JPH0510292B2 - - Google Patents
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- JPH0510292B2 JPH0510292B2 JP61278459A JP27845986A JPH0510292B2 JP H0510292 B2 JPH0510292 B2 JP H0510292B2 JP 61278459 A JP61278459 A JP 61278459A JP 27845986 A JP27845986 A JP 27845986A JP H0510292 B2 JPH0510292 B2 JP H0510292B2
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Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Description
〔産業上の利用分野〕
本発明はコンピユータ用をはじめ、オーデイオ
用、VTR用等の記録再生用、磁気テープ用等の
磁気ヘツドスライダ用材料に関する。 〔従来の技術〕 従来から、記録再生用磁気ヘツドスライダとし
て、多結晶Ni−Znフエライト、Mn−Znフエラ
イトや単結晶Mn−Znフエライトあるいは高硬度
パーマロイ等が用いられてきたが、近年、再生す
べき記録密度が増大したことから、薄膜磁気ヘツ
ド化が進められてきており、磁気回路用として高
周波域の磁気特性が優れたパーマロイ、センダス
ト或いはアモルフアスの薄膜に対応できる耐耗性
スライダ材料の開発が行われている。 この記録再生用磁気ヘツドスライダ用材料とし
ては、耐摩耗性を初め、高強度、組織の緻密性、
さらには記録媒体とのなじみ、潤滑性、金属薄膜
との熱的整合性などと共に、精密加工性、加工能
率等の加工上の諸特性に優れていることが要求さ
れる。 この要求特性を満足する材料としては、アルミ
ナ系セラミツクスがあるとされ、特に、耐摩耗性
と磁気材料とのなじみとにおいて優れた材料とし
て、例えば特開昭55−163665号公報にはAl2O3−
TiC系材料が、特開昭57−198578号公報には、
TiO2−Al2O3系のものが開示されている。 さらに、薄膜磁気ヘツド用セラミツクス基板と
して機拠械加工に際してのチツピングを改善した
ものとして、ジルコニアを主成分とするものが特
開昭60−171617号公報に開示されている。 しかしながら、このジルコニアを主成分とする
材料は、部分安定化したZrO2を主成分とするも
のであるため、熱的な面での安定化に欠け、基板
への膜付けの際の数100℃までの加熱や冷却に起
因して単斜晶が増加し、強度の劣化や体積変化に
伴い基板の反りが生じるという問題があり、満足
すべきものではない。 〔発明が解決しようとする問題点〕 いずれにしても、現在各種提案されている薄膜
磁気ヘツド用セラミツクスとしては、上記の要求
特性を全体として満足するものはない。 本発明において解決すべき課題は、薄膜磁気ヘ
ツドスライダ用材料としてセラミツクスを用いた
場合には、前記要求特性の中、解決すべき課題は
その加工性にあるとして、高強度、高靭性で摺動
性がよく、機械加工性が比較的良いジルコニアを
選定し、その特性の改善によつて磁気ヘツドスラ
イダ用材料を得ようとするものである。 〔問題点を解決するための手段〕 本発明は、Y2O3、MgO、CaO、CeO2の安定化
剤の少なくとも一種を含有せしめてなる正方晶結
晶構造を有するZrO255〜90容量％と、残部が、
TiO2、Nb2O5、Ta2O5、Cr2O3、HfO2の１種又
は２種以上又はこれらの固溶体である酸化物と、
TiC、NbC、TaC、Cr3C2、MrC、No2C、WCの
１種又は２種以上又はこれらの固溶体である炭化
物とからなり、且つ、上記酸化物と炭化物の容量
比が、酸化物／（酸化物＋炭化物）＝0.05〜0.20
である磁気ヘツドスライダ用材料である。 ZrO2を実質的に正方晶構造とするためには、
ZrO2にY2O3、MgO、CaO、CeO2等の安定化剤
