記の様に分割された駆動回路の具
体的な構成例を示す。

【００１６】図２では、点順次型の駆動方法によるアク
ティブマトリクス型液晶表示体の基板の構成例を示して
おり、走査線側駆動回路を３分割し、信号線側駆動回路
を３分割した例を示す。図２において、ＤＤＣ１、ＤＤ
Ｃ２およびＤＤＣ３はそれぞれ信号線側駆動回路であ
る。ビデオ信号線をＶ１、Ｖ２およびＶ３の三本の線で
示しているが、必要によってビデオ信号線の増減が有り
得る。この例ではビデオ信号を画素トランジスタに点順
次方法で伝えるため、信号線側駆動回路によって、それ
ぞれの信号線をアナログスイッチＡＳＷによってスイッ
チングして、液晶表示体の表示領域ＰＡＲＩＡに構成さ
れている画素トランジスタに、ビデオ信号のデータをデ
ータラインＤＬを通じて伝える。

【００１７】また、ＳＤＣ１、ＳＤＣ２およびＳＤＣ３
は、走査線側駆動回路をそれぞれ示す。さらにＢ１、Ｂ
２およびＢ３は、上記分割された走査線側駆動回路ＳＤ
Ｃ１、ＳＤＣ２およびＳＤＣ３のそれぞれに接続したバ
ッファ回路である。バッファ回路からの信号は走査線Ｓ
Ｌを通じて画素トランジスタに伝えられる。信号線ＤＬ
と走査線ＳＬの交差点に画素を駆動するための薄膜トラ
ンジスタがそれぞれ形成されている。

【００１８】ＤＤＣ１、ＤＤＣ２、ＤＤＣ３、ＳＤＣ
１、ＳＤＣ２、およびＳＤＣ３の領域内に構成されたシ
フトレジスタは平面的に周期的に配置されているが、例
えばＤＤＣ１とＤＤＣ２の領域に構成された最近接の薄
膜トランジスタの間は、レーザビームのエッジの影響の
及ばない様に５ｍｍから５０ｍｍの距離がある。

【００１９】上記の実施例により、パルスレーザを使っ
たシリコン薄膜の結晶化による、優れた電気的特性の周
辺駆動回路を内蔵したアクティブマトリックス基板を構
成することができる。図２では点順次型の駆動回路例を
示したが、線順次でも他の方式の駆動方法の駆動回路内
蔵型のアクティブマトリクス基板の製造方法でも本発明
を適用できる。

【００２０】次に、以上に示した構成の駆動回路内蔵の
請求項４および請求項５に示した発明のアクティブマト
リックス基板の具体的な製造方法の実施例を図３〜図１
０に説明する。

【００２１】図３に示すように歪温度の低いガラス基板
上ＧＬＳに多結晶シリコン薄膜シリコン薄膜ＰＬＳを被
着形成する。この多結晶シリコン薄膜は、減圧ＣＶＤ法
により温度６００℃で２５ｎｍの厚みで製膜された。こ
の多結晶シリコン薄膜の結晶粒子の大きさは約５ｎｍ程
度であった。上記多結晶シリコン薄膜ＰＬＳの駆動回路
が形成される領域である図１のＤＡＲ１、ＤＡＲ２、Ｄ
ＡＲ３、ＳＡＲ１、ＳＡＲ２、およびＳＡＲ３の領域に
レーザビームＬＳＲを照射することにより多結晶シリコ
ン薄膜ＰＬＳを再結晶化して、図４に示すように再結晶
化シリコン薄膜ＣＰＳを形成した。この実施例ではアク
ティブマトリクス領域にはレーザビームを照射すること
無く駆動回路が形成される部分にレーザを照射した。図
４のＤＣＡは駆動回路が形成される部分を、ＰＡＲＩＡ
はアクティブマトリクス領域を表わす。台形状の空間的
なエネルギー分布の有するエネルギービームをシリコン
層に照射すると先に述べたように、レーザビームのエッ
ジ部分が照射されたシリコン層は微結晶シリコン薄膜Ｍ
ＣＳを生じる。

