JPH04210697A - ヒドロキシオルガノホスファゼン化合物の製造方法 - Google Patents
ヒドロキシオルガノホスファゼン化合物の製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
[00011
【産業上の利用分野]本発明は、オルガノホスファゼン
ポリマーを合成する際の原料又は合成中間体として有用
なヒドロキシオルガノホスファゼン化合物の製造方法に
関する。 [0002] 【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】オルガ
ノホスファゼンポリマーはP=N骨格を有する高分子物
質であり、優れた難燃性、低発煙性を有すると共に、燐
原子に結合する有機基の種類によって様々な特性を付与
することができ、高機能材料として注目されている。 [0003]従来、このオルガノホスファゼンポリマー
を製造する方法としては、ヘキサクロルシクロトリホス
ファゼンを開環重合させてポリジクロロホスファゼンと
した後、この化合物中の塩素原子を種々の有機基で置換
する方法が知られている(米国特許第3. 370.
020号)。また、重縮合反応によるオルガノホスファ
ゼンポリマーの製造方法として、N−(ジクロロホスホ
リル)トリクロロホスファゼンを重縮合する方法(特表
昭62−501144号公報)も提案されている。 [0004]t、かじ、ヘキサクロルシクロトリホスフ
ァゼンを開環重合させる方法においては、ポリマー収率
が60%前後になると架橋反応が起こってゲル化してし
まうため、重合反応をポリマー収率が50%程度となっ
た時点で停止させなければならず、また重合後ポリマー
中の塩素原子を種々の有機基で置換するのに手間がかか
り、得られるポリマーが極めて高価なものになってしま
う。更に、上記置換反応においても完全に塩素原子を置
換させるのは困難であり、微量の残存塩素がポリマーの
性能に影響を与える場合があるという問題点を有する。 また、N−(ジクロロホスホリル)トリクロロホスファ
ゼンを重縮合する方法においては、ポリマー収率に関し
ては改善されるものの残存塩素に関する問題点は解消さ
れていない。 [0005]このため、残存塩素の問題を生じることの
ないホスファゼンポリマーの製造方法として、ホスファ
ゼン単量体であるN−トリメチルシリルホスファゼンを
重縮合させる方法も提案されている(米国特許第4,4
12.053号)。 [0006]Lかし、この製造方法においては、ポリマ
ー収率及び残存塩素の問題は改善し得るものの、重合原
料のホスファゼン単量体となるホスファゼン化合物の製
造工程が非常に複雑であるという問題点を有する。即ち
、この方法においては1M合原料のホスファゼン単量体
であるN−トリメチルシリルホスファゼンの製造は、ヘ
キサメチルシラザンをリチウム塩とした後、三塩化リン
を反応させてジシリルアミノジクロロホスフィンとし、
次いでこれにグリニヤール試薬を作用させて塩素原子を
有機基で置換し、次いで臭素酸化してP−ブロモ−N−
トリメチルシリルオルガノホスファゼンとし、更にこれ
をトリフルオロエトキシ化するという5段階もの反応工
程からなる複雑な方法によって行なわれており、工業的
製法としては実用性に欠けるものである。 [0007]本発明は、上記事情に鑑みなされたもので
、塩素原子を全く含有しないオルガノホスファゼンボッ
マーに効率よく誘導することができるヒドロキシオルガ
ノホスファゼン化合物を容易に得ることができる製造方
法を提供することを目的とする。 [0008]
ポリマーを合成する際の原料又は合成中間体として有用
なヒドロキシオルガノホスファゼン化合物の製造方法に
関する。 [0002] 【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】オルガ
ノホスファゼンポリマーはP=N骨格を有する高分子物
質であり、優れた難燃性、低発煙性を有すると共に、燐
原子に結合する有機基の種類によって様々な特性を付与
することができ、高機能材料として注目されている。 [0003]従来、このオルガノホスファゼンポリマー
を製造する方法としては、ヘキサクロルシクロトリホス
ファゼンを開環重合させてポリジクロロホスファゼンと
した後、この化合物中の塩素原子を種々の有機基で置換
する方法が知られている(米国特許第3. 370.
