JPH05107263A - 半導体加速度センサ及びその製造方法 - Google Patents
半導体加速度センサ及びその製造方法Info
- Publication number
- JPH05107263A JPH05107263A JP3296253A JP29625391A JPH05107263A JP H05107263 A JPH05107263 A JP H05107263A JP 3296253 A JP3296253 A JP 3296253A JP 29625391 A JP29625391 A JP 29625391A JP H05107263 A JPH05107263 A JP H05107263A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- acceleration sensor
- package
- semiconductor acceleration
- shock absorbing
- semiconductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01P—MEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
- G01P15/00—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration
- G01P15/02—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses
- G01P15/08—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values
- G01P2015/0805—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration
- G01P2015/0822—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration for defining out-of-plane movement of the mass
- G01P2015/0825—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration for defining out-of-plane movement of the mass for one single degree of freedom of movement of the mass
- G01P2015/0828—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration for defining out-of-plane movement of the mass for one single degree of freedom of movement of the mass the mass being of the paddle type being suspended at one of its longitudinal ends
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- Pressure Sensors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体加速度センサの耐衝撃性を向上させ
る。 【構成】 半導体加速度センサの金属パッケージ７の周
囲に衝撃吸収用のパッケージ８を設けることにより、パ
ッケージ自体に衝撃緩衝機能を付加する。
る。 【構成】 半導体加速度センサの金属パッケージ７の周
囲に衝撃吸収用のパッケージ８を設けることにより、パ
ッケージ自体に衝撃緩衝機能を付加する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体加速度センサの
構造、及びその製造方法に関するものである。
構造、及びその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図５は従来の半導体加速度センサの構造
を示す断面図である。図において、１は台座、２はシリ
コンなど半導体でできたカンチレバービーム、３は前記
カンチレバービーム２の先端に取付けられた重り、４は
前記カンチレバービーム２に設けたゲージ抵抗、５は外
部リード、６は前記ゲージ抵抗４と外部リード５を電気
的に接続するワイヤ、７は金属パッケージである。
を示す断面図である。図において、１は台座、２はシリ
コンなど半導体でできたカンチレバービーム、３は前記
カンチレバービーム２の先端に取付けられた重り、４は
前記カンチレバービーム２に設けたゲージ抵抗、５は外
部リード、６は前記ゲージ抵抗４と外部リード５を電気
的に接続するワイヤ、７は金属パッケージである。
【０００３】次に動作について説明する。従来の半導体
加速度センサは上記のような構造をしており、重り３の
