JPH0499785A - オルガノホスファゼン単量体の製造方法 - Google Patents
オルガノホスファゼン単量体の製造方法Info
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- JPH0499785A JPH0499785A JP2214591A JP21459190A JPH0499785A JP H0499785 A JPH0499785 A JP H0499785A JP 2214591 A JP2214591 A JP 2214591A JP 21459190 A JP21459190 A JP 21459190A JP H0499785 A JPH0499785 A JP H0499785A
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Landscapes
- Polymers With Sulfur, Phosphorus Or Metals In The Main Chain (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
り粟上皇料皿公団
本発明はポリオルガノホスファゼンを合成する際の原料
又は合成中間体として有用なオルガノホスファゼン単量
体の製造方法に関する。
又は合成中間体として有用なオルガノホスファゼン単量
体の製造方法に関する。
の び ゛しよ′と る
ポリオルガノホスファゼンはP=N骨格を有する高分子
物質であり、優れた難燃性、低発煙性を有すると共に、
燐に結合する有機基の種類によって様々な特性を付与す
ることができ、高機能材料として注目されている。
物質であり、優れた難燃性、低発煙性を有すると共に、
燐に結合する有機基の種類によって様々な特性を付与す
ることができ、高機能材料として注目されている。
従来、このポリオルガノホスファゼンを製造する方法と
しては、ヘキサク口ルシクロトリホスフアゼンを開環重
合させてポリジクロロホスファゼンとした後、この化合
物中の塩素原子を種々の有機基で置換する方法が知られ
ている(米国特許第3.370,020号)。また、重
縮合反応によるポリオルガノホスファゼンの製造方法と
して、N−(ジクロロホスホリル)トリクロロホスファ
ゼンを重縮合する方法(特表昭62−501144号公
報)も提案されている。
しては、ヘキサク口ルシクロトリホスフアゼンを開環重
合させてポリジクロロホスファゼンとした後、この化合
物中の塩素原子を種々の有機基で置換する方法が知られ
ている(米国特許第3.370,020号)。また、重
縮合反応によるポリオルガノホスファゼンの製造方法と
して、N−(ジクロロホスホリル)トリクロロホスファ
ゼンを重縮合する方法(特表昭62−501144号公
報)も提案されている。
しかし、ヘキサクロルシクロトリホスファゼンを開環重
合させる方法においては、ポリマー収率が60%前後に
なると架橋反応が起ってゲル化してしまうため、重合反
応をポリマー収率が50%程度となった時点で停止させ
なけらばならず、また重合後ポリマー中の塩素原子を種
々の有機基で置換反応させるのに手間がかかり、得られ
るポリマーが極めて高価なものになってしまう。更に、
上記置換反応においても完全に塩素原子を置換させるの
は困難であり、微量の残存塩素がポリマーの性能に影響
を与える場合があるという問題を有する。また、N−(
ジクロロホスホリル)トリクロロホスファゼンを重縮合
する方法においては、ポリマー収率に関しては改善され
るものの残存塩素に関する問題点は解消されていな゛い
。
合させる方法においては、ポリマー収率が60%前後に
なると架橋反応が起ってゲル化してしまうため、重合反
応をポリマー収率が50%程度となった時点で停止させ
なけらばならず、また重合後ポリマー中の塩素原子を種
々の有機基で置換反応させるのに手間がかかり、得られ
るポリマーが極めて高価なものになってしまう。更に、
上記置換反応においても完全に塩素原子を置換させるの
は困難であり、微量の残存塩素がポリマーの性能に影響
を与える場合があるという問題を有する。また、N−(
ジクロロホスホリル)トリクロロホスファゼンを重縮合
する方法においては、ポリマー収率に関しては改善され
るものの残存塩素に関する問題点は解消されていな゛い
。
このため、残存塩素の問題を生じることのないポリオル
ガノホスファゼンの製造方法として、オルガノホスファ
ゼン単量体であるN−トリメチルシリルホスファゼンを
重縮合させる方法も提案されている(米国特許第4,4
12,053号)。
ガノホスファゼンの製造方法として、オルガノホスファ