【００２２】そこで、レーザビームは、駆動回路を構成
するそれぞれの領域を十分含む大きさであり、さらにそ
れぞれ分割された駆動回路の領域の間にレーザビームの
エッジ部が存在するようにレーザビームの位置を調整し
てレーザ照射する。上記多結晶シリコン薄膜ＰＬＳの厚
みが２５〜５０ｎｍであればレーザビームのエッジ部の
影響による、微結晶シリコンの発生領域は、１００μｍ
〜５００μｍ程度であるため、隣接する分割された駆動
回路の間隔は５００μｍ以上が望ましい。駆動回路の設
計に支障がない限り、この間隔は数１０ｍｍに及んでも
構わない。また、レーザビームのエッジは駆動回路の領
域ＤＣＡと画素領域ＰＡＲＩＡの間に存在するようにレ
ーザビームを照射する。この方法によりガラス基板ＧＬ
Ｓ上の多結晶シリコン薄膜ＰＬＳは、部分的に結晶化さ
れる。

【００２３】上記多結晶シリコン薄膜をレーザ照射する
ときの条件は、ＸｅＣｌエキシマレーザの場合、例えば
エネルギー強度分布を均一に調整した３００ｍＪ／ｃｍ
²の強度のレーザビームを真空中で照射する。

【００２４】ＤＡＲ１、ＤＡＲ２、およびＤＡＲ３の走
査線方向の長さが１０ｃｍであり、信号線方向の長さが
２ｍｍであれば、試料直前のパルスのエネルギーは６０
０ｍＪでよい。レーザ発振器の出力が１パルスあたり１
Ｊであれば、レーザビームの形状を特殊な光学系で上記
の大きさに成形して、試料までの光学系の透過率をアッ
テネーターなどで調節して０．６にすれば、レーザ照射
の対象となる領域のシリコン薄膜の再結晶化が可能とな
る。ＳＡＲ１、ＳＡＲ２、およびＳＡＲ３の領域の面積
がＤＡＲ１、ＤＡＲ２、およびＤＡＲ３と異なれば、光
学系の調整によって、必要な形状と透過率にしてレーザ
照射すればよい。レーザ発振器の１パルスあたりの最大
出力エネルギーが自由に変更できないときには、液晶表
示体の表示面積の大きさに対応してレーザ照射が必要な
駆動回路の分割する面積と駆動回路の分割数を調節すれ
ばよい。

【００２５】ＮＴＳＣ方式のテレビジョンの表示のため
にこの発明のアクティブマトリクス基板を応用すると
き、走査線数が５２５本であるので走査線側駆動回路は
３１．５ｋＨｚの動作周波数が有ればよい。この程度の
駆動回路は、レーザビームを照射しない減圧ＣＶＤ法に
より形成された多結晶シリコン薄膜を利用した薄膜トラ
ンジスタによっても構成できる。よって走査線側駆動回
路の薄膜トランジスタを構成するシリコン薄膜に対する
レーザビームの照射は、必要に応じて実施すれば良い。

【００２６】次に、図５に示すように、多結晶シリコン
薄膜ＣＰＳをリソグラフィー法によって島状にパターニ
ングする。さらにソースガスにＳｉＨ₄とＯ₂を用いたＥ
ＣＲ−ＣＶＤ法によって、厚さ１５０ｎｍの酸化シリコ
ン薄膜によるゲート絶縁膜ＧＩＳを、上記島状のシリコ
ン薄膜ＣＰＳを覆うように被着形成する。さらに、上記
ゲート絶縁膜ＧＩＳに覆われた島状のシリコン薄膜ＣＰ
Ｓに一部分重なるように、ゲート電極ＧＥＬを形成す
る。ゲート電極ＧＥＬの材料は、スパッタ法により形成
された厚み３５０ｎｍのＴａ金属薄膜である。リソグラ
フィー法によりパターニングしてゲート電極ＧＥＬを形
成する。信号線側駆動回路および走査線側駆動回路のゲ
ート電極ＧＥＬは島状に形成されている。一方、図６に
示すように表示領域のゲート電極は走査線と同じ工程で
形成されたＴａであり、さらに同じ工程でＴａで形成さ
れた配線ＡＸＬを経て、ガラス基板上の端子ＡＸＣに繋
がれている。