の少なくとも１種を含有せしめることが必要であ
る。 これらの安定化剤はZrO2に対してY2O3の場合
には1.0〜6.0重量％、MgOでは2.0〜4.3重量％、
CaOでは2.8〜5.8重量％、さらにCeO2の場合には
8.2〜13.4重量％含有させる必要がある。 正方晶のZrO2が存在すると、外部応力によつ
て正方晶から単結晶構造への変態が起る結果、い
わゆる応力誘起変態機構によつて機械的特性、特
に強度や靭性が向上する作用がある。 また、正方晶ZrO2は一般に粒成長を起こし易
いが、炭化物やZrO2以外の酸化物と複合化させ
ることにより、複合化による結晶粒の微細化の効
果が大きく、平均結晶粒1.5μm以下となつてチツ
ピングが少なくなり、耐摩耗性、材料の緻密さが
改善されるばかりでなく、前述の熱劣化の問題も
大幅に改善される。 本発明においては、安定化剤を含むZrO2が55
容量％未満では強度や靭性が不足で、これまで多
用されてきたAl2O3−TiC系材料と比べてスライ
ジング工程でのチツピングや潤滑性が改善されな
い。また90容量％を超えると基板への膜付けの際
の数100℃までの加熱や冷却に起因してZrO2の単
斜晶が増加し、強度の劣化や基板の反りが生じる
という問題が発生する。従つて、安定化剤を含む
ZrO2の量は55〜90容量％とする必要がある。 また、本発明においては酸化物はZrO2の焼結
性の改善のために配合されるもので、また、炭化
物は焼結体の耐摩耗性や切断加工性の改善のため
に配合される。 しかしながら、酸化物／（酸化物＋炭化物）の
容量比が、0.05未満では酸化物による焼結性改善
の効果が少なくなり、焼結温度が高くなる。 また、その容量比が0.05〜0.20の範囲では、焼
結体に悪影響を与える炭化物成分中の遊離炭素と
反応し、更に部分安定化ジルコニアとも反応し結
合剤の役目を果たす結果、焼結性を改善する。し
かしながら、その比が0.20を超えると、炭化物と
反応結合する量が必要以上に多くなる結果、炭化
物の酸素固溶量が多くなり、強度が低下すると共
に炭化物結晶粒が粗大化するため、緻密で均一微
細な組織を有する焼結体が得られ難くなる。 上記本発明の磁気ヘツドスライダ用材料は以下
の要領によつて好適に製造される。 共沈法によつて得たY2O3、MgO、CaO、CeO2
等の安定化剤を所定量含む部分安定化ZrO2粉末
と、TiC、NbC、TaC、Cr3C2、MoTa2O5、2C、
WCの１種又は２種以上又はこれらの固溶体粉末
と、TiO2、Nb2O5、Cr2O3、HfO2の１種又は２
種以上又はこれらの固溶体粉末とを所要量配合
し、湿式混合粉砕した後、乾燥、整粒して減量粉
末を調整する。この原料粉末を黒鉛型内に充填
し、それぞれ最適焼結温度1250〜1600℃で50〜
300Kg／cm2の圧力を加え、それぞれ所定時間保持
焼結して相対密度99％以上のZrO2−酸化物−炭
化物系のセラミツクス焼結体を得る。 また、このZrO2−酸化物−炭化物系セラミツ
クス焼結体は、熱間等方圧加圧焼結法（HIP）で
も製造することができる。すなわち、上記原料粉
末を金型プレス、冷間静水圧プレス（CIP）、ド
クターブレード法、スリツプキヤステイング法等
の各種成形方法により成形し、この成形体を、大
気中で1300〜1600℃の温度で焼成して相対密度を
94.5％以上にした後で1200〜1500℃でHIPした相
対密度99％以上のZrO2−酸化物−炭化物系のセ
ラミツクス焼結体は、磁気ヘツドスライダの形状
に切断して仕上げ加工して製造する。 本発明の磁気ヘツドスライダ用材料を得るため
の製造方法及び材料の特性について、実施例によ
り具体的に説明する。 実施例 １ 以下の要領で、原料粉末を調製した。 ZrO2成分：Y2O3、MgO、CeOの安定化剤を第１
表の割合で含む部分安定化ZrO2粉末
用、VTR用等の記録再生用、磁気テープ用等の
磁気ヘツドスライダ用材料に関する。 〔従来の技術〕 従来から、記録再生用磁気ヘツドスライダとし
て、多結晶Ni−Znフエライト、Mn−Znフエラ
