JPH05100133A - 光フアイバ・インターフエース用の装置と方法 - Google Patents

光フアイバ・インターフエース用の装置と方法

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JPH05100133A
JPH05100133A JP4052145A JP5214592A JPH05100133A JP H05100133 A JPH05100133 A JP H05100133A JP 4052145 A JP4052145 A JP 4052145A JP 5214592 A JP5214592 A JP 5214592A JP H05100133 A JPH05100133 A JP H05100133A
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optical
fiber
substrate
optical fiber
housing
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Mario E Ecker
マリオ・エンリケ・エツカー
Lawrence Jacobowitz
ローレンス・ジヤコボヴイツツ
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Abstract

(57)【要約】 【目的】熱伝導モジュール（ＴＣＭ）への１つまたは複
数の光ファイバ・リンクを提供する。 【構成】半導体チップ５０を有する基板４０上に、光フ
ァイバ２３とインターフェースするための送信器／受信
器接続を設ける。ファイバの位置合せ、支持および、遮
蔽された環境中を通過するための一体式手段２０も設け
る。それから光ファイバの端部と共に送信器／受信器を
その上に固定した基板を、ハウジング１２、１４、１６
に収容する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、一般的には新しいイン
ターフェースとその製造方法に関し、具体的には光ファ
イバ・インターフェースとその製造方法に関する。半導
体を有する基板上に、光ファイバとインターフェースす
る送信器／受信器接続を設ける。ファイバの位置合せ、
支持、および遮蔽された環境中を通過するための一体式
手段も設ける。それから光ファイバの端部と共に送信器
／受信器をその上に固定した基板をハウジングに収容す
る。
【０００２】
【従来の技術】クロック分配、メモリおよびプロセッサ
間のデータ・バス、マトリクス・スイッチまたはクロス
ポイント・スイッチなどのコンピュータ通信アプリケー
ション用の光ファイバ相互接続には、システム・アーキ
テクチャ、パッケージ設計、機能および性能に関する独
自の長所がある。その一方で、この技術に付随するいく
つかの問題がある。
【０００３】問題の１つは、光電子通信デバイスの半導
体接合部すなわちレーザ発振器と光受信器に対するファ
イバの位置合せの公差など、相互接続に関する光ファイ
バの組立と製造可能性にある。液体シール式半導体チッ
プ・パッケージに入るファイバ・リンクのアレイは、さ
らに、デバイス・インターフェースでのひずみ除去、フ
ァンアウト分配、統合可能性、および空間効率に関する
問題を提起する。これら既知の問題のいくつかが、本発
明によって解決された。
【０００４】フォトリソグラフィ的精度を有するシリコ
ン内のＶ字溝の優先的結晶エッチングの適用は、クロウ
（Crow）他の論文 "GaAs Laser Array Source Packag
e"、OPTICS LETTERS、Vol.1、 No.1、 pp.40〜42、 1977
年 7 月によって教示された。彼の研究によって、必要
なファイバ・コア位置合せ公差の達成の実現可能性も確
立された。
【０００５】米国特許第４７３０１９８号明細書では、
Ｖ字溝ファイバ取付技法の適用範囲が拡張され、電気的
および光学的接続に対する互換性を有するようになっ
た。
【０００６】光ファイバ・シリコンＶ字溝に対するエミ
ッタ（発光ダイオードまたはレーザ・ダイオード）の相
対位置の最適化は、ＩＢＭテクニカル・ディスクロージ
ャ・ブルテン、Vol.24、 No.2、 pp.1158〜1160 (1981 年
7 月）に所載のバリエ（Balliet）の論文で、これは、
Ｖ字溝の下側に一体化された接合ダイオード対の出力を
平衡させることによって扱われている。
【０００７】ＧａＡｓの優先的化学エッチングの方法
は、コマフォードおよびゾリー（Commerford and Zor
y）の論文 "Selectively Etched Diffraction Gratings
in GaAs"、APPLIED PHISICS LETTERS、Vol.25、 No.4、
pp.208〜210、 1974 年8 月 15日と、チャンおよびワン
（Tsang and Wang）の論文 "Profile and Groove-Depth
Control in GaAs Diffraction Gratings Fabricated by
Preferential Chemical Etching in H2SO4-H2O2-H2O S
ystem"、APPLIED PHYSICS LETTERS、Vol.28、 No.1、pp.4
4〜46、 1976 年 1 月に示されている。
【０００８】ファイバＶ字溝構造の、自動位置合せ式の
モノリシック集積ＧａＡｌＡｓレーザを有するＧａＡｓ
基板への拡張は、ＩＢＭテクニカル・ディスクロージャ
・ブルテン、Vol.26、 No.11、 pp.5993〜5995 (1984 年
4 月）に所載のブラディ（Brady）他の論文に示され、
サブミクロン級のフォトリソグラフィ的位置合せ公差が
実現された。
【０００９】したがって、シリコンまたはガリウムヒ素
のＶ字溝を使用できることが明らかに認められている。
【００１０】米国特許第４７３２４４６号明細書では、
光ファイバは、プリント回路ボードの本体内に埋め込ま
れ、レンズ付きの別個のビーム分割チップ・キャリアと
インターフェースされて、光バスと電子データ・ネット
ワークを同時に作り出した。アルミニウム吸熱板で分離
された複数のプリント回路板の層を積み重ねることがで
き、カード・エッジ・コネクタによって、入力データ・
ケーブルへのインターフェースを形成することができ
た。チップ・キャリア・インターフェースが多数である
ことから、この構造に関連するモーダル・ノイズと光パ
ワー損失は、本発明の場合をかなり上回ると予想され
る。
【００１１】電気接続のための従来の手法には、米国特
許第４６４７１４８号明細書に代表されるワイヤ・ボン
ド・リードまたは "TO-# Can" パッケージ、および、米