質量をｍ，重り３の重心にかかる加速度をａとすると、
重り３の重心には、ｆ＝ｍａの力が加わることになる。
次いで、カンチレバービーム２のバネ定数をｋとし、変
位をｘとすると、ｍａ＝ｋｘとなり、カンチレバービー
ム２は加速度ａに応じて変位ｘの位置で釣り合う。そし
てこのｘの変位により、カンチレバービーム２に歪みが
生じ、この歪みが生じる位置にゲージ抵抗４を設ける
と、半導体のピエゾ抵抗効果により加速度ａに応じてゲ
ージ抵抗の値が変化する。これを前記ワイヤ６と前記外
部リード５を通してパッケージ７の外部に取り出し、加
速度を検出する。
加速度センサは上記のような構造をしており、重り３の
質量をｍ，重り３の重心にかかる加速度をａとすると、
重り３の重心には、ｆ＝ｍａの力が加わることになる。
次いで、カンチレバービーム２のバネ定数をｋとし、変
位をｘとすると、ｍａ＝ｋｘとなり、カンチレバービー
ム２は加速度ａに応じて変位ｘの位置で釣り合う。そし
てこのｘの変位により、カンチレバービーム２に歪みが
生じ、この歪みが生じる位置にゲージ抵抗４を設ける
と、半導体のピエゾ抵抗効果により加速度ａに応じてゲ
ージ抵抗の値が変化する。これを前記ワイヤ６と前記外
部リード５を通してパッケージ７の外部に取り出し、加
速度を検出する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来の半導体加速度セ
ンサは以上のように構成されているので、衝撃等により
カンチレバービーム２が破損しやすく、もろいという問
題点があった。
ンサは以上のように構成されているので、衝撃等により
カンチレバービーム２が破損しやすく、もろいという問
題点があった。
【０００５】本発明は上記のような問題点を解消するた
めになされたもので、耐衝撃性を向上させることを目的
とする。
めになされたもので、耐衝撃性を向上させることを目的
とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明に係る半導体加速
度センサは、耐衝撃性向上のため、センサのパッケージ
を２重構造とし、パッケージ自体に衝撃吸収作用をもた
せたものである。
度センサは、耐衝撃性向上のため、センサのパッケージ
を２重構造とし、パッケージ自体に衝撃吸収作用をもた
せたものである。
【０００７】
【作用】この発明における半導体加速度センサは、金属
パッケージの周囲にさらに衝撃吸収用のパッケージング
を行い、衝撃をパッケージ自体で吸収させることによ
り、カンチレバービームに直接破壊的な衝撃が加わるの
を防止する。
パッケージの周囲にさらに衝撃吸収用のパッケージング
を行い、衝撃をパッケージ自体で吸収させることによ
り、カンチレバービームに直接破壊的な衝撃が加わるの
を防止する。
【０００８】
実施例１．以下、この発明の実施例を図を用いて説明す
る。図１は本発明における半導体加速度センサの構造を
示す断面図である。尚従来技術と同一部分については同
一符号により示すものとする。８は金属パッケージ７の
周囲に設けた衝撃吸収用のパッケージである。
る。図１は本発明における半導体加速度センサの構造を
示す断面図である。尚従来技術と同一部分については同
一符号により示すものとする。８は金属パッケージ７の
周囲に設けた衝撃吸収用のパッケージである。
【０００９】次に動作について説明する。重り３の質量
をｍ，重り３の重心にかかる加速度をａとすると重り３
の重心には、ｆ＝ｍａの力が加わることになる。次いで
カンチレバービーム２のバネ定数をｋとし、変位をｘと
すると、ｍａ＝ｋｘとなりカンチレバービーム２は加速
度ａに応じて変位ｘの位置でつりあう。このｘの変位に
より、カンチレバービーム２に歪みが生じる。この歪み
が生じる位置にゲージ抵抗４を設けると半導体のピエゾ
抵抗効果により加速度ａに応じてゲージ抵抗の値が変化
する。これを前記ワイヤ６と前記外部リード５を通して
パッケージ７の外部に取り出し加速度を検出する。ここ
において、外部から衝撃が加わったとき、衝撃は一旦パ
ッケージ８により吸収され、カンチレバービーム２には
直接衝撃が伝わらないため、本加速度センサの破損を防
止できる。
をｍ，重り３の重心にかかる加速度をａとすると重り３
の重心には、ｆ＝ｍａの力が加わることになる。次いで
カンチレバービーム２のバネ定数をｋとし、変位をｘと
すると、ｍａ＝ｋｘとなりカンチレバービーム２は加速
度ａに応じて変位ｘの位置でつりあう。このｘの変位に
より、カンチレバービーム２に歪みが生じる。この歪み
が生じる位置にゲージ抵抗４を設けると半導体のピエゾ
抵抗効果により加速度ａに応じてゲージ抵抗の値が変化
する。これを前記ワイヤ６と前記外部リード５を通して
パッケージ７の外部に取り出し加速度を検出する。ここ
において、外部から衝撃が加わったとき、衝撃は一旦パ
ッケージ８により吸収され、カンチレバービーム２には
直接衝撃が伝わらないため、本加速度センサの破損を防
止できる。
【００１０】実施例２．次に衝撃吸収用パッケージの製
造方法について説明する。図２は衝撃吸収用パッケージ
