JPH05102603A - アレー型レーザ装置 - Google Patents

アレー型レーザ装置

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Publication number
JPH05102603A
JPH05102603A JP26245491A JP26245491A JPH05102603A JP H05102603 A JPH05102603 A JP H05102603A JP 26245491 A JP26245491 A JP 26245491A JP 26245491 A JP26245491 A JP 26245491A JP H05102603 A JPH05102603 A JP H05102603A
Authority
JP
Japan
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laser
photoresist film
convex arc
arc surface
laser rod
Prior art date
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Pending
Application number
JP26245491A
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English (en)
Inventor
Akira Eda
昭 江田
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Mitsui Petrochemical Industries Ltd
Original Assignee
Mitsui Petrochemical Industries Ltd
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Publication date
Application filed by Mitsui Petrochemical Industries Ltd filed Critical Mitsui Petrochemical Industries Ltd
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Abstract

(57)【要約】 (修正有) 【目的】 コンパクトで高い発振効率のマルチアレー型
レーザ装置を提供する。 【構成】 レーザ発振のための複数の励起源と、固体レ
ーザ媒質の少なくとも一方の端面に複数の凸弧面が形成
され、この凸弧面とこの凸弧面に対向した固体レーザ媒
質の他方の端面が反射膜でコーティングされてなるレー
ザ共振器とを含み、前記凸弧面は、複数の励起源に対応
して、各々の凸弧面に励起源からの光が入射するように
レーザ媒質上に配置されていることを特徴とするアレー
型レーザ装置。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、アレー型レーザ装置に
関し、詳しくは、高密度アレー型レーザ装置の構成に関
する。
【0002】
【従来の技術】レーザダイオードにより縦励起される固
体レーザは、広いスペクトル及び空間特性を有するポン
ピングのために、優れた利得が得られる。今までに種々
の高出力型のレーザ装置(マルチファセットポンピン
グ、LDマルチプレキシング、ファイバー束ポンピング
を含む)が開発されている。
【0003】しかし、一般に出力を増すために縦励起を
スケールアップするためには、より大きな基本モードに
耐えられるようにキャビティーを大きくすることが必要
となる。また、スケールアップすると、熱により生ずる
複屈折や収差のために利得が低下する。
【0004】一方、キャビティーをコンパクトに保った
まま縦励起をスケールアップするための方法として、固
体レーザ媒質に入射させる励起光によって起こる熱レン
ズ効果を利用し、レーザ媒質の両側に平面鏡を配置し、
マルチアレー発振を起こさせるものがある(Oka, M. et
al. CLEO'91, p.40)。しかし、これは熱レンズ効果を
利用しているためにレーザ発振のしきい値が高く、発振
効率が低いなどの問題点がある。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記問題点
を解決し、コンパクトで高い発振効率のマルチアレー型
レーザ装置を提供することにある。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明者は、複数の凸弧
面をレーザ媒質に形成し、これをレーザ共振器として使
用することにより、効率のよいマルチアレー型レーザを
構成することができることを見出し、本発明に至った。
【0007】すなわち本発明は、レーザ発振のための複
数の励起源と、固体レーザ媒質の少なくとも一方の端面
に複数の凸弧面が形成され、この凸弧面とこの凸弧面に
対向した固体レーザ媒質の他方の端面の少なくとも一方
の端面が反射膜でコーティングされているレーザ共振器
とを備えたことを特徴とするアレー型レーザ装置であ
る。
【0008】
【作用】励起源から出力された複数の励起光は、固体レ
ーザ媒質の端面に形成された複数の凸弧面に入射する。
【0009】この凸弧面からレーザ媒質に入射した励起
光は、対向面及び励起光が入射する面に施されたコーテ
ィングにより反射を繰り返す。この際、各々の凸弧面は