国特許第４７２２５８６号明細書に代表される「タブ接
続」が含まれる。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、ＴＣ
Ｍへの１つまたは複数の光ファイバ・リンクを提供する
ことである。
【００１３】本発明の目的には、減結合コンデンサを除
去し、その空間を光ペデスタルのために利用することも
含まれる。
【００１４】本発明の目的には、光ペデスタルに対して
光ファイバを案内し位置合せする、ＴＣＭ内の手段を提
供することも含まれる。
【００１５】本発明の目的には、光ファイバ接続のひず
みを除去する手段を提供することも含まれる。
【００１６】本発明の目的には、基板での光電子変換を
提供することも含まれる。
【００１７】本発明の目的には、ＴＣＭを通る光ファイ
バを使用して、多層基板上の半導体チップと通信するこ
とも含まれる。
【００１８】本発明の目的には、現在のＴＣＭシール・
システムと互換性のある、光ファイバ用の流体封止シー
ルを提供することも含まれる。
【００１９】本発明の目的には、修理または試験のた
め、光波信号経路内での分離性を実現することも含まれ
る。
【００２０】本発明の目的には、チップを有する基板と
光ペデスタルをＴＣＭの一部分に固定して、ＴＣＭの個
々の部分が、修理、試験またはグレードアップのために
独立に分離できるようにすることも含まれる。
【００２１】本発明の目的には、ＴＣＭ要素との互換性
を維持することも含まれる。
【００２２】本発明の目的には、 ａ）１本または複数の光ファイバによって、ＴＣＭ（熱
伝導モジュール）の制御された環境を貫通する手段と、 ｂ）案内溝を通して光ファイバを位置合せし固定する手
段と、 ｃ）受信器、送信器またはその両方に対して光ファイバ
を置き、位置合せする手段と、 ｄ）ＴＣＭの基板上に受信器デバイスまたは送信器デバ
イスあるいはその両方を取り付ける手段と、 ｅ）ファイバと送信器デバイスの間またはファイバと受
信器デバイスの間に分離可能なインターフェースをもた
らす手段と、 を提供することも含まれる。
【００２３】
【課題を解決するための手段】本発明の１態様では、 ａ）基板と、 ｂ）前記基板の少なくとも１つの表面上にある少なくと
も１つの光受信器と、 ｃ）前記少なくとも１つの光受信器と光学的に通信する
少なくとも１本の光ファイバの少なくとも一部分と、 ｄ）前記少なくとも１つの光受信器と前記基板とを保護
するハウジングと、 ｅ）前記ハウジングを介し、前記少なくとも１本の光フ
ァイバを経由して、光信号を前記少なくとも１つの光受
信器へ通信する、前記ハウジング内の手段と、 を備える、光ファイバ・インターフェース用の装置が開
示される。
【００２４】本発明の別の態様では、 ａ）基板と、 ｂ）前記基板の少なくとも１つの表面上にある少なくと
も１つの光受信器と、 ｃ）少なくとも１本の光ファイバと、 ｄ）前記少なくとも１本の光ファイバを、前記少なくと
も１つの光受信器の位置に案内する手段と、 ｅ）前記少なくとも１本の光ファイバを、前記少なくと
も１つの光受信器に位置合せし、これに固定する手段
と、 ｆ）前記少なくとも１つの光受信器と前記基板とを保護
するハウジングと、 ｇ）前記ハウジングを介し、前記少なくとも１本の光フ
ァイバを経由して、光信号を前記少なくとも１つの光受
信器へ通信する、前記ハウジング内の手段と、 を備える、光ファイバ・インターフェース用の装置が開
示される。
【００２５】本発明の別の態様では、 ａ）基板の少なくとも１つの表面上に少なくとも１つの
光受信器を固定するステップと、 ｂ）前記少なくとも１つの光受信器に少なくとも１本の
光ファイバを固定するステップと、 ｃ）前記少なくとも１つの光受信器と前記基板とを保護
するハウジングを設けるステップと、 ｄ）前記ハウジングを介し、前記少なくとも１本の光フ
ァイバを経由して、光信号を前記少なくとも１つの光受
信器へ通信する、前記ハウジング内の手段を設けるステ
ップと、 を含む、光ファイバ・インターフェースを提供するため
の方法が開示される。
【００２６】本発明の別の態様では、 ａ）基板の少なくとも１つの表面上に少なくとも１つの
光受信器を固定するステップと、 ｂ）少なくとも１本の光ファイバを前記少なくとも１つ
の光受信器の位置に案内する手段を設けるステップと、 ｃ）前記少なくとも１本の光ファイバを前記少なくとも
１つの光受信器に位置合せし、これに固定するための手
段を設けるステップと、 ｄ）前記少なくとも１つの光受信器と前記基板とを保護
するハウジングを設けるステップと、 ｅ）前記ハウジングを介し、前記少なくとも１本の光フ
ァイバを経由して、光信号を前記少なくとも１つの光受
信器へ通信する、前記ハウジング内の手段を設けるステ
ップと、 を含む、光ファイバ・インターフェースを提供するため
の方法が開示される。
【００２７】本発明は、双方向または一方向の光波信号
のため、単信または重信ファイバ・モードで、流体シー
ル式の温度制御されたモジュールに外部の光波導管をイ
ンターフェースし、モジュール内で選択可能な半導体チ
ップ位置に直接に分配するための互換性のある設計を教
示する。本発明はさらに、米国特許第４１６９００１号
明細書に開示されるように、モジュール層または冷却構
造を通る通路をなくし、モジュールとケーブル・エッジ
のインターフェースでの光子送信器および光子受信器の
補助アレイを除去する、直接表面接続を教示する。
【００２８】半導体を有する基板に対して光ペデスタル
を位置決めし電気接続するためにリソグラフィ的精度を
有するはんだボール・アレイを用いる被制御コラプス・
チップ接続（Ｃ−４）の使用が、本発明の別の特徴であ
る。
【００２９】本発明では、光ペデスタルとＣ−４が、集
積光サブアセンブリと位置合せする手段を提供し、熱膨
張係数が基板に一致することを保証し、最適のインピー
ダンスと空間効率と信頼性を保証する。代替実施例で
は、基板への直接Ｃ−４接続のオプションが提供され
る。
【００３０】本発明の他の機械的設計上の特徴として
は、熱伝導モジュール（ＴＣＭ）すなわち光ファイバ貫
通アセンブリ、ファイバ・ガイド構造、光ファイバひず
み除去、光ペデスタル・アセンブリ、および、主に試験
と修理のためにＴＣＭの上側と下側の半平面を分離でき
ることが含まれる。
【００３１】
【実施例】本発明の新規と思われる特徴と、本発明に特
有の要素は、頭記の特許請求の範囲に具体的に記載され
ている。図面は、説明のみを目的とし、実寸に比例して
いない。しかし、本発明自体は、編成についても動作方
法についても、添付の図面と共に以下の詳細な説明を参
照することによって最も良く理解されるであろう。
【００３２】本発明の光ファイバ・インターフェース用
の新規な装置と方法は、多くの態様からなる。本発明の
主要な態様は、基板上にある他の電子デバイスに対して