ゼン単量体であるN−トリメチルシリルホスファゼンを
重縮合させる方法も提案されている(米国特許第4,4
12,053号)。
しかし、この製造方法においては、ポリマー収率及び残
存塩素の問題は改善し得るものの、重合原料であるオル
ガノホスファゼン単量体の製造工程が非常に複雑である
という問題点を有する。即ち、この方法においては、オ
ルガノホスファゼン単量体であるN−トリメチルシリル
ホスファゼンの製造は、ヘキサメチルシラザンをリチウ
ム塩とした後、三塩化リンを反応させてジシリルアミノ
ジクロロホスフィンとし、次いでこれにグリニヤール試
薬を作用させて塩素原子を有機基で置換し、次いで臭素
酸化してP−ブロモ−N−トリメチルシリルオルガノホ
スファゼンとし、更にこれをl・リフルオロエトキシ化
するという5段階もの反応工程からなる複雑な方法によ
って行なわれており、工業的製法としては実用性に欠け
るものである。
存塩素の問題は改善し得るものの、重合原料であるオル
ガノホスファゼン単量体の製造工程が非常に複雑である
という問題点を有する。即ち、この方法においては、オ
ルガノホスファゼン単量体であるN−トリメチルシリル
ホスファゼンの製造は、ヘキサメチルシラザンをリチウ
ム塩とした後、三塩化リンを反応させてジシリルアミノ
ジクロロホスフィンとし、次いでこれにグリニヤール試
薬を作用させて塩素原子を有機基で置換し、次いで臭素
酸化してP−ブロモ−N−トリメチルシリルオルガノホ
スファゼンとし、更にこれをl・リフルオロエトキシ化
するという5段階もの反応工程からなる複雑な方法によ
って行なわれており、工業的製法としては実用性に欠け
るものである。
本発明は、上記事情に鑑みなされたもので、残存塩素の
問題を生しることなく、しかも高収率にポリオルガノホ
スファゼンに誘導することができるオルガノホスファゼ
ン単量体を効率よく製造する方法を提供することを目的
とする。
問題を生しることなく、しかも高収率にポリオルガノホ
スファゼンに誘導することができるオルガノホスファゼ
ン単量体を効率よく製造する方法を提供することを目的
とする。
7゛ るための び
本発明者は、上記目的を達成するため、鋭意検討を行な
った結果、下記−船人(I) R2−5i−N、 ・・・ (I)(ただし、
式中R1,R2,R3は互いに同−或いは異種の無置換
又は置換−価炭化水素基を示す)で表わされるオルガノ
シリルアジド化合物と、下記−船人(II) (ただし、式中R’、 R’、 R6は互いに同−或い
は異種の無置換又は置換−価炭化水素基を示す)で表わ
されるホスフィナイト化合物とを反応させることにより
、単に加熱撹拌するだけで容易に1段階反応で効率よく
下記−船人(III)R’ R R60−P =N−5i −R2・・・ (III)R
5R3 (ただし、式中R1〜R6は前記と同様の意味を示す)
で表わされるN−シリル−オルガノホスファゼン化合物
(オルガノホスファゼン単量体)を合成し得ること、そ
して得られたオルガノホスファゼン単量体は加熱処理等
の簡易な操作によって容易にしかも高収率でポリオルガ
ノホスファゼンに重縮合されることを見い出し、本発明
を完成したものである。
った結果、下記−船人(I) R2−5i−N、 ・・・ (I)(ただし、
式中R1,R2,R3は互いに同−或いは異種の無置換
又は置換−価炭化水素基を示す)で表わされるオルガノ
シリルアジド化合物と、下記−船人(II) (ただし、式中R’、 R’、 R6は互いに同−或い
は異種の無置換又は置換−価炭化水素基を示す)で表わ
されるホスフィナイト化合物とを反応させることにより
、単に加熱撹拌するだけで容易に1段階反応で効率よく
下記−船人(III)R’ R R60−P =N−5i −R2・・・ (III)R
5R3 (ただし、式中R1〜R6は前記と同様の意味を示す)
で表わされるN−シリル−オルガノホスファゼン化合物
(オルガノホスファゼン単量体)を合成し得ること、そ
して得られたオルガノホスファゼン単量体は加熱処理等
の簡易な操作によって容易にしかも高収率でポリオルガ
ノホスファゼンに重縮合されることを見い出し、本発明
を完成したものである。
従って、本発明は、−C式(I)で表わされるオルガノ
シリルアジド化合物と一般式(n)で表わされるホスフ
ィナイト化合物とを反応させて、−船人(III)で表
わされるN−シリルーオルガノホスファゼン化合物を得
ることを特徴とするオルガノホスファゼン単量体の製造
方法を提供する。
シリルアジド化合物と一般式(n)で表わされるホスフ
ィナイト化合物とを反応させて、−船人(III)で表
わされるN−シリルーオルガノホスファゼン化合物を得