凹面反射鏡として作用し、レーザ媒質自体で安定型レー
ザ共振器として機能し、マルチアレー型発振が起こる。
【0010】以下、本発明の各構成について説明する。
【0011】<1>固体レーザ共振器 通常、安定型レーザ共振器として、レーザ媒質の両側に
凹面反射鏡を対向させて配置した構造のもの、あるいは
片側に凹面反射鏡を、他の側に平面鏡を対向さて配置し
た構造のものが知られている。一方の反射鏡は全反射鏡
で、他方の反射鏡はレーザ光の一部を透過させる反射鏡
である。
【0012】このようなレーザシステムを小形化するた
めには反射鏡が占めるスペースをできるだけ小さくする
必要がある。更に、システムが小型化するにつれて、こ
れら反射鏡の間の距離を短くする必要がある。
【0013】レーザ共振器を、固体レーザ媒質に凸弧面
を一体に形成することにより製造できれば、装置の小形
化等に極めて有効であり、特に高密度アレー型レーザに
有利である。このようなレーザ共振器として、図2に示
したように、レーザ媒質の一方の端面に凸弧面を一体に
形成するとともに、前記レーザ媒質の他方の端面を平面
としたものを例示できる。
【0014】また、図3、図4に示したような接合型レ
ーザ共振器を例示できる。図3,図4で13は光の全反
射膜、14は光の半透過膜である。さらに、図5のよう
に、レーザ媒質の一方の端面に第1の凸弧面を一体に形
成するとともに、前記レーザ媒質の他方の端面に第2の
凸弧面を一体に形成し、第1の凸弧面にレーザ光を全反
射する全反射膜を設け、第2の凸弧面にレーザ光の一部
を反射し一部を透過させる半透過膜を形成することを特
徴とするレーザ共振器を挙げることができる。
【0015】前記凸弧面は、概ね球面あるいは非球面、
例えば回転楕円体面であることが好ましい。この場合、
球面または非球面は半径方向に曲率半径が連続的または
段階的に異なる歪みを持っていてもよい。
【0016】このようにレーザ媒質の表面に複数の凸弧
面を形成する第1の方法は、レーザ媒質の表面上に形成
されたフォトレジスト膜に、フォトリソグラフィー法に
よって凸弧面を形成し、レーザ媒質の表面及び前記フォ
トレジスト膜をエッチングして、フォトレジスト膜の前
記凸弧面に類似した凸弧面をレーザ媒質の表面に形成す
ることによって達成される。
【0017】ここで、フォトリソグラフィー法で凸弧面
を形成する方法として、フォトレジスト膜に円形あるい
は楕円形のパターンを露光する露光工程において、露光
強度を前記パターンの中心から周辺に行くにつれ次第に
変化させる方法を例示できる。
【0018】ここで、パターンの中心から周辺に行くに
つれ次第に変化させるとは、中心が白く(透明)周辺に
行くにつれて黒く(不透明)なる場合と、その逆の場合
である。
【0019】この方法としては、例えば、以下の方法を
例示できる。 写真フィルムの引き伸ばし機のような、解像度の低い
レンズを露光用レンズとして用い、フォトマスクの円形
/楕円形パターンをフォトレジスト膜に結像して露光
し、現像する方法。
【0020】フォトレジスト膜上に形成すべき円形/
楕円形パターンをデフォーカス状態でフォトレジスト膜
に結像しフォトレジスト膜を露光した後、現像する方
法。
【0021】パターンを形成したフォトマスクを使用
してフォトレジスト膜を露光するとき、黒または白抜き
の円形/楕円形をフォーカスをずらして写真撮影し、中
央部から周辺に行くほど黒化濃度が変化する円形/楕円
形パターンを持つネガフィルムを得、このネガフィルム
を円形/楕円形パターン転写用原板としてフォトレジス
ト膜に結像し、あるいは、フォトレジスト膜に原板を近
接または密着させた状態で露光し、現像する方法。
【0022】露光用光学系の途中にディフーザを挿入
するなどして、散乱光を得て、散乱光で、形成すべきパ
ターンをフォトレジスト膜に結像、露光した後、現像す
る方法。
【0023】ディフーザとは、BK−7などの光学ガラ
スの表面をアルミナ砥粒などを用いて砂ずりし、光を散
乱させる光学素子で、例えば、シグマ光器製DFSQー
50C02−1500などが例示できる。
【0024】パターンを形成したフォトマスクをフォ
トレジスト膜から離して両者間に間隔を設けた状態でフ
ォトレジスト膜を露光した後、現像する方法。
【0025】前記からの方法においてフォトマス
クのパタンの白黒の正逆いかんで凸弧面、凹弧面のいず
れをも形成できる。
【0026】レーザ媒質の表面に複数の凸弧面を形成す
る第2の方法として、レーザ媒質の表面上に形成された
概ね平滑な上端面を有するフォトレジスト膜に、フォト
リソグラフィー法による露光、現像によって円柱状また
は楕円柱状のパターンのフォトレジスト膜を形成し、こ
のフォトレジスト膜を熱処理して、このフォトレジスト
膜の概ね平坦な上端面を凸弧面に変形させ、光学材料の
表面及び前記変形したフォトレジスト膜をエッチングし
て、フォトレジスト膜の前記凸弧面に類似した少なくと
も1つの凸弧面をレーザ媒質の表面に形成する方法があ
る。
【0027】換言すれば、円形もしくは楕円形のパター
ンを形成したフォトマスクを使用してフォトレジスト膜
を露光、現像すると、露光のフォーカスが合っていれ
ば、レーザ媒質の表面に概ね平滑な上端面を有する円柱
状フォトレジスト膜が形成される。
【0028】そこで、この円柱状または楕円柱状のフォ
トレジスト膜を構成する材料のガラス転移点を越える温
度に円柱状または楕円柱状のフォトレジスト膜を保持
し、フォトレジスト膜を熱流動せしめると、円柱状また
は楕円柱状のフォトレジスト膜の上端角部が丸く崩れ、