ほとんどまたは全く影響なしに、基板表面を光電子通信
に利用することである。同様に、本発明は、ＴＣＭの冷
却能力に対してほとんどまたは全く影響なしに、ＴＣＭ
の冷却構成を修正することを可能にする。これらおよび
その他の本発明の独自の特徴を、以下で論ずる。
【００３３】本発明では、電子デバイスには、たとえ
ば、抵抗器、コンデンサ、誘導子などの受動回路要素、
または半導体デバイスと、ダイオード、トランジスタ、
論理回路などの関連回路が含まれる。
【００３４】図１には、修正されたシール・フレーム１
４を挟む下側フレーム１２と上側フレームまたはハット
１６を備える熱伝導モジュール（ＴＣＭ）１０が示され
ている。下側フレーム１２、シール・フレーム１４およ
び上側フレーム１６は、ボルト１８などの固定手段によ
って一緒に保持される。通常は、複数の冷媒チャネル２
１を有する低温板１７が、当技術分野で周知の手段によ
って上側フレーム１６の上面に固定される。段付エッジ
４２を有し、その上に半導体チップ５０を有するする基
板４０が、下側フレーム１２の出張り４１とシール・フ
レーム１４の延長部分の間に、その間にガスケット４６
を挟んで固定される。米国特許出願第０７／１９８９６
２号に開示された高伝導冷却（ＨＣＣ）要素などの熱交
換要素５２で、半導体チップ５０が発生する熱を上側フ
レーム１６へ伝達するのが慣例である。例示のみの目的
で、上側フレーム１６を、熱交換要素５２に関して論ず
るが、上側フレームは、どのような種類の熱交換要素ま
たは冷却デバイスまたは冷却構造を有することも可能で
あり、たとえば、米国特許第４２２６２８１号明細書に
開示されたもの、または米国特許第４２３５２８３号明
細書に開示されたものに類似のものとすることができ
る。もちろん、どのような状況においても、上側フレー
ム１６は、ガイドまたはリテーナ様の要素を収容するよ
うに修正しなければならないはずである。リテーナ５１
は、熱交換要素５２を定位置に保持する。後述するよう
に、このリテーナ５１は、光ファイバ２３用の案内溝と
固定手段を提供するのにも使用される。リテーナ５１が
ない冷却デバイスまたは冷却構造の場合、当業者なら容
易に、その冷却デバイスまたは構造を修正して、ＴＣＭ
１０の外側から基板４０上の光電子デバイスへ光ファイ
バ２３を案内し、これに固定するための手段を提供する
ことができよう。基板４０上にある半導体チップ５０用
の流体封止シールは、ガスケット４６および４８によっ
て実現できる。光ファイバ取付アセンブリ２０が、多芯
光ファイバ・ケーブル２５とＴＣＭ１０の間のインター
フェースを提供する。面板２２、留め具３２、波形座金
３１、リテーナ・リング３０および肩２８が、光ファイ
バ取付アセンブリ２０の構成部品であり、通常はＴＣＭ
１０から外へ突き出す。
【００３５】光ファイバ取付アセンブリ２０は、隣接す
るボルト１８の対の間で、ＴＣＭ１０の側面に沿って置
くことができる。したがって、ＴＣＭ１０のどの側面
も、（Ｎ−１）個の光ファイバ取付アセンブリ２０を収
容することができる。ただし、Ｎは、ＴＣＭ１０の所与
の側面に沿ったボルトの本数である。各光ファイバ取付
アセンブリ２０は、１本または複数の光ファイバ２３を
有する多芯光ファイバ・ケーブル２５を有する。各光フ
ァイバ２３は、第１の屈折率を有する芯と、通常は第２
の屈折率を有する被覆と、通常は高分子材料である保護
ジャケットとを有する。
【００３６】図２は、シール・フレーム１４の側面に光
ファイバを通すための光ファイバ取付アセンブリ２０の
諸要素の分解図である。多芯光ファイバ・ケーブル２５
は、ジャケットの一部を剥いて適当な長さの光ファイバ
２３を露出させた状態で図示されている。光ファイバの
被覆部分の一部分は、位置３７および７７の２ヶ所で金
属被覆されている。２つの金属被覆された位置３７と７
７の間の距離は、リテーナ５１およびシール・フレーム
１４に取付け後に応力除去が可能になるように事前に決
定する。位置３７および７７でのこの金属被覆は、主と
して、光ファイバの少なくとも一部分を、光ファイバ取
付アセンブリ２０の構成部品およびＶ字形ブロック内の
Ｖ字溝に確実に取付または接着するために行なわれる。
シール・フレーム１４は、ボルト１８を収納する一連の
穴１９を有する。応力除去スリーブ２４は、両端に肩２
６および２８を有し、リテーナ・リング４７を収納する
円周方向の溝２７と、リテーナ・リング３０を収納する
円周方向の溝２９をも有する。光ファイバ取付アセンブ
リ２０の組立ての準備として、応力除去スリーブ２４内
の開口部を通して光ファイバ２３を送る。光ファイバ２
３の金属被覆された位置３７を、口金３９にはんだ付け
する。次に口金３９を応力除去スリーブ２４の肩２６に
はんだ付けする。次に、このサブアセンブリを、シール
・フレーム１４の穴９と、面板２２を通して送る。リテ
ーナ・リング４７を拡げた後、円周方向の溝２７内で緩
める。次に、応力除去スリーブ２４をシール・フレーム
１４から引き離しまたは引き戻し、Ｏリング３３、留め
具３２、波形座金３１およびリテーナ・リング３０を定
位置に滑り込ませて、応力除去スリーブ２４をシール・
フレーム１４に完全に固定する。これは、リテーナ・リ
ング３０を円周方向の溝２９内で緩めることによって達
成され、リテーナ・リング３０は、このアセンブリに圧
力をかけ、面板２２に対して定位置に確実に保持する。
応力除去スリーブ２４のもう一方の端部にある円周方向
の溝２７内に挿入されたリテーナ・リング４７は、応力
除去スリーブ２４を、シール・フレーム１４の内面上の
定位置に確実にロックする。
【００３７】次に、図３に示すように、チャネル・イン
ターロック９６を有するＶ字形ブロック７０を、光ファ
イバ２３の端部にある金属被覆された位置７７にはんだ
付けする。次に、ジャケット付きの多芯光ファイバ・ケ
ーブル２５の外側の端を剥き、適当な光ファイバ・コネ
クタを接続する。図３にはさらに、シール・フレーム１
４の一部としての組立済みの光ファイバ取付アセンブリ
２０、上側フレーム１６および下側フレーム１２の拡大
断面図が示されている。光ファイバ２３を応力除去スリ
ーブ２４中を通した後、たとえばろう付け、レーザ溶
接、はんだ付けなど適当な手段によって、光ファイバ２
３上の金属被覆された位置３７に口金３９を固定する。
口金３９は、応力除去スリーブ２４の端部にある肩２６
の面と段差がないように位置決めする。次に、ろう付
け、レーザ溶接、はんだ付けその他などの適当な手段に
よって、応力除去スリーブ２４の端部に口金３９を固定
する。同様に、光ファイバ２３の金属被覆された位置７
７を、たとえばろう付け、エポキシ接着、レーザ溶接、
はんだ付けなどの適当な手段によって、Ｖ字形ブロック
７０の選択的にエッチングされ金属被覆された溝に固定
する。Ｖ字形ブロック７０は、後述するように、１つま