020号)。また、重縮合反応によるオルガノホスファ
ゼンポリマーの製造方法として、N−(ジクロロホスホ
リル)トリクロロホスファゼンを重縮合する方法(特表
昭62−501144号公報)も提案されている。 [0004]t、かじ、ヘキサクロルシクロトリホスフ
ァゼンを開環重合させる方法においては、ポリマー収率
が60%前後になると架橋反応が起こってゲル化してし
まうため、重合反応をポリマー収率が50%程度となっ
た時点で停止させなければならず、また重合後ポリマー
中の塩素原子を種々の有機基で置換するのに手間がかか
り、得られるポリマーが極めて高価なものになってしま
う。更に、上記置換反応においても完全に塩素原子を置
換させるのは困難であり、微量の残存塩素がポリマーの
性能に影響を与える場合があるという問題点を有する。 また、N−(ジクロロホスホリル)トリクロロホスファ
ゼンを重縮合する方法においては、ポリマー収率に関し
ては改善されるものの残存塩素に関する問題点は解消さ
れていない。 [0005]このため、残存塩素の問題を生じることの
ないホスファゼンポリマーの製造方法として、ホスファ
ゼン単量体であるN−トリメチルシリルホスファゼンを
重縮合させる方法も提案されている(米国特許第4,4
12.053号)。 [0006]Lかし、この製造方法においては、ポリマ
ー収率及び残存塩素の問題は改善し得るものの、重合原
料のホスファゼン単量体となるホスファゼン化合物の製
造工程が非常に複雑であるという問題点を有する。即ち
、この方法においては1M合原料のホスファゼン単量体
であるN−トリメチルシリルホスファゼンの製造は、ヘ
キサメチルシラザンをリチウム塩とした後、三塩化リン
を反応させてジシリルアミノジクロロホスフィンとし、
次いでこれにグリニヤール試薬を作用させて塩素原子を
有機基で置換し、次いで臭素酸化してP−ブロモ−N−
トリメチルシリルオルガノホスファゼンとし、更にこれ
をトリフルオロエトキシ化するという5段階もの反応工
程からなる複雑な方法によって行なわれており、工業的
製法としては実用性に欠けるものである。 [0007]本発明は、上記事情に鑑みなされたもので
、塩素原子を全く含有しないオルガノホスファゼンボッ
マーに効率よく誘導することができるヒドロキシオルガ
ノホスファゼン化合物を容易に得ることができる製造方
法を提供することを目的とする。 [0008]
【課題を解決するための手段及び作用】本発明者は、上
記目的を達成するため、鋭意検討を行なった結果、下記
一般式(1)で表わされるオルガノシリルアジド化合物
と、下記一般式(2)又は(3)で表わされる亜リン酸
ジエステル化合物とを反応させて下記一般式(4)で表
わされる化合物とし、次いでこれに一般式R6MgX(
但し、R6は一価炭化水素基を示し、Xは塩素原子。 臭素原子又はヨウ素原子を示す)で表わされるグリニヤ
ール試薬を反応させることにより、2段階の反応で容易
にしかも効率よく下記一般式(5)で表わされるP−ヒ
ドロキシ−N−シリルオルガノホスファゼン化合物が得
られること、そしてこのヒドロキシオルガノホスファゼ
ン化合物は、その水酸基に種々の脱離性基を導入するこ
とにより、加熱処理等の簡単な操作で容易にしかも高収
率で塩素原子を全く含まないオルガノホスファゼンポリ
マーに重縮合されることを見い出し、本発明を完成した
ものである。 [0009]従って、本発明は、 下記一般式(1)で
表わされるオルガノシリルアジド化合物と下記一般式(
2)又は(3)で表わされる亜リン酸ジエステル化合物
とを反応させて、下記一般式(4)で表わされる化合物
を得、次いでこの化合物に一般式R6MgX (但し、
R6は一価炭化水素基を示し、Xは塩素原子、臭素原子
又はヨウ素原子を示す)で表わされるグリニヤール試薬
を反応させることを特徴とする下記一般式(5)で表わ
されるヒドロキシオルガノホスファゼン化合物の製造方
法を提供する。 [00101
記目的を達成するため、鋭意検討を行なった結果、下記
一般式(1)で表わされるオルガノシリルアジド化合物
と、下記一般式(2)又は(3)で表わされる亜リン酸
ジエステル化合物とを反応させて下記一般式(4)で表
わされる化合物とし、次いでこれに一般式R6MgX(
但し、R6は一価炭化水素基を示し、Xは塩素原子。 臭素原子又はヨウ素原子を示す)で表わされるグリニヤ