イトや単結晶Mn−Znフエライトあるいは高硬度
パーマロイ等が用いられてきたが、近年、再生す
べき記録密度が増大したことから、薄膜磁気ヘツ
ド化が進められてきており、磁気回路用として高
周波域の磁気特性が優れたパーマロイ、センダス
ト或いはアモルフアスの薄膜に対応できる耐耗性
スライダ材料の開発が行われている。 この記録再生用磁気ヘツドスライダ用材料とし
ては、耐摩耗性を初め、高強度、組織の緻密性、
さらには記録媒体とのなじみ、潤滑性、金属薄膜
との熱的整合性などと共に、精密加工性、加工能
率等の加工上の諸特性に優れていることが要求さ
れる。 この要求特性を満足する材料としては、アルミ
ナ系セラミツクスがあるとされ、特に、耐摩耗性
と磁気材料とのなじみとにおいて優れた材料とし
て、例えば特開昭55−163665号公報にはAl2O3−
TiC系材料が、特開昭57−198578号公報には、
TiO2−Al2O3系のものが開示されている。 さらに、薄膜磁気ヘツド用セラミツクス基板と
して機拠械加工に際してのチツピングを改善した
ものとして、ジルコニアを主成分とするものが特
開昭60−171617号公報に開示されている。 しかしながら、このジルコニアを主成分とする
材料は、部分安定化したZrO2を主成分とするも
のであるため、熱的な面での安定化に欠け、基板
への膜付けの際の数100℃までの加熱や冷却に起
因して単斜晶が増加し、強度の劣化や体積変化に
伴い基板の反りが生じるという問題があり、満足
すべきものではない。 〔発明が解決しようとする問題点〕 いずれにしても、現在各種提案されている薄膜
磁気ヘツド用セラミツクスとしては、上記の要求
特性を全体として満足するものはない。 本発明において解決すべき課題は、薄膜磁気ヘ
ツドスライダ用材料としてセラミツクスを用いた
場合には、前記要求特性の中、解決すべき課題は
その加工性にあるとして、高強度、高靭性で摺動
性がよく、機械加工性が比較的良いジルコニアを
選定し、その特性の改善によつて磁気ヘツドスラ
イダ用材料を得ようとするものである。 〔問題点を解決するための手段〕 本発明は、Y2O3、MgO、CaO、CeO2の安定化
剤の少なくとも一種を含有せしめてなる正方晶結
晶構造を有するZrO255〜90容量％と、残部が、
TiO2、Nb2O5、Ta2O5、Cr2O3、HfO2の１種又
は２種以上又はこれらの固溶体である酸化物と、
TiC、NbC、TaC、Cr3C2、MrC、No2C、WCの
１種又は２種以上又はこれらの固溶体である炭化
物とからなり、且つ、上記酸化物と炭化物の容量
比が、酸化物／（酸化物＋炭化物）＝0.05〜0.20
である磁気ヘツドスライダ用材料である。 ZrO2を実質的に正方晶構造とするためには、
ZrO2にY2O3、MgO、CaO、CeO2等の安定化剤
の少なくとも１種を含有せしめることが必要であ
る。 これらの安定化剤はZrO2に対してY2O3の場合
には1.0〜6.0重量％、MgOでは2.0〜4.3重量％、
CaOでは2.8〜5.8重量％、さらにCeO2の場合には
8.2〜13.4重量％含有させる必要がある。 正方晶のZrO2が存在すると、外部応力によつ
て正方晶から単結晶構造への変態が起る結果、い
わゆる応力誘起変態機構によつて機械的特性、特
に強度や靭性が向上する作用がある。 また、正方晶ZrO2は一般に粒成長を起こし易
いが、炭化物やZrO2以外の酸化物と複合化させ
ることにより、複合化による結晶粒の微細化の効
果が大きく、平均結晶粒1.5μm以下となつてチツ
ピングが少なくなり、耐摩耗性、材料の緻密さが
改善されるばかりでなく、前述の熱劣化の問題も
大幅に改善される。 本発明においては、安定化剤を含むZrO2が55
容量％未満では強度や靭性が不足で、これまで多
用されてきたAl2O3−TiC系材料と比べてスライ
ジング工程でのチツピングや潤滑性が改善されな
い。また90容量％を超えると基板への膜付けの際
の数100℃までの加熱や冷却に起因してZrO2の単
斜晶が増加し、強度の劣化や基板の反りが生じる
という問題が発生する。従つて、安定化剤を含む