円柱状または楕円柱状のフォトレジスト膜が表面張力に
より丸くなって全体的にみて凸弧面に変形する。
【0029】以上において、エッチングはドライエッチ
ングにて行うことが好ましい。ドライエッチングに使用
する気体は、使用するレーザ媒質に依存して適宜決定す
ることができる。エッチングの条件は、レーザ媒質の表
面に形成すべき凸弧面の形状に依存する。ドライエッチ
ングの場合エッチング中随時、使用する気体の種類、使
用量、流量、高周波出力、閉じ込め磁場の強度、気体イ
オンの加速電圧、エッチング時間等を連続的にまたは段
階的に変えることにより、レーザ媒質の表面に形成すべ
き凸弧面の断面形状(レーザ媒質の表面と垂直方向の断
面形状)を変えることにより凸弧面に歪みを与えること
ができる。
【0030】からの方法において、円形または楕円
形のパターンのみならず、例えば長方形のパターンを用
いることで円筒状の凸弧面、正方形では円筒状凸弧面が
直交した形状を得ることができる。その他の多角形、例
えば6角形の場合にも断面が円周に近似した形状を形成
できる。
【0031】前記凸弧面は、各々の凸弧面に励起光が入
射するように、励起源に合わせて配置する。励起源とし
てマルチストライプレーザダイオードを使用する場合に
は、各凸弧面の間隔が、活性導波路の間隔と等しくなる
ように集光用の光学部品を配置すればよい。
【0032】レーザ媒質としては、Nd:YAG、N
d:YAB、Nd:Y3 Al512、Nd:YLiF4
Nd:YVO4、Nd:La2Be25、Nd:Y3 Al
3(BO34等を例示することができる。
【0033】また、本発明に示す構成は、レーザ媒質の
みでなく非線形光学材料による第2高調波発生等にも有
効である。フォトレジストとしては、一般にポジ形フォ
トレジストと呼ばれるフェノール樹脂にジアゾ系感光材
を重合したものを使用することが好ましい。
【0034】上記のようにして端面の片側あるいは両側
に凸弧面を形成したレーザ媒質の両端面は、光を反射す
る膜をコーティングすることにより、レーザ共振器とし
て機能することができる。励起光が入射する側は、励起
光は透過し、固体レーザ媒質から放出されたレーザ光は
ほとんど反射するようなコーティングを施し、レーザ光
の出力側には励起光はほとんど反射し、増幅されたレー
ザ光の一部が透過するようにコーティングを施す。
【0035】コーティングの方法としては、真空蒸着法
あるいはスパッタ法により、屈折率の異なる2種類の薄
膜を各々、目的の反射波長での光学長が1/2波長に相
当する厚さに交互に積層する方法が例示できる。
【0036】<2>励起源 上記レーザ共振器の励起源として、クリプトン・アーク
ランプ、キセノン・フラッシュランプ等を使用すること
ができるが、低電力化、高効率化、小型化等の観点か
ら、半導体レーザが好ましい。特に、アレー型レーザの
励起源としては、複数のレーザ光を出力するマルチスト
ライプ型半導体レーザ、例えばマルチストライプ型のレ
ーザダイオードを使用することが装置を簡略化するのに
好ましい。
【0037】このように、複数のレーザ光を出射する励
起源を使用すれば、その復数のレーザ光に対応して、レ
ーザ媒質の端面に凸弧面を形成すればよいから、装置構
成がきわめて簡略化できる。
【0038】但し、前記各励起源として、クリプトン・
アークランプ、キセノン・フラッシュランプや、シング
ル形の半導体レーザなど、一つのレーザ光を出力するレ
ーザ装置であっても本発明に使用可能であり、この場
合、各レーザ装置から出力されたレーザ光を前記各凸弧
面に入力するよう案内する光ファイバを設けるとよい。
【0039】励起光源の波長は、レーザ媒質の吸収スペ
クトルに一致あるいは近接していることが必要である。
レーザダイオードを励起源とする場合は、例えば、レー
ザ媒質の吸収波長付近で発振するものを選択し、次に吸
収が最大となるように温度を変えてチューニングするこ
とにより、レーザ媒質の吸収スペクトルに一致させるこ
とができる。
【0040】レーザ媒質としてNd:YAGを使用する
場合は、好ましい励起源としてGaAlAs半導体レー
ザを挙げることができる。
【0041】 <3>本発明のアレー型レーザ装置の構成 本発明のアレー型レーザ装置は、前記固体レーザ共振器
と励起源とを、固体レーザ共振器に形成された凸弧面に
励起光が集光するように配置することにより構成され
る。通常励起源から出力される励起光は一定の角度をも
って射出されるので、マルチストライプ型レーザダイオ
ードの各活性導波路から出た複数のレーザ光を固体レー
ザ媒質の表面に形成された各々の凸弧面に入射させるに
際しては、必要に応じてフォーカシングレンズを介在さ
せてもよい、このフォーカシングレンズにより複数のレ
ーザ光は、平行光に直され、あるいはスポット状に絞ら
れ、固体レーザ媒質の表面に形成された各々の凸弧面に
集光し、この凸弧面からレーザ媒質の内部に入光する。
【0042】
【実施例】本発明の実施例を説明する。はじめに、本発
明に用いるレーザ共振器の製造方法についての実施例を
説明する。
【0043】
【実施例1】まず、本発明のレーザ共振器を製造するに
際し、レーザ媒質に凸弧面を形成する方法についての第
1の実施例を説明する。
【0044】Nd:YAG結晶からなるレーザロッド表
面上に、東京応化工業株式会社製フォトレジストOFP
R800をスピンコートした後プリベークして0.6μ
m厚さのフォトレジスト膜42を形成した(図6
(a))。
【0045】次いで、F4に設定した FUJINON