の製造方法を示すための断面図である。図において、１
１は従来例における半導体加速度センサ、１２は金型、
１３は前記金型１２の一部で前記半導体加速度センサ１
１を固定するためのスペーサ部、１４はシリコンゴム等
の衝撃吸収材である。
造方法について説明する。図２は衝撃吸収用パッケージ
の製造方法を示すための断面図である。図において、１
１は従来例における半導体加速度センサ、１２は金型、
１３は前記金型１２の一部で前記半導体加速度センサ１
１を固定するためのスペーサ部、１４はシリコンゴム等
の衝撃吸収材である。
【００１１】本実施例においては、衝撃吸収用パッケー
ジは、金型１２内に半導体加速度センサ１１を固定し、
その隙間にシリコンゴム１４等を流し込み、ゴムが固ま
ったところで金型から加速度センサを取り出して製造す
る。
ジは、金型１２内に半導体加速度センサ１１を固定し、
その隙間にシリコンゴム１４等を流し込み、ゴムが固ま
ったところで金型から加速度センサを取り出して製造す
る。
【００１２】実施例３．衝撃吸収用パッケージは、図３
に示すように製造することも可能である。図において、
１１は従来例における半導体加速度センサ、１５はプラ
スチック等による外部パッケージ、１６は外部パッケー
ジ１５の一部で、半導体加速度センサ１１を固定するた
めのスペーサ部、１４はシリコンゴム等の衝撃吸収材で
ある。
に示すように製造することも可能である。図において、
１１は従来例における半導体加速度センサ、１５はプラ
スチック等による外部パッケージ、１６は外部パッケー
ジ１５の一部で、半導体加速度センサ１１を固定するた
めのスペーサ部、１４はシリコンゴム等の衝撃吸収材で
ある。
【００１３】本実施例においては、衝撃吸収用パッケー
ジは、外部パッケージ１５内に半導体加速度センサ１１
を固定し、その隙間にシリコンゴム１４等を流し込み、
ゴムを固めて製造する。
ジは、外部パッケージ１５内に半導体加速度センサ１１
を固定し、その隙間にシリコンゴム１４等を流し込み、
ゴムを固めて製造する。
【００１４】実施例４．また衝撃吸収用パッケージは、
図４に示すように製造することも可能である。図におい
て、１１は従来例における半導体加速度センサ、１５は
プラスチック等による外部パッケージ、１７は前記半導
体加速度センサ１１を固定するためのマット、１４はシ
リコンゴム等の衝撃吸収材である。
図４に示すように製造することも可能である。図におい
て、１１は従来例における半導体加速度センサ、１５は
プラスチック等による外部パッケージ、１７は前記半導
体加速度センサ１１を固定するためのマット、１４はシ
リコンゴム等の衝撃吸収材である。
【００１５】本実施例においては、衝撃吸収用パッケー
ジは、外部パッケージ１５内にスポンジ等によるマット
１７を敷き、その上に半導体加速度センサ１１を固定
し、その隙間にシリコンゴム１４等を流し込み、ゴムを
固めて製造する。
ジは、外部パッケージ１５内にスポンジ等によるマット
１７を敷き、その上に半導体加速度センサ１１を固定
し、その隙間にシリコンゴム１４等を流し込み、ゴムを
固めて製造する。
【００１６】
【発明の効果】以上のようにこの発明によれば、半導体
加速度センサのパッケージの周囲にさらに衝撃吸収用の
パッケージを設けることにより、半導体加速度センサの
耐衝撃性を向上させることができる。
加速度センサのパッケージの周囲にさらに衝撃吸収用の
パッケージを設けることにより、半導体加速度センサの
耐衝撃性を向上させることができる。
【図１】本発明における半導体加速度センサの構造を示
す断面図である。
す断面図である。
【図２】実施例２による衝撃吸収用パッケージの製造方
法を示すための断面図である。
法を示すための断面図である。
【図３】実施例３による衝撃吸収用パッケージの製造方
法を示すための断面図である。
法を示すための断面図である。
【図４】実施例４による衝撃吸収用パッケージの製造方
法を示すための断面図である。
法を示すための断面図である。
【図５】従来の半導体加速度センサの構造を示す断面図
である。
である。
１ 台座 ２ カンチレバービーム ３ 重り ４ ゲージ抵抗 ５ 外部リード ６ ワイヤ ７ パッケージ ８ 衝撃吸収用パッケージ １１ 半導体加速度センサ １２ 金型 １３，１６ スペーサ １４ シリコンゴム １５ 外部パッケージ １７ マット
Claims (4)
- 【請求項１】 ゲージ抵抗が設けられたカンチレバービ
ームの先端に重りを取付けると共に他端に台座を取付
け、装置全体を金属パッケージにより覆うことにより構
成される半導体加速度センサにおいて、上記金属パッケ
ージの周囲に衝撃吸収用のパッケージを一体に設けたこ
とを特徴とする半導体加速度センサ。 - 【請求項２】 ゲージ抵抗が設けられたカンチレバービ
ームの先端に重りを取付けると共に他端に台座を取付
け、装置全体を金属パッケージにより覆うことにより構
成される半導体加速度センサにおいて、半導体加速度セ
ンサを固定するためのスペーサ部が設けられた金型内に
半導体加速度センサを固定し、上記半導体加速度センサ
と金型の隙間に衝撃吸収材ムを流し込むことにより、金