ール試薬を反応させることにより、2段階の反応で容易
にしかも効率よく下記一般式(5)で表わされるP−ヒ
ドロキシ−N−シリルオルガノホスファゼン化合物が得
られること、そしてこのヒドロキシオルガノホスファゼ
ン化合物は、その水酸基に種々の脱離性基を導入するこ
とにより、加熱処理等の簡単な操作で容易にしかも高収
率で塩素原子を全く含まないオルガノホスファゼンポリ
マーに重縮合されることを見い出し、本発明を完成した
ものである。 [0009]従って、本発明は、 下記一般式(1)で
表わされるオルガノシリルアジド化合物と下記一般式(
2)又は(3)で表わされる亜リン酸ジエステル化合物
とを反応させて、下記一般式(4)で表わされる化合物
を得、次いでこの化合物に一般式R6MgX (但し、
R6は一価炭化水素基を示し、Xは塩素原子、臭素原子
又はヨウ素原子を示す)で表わされるグリニヤール試薬
を反応させることを特徴とする下記一般式(5)で表わ
されるヒドロキシオルガノホスファゼン化合物の製造方
法を提供する。 [00101
【化2]
(但し、式中R’ 、R″、R″は互いに同−或いは異
種の無置換又は置換−偏度化水素基を示す) (但し、式(2)、(3)中R4,R8は互いに同−或
いは異種の無置換又は置換−偏度化水素基を示す) (但し、式中R1〜R1は前記と同様の意味を示す)(
但し、R1,R”、R”、R’は前記と同様の意味を材
〕[00111以下、本発明につき更に詳しく説明する
と、本発明のホスファゼン化合物の製造方法において、
その第1の出発原料であるオルガノシリルアジド化合物
は、上述したように下記一般式(1)で表わされるもの
である。 [0012] 【化3】 [0013]ここで、上記式(1)中R1,R2,R3
は、上述したように互いに同−或いは異種の無置換又は
置換−偏度化水素基であり、好ましくは炭素数1〜10
、特に1〜6のものである。具体的にはメチル基、エチ
ル基、プロピル基、ブチル等のアルキル基、ビニル基、
アリル基等のアルケニル基、シクロプロピル基、シクロ
ペンチル基、シクロヘキシル基等のシクロアルキル基、
フェニル基等のアリール基、ベンジル基等のアラルキル
基、更にこれらの基の水素原子の一部又は全部をハロゲ
ン原子で置換したものなどが挙げられる。 [0014]このようなオルガノシリルアジド化合物と
しては、トリメチルシリルアジド、トリエチルシリルア
ジド、トリプロピルシリルアジド、ジメチルプロピルシ
リルアジド、ジメチルイソプロピルシリルアジド、1−
ブチルジメチルシリルアジド、ジメチルオクチルシリル
アジド、ジメチルオクタデシルシリルアジド、トリフェ
ニルシリルアジド、ジメチルフェニルシリルアジド、ベ
ンジルジメチルフェニルシリルアジド、ジフェニルメチ
ルシリルアジド、トリベンジルシリルアシト等が挙げら
れるが、特にトリメチルシリルアジドが好適である。な
お、第1出発原料のオルガノシリルアジド化合物は、こ
れらに限定されるものではなく、上記一般式(1)で表
わされるものであればいずれのものでも使用可能である
。 [0015]一方、本発明製造方法の第2の出発原料で
ある亜リン酸ジエステル化合物は、下記一般式(2)又
は(3)で表わされるものである。 [0016]
種の無置換又は置換−偏度化水素基を示す) (但し、式(2)、(3)中R4,R8は互いに同−或
いは異種の無置換又は置換−偏度化水素基を示す) (但し、式中R1〜R1は前記と同様の意味を示す)(
但し、R1,R”、R”、R’は前記と同様の意味を材
〕[00111以下、本発明につき更に詳しく説明する
と、本発明のホスファゼン化合物の製造方法において、
その第1の出発原料であるオルガノシリルアジド化合物
は、上述したように下記一般式(1)で表わされるもの
である。 [0012] 【化3】 [0013]ここで、上記式(1)中R1,R2,R3
は、上述したように互いに同−或いは異種の無置換又は
置換−偏度化水素基であり、好ましくは炭素数1〜10
、特に1〜6のものである。具体的にはメチル基、エチ
ル基、プロピル基、ブチル等のアルキル基、ビニル基、
アリル基等のアルケニル基、シクロプロピル基、シクロ
ペンチル基、シクロヘキシル基等のシクロアルキル基、
フェニル基等のアリール基、ベンジル基等のアラルキル