EX 50mmレンズを取り付けた富士写真フィルム
株式会社製CF670型引き伸ばし機50を露光装置と
して使用し、この引き伸ばし機を、露光用原板52に形
成されたパターンの大きさとかかるパターンの像の大き
さとが1:1となるように調整した。尚、図示しない
が、上部ランプハウスを取り外して中心波長400nm
のコールドミラーを取り付け、ウシオ社製ランプハウス
UIS−5100型に超高圧水銀ランプをセットして紫
外線を導入し露光用光源とした。原板52のパターンは
円形パターンとした。
【0046】フォトレジスト膜42の形成されたレーザ
ロッド40をフォーカス位置にセットし(図6(b)参
照)、紫外線を照射して原板52に形成されたパターン
をフォトレジスト膜42に結像した後、フォトレジスト
膜42を現像すると、図6(c)に示すように、直径1
00μmの円形のフォトレジスト膜42がレーザロッド
40の表面上に残された。この円形のフォトレジスト膜
42の表面は概ね球面状であり、表面の曲率半径は約2
mmであった。
【0047】写真フィルムの引き伸ばし機のような解像
度の低いレンズを使用した場合、フォトレジスト膜42
へ照射される紫外線量は、個々の円形パターンの中心部
から周辺部に向かうに従って増加する。それ故、パター
ンが結像されたフォトレジスト膜42を現像すると、レ
ーザロッド40表面上に残されたフォトレジスト膜42
の厚さは、個々の円形パターンの中心部から周辺部に向
かって薄くなる。従って、現像後のフォトレジスト膜4
2の表面は概ね球面状となる。
【0048】尚、フォトレジスト膜42の形成されたレ
ーザロッド40をフォーカス位置から3mmずらしてセ
ットし、同様の処理を行った場合、直径60μmの円形
のフォトレジスト膜42がレーザロッド40の表面上に
残された。この円形のフォトレジスト膜42の表面は概
ね球面状であり、球面の曲率半径は約1.5mmであっ
た。
【0049】また、白抜きの円形をフォーカスをずらし
て写真撮影し、円形の中央部が黒、周辺に行くほど黒化
濃度が減少する円形パターンを持つネガフィルムを得、
このネガフィルムを円形パターン転写用原板52として
使用した場合、特にフォーカス位置をずらさなくとも半
球状のフォトレジストパターンが形成できた。
【0050】このようにして得られた直径100μmの
円形のフォトレジスト膜42の形成されたレーザロッド
40を、日電アネルバ社製 ECR−310型ドライエ
ッチング装置を使用してドライエッチングした。ドライ
エッチング条件は、ドライエッチング装置を6.5×1
-4Pa迄排気した後、装置にC26を5SCCM(St
andard Curbic Centimeter Minute)に導入し、高周波出
力300W、閉じ込め磁界10-2T、イオンの加速電圧
500Vとし、エッチング時間を1時間とした。
【0051】この条件でのドライエッチングによって、
レーザロッド40表面上に形成されたフォトレジスト膜
42はエッチングされて完全に消失した。同時にレーザ
ロッド40もエッチングされ、レーザロッド40表面に
は、直径約100μm、曲率半径約4mmの概ね球面状
の凸弧面12が形成された(図6(d))。レーザロッ
ド40表面に形成された凸弧面12の曲率半径とフォト
レジスト膜42の表面の曲率半径とが異なるのは、レー
ザロッド40とフォトレジスト膜42のエッチング速度
が異なるためである。
【0052】
【実施例2】次に、Nd:YAG結晶からなるレーザロ
ッドに凸弧面を形成する方法についての第2の実施例を
説明する。
【0053】レーザロッド40表面上に、東京応化工業
株式会社製フォトレジストOFPR800をスピンコー
トした後プリベークして0.6μm厚さのフォトレジス
ト膜42を形成した(図7(a))。QUINTEL
Q6000型マスクアライナーを使用し、フォトマスク
60とフォトレジスト膜42との間の間隔を20μmに
保持した状態にて露光した(図7(b))。
【0054】尚、このとき、フォトマスク60上に、1
mm厚さの光学ガラスBK7の両面を#1500のアル
ミナ砥粒で砂ずりしたディフーザ62(シグマ光器製
DFSQ−50C02−1500)を置き、ディフーザ
62を透過した散乱光がフォトマスク60を介してレー
ザロッド40上のフォトレジスト膜42を露光するよう
にした。この場合、ソーダライムガラス製、4インチ
角、0.09インチ厚さで、直径100μm以下の円形
パターンを有するフォトマスク60を使用した。
【0055】次いで、東京応化工業株式会社製NMD−
3現像液を使用して、フォトレジスト膜42の現像を行
った。現像、純水リンス後、レーザロッド40上には直
径100μm以下の円形パターンのフォトレジスト膜4
2が残った(図7(c))。
【0056】フォトレジスト膜42の表面は、曲率半径
約4mmの概ね球面状の凸弧面42aであった。このよ
うに散乱光を用い、フォトマスク60とフォトレジスト
膜42との間に適当な間隔を設けることによって、概ね
球面状の凸弧面42aを有する円形のフォトレジスト膜
42を形成することができた。
【0057】このようにして得られたレーザロッド40
を、日電アネルバ社製 ECR−310型ドライエッチ
ング装置を使用してドライエッチングした。ドライエッ
チング条件は、ドライエッチング装置を6.5×10-5
Pa迄排気した後、装置にC26を5SCCM導入し、
高周波出力300W、閉じ込め磁界10-2T、イオンの
加速電圧700Vとし、エッチング時間を20分間とし
た。