たは複数のＶ字溝を有する。このＶ字溝は、単信用か重
信用かに応じて、Ｖ字形ブロック７０の下側に優先的に
エッチングされる。光ファイバ２３を固定したＶ字形ブ
ロック７０を、保持工具内に置いて、研削し研磨して、
光ファイバ／Ｖ字形ブロック７０のアセンブリの端面９
８での光波の内部反射に適当な角度をつける。Ｖ字形ブ
ロック７０の角度付きの面と、光ファイバ２３の端面
は、光学的に伝えられた光波を下向きに反射するように
工夫されている。光ファイバ／Ｖ字形ブロック・アセン
ブリの研削され研磨された端面は、必要に応じて金属被
覆することができる。下側フレーム１２をガスケット４
６でシールし、上側フレーム１６をガスケット４８でシ
ールする。Ｏリング３３は、光ファイバ取付アセンブリ
２０用の効果的なシールとなる。ガスケット４６および
４８を「Ｏリング」または「Ｃリング」タイプのガスケ
ットにして、ボルト１８を使用してＴＣＭ１０の他の諸
要素に取り付けた時にシーリングをもたらすことができ
る。出張り４１と段付エッジ４２の間にあるパッド４３
は、基板４０用のクッションとなる。
【００３８】図４は、光ファイバ取付アセンブリ２０を
通り、光ファイバ・ペデスタル・アセンブリ１５０に至
る光ファイバ２３の通路を示す部分断面図である。この
光ファイバ・ペデスタル・アセンブリ１５０は、基板４
０のほぼどの位置にも置くことができる。こうした位置
としては、たとえば半導体チップ５０用の位置、減結合
コンデンサ７４用の位置、チップ・エッジの間、または
半導体チップ５０上のピギーバックが含まれる。好まし
い位置は、光ファイバ・ペデスタル・アセンブリ１５０
で減結合コンデンサ７４を置換する位置である。という
のは、少数の減結合コンデンサ７４を除去しても雑音に
対する耐容性はほとんど失われないが、半導体チップ５
０を除去すると回路容量がかなり失われるからである。
さらに、この置換は、基板配線の設計変更を最小限にと
どめて行なうことができる。これら光波通信デバイスの
この導入により、機能密度および通信データ速度がかな
り増大する。
【００３９】ＴＣＭ内の様々な材料の間での熱膨張係数
の違いによって、光ファイバ２３にひずみが生じる。こ
の光ファイバ２３とＴＣＭ１０の間の熱膨張係数の差
は、光ファイバ２３の一部分をＴＣＭ１０のハウジング
の内部で弧形にさせて、ひずみを除去することによって
対処できる。これは、図４に示すように、光ファイバ・
ペデスタル・アセンブリ１５０と、光ファイバ取付アセ
ンブリ２０の内部光ファイバ出口点との距離を、光ファ
イバ２３によって形成される弧に対して張る弦の長さに
することによって達成される。光ファイバ２３には、予
めこの弧を形成するような性質を付与しておくが、これ
は、光ファイバ２３の長さを、弦長よりも長くすること
によって達成できる。このようにして、膨張量の差を、
光ファイバ２３の弧長の長短に変換することができる。
弧長の変化は、光ファイバ２３内のたわみ応力に変換さ
れ、これがＶ字形ブロック７０でのひずみ除去をもたら
す。外部光ファイバ・コネクタは、ひずみ除去をもたら
す種類のものであることが好ましい。リテーナ５１は、
光ファイバ・ペデスタル・アセンブリ１５０を収納する
開口部６６と、減結合コンデンサ７４を収納する開口部
６７を有する。
【００４０】また、既存の冷却構成の上側フレームの部
分を光ファイバとＶ字形ブロック・アセンブリの格納、
通過および位置合せが可能なように修正できることが発
見された。この修正により、冷却性能に影響を及ぼさず
に冷却構成を最大限に利用できる。例示のみの目的で、
米国特許出願第０７／１９８９６２号明細書の冷却構成
を図１および図５に示し、その開示を参照によって本明
細書に組み込むが、既存のどんな冷却構成も、同様に本
発明と共に使用できるように適合させることができる。
【００４１】光ファイバ２３をＴＣＭ１０内の空いた空
間内に位置決めするために、リテーナ５１と上側フレー
ム１６を修正する。これらの修正の一部を図５に示す。
リテーナ・シート５３は、リテーナ５１が収納できるよ
うに修正する。またリテーナ５１を、Ｖ字形ブロック７
０の少なくとも一部を確実に保持する手段を提供するよ
うに修正しなければならない。上側フレーム１６も、保
持ガイドまたは大型フィン５６の１つを短縮することに
よって、スタブ・ガイド５８を形成するように修正す
る。スタブ・ガイド５８は、ファイバ・ガイド６９の一
部であるキー５７を収納するための拘束溝５９を有す
る。上側フレーム１６の周縁部に、ガスケット４８を収
納する溝がある。上側フレーム１６上のフィン５４は、
米国特許出願第０７／１９８９６２号明細書に記載され
ているように、熱交換要素５２のフィンと噛み合う。リ
テーナ５１は、上側フレーム１６と共に使用される標準
型のリテーナであるが、今や、先細形チャネル５５とキ
ー５７を有するファイバ・ガイド６９を少なくとも１つ
有するように修正されている。また、リテーナ５１は、
偏心ピン６４を収容する開口部６５のついたボス６３を
少なくとも１つ有する。通常はＨＣＣスプリング６２を
熱交換要素５２の開口部に挿入し、その後、このサブア
センブリを、上側フレーム１６の開口部に置く。次に、
リテーナ５１とリテーナ・スプリング６０を、シール・
フレーム１４と共に上側フレーム１６に確実に取り付
け、このアセンブリを定位置に確実に保持する。リテー
ナ・スプリング６０は、ファイバ・ガイド６９の上面、
および拘束溝５９と噛み合うキー５７を通すための開口
部（図示せず）を有する。この変更の結果、ファイバ・
ガイド６９が提供され、かつ依然として熱交換要素５２
のＸ、ＹおよびＺ軸移動の制御がもたらされる。光ファ
イバ２３を先細形チャネル５５内に置き、Ｖ字形ブロッ
ク７０を、それ用に設けられたスロット内に挿入する。
Ｖ字形ブロック７０上にあるチャネル・インターロック
９６が、先細形チャネル５５の壁面とはまり合い、した
がって、先細形チャネル５５によるＶ字形ブロック７０
の自動心出しが提供される。Ｖ字形ブロック７０がこの
ように位置決めされると、光波を通過させるアパーチャ
を有するスプリング・クリップ６１をＶ字形ブロック７
０の周りに置いて、これを捕捉する。リテーナ５１と上
側フレーム１６の間に置いた平たいリテーナ・スプリン
グ６０が、ファイバ・ガイド６９を介する通常動作の
間、Ｖ字形ブロック７０と受信器チップ８０の間の係合
を維持し、Ｚ軸上での移動を妨げ、モジュール・コネク
タの作動、または基板４０を変形させる他の外力に起因
する基板４０のたわみを補償する。
【００４２】リテーナ５１は、熱交換要素５２を位置決
めするためのセクタ・リブ６８を有するが、図６に示す
ように、隣接するエッジのうちの２つを使用して、シー
ル・フレーム１４の内壁内にあるバイアス・スプリング
１０１を圧縮することによって、シール・フレーム１４