属パッケージの周囲に衝撃吸収用のパッケージを被覆す
ることを特徴とする半導体加速度センサの製造方法。 - 【請求項３】 ゲージ抵抗が設けられたカンチレバービ
ームの先端に重りを取付けると共に他端に台座を取付
け、装置全体を金属パッケージにより覆うことにより構
成される半導体加速度センサにおいて、半導体加速度セ
ンサを固定するためのスペーサ部が内部に設けられた外
部パッケージ内に半導体加速度センサを固定し、上記半
導体加速度センサと金型の隙間に衝撃吸収材を流し込む
ことにより、金属パッケージの周囲に衝撃吸収用のパッ
ケージを被覆することを特徴とする半導体加速度センサ
の製造方法。 - 【請求項４】 ゲージ抵抗が設けられたカンチレバービ
ームの先端に重りを取付けると共に他端に台座を取付
け、装置全体を金属パッケージにより覆うことにより構
成される半導体加速度センサにおいて、外部パッケージ
内にマットを敷き、その上に半導体加速度センサを固定
し、上記外部パッケージと半導体加速度センサとの隙間
に衝撃吸収材を流し込むことにより、金属パッケージの
周囲に衝撃吸収用パッケージを被覆することを特徴とす
る半導体加速度センサの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3296253A JPH05107263A (ja) | 1991-10-15 | 1991-10-15 | 半導体加速度センサ及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3296253A JPH05107263A (ja) | 1991-10-15 | 1991-10-15 | 半導体加速度センサ及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05107263A true JPH05107263A (ja) | 1993-04-27 |
Family
ID=17831180
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3296253A Pending JPH05107263A (ja) | 1991-10-15 | 1991-10-15 | 半導体加速度センサ及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05107263A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1995023080A1 (de) * | 1994-02-28 | 1995-08-31 | Siemens Aktiengesellschaft | Sensoreinheit zum steuern eines insassenschutzsystems eines kraftfahrzeugs |
| JP2018039377A (ja) * | 2016-09-07 | 2018-03-15 | 株式会社デンソー | タイヤマウントセンサ |
-
1991
- 1991-10-15 JP JP3296253A patent/JPH05107263A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1995023080A1 (de) * | 1994-02-28 | 1995-08-31 | Siemens Aktiengesellschaft | Sensoreinheit zum steuern eines insassenschutzsystems eines kraftfahrzeugs |
| US5706181A (en) * | 1994-02-28 | 1998-01-06 | Siemens Aktiengesellschaft | Sensor unit for controlling an occupant protection system of a motor vehicle |
| JP2018039377A (ja) * | 2016-09-07 | 2018-03-15 | 株式会社デンソー | タイヤマウントセンサ |
| WO2018047781A1 (ja) * | 2016-09-07 | 2018-03-15 | 株式会社デンソー | タイヤマウントセンサ |
| CN109641492A (zh) * | 2016-09-07 | 2019-04-16 | 株式会社电装 | 轮胎装配传感器 |
| US11065921B2 (en) | 2016-09-07 | 2021-07-20 | Denso Corporation | Tire-mounted sensor having vibration transmission member to transmit vibration added to tire with respect to vibration detection element |
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