【0058】この条件でのドライエッチングによって、
レーザロッド40表面上に形成されたフォトレジスト膜
42はエッチングされて完全に消失した。同時にレーザ
ロッド40もエッチングされ、レーザロッド40表面に
は、直径約100μm、曲率半径約4mmの概ね球面状
の凸弧面12が形成された(図7(d))。
【0059】
【実施例3】更に、Nd:YAG結晶からなるレーザロ
ッドに凸弧面を形成する第3の実施例を説明する。
【0060】15μm厚さのフォトレジスト膜42をレ
ーザロッド40上に形成し、フォトマスク60とフォト
レジスト膜42との間の間隔を8mmに保持し、直径1
mmの円形パターンを有するフォトマスク60を使用し
て露光を行い、実施例2と同様の条件にて現像し、レー
ザロッド40表面上に円形のフォトレジスト膜42を残
した。残ったフォトレジスト膜42の直径は0.8m
m、表面の曲率半径は約8mmであった。かかるレーザ
ロッド40を、実施例2と同様にドライエッチングし
た。但し、エッチング時間は8時間とした。エッチング
後のレーザロッド40の表面には、直径1mm、曲率半
径8mmの概ね球面状の凸弧面12が形成された。
【0061】ドライエッチングの条件、例えばドライエ
ッチング装置に導入するガスの量、加速電圧等を変える
ことによって、フォトレジスト膜42とレーザロッド4
0のエッチング速度の比を変えることができる。これに
よって、レーザロッド40上に残されたフォトレジスト
膜42の凸弧面42aの曲率半径が同じであっても、ド
ライエッチング後のレーザロッド40表面の凸弧面12
の曲率半径を変えることができる。例えば、直径100
μm、曲率半径約4mmの概ね球面状の凸弧面42aを
有するフォトレジスト膜42が形成されたレーザロッド
40を下記のドライエッチング条件にてドライエッチン
グしたとき、得られたレーザロッド40表面の概ね球面
状の凸弧面12の曲率半径は下記のとおりとなった。
【0062】
【0063】
【実施例4】更に、Nd:YAG結晶からなるレーザロ
ッドに凸弧面を形成する第4の実施例を説明する。レー
ザロッド表面上に、東京応化工業株式会社製フォトレジ
ストOFPR800をスピンコートした後プリベークし
て8μm厚さのフォトレジスト膜42を形成した(図8
(a))。
【0064】次に、フォトレジスト膜42上にフォトマ
スク60を密着させた、所謂密着露光法によって、直径
100μmの円形パターンを露光した(図8(b))。
このフォトレジスト膜42を東京応化工業株式会社製N
MD−3現像液を使用して現像し、純水にてリンスし
た。レーザロッド40上には直径100μmの円柱状の
フォトレジスト膜42が残った(図8(c))。
【0065】このレーザロッド40を175℃のクリー
ンオーブンに30分間入れた。フォトレジスト膜42
は、フォトレジスト膜42を構成する材料のガラス転移
点を越える温度以上に保持されるため、一部分が熱流動
して液滴状に変形し、曲率半径約100μmの概ね球面
状の凸弧面42aが形成された(図8(d))。フォト
レジスト膜42の加熱条件は、フォトレジスト膜42を
構成する材料のガラス転移点以上であってフォトレジス
ト膜42の一部分が熱流動するのに十分な温度及び時間
であればよく、150℃、30分でも同様の結果が得ら
れた。
【0066】このようにして得られたレーザロッド40
を、日電アネルバ社製 ECR−310型ドライエッチ
ング装置を使用してドライエッチングした。ドライエッ
チング条件は、ドライエッチング装置を6.5×10-4
Pa迄排気した後、装置に酸素を5SCCM導入し、高
周波出力300W、閉じ込め磁界10-2T、イオンの加
速電圧500Vとし、エッチング時間を1時間とした。
【0067】この条件でのドライエッチングによって、
レーザロッド40表面上に形成されたフォトレジスト膜
42はエッチングされて完全に消失した。同時にレーザ
ロッド40もエッチングされ、レーザロッド40表面に
は、直径約100μm、曲率半径約5mmの概ね球面状
の凸弧面12が形成された(図8(e))。
【0068】イオンの加速電圧を変えることによって、
エッチング速度を変化させることができ、加速電圧30
0V及び700Vの各々において、レーザロッド40表
面の概ね球面状の凸弧面12の曲率半径は各々約10及
び2.5mmであり歪を持った球面となった。
【0069】また、フォトマスク60のパターンとし
て、円形ではなく楕円形を用いた場合、最終的に形成さ
れるレーザロッド40表面の凸弧面12は球面状ではな
く、回転楕円体面状となるが、かかる回転楕円体面状の
凸弧面12も上記の実施例の方法により容易に形成する
ことができた。
【0070】
【実施例5】フォトマスク60のパターンが長径150
μm、短径75μmの楕円形であることを除き、実施例
4と同様の方法でレーザロッド40表面に凸弧面12を
形成した。イオンの加速電圧を500Vとした場合、得
られたレーザロッド40表面の凸弧面12は、長径側曲
率半径約11.3mm、短径側曲率半径約2.8mmの
回転楕円体面状であった。
【0071】Nd:YAG結晶以外のレーザ媒質におい
ても、エッチング速度がNd:YAG結晶と異なる以
外、上記の実施例1〜6と同様の方法により容易にその
表面に凸弧面12を形成することができる。
【0072】
【実施例6】この実施例は球面を形成したフォトレジス
トをマスクにして、エッチング途中でエッチング条件を
連続的に変化させた場合、エッチング後のレーザロッド
の球面状凸弧面がどのように変化するかを実験した例で