の頂部を介して組立られる。リテーナ５１の隣接するエ
ッジ上にある、ボス６３に対応するボス１２１を、シー
ル・フレーム１４の内側側面上に位置決めする。バイア
ス・スプリング１０１をシール・フレーム１４の内側側
面上に位置決めして、リテーナ５１をボス１２１にある
偏心ピン６４に押し付ける。リテーナ５１の隣接エッジ
でバイアス・スプリング１０１を圧縮して、開口部６５
を偏心ピン６４と係合させる。偏心ピン６４の１つを回
転することによって、リテーナ５１をＸ軸およびＹ軸で
正確に位置決めすることができる。インターロック・キ
ー４９が、開口部１０４内に定坐したリテーナ・スプリ
ング６０を固定する。下側フレーム１２、シール・フレ
ーム１４、上側フレーム１６、光ファイバ取付アセンブ
リ２０など、ＴＣＭ１０の様々な構成部品を組み立てる
際、基板４０上の電子部品および他の電子デバイスを外
部の環境要素から保護しなければならないので、これら
の構成部品が流体封止シールをもたらすように注意しな
ければならない。また、場合によっては、ＴＣＭ１０
が、基板４０上の様々な電子部品および光学部品用の冷
媒または熱伝達媒体として働く流体媒体を含むことがあ
る。また、応力除去スリーブ２４を、任意の数の光ファ
イバ・コネクタに対処できるように修正することもでき
る。このようなコネクタの１つが、光ファイバ・コネク
タ９９として示されている。このような光ファイバ・コ
ネクタ９９を使用すると、ＴＣＭ１０が、モジュール式
になり、あるいはプラグ・コンパチブルになる。
【００４３】図７は、部分的案内要素を基板４０上に位
置決めした後の、光ファイバ・ペデスタル・アセンブリ
１５０を示す拡大図である。Ｖ字形ブロック７０上のチ
ャネル・インターロック９６を、ファイバ・ガイド６９
内に正確に位置決めされたスロット内に挿入し、スプリ
ング・クリップ６１によって保持する。スプリング・ク
リップ６１は、その下側に、角度の付いた光ファイバの
端部９７および９８へ、またはそこから受信器チップ８
０および結合レンズ８８への、光波伝送を自由に通過さ
せるアパーチャを有する。光入出力は、さらにレーザ・
チップ９０、レーザ・ドライバ９１および関数発生チッ
プ９２を介して処理することができる。スタンドオフ７
５は、受信器チップ８０を光ペデスタル７６上の表面電
気接点から電気的に絶縁する。タブ８１は、接触パッド
１１２を介して受信器チップ８０を光ペデスタル７６に
接触させる。同様に、プリント回路線７８は、タブ９４
を介して光ペデスタル７６を光送信器キャリア８６に電
気的に接続する。基板４０は、半導体チップ５０または
光ファイバ・ペデスタル・アセンブリ１５０または減結
合コンデンサ７４（図示せず）の底部にあるはんだボー
ル１０２と接触するはんだパッド７２を有する。セクタ
・リブ６８は、熱交換要素５２（図示せず）の位置決め
に使用される。リテーナ５１は、図５に示し論じたよう
に、先細形チャネル５５を含むファイバ・ガイド６９と
キー５７を有する。キー５７は、インターロック・キー
４９を使ってスプリング・クリップ６１とリテーナ・ス
プリング６０を収納する、開口部１０４を有する。
【００４４】光ファイバ・ペデスタル・アセンブリ１５
０は、図７では基板４０に接着されているが、図８で詳
細に論じる。基板４０は、多層セラミック（ＭＬＣ）基
板１１０とすることができる。基板４０または１１０
は、通常、半導体チップ５０上または光ペデスタル７６
上または減結合コンデンサ７４（図示せず）の下面にあ
るはんだボール１０２と接触するはんだパッド７２を有
する。
【００４５】図８は、光ファイバ・ペデスタル・アセン
ブリ１５０とその関連要素の分解図である。光ペデスタ
ル７６は、前述したように、ファイバ案内チャネルの軸
に沿って、任意のボルト１８の対の間に位置決めするこ
とが好ましい。前述したように、光ファイバ１２５は、
受信器チップ８０上の光検出器１００に結合し、光ファ
イバ１２３は、結合レンズ８８を介してレーザ・チップ
９０と連絡する。ただし、単一の光ファイバを、受信器
チップ８０と光送信器キャリア８６を用いる双方向光通
信に適合させることができる。光ペデスタル７６は、下
側に、はんだパッド７２の類似のアレイに対する被制御
コラプス接着を行うためのはんだボール１０２のパター
ンを有する、多層セラミックである。このはんだパッド
７２のアレイは、図ではＭＬＣ基板１１０上に構成され
る。ＭＬＣ光ペデスタル７６は、光ペデスタル７６とＭ
ＬＣ基板１１０の間の電気接続をもたらし、受信器チッ
プ８０を介して光ファイバ１２３または１２５の少なく
とも一部と光学的に接触している。ＭＬＣ基板１１０
は、通常、下側にピン１１８を有し、ピン１１８は、金
属で満したヴァイア１１６によって、金属層１１４に電
気的に接続されている。この電気経路は、外部回路への
電気接続と、電力分配を行う。
【００４６】プリント回路部材８４を、光ペデスタル７
６の１側面に接着して、タブ８１を接続するための接触
パッド１１２を形成する。同様に、タブ８５を有するプ
リント回路部材９３を光ペデスタル７６の他の側面に接
着して、タブ８３を取り付けるためのパッドを形成す
る。プリント回路部材８４の上側エッジに沿ってタブ８
２を形成して、光ペデスタル７６上のパッド７３への接
着を可能にする。突出部またはスタンドオフ７５は、光
ペデスタル７６の頂面上の中心に置き、受信器チップ８
０とタブ８２および８５が接触しないように受信器チッ
プ８０を光ペデスタル７６に接着することが好ましい。
【００４７】Ｖ字形ブロック７０には、複数の光ファイ
バ２３、１２３または１２５を収納し、かつＶ字形ブロ
ックを保持するための複数のＶ字溝９５を設けることが
できる。Ｖ字形ブロック７０中にエッチングされたＶ字
溝９５は、ＧａＡｓまたはＳｉ中に、リソグラフィで画
定することができる。光ファイバ２３の一端を収納する
のに使用されるＶ字溝９５は、たとえばエチレンジアミ
ンまたはＫＯＨ溶液を用いて、（１００）シリコン中に
エッチングすることができる。たとえば、Ｅ．バソウズ
（E. Bassous）の論文 "Fabrication of Novel Three-D
imensional Microstructures by the Anisotropic Etch
ing of (100) and (110) Silicon"、IEEE Transactions
on Electron Devices、Vol.ED25、 No.10、 pp.1178〜11
85、 1978年 10 月を参照されたい。異方性エッチングの
性質のため、Ｖ字溝９５内に光ファイバ２３または１２
３および１２５を置くためのチャネルの幅を画定する
と、簡単な幾何形状によってその深さも画定され、その
結果、光ファイバ２３または１２３および１２５は、光
ファイバの軸がシリコンの表面と共角をなす点でＶ字溝