ZrO2の量は55〜90容量％とする必要がある。 また、本発明においては酸化物はZrO2の焼結
性の改善のために配合されるもので、また、炭化
物は焼結体の耐摩耗性や切断加工性の改善のため
に配合される。 しかしながら、酸化物／（酸化物＋炭化物）の
容量比が、0.05未満では酸化物による焼結性改善
の効果が少なくなり、焼結温度が高くなる。 また、その容量比が0.05〜0.20の範囲では、焼
結体に悪影響を与える炭化物成分中の遊離炭素と
反応し、更に部分安定化ジルコニアとも反応し結
合剤の役目を果たす結果、焼結性を改善する。し
かしながら、その比が0.20を超えると、炭化物と
反応結合する量が必要以上に多くなる結果、炭化
物の酸素固溶量が多くなり、強度が低下すると共
に炭化物結晶粒が粗大化するため、緻密で均一微
細な組織を有する焼結体が得られ難くなる。 上記本発明の磁気ヘツドスライダ用材料は以下
の要領によつて好適に製造される。 共沈法によつて得たY2O3、MgO、CaO、CeO2
等の安定化剤を所定量含む部分安定化ZrO2粉末
と、TiC、NbC、TaC、Cr3C2、MoTa2O5、2C、
WCの１種又は２種以上又はこれらの固溶体粉末
と、TiO2、Nb2O5、Cr2O3、HfO2の１種又は２
種以上又はこれらの固溶体粉末とを所要量配合
し、湿式混合粉砕した後、乾燥、整粒して減量粉
末を調整する。この原料粉末を黒鉛型内に充填
し、それぞれ最適焼結温度1250〜1600℃で50〜
300Kg／cm2の圧力を加え、それぞれ所定時間保持
焼結して相対密度99％以上のZrO2−酸化物−炭
化物系のセラミツクス焼結体を得る。 また、このZrO2−酸化物−炭化物系セラミツ
クス焼結体は、熱間等方圧加圧焼結法（HIP）で
も製造することができる。すなわち、上記原料粉
末を金型プレス、冷間静水圧プレス（CIP）、ド
クターブレード法、スリツプキヤステイング法等
の各種成形方法により成形し、この成形体を、大
気中で1300〜1600℃の温度で焼成して相対密度を
94.5％以上にした後で1200〜1500℃でHIPした相
対密度99％以上のZrO2−酸化物−炭化物系のセ
ラミツクス焼結体は、磁気ヘツドスライダの形状
に切断して仕上げ加工して製造する。 本発明の磁気ヘツドスライダ用材料を得るため
の製造方法及び材料の特性について、実施例によ
り具体的に説明する。 実施例 １ 以下の要領で、原料粉末を調製した。 ZrO2成分：Y2O3、MgO、CeOの安定化剤を第１
表の割合で含む部分安定化ZrO2粉末
【表】
平均粒子径 1μm以下
純度 99・９％以上（安定化剤を含めた純度）
酸化物（TiO2、Nb2O5、Ta2O5、Cr2O3、HfO2）
平均粒子径：0.5μm
純度：99.9％
炭化物（TiC、NbC、Cr3C2、ZrC、Mo2C、
WC） 平均粒子径： TiC：1μm、NbC：0.8μm 純度：99.7％以上 上記の各種出発原料を第２表に示す割合に湿式
粉砕混合した後、メタノールを溶媒としてジルコ
ニアボールを使用し24時間湿式混合粉砕した後、
乾燥、整粒して原料粉末を調整した。 この原料粉末を50×50m/m、高さ60m/mの黒
鉛型内に充填して、それぞれ最適の焼結温度1200
〜1750℃で150〜300Kg／cm2の圧力を加え、60分間
保持して、ついで、圧力を除去し放冷することに
より、50×50×5.5m/mの焼結体を得た。各種組
成物の焼結体をダイヤモンド砥石で49×49×5.0
ｍ／ｍに研削して比重測定を行つた後、更にダイ
ヤモンド砥石で切断あるいは研削して試験片を作
成し、各種試験に供した。 相対密度はアルキメデス法で測定した比重を理
論密度で除して相対密度を求めた。 切断加工性及び耐チツピング性は各試験片を治
具で固定し、これを滑車を介して１Kgの重錘をつ
け、レジンボンドダイヤモンド切断砥石を用い、
重錘の荷重によりダイヤモンド砥石を50m/m長
さに切断する試験を行つた。この切断に要する時
間を測定して加工性を評価した。 また、切断加工時に稜に生じるチツピングの有