ある。まず、フォトレジスト膜42を6μmの厚さに形
成した他は実施例5と同様にしてレーザロッド40上に
曲率半径約100μmの概ね球面状の凸弧面42aを形
成した。
【0073】次にこうしてフォトレジストで疑似球面を
形成したレーザロッド40を日電アネルバ社製ECR−
310型ドライエッチング装置にセットし、6.5×1
-4Pa迄排気した後、酸素を5SCCM導入し、高周
波出力300W、閉じ込め磁界10-2T、イオンの加速
電圧を500Vから1V/分の早さで下げて1時間30
分エッチングした。
【0074】このとき、フォトレジストは完全に消失
し、フォトレジストの形状がレーザロッド上に転写さ
れ、直径約100μm、曲律半径が、中心部では5m
m、周辺部では4.3mmの歪を持った球面が作製でき
た。
【0075】図9は東京応化製フォトレジストOFPR
800をマスクとしてBK7レーザロッドをエッチング
した時のECR−310装置で加速電圧(X軸)とフォ
トレジストとレーザロッドとのエッチング速度の比を示
す。この図から明らかなように、エッチング途中でエッ
チング条件を連続的に変化させると、レーザロッドの球
面に対し半径方向に任意の歪を与えることができる。
【0076】本実施例では加速電圧を連続的に変化さ
せ、エッチング後の形状をコントロールしたが、加速電
圧に限らずガス流量、高周波出力等の他のパラメータを
変えても同じ効果が得られる。また、連続的にではな
く、段階的に変化させても、半径方向に段階的な歪を持
つ球面が得られる。
【0077】現像リンス後の形状を楕円柱とした場合、
この方法で、レーザダイオードの集光には最適な非球面
の楕円体レンズが製作可能である。この方法によれば、
エッチング途中にエッチング条件を変更して球面から任
意の歪みを持った非球面を形成できる。
【0078】以上実施例1から実施例6で凸弧面を形成
したレーザロッドは、端面にコーティングを施すことに
より、本発明のレーザ共振器として使用することができ
る。
【0079】
【実施例7】次に、本発明のレーザ装置についての実施
例を説明する。図1に本発明のレーザ装置の1例の概略
を示す。このレーザ装置は、固体レーザ共振器4、フォ
ーカシングレンズ2,3、及びレーザ発振の励起光源と
してのマルチストライプ型レーザダイオード1から構成
される。
【0080】マルチストライプ型レーザダイオード1
は、発振波長が809nmとなるように設計されたGa
AlAsダブルヘテロ型レーザダイオードであり、幅3
μmの活性導波路を100μm間隔で5本有している。
フォーカシングレンズ2,3は、New Port社製
のフォーカシングレンズ F−L40Bである。
【0081】固体レーザ共振器4は、Nd:YAG結晶
からなるレーザロッドで、端面に、直径95μm、曲率
半径7mmの凸弧面を直線状に100μm間隔で5個形
成し、励起光の入射面には、波長1.06μmでの反射
率99.95%、810nmでの透過率83%、対向面
には、1.06μmでの反射率96.5%、810nm
での反射率99.8%となるようにコーティングを施し
てある。この共振器長は、3.75mmである。
【0082】レーザロッド端面への凸弧面の形成は、以
下のようにして行った。レーザロッド(20mm×20
mm×3.75mm)の端面に、東京応化工業株式会社
製フォトレジストOFPR800をスピンコートした後
プリベークして0.6μm厚さのフォトレジスト膜22
を形成した(図6(a))。
【0083】次いで、F4に設定した FUJINON
EX 50mmレンズを取り付けた富士写真フィルム
株式会社製CF670型引き伸ばし機50を露光装置と
して使用し、この引き伸ばし機を、露光用原板52に形
成されたパターンの大きさとかかるパターンの像の大き
さとが1:1となるように調整した。尚、図示しない
が、上部ランプハウスを取り外して中心波長400nm
のコールドミラーを取り付け、ウシオ社製ランプハウス
UIS−5100型に超高圧水銀ランプをセットして紫
外線を導入し露光用光源とした。原板52のパターンは
円形パターンとした。
【0084】フォトレジスト膜42の形成されたレーザ
ーロッド40をフォーカス位置にセットし(図6(b)
参照)、紫外線を照射して原板52に形成されたパター
ンをフォトレジスト膜42に結像した後、フォトレジス
ト膜42を現像すると、図6(c)に示すように、直径
96μmの円形のフォトレジスト膜42aがレーザロッ
ド40の表面上に残された。この円形のフォトレジスト
膜42aの表面は概ね球面状であり、表面の曲率半径は
約5mmであった。
【0085】写真フィルムの引き伸ばし機のような解像
度の低いレンズを使用した場合、フォトレジスト膜42
へ照射される紫外線量は、個々の円形パターンの中心部
から周辺部に向かうに従って増加する。それ故、パター
ンが結像されたフォトレジスト膜42を現像すると、レ
ーザロッド端面上に残されたフォトレジスト膜42の厚
さは、個々の円形パターンの中心部から周辺部に向かっ
て薄くなる。従って、現像後のフォトレジスト膜42の
表面は概ね球面状となる。
【0086】尚、フォトレジスト膜42の形成されたレ
ーザロッド40をフォーカス位置から1.5mmずらし
てセットし、同様の処理を行った場合、直径60μmの
円形のフォトレジスト膜42がレーザロッド40の表面
上に残された。この円形のフォトレジスト膜42の表面
は概ね球面状であり、球面の曲率半径は約12mmであ
った。
【0087】また、白抜きの円形をフォーカスをずらし