の壁に接するようになる。温度と時間を正確に制御する
ことによって、エッチングされたＶ字溝を非常に正確に
画定することができる。Ｖ字形ブロック７０の素材は、
ゲルマニウム、シリコン、ガリウムまたはインジウムと
ヒ素またはりんの二元合金、アルミニウムとガリウムま
たはインジウムとヒ素またはりんの三元合金のうちから
選択することが好ましい。典型的な材料は、シリコン、
ゲルマニウム、ガリウムヒ素、インジウムりんなどであ
る。
【００４８】少なくとも１つのＶ字形ブロック７０に、
受信器チップ８０内の相補的な位置合せ／固定手段にそ
れを位置合せし固定する手段を設けることができる。こ
れは、Ｖ字形ブロック７０上に、受信器チップ８０上の
雄／雌部分と噛み合う雌／雄部分を設けることによっ
て、非常に簡単に行なうことができる。この位置合せを
実現するもう１つの方法は、受信器チップ８０内に少な
くとも１つのダミーＶ字溝をエッチングし、ダミー光フ
ァイバなど、少なくとも１つの円筒形キーを１つのＶ字
溝９５内に固定し、その後、この円筒形キーを用いて、
円筒形キーまたはダミー光ファイバが、受信器チップ８
０上の１つのダミーＶ字溝中に固定されるように、Ｖ字
形ブロック７０を位置合せすることである。さらに、好
ましくは第１のＶ字溝を横断して受信器チップ８０中に
入り、これによってＸ−Ｙ位置合せロックを形成するこ
とのできる、第２のＶ字溝を優先的にエッチングするこ
とによって、Ｘ−Ｙ位置合せロックを作成することがで
きる。この場合、Ｖ字形ブロック７０は、少なくとも２
つ円筒形キーを有し、各キーが対応するエッチングされ
たそれぞれの溝に入るようにしなければならない。
【００４９】光ファイバ２３または１２３および１２５
は、ろう付け、レーザ溶接、はんだ付けその他の適当な
手段によってＶ字溝９５内に固定する。光ファイバ２３
または１２３および１２５と、Ｖ字溝９５の両方の外側
表面を、真空蒸着される適当な金属の連続層の金属被覆
などによって、さらに接合の準備をする。はんだを使用
する場合、光ファイバ２３または１２３および１２５
を、共晶はんだを用いてＶ字溝９５内に接着する。はん
だは、真空蒸着によって、あるいは成形はんだの使用に
よって塗布することができる。接着操作または固定操作
の間、光ファイバ２３または１２３および１２５をＶ字
溝９５内に保持することが重要である。これは、光ファ
イバ２３または１２３および１２５に板を押し付けて、
Ｖ字溝９５内に保持する、簡単な治具を用いて行なうこ
とができる。
【００５０】光円錐が、光ファイバ軸に対して９０度の
円錐軸で光ファイバ２３または１２３および１２５から
出られるようにするため、光ファイバ２３または１２３
および１２５の端部を、ある角度で切断（開先取り）す
ることができる。これは、光ファイバをＶ字形ブロック
７０に接着し、簡単な研削操作によって達成できる。そ
の後、その結果得られた光ファイバの端面を、反射する
ように金属被覆し、金属被覆が不要な場合は、開先面を
完全な内面反射を起こすように形成することができる。
双方向光波伝送のためにビーム・スプリッタを使用する
こともできる。
【００５１】Ｖ字形ブロック７０は、バッチ製造でき
る。これは、Ｖ字形ブロック７０をシリコンまたはガリ
ウムヒ素上にセル・アレイとして構成することによって
行なうことができる。各セル境界は、Ｖ字形ブロック７
０の所望の４側面に接触するＶ字溝のエッチングによっ
て画定される。光ファイバ１２３および１２５の端部を
取り付けるための所望の数のＶ字溝９５が、セル境界を
画定するＶ字溝と同時にエッチングされる。従来式のフ
ォトリソグラフィ処理を用いて、ウェハをフォトレジス
トで被覆し、ブロックアウト・マスクを介して露光し、
現像し、金属被覆し、最後にストリッピングして、各セ
ルのＶ字溝内に適当な光ファイバ接着表面を選択的に開
ける。次に、Ｖ字形ブロック７０を、前にエッチングさ
れたセル境界に沿って開裂することにより、ウェハから
ストリップとしてダイス切断する。これらの境界は、今
やＶ字溝９５を横断する。光ファイバ１２３または１２
５の金属被覆された端部を、ストリップ内の各セルの適
当なＶ字溝に接着する。その後、各ストリップを固定
し、研削して、角度の付いた光ファイバの端部９７また
は９８を形成する。棒の形をしたこれらのストリップ
を、最後に、Ｖ字溝９５に平行なエッチングされたセル
境界に沿ってさらに開裂することにより、ダイス切断し
て個々のＶ字形ブロック７０にする。
【００５２】平行なセル境界に沿って開裂すると、図８
に示すように、エッチングされた先細形のＶ字形ブロッ
ク側壁１２６が得られる。これら先細形のＶ字形ブロッ
ク側壁１２６は、図７に示すように、スプリング・クリ
ップ６１を用いてＶ字形ブロック７０をファイバ・ガイ
ド６９のスロット内に保持するのに使用される。スプリ
ング・クリップ６１は、ファイバを受信器チップ８０と
同一平面に置くことができるように、Ｖ字形ブロック７
０を保持するためのはめ合いテーパを有さなければなら
ない。これら先細形のＶ字形ブロック側壁１２６すなわ
ち保持手段によって、スプリング・クリップ６１と受信
器チップ８０の間の機械的インターフェースが取り除か
れる。光ファイバ１２３および１２５を受信器チップ８
０と同一平面上に取り付けることができると、結合レン
ズが不要となる。
【００５３】光ペデスタル７６は、図８に示すように、
光送信器キャリア８６を収納できるように拡張すること
ができる。ＧＲＩＮ（傾斜屈折率）レンズなどの結合レ
ンズ８８を、光送信器キャリア８６のＶ字溝内に位置決
めして、光送信器キャリア８６上に置かれるレーザ・チ
ップ９０の位置合せを行なうことができる。図８の破線
で示すように、光ファイバ１２３の一部分が、光送信器
キャリア８６と光学的に接触している。光送信器キャリ
ア８６は、基板４０または１１０上の電子デバイスのう
ちの少なくとも１つから受け取った情報を、光ファイバ
２３または１２３などの１つまたは複数の光ファイバに
光学的に通信する手段を有する。双方向データ通信の場
合、部分的に銀メッキした角度の付いた端面を有する単
一の光ファイバ２３をＶ字溝９５内に固定し、送信器の
結合レンズ８８を光ファイバの軸に直角に位置合せす
る。完成した光ファイバ・ペデスタル・アセンブリ１５
０を、その後、基板４０または１１０上の、たとえば隅
の減結合コンデンサ７４を取り除いた位置などにリフロ
ー接着する。光ペデスタル７６から適当な半導体チップ
５０へ電気配線を行うと、光送受信回路への回路が完成
する。
【００５４】その後、光ペデスタル７６を、半導体チッ
プ５０と共に、基板４０または１１０に同時にリフロー
はんだ付けすることもできる。光ペデスタル７６をリフ
ローはんだ付けした後、もう一度、真空式平面化／高さ
基準工具内で選択的にリフローすることができる。この