基、更にこれらの基の水素原子の一部又は全部をハロゲ
ン原子で置換したものなどが挙げられる。 [0014]このようなオルガノシリルアジド化合物と
しては、トリメチルシリルアジド、トリエチルシリルア
ジド、トリプロピルシリルアジド、ジメチルプロピルシ
リルアジド、ジメチルイソプロピルシリルアジド、1−
ブチルジメチルシリルアジド、ジメチルオクチルシリル
アジド、ジメチルオクタデシルシリルアジド、トリフェ
ニルシリルアジド、ジメチルフェニルシリルアジド、ベ
ンジルジメチルフェニルシリルアジド、ジフェニルメチ
ルシリルアジド、トリベンジルシリルアシト等が挙げら
れるが、特にトリメチルシリルアジドが好適である。な
お、第1出発原料のオルガノシリルアジド化合物は、こ
れらに限定されるものではなく、上記一般式(1)で表
わされるものであればいずれのものでも使用可能である
。 [0015]一方、本発明製造方法の第2の出発原料で
ある亜リン酸ジエステル化合物は、下記一般式(2)又
は(3)で表わされるものである。 [0016]
【化4】
[0017]ここで、上記式(2)及び(3)中R4゜
R5は互いに同−又は異種のアルキル基、アルケニル基
、アルキニル基、シクロアルキル基、アリール基、アラ
ルキル基などの無置換又は置換−偏度化水素基であり、
好ましくは炭素数1〜20、特に1〜12のものである
。 [0018]このような亜リン酸ジエステル化合物とし
ては、ジメチルホスファイト、ジエチルホスファイト、
ジ−n−プロピルホスファイト、ジイソプロピルホスフ
ァイト、ジ−n−ブチルホスファイト、ビス(2,2゜
2−トリフルオロエチル)ホスファイト、ジフェニルホ
スファイト、ジベンジルホスファイト、2. 2. 2
−トノフルオロエチルフェニルホスファイト及びこれら
の塩類を例示することができるが、この第2出発原料の
亜リン酸ジエステル化合物は、これらに限定されるもの
ではなく、上記(2)又は(3)式で示されるものであ
ればいずれのものも使用可能である。 [00191本発明のホスファゼン化合物の製造方法は
、まず上記第1出発原料のオルガノシリルアジド化合物
と第2出発原料の亜リン酸ジエステル化合物とを反応さ
せて下記一般式(4)で表わされるP−ヒドロキシN−
シリル−ホスファゼン化合物を得る第1次反応を行なう
。 [00201
R5は互いに同−又は異種のアルキル基、アルケニル基
、アルキニル基、シクロアルキル基、アリール基、アラ
ルキル基などの無置換又は置換−偏度化水素基であり、
好ましくは炭素数1〜20、特に1〜12のものである
。 [0018]このような亜リン酸ジエステル化合物とし
ては、ジメチルホスファイト、ジエチルホスファイト、
ジ−n−プロピルホスファイト、ジイソプロピルホスフ
ァイト、ジ−n−ブチルホスファイト、ビス(2,2゜
2−トリフルオロエチル)ホスファイト、ジフェニルホ
スファイト、ジベンジルホスファイト、2. 2. 2
−トノフルオロエチルフェニルホスファイト及びこれら
の塩類を例示することができるが、この第2出発原料の
亜リン酸ジエステル化合物は、これらに限定されるもの
ではなく、上記(2)又は(3)式で示されるものであ
ればいずれのものも使用可能である。 [00191本発明のホスファゼン化合物の製造方法は
、まず上記第1出発原料のオルガノシリルアジド化合物
と第2出発原料の亜リン酸ジエステル化合物とを反応さ
せて下記一般式(4)で表わされるP−ヒドロキシN−
シリル−ホスファゼン化合物を得る第1次反応を行なう
。 [00201
【化5]
(但し、式中R1〜R―は前記と同様の意味を示す)[
0021]この場合、上記第1次反応において、亜リン
酸ジエステル化合物はオルガノシリルアジド化合物1モ
ルに対して0. 8〜1.2モルの範囲で用いることが
できるが、本質的には両者を等モルずつ用いることが好
ましい。 [0022]この反応は無溶媒下に行なっても、適宜溶
媒を用いて行なってもよい。この場合、反応溶媒として
は、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサ
ン、ベンゼン、トルエン、キシレン、ジメチルホルムア
ミド、ジメチルアセトアミド、N−メチルピロリドン、
ヘキサメチルホスファミド等が好適に用いられる。また
、反応条件は室温から200℃までの温度において、3