【００２７】図７の回路図に示すように、走査線側駆動
回路は、薄膜トランジスタにより高密度にＣＭＯＳが形
成されているため、陽極酸化の配線ＡＸＬに接続するよ
うに、走査線側駆動回路を横切って走査線ＳＬを形成す
ることは困難である。よって、この陽極酸化するための
配線ＡＸＬは、走査線側駆動回路を形成する領域と反対
側、あるいは走査線側駆動回路が形成されていない領域
に形成するとよい。

【００２８】次に、図８に示すように、ゲート電極ＧＥ
Ｌの表面を陽極酸化法により酸化して酸化タンタル薄膜
を形成する。重量濃度０．０１％のクエン酸電界液中に
ゲート電極ＧＥＬが形成された基板を浸し、端子ＡＸＬ
を通じてゲート電極ＧＥＬおよびゲートラインＧＬに１
２０Ｖの直流電圧を２時間印加する。この方法によって
ゲート電極ＧＥＬの表面に厚さ２００ｎｍの酸化タンタ
ル薄膜ＡＸＩが形成される。

【００２９】配線ＡＸＬは、後に説明する図１０までの
工程が終了した際に、基板を図６で示すＣＴＬの線で切
断すると共に除去される。

【００３０】次に、図９に示すように、上記島状の多結
晶シリコン薄膜中に、ソース領域とドレイン領域を形成
するため上記ゲート電極に対して自己整合的に不純物を
イオン注入する。駆動回路をＣ−ＭＯＳ回路で構成する
ため、適宜イオン注入に対して阻止能力のある材料をマ
スクに用いて不純物を注入する。たとえば、適宜にレジ
ストをマスクにして、ｐ型の薄膜トランジスタの構成の
ためには３×１０¹⁵ｃｍ^-2のｐ型の不純物のみを例えば
ホウ素イオンを、ｎ型の薄膜トランジスタの構成のため
には３×１０¹⁵ｃｍ^-2のｎ型の不純物のみを例えばリン
イオンを注入する。駆動回路をｎ型のみの薄膜トランジ
スタによって、あるいは、ｐ型のみの薄膜トランジスタ
によって構成しても構わない。図９でＰＳＤはｐ型の不
純物が注入された領域、ＮＳＤはｎ型の不純物が注入さ
れた領域である。次に、レーザビームを照射してソース
領域とドレイン領域中の不純物を活性化する。このレー
ザ照射の条件は、ＦＭＷＨ５０ｎｓの波長３０８ｎｍの
ＸｅＣｌのエキシマレーザで、基板表面のエネルギー強
度が３５０ｍＪ／ｃｍ²で、大気中で照射すればよい。
次に、薄膜トランジスタの活性領域に存在するダングリ
ングボンド減少させるために、必要に応じてＥＣＲ−Ｃ
ＶＤ法により水素粒子を注入する。

【００３１】成してパターニングにより、走査線を形成
する。

【００３２】次に、図１０に示すように酸化シリコン膜
による層間絶縁膜ＭＩＳを被着形成し、ソース領域、ド
レイン領域およびゲート電極に到達するスルーホールを
形成する。

【００３３】次に、ＩＴＯ薄膜をスパッタ法により被着
形成して、リソグラフィー法により画素電極ＤＥＬを形
成する。さらに、スパッタ法によりシリコン原子と銅原
子を含んだＡｌ薄膜をスパッタ法により形成して、パタ
ーニングにより信号線ＳＬと駆動回路に必要な配線ＭＳ
Ｄを形成する。さらに、薄膜トランジスタを外部環境か
ら保護するため窒化珪素膜によってパッシベーション膜
ＰＡＬを形成する。