操作によって、光ペデスタル７６は、Ｖ字形ブロック７
０内のＶ字溝９５に取り付けられた光ファイバ２３また
は１２３および１２５に対する位置合せが最適の位置に
なる。
【００５５】光ペデスタル７６は、Ｃ４パッドまたはは
んだパッド７２を介してＭＬＣ基板１１０から光ペデス
タル７６上の周辺パッド７３、７９および８９への電気
経路を接続する内部配線を有する。プリント回路部材８
４および９３は、前述のように光ペデスタル７６の側面
に接着される。タブ８２をパッド７３に、タブ８５をパ
ッド７９に、それぞれ熱圧着する。その後、受信器チッ
プ８０を、突出部またはスタンドオフ７５に接着する。
任意選択として、結合レンズ８８を光送信器キャリア８
６に位置合せし、これに接着し、その後このアセンブリ
を光ペデスタル７６に接着することもできる。次に、光
送信器キャリア８６上のタブ８７を光ペデスタル７６上
のパッド８９に、光送信器キャリア８６上のタブ９４を
光ペデスタル７６上のプリント回路線７８に、それぞれ
熱圧着することができる。真空式工具を使用して、受信
器チップ８０と光送信器キャリア８６を固定した光ペデ
スタル７６を、ＭＬＣ基板１１０の周囲の３点基準を基
準とする３点基準に対して再びリフローすることができ
る。このリフロー処理の間に、Ｃ４またははんだボール
１０２が延びるかもしれないが、不連続になることにな
る。この工具は、角度を付けて光ペデスタル７６を回転
させて、ＭＬＣ基板１１０上の配線パターンの薄膜内に
エッチングされた基準マークとの位置合せを達成するこ
とができる。この位置合せは、はんだボール１０２が再
び固化するのに充分な時間、保持される。
【００５６】シール・フレーム１４、リテーナ５１、下
側フレーム１２、ＭＬＣ基板１１０およびガスケット４
６を、適当に組み立て、密封状態に圧縮し、最適に位置
合せする。同様に、光ファイバ１２３または１２５の少
なくとも一部分を、受信器チップ８０上の光検出器１０
０に対して光学的に位置合せしなければならない。光学
的位置合せの後に、光検出器１００を電気的に活動化す
ることができる。単信の場合には光ファイバ２３、２重
の場合には光ファイバ１２３および１２５を、光テスト
・パターンの伝送が可能な試験装置に接続する。光検出
器１００の出力レベルを監視することによって、偏心ピ
ン６４を回転させて、最大の信号出力が得られるように
ファイバ端面の横位置を調節する。また、最適のピン／
コネクタ位置合せが得られるように、ＭＬＣ基板１１０
の横位置を調節してこれを最適化することができ、光フ
ァイバ２３または１２３および１２５を、最大の信号出
力が得られるように再度位置合せすることができる。
【００５７】光波信号入力を光クロック分配に使用する
場合には、１本ないし５本の光ファイバ２３だけが必要
であろう。双方向データ伝送の場合には、３５対ないし
４０対の単信光ファイバを使用することができる。
【００５８】本発明のもう１つの利点は、クロック分配
またはデータ・バス応用分野あるいはその両方用の、光
波通信または光信号を提供することである。典型的な電
子的クロック分配システムは、主発振器からなり、そこ
からＴＣＭに含まれる基板上の論理チップなどのサテラ
イト電子機能にクロック・パルス列が分配される。本発
明は、従来式のＴＣＭ内でのレーザ・クロック発生と光
ファイバ分配を可能にする。今日の電子刻時システムに
対するこの光クロック分配システムの追加的利点には、
下記のことが含まれる。 ａ）スキュー（クロック・パルス到着時間の変動）の減
少 ｂ）高クロック周波数（１００ＭＨｚ超）での低い雑音 ｃ）光ファイバの使用による、電子機能間の距離の増加 ｄ）速度突合せバッファの除去
【００５９】光クロックを本発明のように利用しようと
する場合、実用的な実施態様では、ＭＬＣ基板の各象限
にクロック・パルス列を分配することになる。その後、
各象限内の電子ネットによってさらにクロックが分配さ
れて、論理動作をコンピュータ・チップのマシン・サイ
クルタイムに同期させる。
【００６０】データ・バス応用分野では、データの高速
直列化ビットを、メモリ位置間またはデータ記憶装置と
論理チップの間で通信しなければならない。本発明によ
れば、光ファイバを使用した、適当なエンコーダ、シリ
アライザおよびリンク・アダプタ・チップを有する送信
器への接続が可能になる。さらに、光ファイバを用いる
と、コンピュータ・システム複合体内の他のメモリ位置
または他の論理チップ位置にある受信器、デコーダ、デ
シリアライザおよびクロック回復チップの間で高帯域幅
のデータを使用して通信できるようになる。光ファイバ
の使用により、新規アーキテクチャを使用して多数のプ
ロセッサとデータ記憶装置を互いに結合して、拡張メモ
リ、およびこれらの通信ノード間の光相互接続を介する
並列高速動作を提供することが可能になる。光ファイバ
を使用した光データ・バス相互接続の他の利点として
は、周波数多重化または波長多重化によって非常に高い
入出力を提供する帯域幅能力、入出力装置間の伝送距離
の増大、論理回路とメモリの間の距離の増大、銅ケーブ
ルに対するパッケージのコンパクトさと軽さ、および、
長距離遠隔通信における将来の光クロスポイント・スイ
ッチングとデータ通信との互換性がある。
【００６１】本発明を特定の好ましい実施例に関して具
体的に説明してきたが、前記の説明に照らせば、当業者
にとって多くの代替例、変更および変形が自明なことは
明らかである。したがって、このような代替例、変更お
よび変形のすべては、本発明の範囲と趣旨に含まれるも
のである。
【００６２】
【発明の効果】本発明により、ＴＣＭへの１つまたは複
数の光ファイバ・リンクが得られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】ＴＣＭとインターフェースする、本発明の光フ
ァイバ取付アセンブリの切断透視図である。
【図２】シール・フレームとインターフェースする光フ
ァイバ取付アセンブリの諸要素の分解図である。
【図３】光ファイバ取付アセンブリとＴＣＭ要素の間の
組立済みインターフェースの拡大断面図である。
【図４】光ファイバ取付アセンブリを通り、光ファイバ
・ペデスタル・アセンブリに至る光ファイバの通路を示
す部分断面図である。
【図５】光ファイバ案内溝を有するリテーナと他の関連
要素を示す、分解側面図である。
【図６】修正型のリテーナと位置合せ手段を有するシー
ル・フレームを示す図である。
【図７】基板上の光ペデスタル・アセンブリを案内要素
の一部分と共に示す拡大図である。
【図８】光ファイバ・ペデスタル・アセンブリと関連要
素の透視分解図である。
【符号の説明】