無、大きさを顕微鏡で観察して耐チツピング性を
評価した。 なお、加工性は試料No.８（Y2O3部分安定化
ZrO2）の切断所要時間を基準時間とし、基準時
間を各試料No.毎の切断所要時間で除し100倍した
数値を切断加工性として示す。 精密加工性は、デイスクヘツドスライダのトラ
ツク幅に合わせて加工する際に、エツジ部に発生
する微小欠けの度合により、使用上好ましくない
ものをＣ印、欠け発生がほとんどなく使用上問題
ないものをＢ印、特に優れているものをＡ印で示
す。 また、ヘツドとテープ（又はデイスク）の適合
性についての評価は、それぞれの試料をヘツドに
加工し、テープ走行試験を行い再生出力減衰量
（dB）を測定し評価した。テープはγ−Fe2O3塗
布型媒体（媒体厚み10μm）を用い、定常耐摩耗
状態においてテープをシユーシヤイン走行させ、
103回のシユーシヤイン走行テストでの評価が従
来品と同程度のものをＣ印（−2dB以下）、優れ
ているものをＢ印（−2dB〜−1dB）で、さらに
非常に優れているものをＡ印（−dB〜０）で示
した。 第３表に試験評価結果を示す。 試料No.１〜８は、試験評価結果でZrO2成分量
の影響をみたものである。本願発明品の試料No.４
〜７は、比較例（従来品）より特に強度、精密加
工性、潤滑性に優れていることがわかる。また、
ZrO2量が少ない４（55容量％以下）では強度や靭
性が不足で、これまで多用されてきたAl2O3−
TiC系材料と比べてスライジング工程でのチツピ
ングや潤滑性が改善されないことがわかる。 試料No.９〜29は、酸化物／（酸化物＋炭化物）
＝0.05と一定し、各種酸化物、炭化物、固溶体の
実施例である。本願発明（試料No.10〜12、14〜
16、18〜20、22、24、25、27〜29）はいずれも従
来品と比べ、強度、精密加工性、潤滑性に優れて
いることがわかる。 試料No.30〜34は、３重量％のY2O3で安定化さ
れたZrO2量を70容量％と一定とし、酸化物が
TiO2、炭化物がTiCの場合で、酸化物／（酸化
物＋炭化物）の比を０〜0.3と変化させた場合の
試験評価結果である。 試料No.31〜33の場合のように、酸化物／（酸化
物＋炭化物）の比が本願発明の0.05〜0.20の範囲
内にあるとき相対密度、硬さも高い。 試料No.35〜37は、各種安定化剤の種類に対する
各種酸化物、炭化物の組合せによる実施例の試験
評価結果である。 いずれの場合も本願発明品は、従来品に比べ精
密加工性、強度、潤滑性に優れていることがわか
る。 以上の試験結果により、本発明の磁気ヘツドス
ライダ用材料は、要求される諸特性を満足してい
ることがわかる。
WC） 平均粒子径： TiC：1μm、NbC：0.8μm 純度：99.7％以上 上記の各種出発原料を第２表に示す割合に湿式
粉砕混合した後、メタノールを溶媒としてジルコ
ニアボールを使用し24時間湿式混合粉砕した後、
乾燥、整粒して原料粉末を調整した。 この原料粉末を50×50m/m、高さ60m/mの黒
鉛型内に充填して、それぞれ最適の焼結温度1200
〜1750℃で150〜300Kg／cm2の圧力を加え、60分間
保持して、ついで、圧力を除去し放冷することに
より、50×50×5.5m/mの焼結体を得た。各種組
成物の焼結体をダイヤモンド砥石で49×49×5.0
ｍ／ｍに研削して比重測定を行つた後、更にダイ
ヤモンド砥石で切断あるいは研削して試験片を作
成し、各種試験に供した。 相対密度はアルキメデス法で測定した比重を理
論密度で除して相対密度を求めた。 切断加工性及び耐チツピング性は各試験片を治
具で固定し、これを滑車を介して１Kgの重錘をつ
け、レジンボンドダイヤモンド切断砥石を用い、
重錘の荷重によりダイヤモンド砥石を50m/m長
さに切断する試験を行つた。この切断に要する時
間を測定して加工性を評価した。 また、切断加工時に稜に生じるチツピングの有
無、大きさを顕微鏡で観察して耐チツピング性を
評価した。 なお、加工性は試料No.８（Y2O3部分安定化
ZrO2）の切断所要時間を基準時間とし、基準時