て写真撮影し、円形の中央部が黒、周辺に行くほど黒化
濃度が減少する円形パターンを持つネガフィルムを得、
このネガフィルムを円形パターン転写用原板52として
使用した場合、特にフォーカス位置をずらさなくとも半
球状のフォトレジストパターンが形成できた。
【0088】このようにして得られた、直径96μmの
円形のフォトレジスト膜42の形成されたレーザロッド
40を日電アネルバ社製 ECR−310型ドライエッ
チング装置を使用してドライエッチングした。ドライエ
ッチング条件は、ドライエッチング装置を6.5×10
-4Pa迄排気した後、装置にC26を5SCCM(Stan
dard Curbic Centimeter Minute)に導入し、高周波出力
300W、閉じ込め磁界10-2T、イオンの加速電圧5
00Vとし、エッチング時間を1時間とした。
【0089】この条件でのドライエッチングによって、
レーザロッド40端面上に形成されたフォトレジスト膜
42はエッチングされて完全に消失した。同時にレーザ
ロッド40もエッチングされ、端面上には、直径約95
μm、曲率半径約7mmの概ね球面状の凸弧面12が形
成された(図6(d))。レーザロッド端面に形成され
た凸弧面の曲率半径とフォトレジスト膜の表面の曲率半
径とが異なるのは、それぞれのエッチング速度が異なる
ためである。
【0090】コーティングは、真空蒸着装置を用いて、
SiO2とTiO2を光学的に1/2波長に相当する薄膜
を交互に積層した。具体的には、励起光の入射面はSi
2約0.36μmとTiO2約0.27μmを交互に8
周期(計16層)積層した。出射面は、SiO2約0.
36μmとTiO2約0.27μmを交互に4周期(計
8層)積層した後、810nmの反射膜として、SiO
2約0.27μmとTiO2約0.21μmを交互に8周
期(計16層)積層した。
【0091】このようにして作製したアレー型レーザ共
振器4、レーザダイオード1、フォーカシングレンズ
2、3は、レーザダイオード1から出力されるレーザ光
が、レーザロッドの端面上の凸弧面に入射するように配
置した。
【0092】
【実施例8】次に、本発明のレーザ装置の出力光の近視
野像を調べた。図10に近視野像観察のための装置の構
成を示した。励起源には発振波長809nmのマルチス
トライプ型レーザダイオード(SPECTRA DIO
DELABS.製SDL2432型)を用い、励起源側
のフォーカシングレンズ2には、New Port社製
のフォーカシングレンズ F−L40B(焦点距離4.
8mm)を、レーザ共振器側のフォーカシングレンズ3
には、オリンパス社製 フォーカシングレンズAV18
15(焦点距離18.07mm)を使用した。
【0093】レーザ共振器3は、実施例8と同様にして
Nd:YAGロッドに凸弧面を形成し、このロッドの両
端面にコーティングを行ったレーザ共振器であり、フォ
ーカシングレンズ側の面に、直径95μm、曲率半径7
mmの凸弧面を100μm間隔で3個形成したものであ
る。
【0094】これらを、レーザダイオード1から出力さ
れるレーザ光が、レーザロッドの端面上の凸弧面に入射
するように配置し、さらに図10に示したように、レー
ザロッドの出力側に、810nmの励起光を減衰し、
1.06μmのNd:YAG結晶の発振波長を透過する
フィルター5(シグマ光器製 ITF−50S−100
RM)と、近視野像を観察するための平凸レンズ(焦点
距離50mm)と、図示しないビームプロファイラーの
CCD素子7を配置した。
【0095】上記レーザダイオード1は、10μm間隔
で100μm幅にわたって活性導波路を持ち、フォーカ
シングレンズ2、3により100μm幅の発光を400
μm幅に拡大投影して3個の球面を励起し、3本のレー
ザビームを得ることができる。上記装置でレーザ発振を
行ったときの近視野像を図11に示す。
【0096】図11から明らかなように、ビームのプロ
フィールが近似する3本のレーザビームが同時に発振し
ていることがわかる。
【0097】
【実施例9】次に、図12に本発明のレーザ装置の第2
の実施例を示す。この例では、シングル形のレーザダイ
オードを4つ設け、このレーザダイオードからのレーザ
光をそれぞれ案内する4本の光ファイバを有している。
そして、4本の光ファイバは、先端部が束ねられてレー
ザ共振器4に対向している。レーザ共振器4は先の実施
例と同様に製造されたもので、4つの凸弧面が4本の光
ファイバの束に対応し、レーザ媒質の端面において正4
角形の4角に配置されている。また、光ファイバとレー
ザ共振器との間にフォーカシングレンズが配置されてい
る。
【0098】本実施例の作用、効果も先の実施例と同様
である。
【0099】
【発明の効果】本発明によれば、固体レーザ媒質の端面
に複数の凸弧面を形成することでコンパクトなレーザ共
振器を作ることができ、安価で安定に作動する高効率な
マルチアレー型レーザ装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明のレーザ装置の1例を示した模式図
【図2】凸弧面をレーザ媒質の片端面に形成したレーザ
共振器の断面図
【図3】2材料接合型レーザ共振器で両端面に凸弧面を
形成した例の断面図
【図4】2材料接合型レーザ共振器で片端面に凸弧面を
形成した例の断面図
【図5】凸弧面をレーザ媒質の両端面に一体に形成した
レーザ共振器の断面図
【図6】レーザ媒質に凸弧面を形成する方法の一例を示
した工程図
【図7】レーザ媒質に凸弧面を形成する方法の他の一例