【００３４】上記の実施例では、多結晶シリコンＰＬＳ
のレーザ照射による結晶化を、多結晶シリコンのパター
ニングの前に行っているが、多結晶シリコン薄膜を島状
にパターニングした後に、レーザ照射してもよい。この
後のアクティブマトリクス基板の製造工程は図６以下で
示した工程と同じである。

【００３５】上記の実施例では、自己整合型の例を示し
たが、非自己整合型の薄膜トランジスタによるアクティ
ブマトリクス基板の製造にも本発明は適用できる。

【００３６】上記の実施例では、多結晶シリコン薄膜を
レーザビームで結晶化したしたシリコン薄膜により駆動
回路を構成したアクティブマトリクス基板の製造方法を
示したが、アモルファスシリコン膜をレーザ照射するこ
とでも本発明は適用できる。上記の例では、表示領域の
画素電極を駆動するための薄膜トランジスタはｎ型であ
るが、目的によってはｐ型でもよく、さらには、ｎ型と
ｐ型の両タイプの薄膜トランジスタによって、画素電極
を駆動してもよい。

【００３７】

【発明の効果】本発明の方法によって構成された信号線
側駆動回路及び走査線側駆動回路は、レーザ照射による
良質なシリコン薄膜によって製造されているため移動度
の高い薄膜トランジスタによって構成されているため周
波数特性の高い特徴を持つ。また、レーザビームの照射
によって結晶化されたシリコン薄膜の物性的なばらつき
の原因であるレーザビームのエッジ部が駆動回路の内部
で発生することがないので、極めて電気的性質が均一な
駆動回路を構成することが可能である。さらに、駆動回
路の領域だけにレーザ照射しているために、表示領域の
画素トランジスタは極めて均一な特性である。さらに、
減圧ＣＶＤ法により形成された多結晶シリコン薄膜を駆
動回路と画素トランジスタの活性シリコン層に用いてい
るため、簡便な方法で、駆動回路の素子用と表示領域の
画素用の自己整合型の薄膜トランジスタを形成すること
ができる。

【００３８】また、表示領域の薄膜トランジスタのゲー
ト電極をＴａ薄膜で形成し、陽極酸化した酸化タンタル
がゲート電極をとりまいているため、不純物が注入され
ているソース・ドレイン領域と、ゲート電極直下のチャ
ンネル領域の間に、オフセット領域が形成されているた
め、ゲート電圧がオフ状態におけるソース・ドレイン間
のリーク電流が極めて少なくなるため、液晶表示体にこ
のアクティブマトリクス基板を応用する際には、開口率
が高く、コントラスト比の大きい、フリッカーや色ムラ
の少ない表示を得ることが出来る。

【００３９】また、ゲート電極の陽極酸化の配線を駆動
回路の存在に問題なく構成できる利点を有する。

【００４０】また、走査線と信号線の間に陽極酸化によ
り形成された酸化タンタル薄膜と、酸化シリコン薄膜の
２層の絶縁薄膜が存在するため、信号線と走査線の間の
短絡が極めて少なくなる利点を有する。この結果欠陥の
無い、良好な表示特性を有するアクティブマトリクス基
板を製造することが出来る。

【００４１】この上記の方法により、高精細で、均一な
表示特性の表示領域を持ち、この表示領域の薄膜トラン
ジスタを駆動するための、電気的特性の優れた均一な駆
動能力ができる駆動回路内蔵型のアクティブマトリクス
液晶表示体を製造することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明の駆動回路内蔵のアクティブマトリク
ス基板の概略図。