0分〜50時間反応させる条件とすることができる。 [0023]なお、反応の進行状況は、2100 cm
−’付近のアジドの赤外線吸収スペクトルの強度を経時
的に追跡することによって容易に検知することができる
。即ち、上記反応を赤外線吸収スペクトルの強度を追跡
することによってモニターすると、反応の進行に伴なっ
て2100cm−’付近のアジドの吸収が減少し、消失
するので、このアジドの赤外線吸収の減少及び消失を検
知することにより、反応の進行状況及び終了を知ること
ができるものである。 [0024]次に、本発明の製造方法は上記第1次反応
で生成した上記一般式(4)の化合物に一般式R6Mg
X (R6は一価炭化水素基を示し、Xは塩素原子、臭
素原子又はヨウ素原子を示す)で表わされるグリニヤー
ル試薬を反応させる第2次反応を行ない、下記一般式(
5)で表わされるP−ヒドロキシ−N−シリルオルガノ
ホスファゼン化合物を得るものである。 [0025] 【化6】 (但し、式中RL、R”、R’、R−は前記と同様の意
味を示す)[0026]ここで、上記一般式R6MgX
で表わされるグリニヤール試薬中の一価炭化水素基R6
としては、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、
シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基等の一価
炭化水素基又はシリルアルキル基、へロアリール基等の
置換基含有−偏度化水素基を例示することができ、好ま
しくは炭素数1〜10、特に1〜6のものである。 [0027]このようなグリニヤール試薬としては、メ
チルマグネシウムクロライド、メチルマグネシウムブロ
マイド、メチルマグネシウムアイオダイド、エチルマグ
ネシウムブロマイド、ビニルマグネシウムクロライド、
n−プロピルマグネシウムクロライド、イソプロピルマ
グネシウムクロライド、アリルマグネシウムクロライド
、トリメチルシリルメチルマグネシウムクロライド、ジ
メチルビニルシリルメチルマグネシウムクロライド、フ
ェニルマグネシウムクロライド、フェニルマグネシウム
ブロマイド、p−クロルフェニルマグネシウムクロライ
ド等を例示することができるが、本発明製造法に使用さ
れるグリニヤール試薬は、これらに限定されるものでは
なく、上記一般式R6MgXで示されるものであればい
ずれのものも使用可能である。 [0028]このグリニヤール試薬を用いた第2次反応
は、下記反応式(6)に従って進行するものである。従
って、グリニヤール試薬は、上記第1次反応で生成した
一般式(4)の化合物1モルに対して3モル以上使用す
る必要がある。 [0029]
0021]この場合、上記第1次反応において、亜リン
酸ジエステル化合物はオルガノシリルアジド化合物1モ
ルに対して0. 8〜1.2モルの範囲で用いることが
できるが、本質的には両者を等モルずつ用いることが好
ましい。 [0022]この反応は無溶媒下に行なっても、適宜溶
媒を用いて行なってもよい。この場合、反応溶媒として
は、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサ
ン、ベンゼン、トルエン、キシレン、ジメチルホルムア
ミド、ジメチルアセトアミド、N−メチルピロリドン、
ヘキサメチルホスファミド等が好適に用いられる。また
、反応条件は室温から200℃までの温度において、3
0分〜50時間反応させる条件とすることができる。 [0023]なお、反応の進行状況は、2100 cm
−’付近のアジドの赤外線吸収スペクトルの強度を経時
的に追跡することによって容易に検知することができる
。即ち、上記反応を赤外線吸収スペクトルの強度を追跡
することによってモニターすると、反応の進行に伴なっ
て2100cm−’付近のアジドの吸収が減少し、消失
するので、このアジドの赤外線吸収の減少及び消失を検
知することにより、反応の進行状況及び終了を知ること
ができるものである。 [0024]次に、本発明の製造方法は上記第1次反応
で生成した上記一般式(4)の化合物に一般式R6Mg
X (R6は一価炭化水素基を示し、Xは塩素原子、臭
素原子又はヨウ素原子を示す)で表わされるグリニヤー
ル試薬を反応させる第2次反応を行ない、下記一般式(