を示した工程図
【図8】レーザ媒質に凸弧面を形成する方法の更に他の
一例を示した工程図
【図9】ドライエッチング条件として加速電圧を変化さ
せたときのフォトレジスト膜/ガラス基板の速度を比較
した図
【図10】近視野像観察のための光学機器の構成を示し
た図
【図11】近視野像の一例を示した図
【図12】本発明のレーザ装置の他の例を示した模式図
【符号の説明】
1 マルチアレイ型レーザダイオード 2,3 フォーカシングレンズ 4 レーザ共振器 5 フィルター 6 平凸レンズ 7 CCD素子 8 シングル型レーザダイオード 9 光ファイバー 12(12a、12b) 光学材料表面の凸弧面 13 全反射膜 14 半透過膜 40 レーザ媒質 42 フォトレジスト膜 42a フォトレジスト膜に形成された凸弧面 50 引き伸ばし機 52 露光用原板 60 フォトマスク 62 ディフーザ
【手続補正書】
【提出日】平成4年9月7日
【手続補正1】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0041
【補正方法】変更
【補正内容】
【0041】 <3>本発明のアレー型レーザ装置の構成 本発明のアレー型レーザ装置は、前記固体レーザ共振器
と励起源とを、固体レーザ共振器に形成された凸弧面に
励起光が集光するように配置することにより構成され
る。通常励起源から出力される励起光は一定の角度をも
って射出されるので、マルチストライプ型レーザダイオ
ードの各活性導波路から出た複数のレーザ光を固体レー
ザ媒質の表面に形成された各々の凸弧面に入射させるに
際しては、必要に応じてフォーカシングレンズを介在さ
せてもよいこのフォーカシングレンズにより複数のレ
ーザ光は、平行光に直され、あるいはスポット状に絞ら
れ、固体レーザ媒質の表面に形成された各々の凸弧面に
集光し、この凸弧面からレーザ媒質の内部に入光する。
【手続補正2】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0074
【補正方法】変更
【補正内容】
【0074】このとき、フォトレジストは完全に消失
し、フォトレジストの形状がレーザロッド上に転写さ
れ、直径約100μm、曲半径が、中心部では5m
m、周辺部では4.3mmの歪を持った球面が作製でき
た。
【手続補正3】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0082
【補正方法】変更
【補正内容】
【0082】レーザロッド端面への凸弧面の形成は、以
下のようにして行った。レーザロッド(20mm×20
mm×3.75mm)の端面に、東京応化工業株式会社
製フォトレジストOFPR800をスピンコートした後
プリベークして0.6μm厚さのフォトレジスト膜42
を形成した(図6(a))。

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 レーザ発振のための複数の励起源と、固
    体レーザ媒質の少なくとも一方の端面に複数の凸弧面が
    形成され、この凸弧面とこの凸弧面に対向した固体レー
    ザ媒質の他方の端面のうち少なくとも一方の端面が反射
    膜でコーティングされているレーザ共振器とを備えたこ
    とを特徴とするアレー型レーザ装置。
  2. 【請求項2】 前記複数の励起源からの励起光が、前記
    凸弧面により構成される各々のレーザ共振器に対応して
    入射するように配置したことを特徴とする請求項1記載
    のアレー型レーザ装置。
  3. 【請求項3】 前記複数の励起源が、複数のレーザ光を
    出力するマルチストライプ型半導体レーザであることを
    特徴とする請求項1又は2に記載のアレー型レーザ装
    置。
  4. 【請求項4】 前記各励起源が一つのレーザ光を出力す
    るレーザ装置であり、各レーザ装置から出力されたレー
    ザ光を前記各凸弧面に入力するよう案内する光ファイバ
    を備えた請求項1記載のアレー型レーザ装置。
  5. 【請求項5】 前記固体レーザ媒質が、Nd:YAGレ
    ーザロッドであることを特徴とする請求項1〜4のいず
    れか一項に記載のアレー型レーザ装置。
JP26245491A 1991-10-09 1991-10-09 アレー型レーザ装置 Pending JPH05102603A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5608577A (en) * 1991-08-30 1997-03-04 Mitsui Petrochemical Industries, Ltd. Optical mirror and optical device using the same
WO2021100604A1 (ja) * 2019-11-21 2021-05-27 ソニーグループ株式会社 半導体レーザ、及び半導体レーザの製造方法

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US5608577A (en) * 1991-08-30 1997-03-04 Mitsui Petrochemical Industries, Ltd. Optical mirror and optical device using the same
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