間を各試料No.毎の切断所要時間で除し100倍した
数値を切断加工性として示す。 精密加工性は、デイスクヘツドスライダのトラ
ツク幅に合わせて加工する際に、エツジ部に発生
する微小欠けの度合により、使用上好ましくない
ものをＣ印、欠け発生がほとんどなく使用上問題
ないものをＢ印、特に優れているものをＡ印で示
す。 また、ヘツドとテープ（又はデイスク）の適合
性についての評価は、それぞれの試料をヘツドに
加工し、テープ走行試験を行い再生出力減衰量
（dB）を測定し評価した。テープはγ−Fe2O3塗
布型媒体（媒体厚み10μm）を用い、定常耐摩耗
状態においてテープをシユーシヤイン走行させ、
103回のシユーシヤイン走行テストでの評価が従
来品と同程度のものをＣ印（−2dB以下）、優れ
ているものをＢ印（−2dB〜−1dB）で、さらに
非常に優れているものをＡ印（−dB〜０）で示
した。 第３表に試験評価結果を示す。 試料No.１〜８は、試験評価結果でZrO2成分量
の影響をみたものである。本願発明品の試料No.４
〜７は、比較例（従来品）より特に強度、精密加
工性、潤滑性に優れていることがわかる。また、
ZrO2量が少ない４（55容量％以下）では強度や靭
性が不足で、これまで多用されてきたAl2O3−
TiC系材料と比べてスライジング工程でのチツピ
ングや潤滑性が改善されないことがわかる。 試料No.９〜29は、酸化物／（酸化物＋炭化物）
＝0.05と一定し、各種酸化物、炭化物、固溶体の
実施例である。本願発明（試料No.10〜12、14〜
16、18〜20、22、24、25、27〜29）はいずれも従
来品と比べ、強度、精密加工性、潤滑性に優れて
いることがわかる。 試料No.30〜34は、３重量％のY2O3で安定化さ
れたZrO2量を70容量％と一定とし、酸化物が
TiO2、炭化物がTiCの場合で、酸化物／（酸化
物＋炭化物）の比を０〜0.3と変化させた場合の
試験評価結果である。 試料No.31〜33の場合のように、酸化物／（酸化
物＋炭化物）の比が本願発明の0.05〜0.20の範囲
内にあるとき相対密度、硬さも高い。 試料No.35〜37は、各種安定化剤の種類に対する
各種酸化物、炭化物の組合せによる実施例の試験
評価結果である。 いずれの場合も本願発明品は、従来品に比べ精
密加工性、強度、潤滑性に優れていることがわか
る。 以上の試験結果により、本発明の磁気ヘツドス
ライダ用材料は、要求される諸特性を満足してい
ることがわかる。
【表】
【表】
【表】
以上説明したように、本発明の磁気ヘツドスラ
イダ用材料は、磁気ヘツドスライダの耐摩耗性、
機能部材に要求される耐摩耗性をはじめ、精密加
工性、加工能率、高強度、組織の緻密性、記録の
媒体とのなじみ、潤滑性などの諸特性を満足し、
特に精密加工性、強度、潤滑性に優れた特性を有
する磁気ヘツドスライダ用材料であるので、チツ
ピングも少なく微細な加工を行なうことができ、
薄膜磁気ヘツドスライダとして好適なものを得る
ことができるという効果を奏することができる。
イダ用材料は、磁気ヘツドスライダの耐摩耗性、
機能部材に要求される耐摩耗性をはじめ、精密加
工性、加工能率、高強度、組織の緻密性、記録の
媒体とのなじみ、潤滑性などの諸特性を満足し、
特に精密加工性、強度、潤滑性に優れた特性を有
する磁気ヘツドスライダ用材料であるので、チツ
ピングも少なく微細な加工を行なうことができ、
薄膜磁気ヘツドスライダとして好適なものを得る
ことができるという効果を奏することができる。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ Y2O3、MgO、CaO、CeO2の安定化剤の少な
くとも１種を含有せしめてなる正方晶結晶構造を
有するZrO255〜90容量％と、 残部が、 TiO2、Nb2O5、Ta2O5、Cr2O3、HfO2の１種
又は２種以上又はこれらの固溶体である酸化物
と、 TiC、NbC、TaC、Cr3C2、ZrC、Mo2C、WC
の１種又は２種以上又はこれらの固溶体である炭