5)で表わされるP−ヒドロキシ−N−シリルオルガノ
ホスファゼン化合物を得るものである。 [0025] 【化6】 (但し、式中RL、R”、R’、R−は前記と同様の意
味を示す)[0026]ここで、上記一般式R6MgX
で表わされるグリニヤール試薬中の一価炭化水素基R6
としては、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、
シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基等の一価
炭化水素基又はシリルアルキル基、へロアリール基等の
置換基含有−偏度化水素基を例示することができ、好ま
しくは炭素数1〜10、特に1〜6のものである。 [0027]このようなグリニヤール試薬としては、メ
チルマグネシウムクロライド、メチルマグネシウムブロ
マイド、メチルマグネシウムアイオダイド、エチルマグ
ネシウムブロマイド、ビニルマグネシウムクロライド、
n−プロピルマグネシウムクロライド、イソプロピルマ
グネシウムクロライド、アリルマグネシウムクロライド
、トリメチルシリルメチルマグネシウムクロライド、ジ
メチルビニルシリルメチルマグネシウムクロライド、フ
ェニルマグネシウムクロライド、フェニルマグネシウム
ブロマイド、p−クロルフェニルマグネシウムクロライ
ド等を例示することができるが、本発明製造法に使用さ
れるグリニヤール試薬は、これらに限定されるものでは
なく、上記一般式R6MgXで示されるものであればい
ずれのものも使用可能である。 [0028]このグリニヤール試薬を用いた第2次反応
は、下記反応式(6)に従って進行するものである。従
って、グリニヤール試薬は、上記第1次反応で生成した
一般式(4)の化合物1モルに対して3モル以上使用す
る必要がある。 [0029]
【化7】
(但し、式中R’−R’及びXは前記と同様の意味を示
す)[00301この第2次反応は、通常反応溶媒中で
行なわれ、この場合反応溶媒としては、ジエチルエーテ
ル、テトラヒドロフラン、ジオキサン、モノグライム、
ジグライム、トリグライム、テトラグライム、ヘキサメ
チルホスファミド等を挙げることができ、また反応条件
は一50〜200℃の温度において30分〜20時間反
応させる条件とすることができる。なお、上記第1次反
応でジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサ
ン、ヘキサメチルホスファミド等の極性溶媒を用いた場
合、第1次反応の反応系に上記グリニヤール試薬を投入
することにより、第1次反応と第2次反応とを同一反応
系で連続的に行なうこともできる。 [00311本発明の製造方法により得られる上記式(
5)のヒドロキシオルガノホスファゼン化合物は、その
水酸基にフェノキシ基、p−ニトロフェノキシ基、2、
2. 2−トリフルオロエトキシ基、トシル基、アセ
チル基、トリメチルシロキシ基等のより脱離し易い脱離
性基を導入して150〜300℃の温度で加熱するなど
の簡易な方法で重縮合し、効率よく塩素原子を全く含ま
ないオルガノホスファゼンポリマーを生成する。この場
合、本発明の製造方法により単量体原料のヒドロキシホ
スファゼン化合物を得る際、第2次反応において上記グ
リニヤール試薬のR6基を適宜選定することにより、得
られるヒドロキシホスファゼン化合物の燐原子に結合す
る置換基を種々選択することができ、この化合物より誘
導されるホスファゼン単量体を上記のように重縮合する
ことにより所望の構造のホスファゼンポリマーを得るこ
とができる。 [0032]
す)[00301この第2次反応は、通常反応溶媒中で
行なわれ、この場合反応溶媒としては、ジエチルエーテ
ル、テトラヒドロフラン、ジオキサン、モノグライム、
ジグライム、トリグライム、テトラグライム、ヘキサメ
チルホスファミド等を挙げることができ、また反応条件
は一50〜200℃の温度において30分〜20時間反
応させる条件とすることができる。なお、上記第1次反
応でジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサ
ン、ヘキサメチルホスファミド等の極性溶媒を用いた場
合、第1次反応の反応系に上記グリニヤール試薬を投入
することにより、第1次反応と第2次反応とを同一反応