ることを特徴とするオルガノホスファゼン単量体の製造
方法を提供する。
以下、本発明につき更に詳しく説明する。
本発明のオルガノホスファゼン単量体の製造方法におい
て、その第1の出発原料であるオルガノシリルアジド化
合物は、上述したように下記−船人(1) %式%() ここで、上記式(I)中)71. R2,R:1は、上
記したように互いに同−或いは異種の無置換又は置換−
価炭化水素基であり、好ましくは炭素数1〜10、特に
1〜6のものである。具体的にはメチル基、エチル基、
プロピル基、ブチル基等のアルキル基、ビニル基、アリ
ル基等のアルケニル基、シクロプロピル基、シクロペン
チル基、シクロヘキシル基等のシクロアルキル基、フェ
ニル基等のアリール基、ベンジル基等のアラルキル基、
更にこれらの基の水素原子の一部又は全部をハロゲン原
子で置換したものなどが挙げられる。
て、その第1の出発原料であるオルガノシリルアジド化
合物は、上述したように下記−船人(1) %式%() ここで、上記式(I)中)71. R2,R:1は、上
記したように互いに同−或いは異種の無置換又は置換−
価炭化水素基であり、好ましくは炭素数1〜10、特に
1〜6のものである。具体的にはメチル基、エチル基、
プロピル基、ブチル基等のアルキル基、ビニル基、アリ
ル基等のアルケニル基、シクロプロピル基、シクロペン
チル基、シクロヘキシル基等のシクロアルキル基、フェ
ニル基等のアリール基、ベンジル基等のアラルキル基、
更にこれらの基の水素原子の一部又は全部をハロゲン原
子で置換したものなどが挙げられる。
このようなオルガノシリルアジド化合物としては、トリ
メチルシリルアジド、トリエチルシリルアジド、トリプ
ロピルシリルアジド、ジメチルプロピルシリルアジド、
ジメチルイソプロピルシリルアジド、t−ブチルジメチ
ルシリルアジド、ジメチルオクチルシリルアジド、ジメ
チルオクタデシルシリルアジド、トリフェニルシリルア
ジド、ジメチルフェニルアジド、ベンジルジメチルフェ
ニルアジド、ジフェニルメチルシリルアジド、トリベン
ジルシリルアジド等が挙げられるが、特にトリメチルシ
リルアジドが好適である。なお、第1出発原料のオルガ
ノシリルアジド化合物は、これらに限定されるものでは
なく、上記−船人(1)で表わされるものであればいず
れのものでも使用可能である。
メチルシリルアジド、トリエチルシリルアジド、トリプ
ロピルシリルアジド、ジメチルプロピルシリルアジド、
ジメチルイソプロピルシリルアジド、t−ブチルジメチ
ルシリルアジド、ジメチルオクチルシリルアジド、ジメ
チルオクタデシルシリルアジド、トリフェニルシリルア
ジド、ジメチルフェニルアジド、ベンジルジメチルフェ
ニルアジド、ジフェニルメチルシリルアジド、トリベン
ジルシリルアジド等が挙げられるが、特にトリメチルシ
リルアジドが好適である。なお、第1出発原料のオルガ
ノシリルアジド化合物は、これらに限定されるものでは
なく、上記−船人(1)で表わされるものであればいず
れのものでも使用可能である。
一方、本発明製造方法の第2の出発原料である1ホスフ
ィナイト化合物は、上述したように下記−船人(II) で表わされるものである。
ィナイト化合物は、上述したように下記−船人(II) で表わされるものである。
ここで、上記式(I[)中R4,IIS、 R6は互い
に同−又は異種のアルキル基、アルケニル基、シクロア
ルキル基、了り−ル基、アラルキル基或いはフッ素全置
換又は部分置換のアルキル基、アルケニル基、アリール
基、アラルキル基などの無置換又は置換−価炭化水素基
であり、好ましくは炭素数1〜10.特に1〜6のもの
である。
に同−又は異種のアルキル基、アルケニル基、シクロア
ルキル基、了り−ル基、アラルキル基或いはフッ素全置
換又は部分置換のアルキル基、アルケニル基、アリール
基、アラルキル基などの無置換又は置換−価炭化水素基
であり、好ましくは炭素数1〜10.特に1〜6のもの
である。
このようなホスフィナイト化合物としては、メチルジメ
チルホスフィナイト、エチルジメチルホスフィナイト、
2,2.2−トリフルオロエチルジメチルホスフィナイ
ト、フエニルジメチルホスフィナイト、メチルジエチル
ホスフィナイト、エチルジエチルホスフィナイト、2,
2.2〜トリフルオロエチルジエチルホスフイナイト、
メチルビス(トリフルオロメチル)ホスフィナイト、2
゜2.2−トリフルオロエチルビス(トリフルオロメチ
ル)ホスフィナイト、フェニルビス(トリフルオロメチ
ル)ホスフィナイト、メチルジフェニルホスフィナイト
、2,2.2−)リフルオロエチルジフェニルホスフィ
ナイト、フエニルジフェニルホスフィナイト、2,2.