化物とからなり、且つ、 上記酸化物と炭化物の容量比が、 酸化物／（酸化物＋炭化物）＝0.05〜0.20 であることを特徴とする磁気ヘツドスライダ用材
料。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61278459A JPS63134562A (ja) | 1986-11-21 | 1986-11-21 | 磁気ヘツドスライダ用材料 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61278459A JPS63134562A (ja) | 1986-11-21 | 1986-11-21 | 磁気ヘツドスライダ用材料 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63134562A JPS63134562A (ja) | 1988-06-07 |
| JPH0510292B2 true JPH0510292B2 (ja) | 1993-02-09 |
Family
ID=17597626
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61278459A Granted JPS63134562A (ja) | 1986-11-21 | 1986-11-21 | 磁気ヘツドスライダ用材料 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63134562A (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2543750B2 (ja) * | 1988-07-13 | 1996-10-16 | 株式会社日立製作所 | 磁気ヘッド及び磁気記録再生装置 |
| JP2977867B2 (ja) * | 1990-06-21 | 1999-11-15 | 住友特殊金属株式会社 | 磁気ヘッドスライダ用材料 |
| WO2012053571A1 (en) | 2010-10-22 | 2012-04-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, light-emitting device, and lighting device |
| CN106699175B (zh) * | 2017-02-28 | 2020-01-14 | 安徽拓吉泰新型陶瓷科技有限公司 | 氧化锆陶瓷缸套材料及其制备方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60171617A (ja) * | 1984-02-15 | 1985-09-05 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 薄膜磁気ヘツド用セラミツク基板 |
| JPS61106455A (ja) * | 1984-04-12 | 1986-05-24 | 日立金属株式会社 | ジルコニアセラミツクス |
-
1986
- 1986-11-21 JP JP61278459A patent/JPS63134562A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60171617A (ja) * | 1984-02-15 | 1985-09-05 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 薄膜磁気ヘツド用セラミツク基板 |
| JPS61106455A (ja) * | 1984-04-12 | 1986-05-24 | 日立金属株式会社 | ジルコニアセラミツクス |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63134562A (ja) | 1988-06-07 |
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