系で連続的に行なうこともできる。 [00311本発明の製造方法により得られる上記式(
5)のヒドロキシオルガノホスファゼン化合物は、その
水酸基にフェノキシ基、p−ニトロフェノキシ基、2、
2. 2−トリフルオロエトキシ基、トシル基、アセ
チル基、トリメチルシロキシ基等のより脱離し易い脱離
性基を導入して150〜300℃の温度で加熱するなど
の簡易な方法で重縮合し、効率よく塩素原子を全く含ま
ないオルガノホスファゼンポリマーを生成する。この場
合、本発明の製造方法により単量体原料のヒドロキシホ
スファゼン化合物を得る際、第2次反応において上記グ
リニヤール試薬のR6基を適宜選定することにより、得
られるヒドロキシホスファゼン化合物の燐原子に結合す
る置換基を種々選択することができ、この化合物より誘
導されるホスファゼン単量体を上記のように重縮合する
ことにより所望の構造のホスファゼンポリマーを得るこ
とができる。 [0032]
ジエチルホスファイト13.8gを20m1のトルエン
に溶解し、これにトリメチルシリルアジド11.5gを
15m1のトルエンに溶解した溶液を加え、撹拌下に加
熱還流させた。この場合、反応混合物の赤外線吸収スペ
クトルを測定して、トリメチルシリルアジドのアジド基
による2 140 cm−’の吸収強度を経時的に観測
し、この吸収が十分に減少した時点を反応終了点とした
。反応時間は約15時間であった。 [0034]反応終了後、減圧下に溶媒を留去した後、
減圧蒸留を行ない、沸点117〜120℃/lmmHg
のP−ジェトキシ−P−ヒドロキシ−N−トリメチルシ
リルホスファゼン16.9gを得た。 [00351次いで、このP−ジェトキシ−P−ヒドロ
キシ−N−トリメチルシリルホスファゼンを20m1の
テトラヒドロフランに溶解し、20℃で撹拌下にメチル
マグネシウムブロマイドを0.82mol/lの濃度で
含有するテトラヒドロフラン溶液300m1を滴下し、
滴下終了後反応系を5時間加熱還流した。 [0036]反応終了後、反応系を冷却して室温まで戻
し、撹拌した後、反応混合物を300m1のジエチルエ
−チルを用いて3回抽出し、抽出溶液を合わせて無水硫
酸ナトリウムで脱水した後、溶媒を留去し、更に減圧蒸
留することにより、沸点35〜37℃/20mmHgの
P−ヒドロキシ−P−ジメチル−N−トリメチルシリル
ホスファゼン8.92gを得た。 [0037] 〔実施例2〕 グリニヤール試薬として、イソプロピルマグネシウムブ
ロマイドを0.70mol/lの濃度で含有するテトラ
ヒドロフラン溶液350m1を用いた以外は実施例1と
同様にして、沸点61〜63℃/20mmHgのP−ヒ
ドロキシ−P−ジイソプロピル−N−トリメチルシリル
−ホスファゼン12.1gを得た。 [0038] 〔実施例3〕 グリニヤール試薬として、n−ブチルマグネシウムクロ
ライドを1.0mol/1の濃度で含有するテトラヒド
ロフラン溶液250m1を用いた以外は実施例1と同様
にして、沸点68〜70℃/20mmHgのP−ヒドロ
キシ−P−ジ−n−ブチル−N−トリメチルシリル−ホ
スファゼン12.8gを得た。 [0039]
に溶解し、これにトリメチルシリルアジド11.5gを
15m1のトルエンに溶解した溶液を加え、撹拌下に加
熱還流させた。この場合、反応混合物の赤外線吸収スペ
クトルを測定して、トリメチルシリルアジドのアジド基
による2 140 cm−’の吸収強度を経時的に観測
し、この吸収が十分に減少した時点を反応終了点とした
。反応時間は約15時間であった。 [0034]反応終了後、減圧下に溶媒を留去した後、
減圧蒸留を行ない、沸点117〜120℃/lmmHg
のP−ジェトキシ−P−ヒドロキシ−N−トリメチルシ
リルホスファゼン16.9gを得た。 [00351次いで、このP−ジェトキシ−P−ヒドロ
キシ−N−トリメチルシリルホスファゼンを20m1の
テトラヒドロフランに溶解し、20℃で撹拌下にメチル
マグネシウムブロマイドを0.82mol/lの濃度で
含有するテトラヒドロフラン溶液300m1を滴下し、
滴下終了後反応系を5時間加熱還流した。 [0036]反応終了後、反応系を冷却して室温まで戻
し、撹拌した後、反応混合物を300m1のジエチルエ
−チルを用いて3回抽出し、抽出溶液を合わせて無水硫
酸ナトリウムで脱水した後、溶媒を留去し、更に減圧蒸