2−トリフルオロエチルビス(2,2,2−)リフルオ
ロエチル)ホスフィナイト、フェニルビス(2,2,2
−トリフルオロエチル)ホスフィナイト等を例示するこ
とができるが、この第2出発原料のホスフィナイト化合
物は、これらに限定されるものではなく、上記(n)式
で示されるものであればいずれのものも使用可能である
。
チルホスフィナイト、エチルジメチルホスフィナイト、
2,2.2−トリフルオロエチルジメチルホスフィナイ
ト、フエニルジメチルホスフィナイト、メチルジエチル
ホスフィナイト、エチルジエチルホスフィナイト、2,
2.2〜トリフルオロエチルジエチルホスフイナイト、
メチルビス(トリフルオロメチル)ホスフィナイト、2
゜2.2−トリフルオロエチルビス(トリフルオロメチ
ル)ホスフィナイト、フェニルビス(トリフルオロメチ
ル)ホスフィナイト、メチルジフェニルホスフィナイト
、2,2.2−)リフルオロエチルジフェニルホスフィ
ナイト、フエニルジフェニルホスフィナイト、2,2.
2−トリフルオロエチルビス(2,2,2−)リフルオ
ロエチル)ホスフィナイト、フェニルビス(2,2,2
−トリフルオロエチル)ホスフィナイト等を例示するこ
とができるが、この第2出発原料のホスフィナイト化合
物は、これらに限定されるものではなく、上記(n)式
で示されるものであればいずれのものも使用可能である
。
なお、このホスフィナイト化合物は、後述する参考例に
示したように簡易な方法により調製することができる。
示したように簡易な方法により調製することができる。
本発明のオルガノホスファゼン単量体の製造方法は、第
1出発原料のオルガノシリルアジド化合物と第2出発原
料のホスフィナイト化合物とを反応させるもので、これ
により下記−船人(I[I)R4RI R’0−P =N−3t −R”
川 (III)R5R:1 (ただし、式中R1,R6は、前記と同様の意味を示す
) で示されるN−シリル−オルガノホスファゼン化合物が
一段階反応で得られる。
1出発原料のオルガノシリルアジド化合物と第2出発原
料のホスフィナイト化合物とを反応させるもので、これ
により下記−船人(I[I)R4RI R’0−P =N−3t −R”
川 (III)R5R:1 (ただし、式中R1,R6は、前記と同様の意味を示す
) で示されるN−シリル−オルガノホスファゼン化合物が
一段階反応で得られる。
ここで、上記反応において、ホスフィナイト化合物はオ
ルガノシリルアジド化合物1モルに対して0.8〜1.
2モルの範囲で用いることができるが、本質的には両者
を等モルずつ用いることが好ましい。
ルガノシリルアジド化合物1モルに対して0.8〜1.