１０ 熱伝導モジュール（ＴＣＭ） １２ 下側フレーム １４ シール・フレーム １６ 上側フレーム ２０ 光ファイバ取付アセンブリ ２３ 光ファイバ ２５ 多芯光ファイバ・ケーブル ４０ 基板 ５１ リテーナ ６９ ファイバ・ガイド ７０ Ｖ字形ブロック ７２ はんだパッド ７６ 光ペデスタル ７８ プリント回路線 ８０ 受信器チップ ８６ 光送信器キャリア ８８ 結合レンズ ９５ Ｖ字溝 ９６ チャネル・インターロック １００ 光検出器 １０２ はんだボール １１０ 多層セラミック（ＭＬＣ）基板 １５０ 光ファイバ・ペデスタル・アセンブリ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ローレンス・ジヤコボヴイツツ アメリカ合衆国12603、ニユーヨーク州ポ ーキープシー、サリー・レーン 10番地

Claims (13)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】ａ）基板と、 ｂ）前記基板の少なくとも１つの表面上にある少なくと
    も１つの光受信器と、 ｃ）前記少なくとも１つの光受信器と光学的に通信する
    少なくとも１本の光ファイバの少なくとも一部分と、 ｄ）前記少なくとも１つの光受信器と前記基板とを保護
    するハウジングと、 ｅ）前記ハウジングを介し、前記少なくとも１本の光フ
    ァイバを経由して、光信号を前記少なくとも１つの光受
    信器に通信する、前記ハウジング内の手段と、 を備える、光ファイバ・インターフェース用の装置。
  2. 【請求項２】さらに、前記基板上に少なくとも１つの電
    子デバイスを備え、前記光受信器が、前記光ファイバか
    ら受け取った情報を前記基板上の前記少なくとも１つの
    電子デバイスに通信する手段を有することを特徴とす
    る、請求項１の光ファイバ・インターフェース用の装
    置。
  3. 【請求項３】Ｖ字形ブロックが少なくとも１つのＶ字溝
    を有し、前記光ファイバのうちの少なくとも１本が、前
    記Ｖ字溝のうちの少なくとも１つ中に固定されることを
    特徴とする、請求項１の光ファイバ・インターフェース
    用の装置。
  4. 【請求項４】前記ハウジングを介して光信号を通信する
    ための前記手段が、少なくとも１つの光ファイバ取付ア
    センブリを備えることを特徴とする、請求項１の光ファ
    イバ・インターフェース用の装置。
  5. 【請求項５】前記ハウジングが、リテーナを有し、前記
    リテーナが、Ｖ字形ブロックの少なくとも一部分を確実
    に保持する手段を有することを特徴とする、請求項１の
    光ファイバ・インターフェース用の装置。
  6. 【請求項６】前記ハウジングがさらに、光ファイバ取付
    アセンブリを備え、前記光ファイバの少なくとも一部分
    が、前記光ファイバ取付アセンブリの少なくとも１つの
    構成部品に確実に接着するために金属被覆されることを
    特徴とする、請求項１の光ファイバ・インターフェース
    用の装置。
  7. 【請求項７】前記ハウジング内部の前記光ファイバの少
    なくとも一部分が、弧形になっていて、ひずみ除去を提
    供することを特徴とする、請求項１の光ファイバ・イン
    ターフェース用の装置。
  8. 【請求項８】前記ハウジングが、リテーナを有し、前記
    リテーナが、Ｖ字形ブロックのチャネル・インターロッ
    クを確実に保持するための先細形チャネルを有する少な
    くとも１つのファイバ・ガイドを有し、前記リテーナが
    さらに、前記ハウジングの上側フレーム上のスタブ・ガ
    イドと噛み合う少なくとも１つのキーを有することを特
    徴とする、請求項１の光ファイバ・インターフェース用
    の装置。
  9. 【請求項９】ａ）基板と、 ｂ）前記基板の少なくとも１つの表面上にある少なくと
    も１つの光受信器と、 ｃ）少なくとも１本の光ファイバと、 ｄ）前記少なくとも１本の光ファイバを、前記少なくと
    も１つの光受信器の位置に案内する手段と、 ｅ）前記少なくとも１本の光ファイバを、前記少なくと
    も１つの光受信器に位置合せし、これに固定する手段
    と、 ｆ）前記少なくとも１つの光受信器と前記基板とを保護
    するハウジングと、 ｇ）前記ハウジングを介し、前記少なくとも１本の光フ
    ァイバを経由して、光信号を前記少なくとも１つの光受
    信器に通信する、前記ハウジング内の手段とを備える、
    光ファイバ・インターフェース用の装置。
  10. 【請求項１０】ａ）基板の少なくとも１つの表面上に少
    なくとも１つの光受信器を固定するステップと、 ｂ）前記少なくとも１つの光受信器に少なくとも１本の
    光ファイバを固定するステップと、 ｃ）前記少なくとも１つの光受信器と前記基板とを保護
    するハウジングを設けるステップと、 ｄ）前記ハウジングを介し、前記少なくとも１本の光フ
    ァイバを経由して、光信号を前記少なくとも１つの光受
    信器に通信する、前記ハウジング内の手段を設けるステ
    ップとを含む、光ファイバ・インターフェースを提供す
    るための方法。
  11. 【請求項１１】さらに、前記基板上に少なくとも１つの
    電子デバイスを固定するステップを含み、前記光受信器
    が、前記光ファイバから受け取った情報を前記基板上の
    前記少なくとも１つの電子デバイスに通信する手段を有
    することを特徴とする、請求項３０の光ファイバ・イン
    ターフェースを提供するための方法。
  12. 【請求項１２】前記ハウジングが、下側フレーム、シー
    ル・フレーム、および上側フレームを備え、前記フレー
    ムのそれぞれを選択的に組み立て、分解することが可能
    であることを特徴とする、請求項３０の光ファイバ・イ
    ンターフェースを提供するための方法。
  13. 【請求項１３】ａ）基板の少なくとも１つの表面上に少
    なくとも１つの光受信器を固定するステップと、 ｂ）少なくとも１本の光ファイバを前記少なくとも１つ
    の光受信器の位置に案内する手段を設けるステップと、 ｃ）前記少なくとも１本の光ファイバを前記少なくとも
    １つの光受信器に位置合せし、これに固定するための手
    段を設けるステップと、 ｄ）前記少なくとも１つの光受信器と前記基板とを保護
    するハウジングを設けるステップと、 ｅ）前記ハウジングを介し、前記少なくとも１本の光フ
    ァイバを経由して、光信号を前記少なくとも１つの光受
    信器に通信する、前記ハウジング内の手段を設けるステ
    ップとを含む、光ファイバ・インターフェースを提供す
    るための方法。
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