留することにより、沸点35〜37℃/20mmHgの
P−ヒドロキシ−P−ジメチル−N−トリメチルシリル
ホスファゼン8.92gを得た。 [0037] 〔実施例2〕 グリニヤール試薬として、イソプロピルマグネシウムブ
ロマイドを0.70mol/lの濃度で含有するテトラ
ヒドロフラン溶液350m1を用いた以外は実施例1と
同様にして、沸点61〜63℃/20mmHgのP−ヒ
ドロキシ−P−ジイソプロピル−N−トリメチルシリル
−ホスファゼン12.1gを得た。 [0038] 〔実施例3〕 グリニヤール試薬として、n−ブチルマグネシウムクロ
ライドを1.0mol/1の濃度で含有するテトラヒド
ロフラン溶液250m1を用いた以外は実施例1と同様
にして、沸点68〜70℃/20mmHgのP−ヒドロ
キシ−P−ジ−n−ブチル−N−トリメチルシリル−ホ
スファゼン12.8gを得た。 [0039]
【発明の効果】本発明のヒドロキシオルガノホスファゼ
ン化合物の製造方法によれば、簡易な操作により、残存
塩素の問題が全くないホスファゼンポリマーに効率よく
誘導することができるヒドロキシオルガノホスファゼン
化合物を煩雑な操作を要することなく、簡単かつ確実に
得ることができる。
ン化合物の製造方法によれば、簡易な操作により、残存
塩素の問題が全くないホスファゼンポリマーに効率よく
誘導することができるヒドロキシオルガノホスファゼン
化合物を煩雑な操作を要することなく、簡単かつ確実に
得ることができる。
Claims (1)
- 【請求項1】下記一般式(1)で表わされるオルガノシ
リルアジド化合物と下記一般式(2)又は(3)で表わ
される亜リン酸ジエステル化合物とを反応させて、下記
一般式(4)で表わされる化合物を得、次いでこの化合
物に一般式R^6MgX(但し、R^6は一価炭化水素
基を示し、Xは塩素原子、臭素原子又はヨウ素原子を示
す)で表わされるグリニャール試薬を反応させることを
特徴とする下記一般式(5)で表わされるヒドロキシオ
ルガノホスフアゼン化合物の製造方法。 【化1】 ▲数式、化学式、表等があります▼…(1) (但し、式中R^1、R^2、R^3は互いに同一或い
は異種の無置換又は置換一価炭化水素基を示す) ▲数式、化学式、表等があります▼…(2) ▲数式、化学式、表等があります▼…(3) (但し、式(2)、(3)中R^4、R^5は互いに同
一或いは異種の無置換又は置換一価炭化水素基を示す) ▲数式、化学式、表等があります▼…(4) (但し、式中R^1〜R^5は前記と同様の意味を示す
)▲数式、化学式、表等があります▼…(5) (但し、R^1、R^2、R^3、R^5は前記と同様
の意味を示す)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP41078990A JPH04210697A (ja) | 1990-12-14 | 1990-12-14 | ヒドロキシオルガノホスファゼン化合物の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP41078990A JPH04210697A (ja) | 1990-12-14 | 1990-12-14 | ヒドロキシオルガノホスファゼン化合物の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04210697A true JPH04210697A (ja) | 1992-07-31 |
Family
ID=18519896
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP41078990A Pending JPH04210697A (ja) | 1990-12-14 | 1990-12-14 | ヒドロキシオルガノホスファゼン化合物の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04210697A (ja) |
-
1990
- 1990-12-14 JP JP41078990A patent/JPH04210697A/ja active Pending
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