2モルの範囲で用いることができるが、本質的には両者
を等モルずつ用いることが好ましい。
この反応は無溶媒下に行なっても、適宜溶媒を用いても
行なってもよい。この場合、反応溶媒としては、ジエチ
ルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン、ベンゼ
ン、トルエン、キシレン、ジメチルホルムアミド、ジメ
チルアセトアミド、Nメチルピロリドン、ヘキサメチル
ホスファアミド等が好適に用いられる。また、反応条件
は室温から200℃までの温度において、30分〜10
時間反応させる条件とすることができる。
行なってもよい。この場合、反応溶媒としては、ジエチ
ルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン、ベンゼ
ン、トルエン、キシレン、ジメチルホルムアミド、ジメ
チルアセトアミド、Nメチルピロリドン、ヘキサメチル
ホスファアミド等が好適に用いられる。また、反応条件
は室温から200℃までの温度において、30分〜10
時間反応させる条件とすることができる。
なお、反応の進行状況は、経時的に2100C1l−’
付近のアジドの赤外線吸収スベク)Jl/の強度を追跡
することによって容易に検知することができる。
付近のアジドの赤外線吸収スベク)Jl/の強度を追跡
することによって容易に検知することができる。
即ち、上記反応を赤外線吸収スペクトルの強度を追跡す
ることによってモニターすると、先ずオルガノシリルア
ジド化合物とホスフィナイト化合物との付加体が生成し
て2100■−1付近のアジドの吸収が2000ロー1
付近までシフトし、その後説窒素反応が惹起してこれら
の吸収が消失するので、このアジドの赤外線吸収のシフ
ト及び消失を検知することにより、反応の進行状況及び
終了を知ることができるものである。
ることによってモニターすると、先ずオルガノシリルア
ジド化合物とホスフィナイト化合物との付加体が生成し
て2100■−1付近のアジドの吸収が2000ロー1
付近までシフトし、その後説窒素反応が惹起してこれら
の吸収が消失するので、このアジドの赤外線吸収のシフ
ト及び消失を検知することにより、反応の進行状況及び
終了を知ることができるものである。
本発明の製造方法により得られる上記式(III)のオ
ルガノホスファゼン単量体は、150〜300℃の温度
で加熱する等の簡易な方法により、脱シリルエーテル反
応を起して重縮合し、効率よくポリオルガノホスファゼ
ンを性成する。この場合、オルガノホスファゼン単量体
を得る際に第2出発原料のホスフィナイト化合物の官能
基R4,R5,R6を適宜選定することにより、オルガ
ノホスファゼン単量体の燐原子に結合する有機基を種々
選択することができ、この単量体を重縮合することによ
り所望の構造のポリオルガノホスファゼンを得ることが
できる。
ルガノホスファゼン単量体は、150〜300℃の温度
で加熱する等の簡易な方法により、脱シリルエーテル反
応を起して重縮合し、効率よくポリオルガノホスファゼ
ンを性成する。この場合、オルガノホスファゼン単量体
を得る際に第2出発原料のホスフィナイト化合物の官能
基R4,R5,R6を適宜選定することにより、オルガ
ノホスファゼン単量体の燐原子に結合する有機基を種々
選択することができ、この単量体を重縮合することによ
り所望の構造のポリオルガノホスファゼンを得ることが
できる。
発里皇夏1
本発明のオルガノホスファゼン単量体の製造方法によれ
ば、加熱処理等の簡易な操作によって、容易にしかも窩
収率にポリオルガノホスファゼンに重縮合することがで
きる上記式(m)で表わされるオルガノホスファゼン単
量体を1段階の反応で容易かつ効率よく製造することが
できる。
ば、加熱処理等の簡易な操作によって、容易にしかも窩
収率にポリオルガノホスファゼンに重縮合することがで
きる上記式(m)で表わされるオルガノホスファゼン単
量体を1段階の反応で容易かつ効率よく製造することが
できる。
次に、実施例を示し、本発明を具体的に説明するが、本
発明は下記実施例に限定されるものではない。
発明は下記実施例に限定されるものではない。
なお、以下の例において%はすべで重量%を示す。
また、実施例の説明に先立ちホスフィナイト化合物の調
製法の一例を参考例として示す。
製法の一例を参考例として示す。
〔参考例〕ホスフィナイト化合物の調製アルコールに対
して等モル量のn−ブチルリチウムを含有するn−ブチ
ルリチウムへキサン溶液を0℃において滴下し、リチウ
ムアルコラードを調製した後、その反応液にアルコール
に対して等モル量のジフェニルクロルホスフィンの30
%テトラヒドロフラン溶液を0℃において滴下し、滴下
終了後、温度を室温まで昇温し、更に加熱下に約1時間
還流させて反応を完結させる。
して等モル量のn−ブチルリチウムを含有するn−ブチ
ルリチウムへキサン溶液を0℃において滴下し、リチウ
ムアルコラードを調製した後、その反応液にアルコール
に対して等モル量のジフェニルクロルホスフィンの30
%テトラヒドロフラン溶液を0℃において滴下し、滴下
終了後、温度を室温まで昇温し、更に加熱下に約1時間
還流させて反応を完結させる。
次に、塩化リチウムの沈澱を濾別してから溶媒を留去し
、減圧蒸留によりアルキルジフェニルホスフィナイトを
得る。なお、ジフェニルクロルホスフィンの代りに適宜
なジアルキルクロルホスフィンを用い、同様の方法によ