【図２】 本発明の駆動回路内蔵型アクティブマトリク
ス基板の回路図。

【図３】 本発明のアクティブマトリクス基板の製造方
法の工程図。

【図４】 本発明のアクティブマトリクス基板の製造方
法の工程図。

【図５】 本発明のアクティブマトリクス基板の製造方
法の工程図。

【図６】 本発明のアクティブマトリクス基板の製造方
法の工程図。

【図７】 駆動回路の略図。

【図８】 本発明のアクティブマトリクス基板の製造方
法の工程図。

【図９】 本発明のアクティブマトリクス基板の製造方
法の工程図。

【図１０】 本発明のアクティブマトリクス基板の製造
方法の工程図。

【図１１】 レーザビームのエネルギー分布図。

【図１２】 従来例のレーザビームの照射方法の図。

【符号の説明】

ＤＡＲ１、ＤＡＲ２、ＤＡＲ３ …信号線側駆動
回路領域 ＳＡＲ１、ＳＡＲ２、ＳＡＲ３ …走査線側駆動
回路領域 ＤＤＣ１、ＤＤＣ２、ＤＤＣ３ …信号線側駆動
回路 ＳＤＣ１、ＳＤＣ２、ＳＤＣ３ …走査線側駆動
回路 Ｂ１、Ｂ２、Ｂ３ …バッファ回路 ＰＡＲＩＡ …アクティブマト
リクス基板の表示領域 ＤＬ …信号線 ＳＬ …走査線 ＡＳＷ …アナログスイ
ッチ Ｖ１、Ｖ２、Ｖ３ …ビデオ信号 ＧＬＳ …ガラス基板 ＰＬＳ …多結晶シリコ
ン薄膜 ＬＳＲ …レーザ照射 ＣＰＳ …再結晶化多結
晶シリコン ＭＣＳ …微結晶シリコ
ン ＤＣＡ …駆動回路領域 ＧＩＳ …ゲート絶縁膜 ＧＥＬ …ゲート電極 ＡＸＬ …陽極酸化用配
線 ＡＸＣ …陽極酸化用端
子 ＣＴＬ …ガラス基板切
断線 ＣＮＴ …接続端子 ＰＩＸＥＬ …画素および画
素トランジスタ ＡＸＩ …酸化タンタル
薄膜 ＰＳＤ …ｐ型ソース・
ドレイン領域 ＮＳＤ …ｎ型ソース・
ドレイン領域 ＭＩＳ …層間絶縁膜 ＤＥＬ …画素電極 ＭＳＤ …金属配線 ＰＡＬ …パッシベーシ
ョン膜

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 画素トランジスタと駆動回路が同一基板
   上に形成されるアクティブマトリクス基板において、信
   号線側駆動回路が、複数の領域に分割されて、かつ画素
   トランジスタが並べられている表示領域を挟んで千鳥足
   状に交互に構成されていることを特徴とするアクティブ
   マトリクス基板。
2. 【請求項２】 薄膜トランジスタと駆動回路が同一基板
   上に形成されているアクティブマトリクス基板におい
   て、走査線側駆動回路が複数の領域に分割されて、かつ
   画素トランジスタが並べられている表示領域を挟んで、
   千鳥足状に交互に構成されていることを特徴とするアク
   ティブマトリクス基板。
3. 【請求項３】 アクティブマトリクス基板の駆動回路あ
   るいは画素を駆動する薄膜トランジスタのゲート電極の
   材質が金属薄膜であり、上記ゲート電極を陽極酸化法に
   より金属酸化膜を形成し、上記陽極酸化するための配線
   を、走査線側駆動回路の配置と反対側に構成されている
   ことを特徴とするアクティブマトリクス基板。
4. 【請求項４】 基板上に、島状のシリコン薄膜を形成す
   る工程と、上記シリコン薄膜を覆うように絶縁薄膜を形
   成する工程と、上記シリコン薄膜上に被着形成された上
   記絶縁薄膜上に金属薄膜によってゲート電極を形成する
   工程と、上記ゲート電極を形成された基板を、電界液に
   浸してゲート電極に電流を流すことにより、上記ゲート
   電極を酸化して金属酸化膜を被着形成する工程と、上記
   シリコン薄膜中に、イオン注入法により、不純物を注入
   する工程と、上記シリコン層中の不純物を活性化するこ
   とを特徴とする請求項２及び請求項３記載のアクティブ
   マトリクス基板の製造方法。
5. 【請求項５】 シリコン層にエネルギービームを照射す
   ることを特徴とする請求項４記載のアクティブマトリク
   ス基板の製造方法アクティブマトリクス基板の製造方
   法。