りアルキルジアルキルホスフィナイトを調製することも
できる。
、減圧蒸留によりアルキルジフェニルホスフィナイトを
得る。なお、ジフェニルクロルホスフィンの代りに適宜
なジアルキルクロルホスフィンを用い、同様の方法によ
りアルキルジアルキルホスフィナイトを調製することも
できる。
〔実施例1〕
2.2.2−トリフルオロエチルジフェニルホスフィナ
イト28.4 gを50mj!のトルエンに熔解し、こ
れにトリメチルシリルアジド11.5gを加え、80℃
、攪拌下において反応させた。この場合、反応混合物の
赤外線吸収スペクトルを測定し、トリメチルシリルアジ
ドのアジド基による2140al−’の吸収が付加体の
生成により2000cm−’にシフトし、更に時間の経
過と共に吸収強度が減少し、消失した時点を反応終了点
とした0反応時間は約4時間であった。
イト28.4 gを50mj!のトルエンに熔解し、こ
れにトリメチルシリルアジド11.5gを加え、80℃
、攪拌下において反応させた。この場合、反応混合物の
赤外線吸収スペクトルを測定し、トリメチルシリルアジ
ドのアジド基による2140al−’の吸収が付加体の
生成により2000cm−’にシフトし、更に時間の経
過と共に吸収強度が減少し、消失した時点を反応終了点
とした0反応時間は約4時間であった。
反応終了後、減圧下に溶媒を留去し、粘稠な液状のP−
(2,2,2−トリフルオロエトキシ)P−ジフェニル
−N−)リメチルシリルホスファゼン28.3 gを得
た。
(2,2,2−トリフルオロエトキシ)P−ジフェニル
−N−)リメチルシリルホスファゼン28.3 gを得
た。
〔実施例2〕
ホスフィナイト化合物としてメチルジフェニルホスフィ
ナイト21.6gを用いた以外は実施例1と同様にして
P−メトキシ−P−ジフェニル−N−トリメチルシリル
ホスファゼン22.8 gを得た。
ナイト21.6gを用いた以外は実施例1と同様にして
P−メトキシ−P−ジフェニル−N−トリメチルシリル
ホスファゼン22.8 gを得た。
〔実施例3〕
ホスフィナイト化合物として2.2.2−)リフルオロ
エチルジメチルホスフィナイト16.0 gを用いた以
外は実施例1と同様にしてP−(2゜2.2−)リフル
オロエトキシ)−P−ジメチル−N−)リメチルシリル
ホスファゼン18.9 gを得た。
エチルジメチルホスフィナイト16.0 gを用いた以
外は実施例1と同様にしてP−(2゜2.2−)リフル
オロエトキシ)−P−ジメチル−N−)リメチルシリル
ホスファゼン18.9 gを得た。
〔実施例4〕
ホスフィナイト化合物としてフエニルジメチルホスフィ
ナイト15.4 gを用いた以外は実施例1と同様にし
てP−フェノキシ−P−ジメチル−N−トリメチルシリ
ルホスファゼン18.2 gを得た。
ナイト15.4 gを用いた以外は実施例1と同様にし
てP−フェノキシ−P−ジメチル−N−トリメチルシリ
ルホスファゼン18.2 gを得た。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、下記一般式( I ) ▲数式、化学式、表等があります▼・・・( I ) (ただし、式中R^1、R^2、R^3は互いに同一或
いは異種の無置換又は置換一価炭化水素基を示す)で表
わされるオルガノシリルアジド化合物と、下記一般式(
II) ▲数式、化学式、表等があります▼・・・(II) (ただし、式中R^4、R^5、R^6は互いに同一或
いは異種の無置換又は置換一価炭化水素基を示す)で表
わされるホスフィナイト化合物とを反応させて、下記一
般式(III) ▲数式、化学式、表等があります▼・・・(III) (ただし、式中R^1〜R^6は前記と同様の意味を示
す)で表わされるN−シリル−オルガノホスファゼン化
合物を得ることを特徴とするオルガノホスファゼン単量
体の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2214591A JPH0499785A (ja) | 1990-08-14 | 1990-08-14 | オルガノホスファゼン単量体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2214591A JPH0499785A (ja) | 1990-08-14 | 1990-08-14 | オルガノホスファゼン単量体の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0499785A true JPH0499785A (ja) | 1992-03-31 |
Family
ID=16658256
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2214591A Pending JPH0499785A (ja) | 1990-08-14 | 1990-08-14 | オルガノホスファゼン単量体の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0499785A (ja) |
-
1990
- 1990-08-14 JP JP2214591A patent/JPH0499785A/ja active Pending
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