JPH0499050A - 樹脂封止型半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置及びその製造方法Info
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Classifications
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- H—ELECTRICITY
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- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
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-
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- H01L2924/181—Encapsulation
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
この発明は樹脂封止型半導体装置の構造及びその製造方
法に関するものである。特にその内部リードの設は方に
関する。
法に関するものである。特にその内部リードの設は方に
関する。
（従来の技術）
第３図は従来の樹脂封止型半導体装置の断面図を示した
もので、耐熱性合成樹脂からなる絶縁性のフィルム１１
上に搭載された半導体素子１２と半導体素子の周囲に配
設された金属性のり一ド０滲とリードの端部と半導体素
子を接続する金属細線ａ■と上記絶縁性フィルム１１、
半導体素子１２、金属細線１３およびリード１４の一部
を封止するモールド樹脂１５とから成っている。（参考
文献：特開昭５９−１７５７５３号公報、実開昭６１−
１８９３７９号公報）この耐熱性合成樹脂の線膨張係数
は樹脂モールドの線膨張係数と大差ないため、両者の間
に生じる熱応力は極めて小さい。従ってモールド樹脂層
の亀裂発生は回避され、高い信顛性が得られる。
もので、耐熱性合成樹脂からなる絶縁性のフィルム１１
上に搭載された半導体素子１２と半導体素子の周囲に配
設された金属性のり一ド０滲とリードの端部と半導体素
子を接続する金属細線ａ■と上記絶縁性フィルム１１、
半導体素子１２、金属細線１３およびリード１４の一部
を封止するモールド樹脂１５とから成っている。（参考
文献：特開昭５９−１７５７５３号公報、実開昭６１−
１８９３７９号公報）この耐熱性合成樹脂の線膨張係数
は樹脂モールドの線膨張係数と大差ないため、両者の間
に生じる熱応力は極めて小さい。従ってモールド樹脂層
の亀裂発生は回避され、高い信顛性が得られる。
また、半導体素子を搭載する耐熱性合成樹脂のフィルム
が絶縁性であるため、金属細線のタレによるショート不
良を生じることがなく、従ってリードフレームの凡用化
が図れる。更に各リードパターンの先端部は耐熱性合成
樹脂のフィルムで連結されているからリードパターンの
浮き沈みといった変形を防止出来る。
が絶縁性であるため、金属細線のタレによるショート不
良を生じることがなく、従ってリードフレームの凡用化
が図れる。更に各リードパターンの先端部は耐熱性合成
樹脂のフィルムで連結されているからリードパターンの
浮き沈みといった変形を防止出来る。
（発明が解決しようとする課題）
しかしながら上記構成の樹脂封止型半導体装置では、半
導体素子の搭載部は絶縁性のフィルムのため任意の形状
に加工することが出来ずそのため、半導体素子の表面と
リードを同一平面にできず金属細線が半導体素子の端に
接触しショートする問題と、絶縁性のフィルムが吸湿し
りフロー時に急に水蒸気化することによりモールド樹脂
に亀裂が生ずる問題と、絶縁性フィルムが広い面積にな
ることにより、モールド時にモールド樹脂の流れが悪く
なり、半導体素子の傾きが発生するという問題と、金属
性のリードと絶縁性のフィルムを貼り合わせているため
、ワイヤーボンド工程、半導体素子搭載工程での熱履歴
により、リードと絶縁性フィルムの線膨張係数の差によ
りリードが変形するという問題があった。
導体素子の搭載部は絶縁性のフィルムのため任意の形状
に加工することが出来ずそのため、半導体素子の表面と
リードを同一平面にできず金属細線が半導体素子の端に
接触しショートする問題と、絶縁性のフィルムが吸湿し
りフロー時に急に水蒸気化することによりモールド樹脂
に亀裂が生ずる問題と、絶縁性フィルムが広い面積にな
ることにより、モールド時にモールド樹脂の流れが悪く
なり、半導体素子の傾きが発生するという問題と、金属
性のリードと絶縁性のフィルムを貼り合わせているため
、ワイヤーボンド工程、半導体素子搭載工程での熱履歴
により、リードと絶縁性フィルムの線膨張係数の差によ
りリードが変形するという問題があった。
（課題を解決するための手段）
この発明は以上述べた半導体素子の端に金属細線が接触
しショートする問題と、吸湿によりモールド樹脂に亀裂
が入る問題と半導体素子の傾きが発生する問題と、リー
ドが変形する問題を除去するため、モールド樹脂内の金
属板によるリードを排除し、リードを下部あるいは上部
モール下樹脂上に、めっきあるいは印刷により形成し信
軌性の優れた半導体装置を提供するものである。
しショートする問題と、吸湿によりモールド樹脂に亀裂
が入る問題と半導体素子の傾きが発生する問題と、リー
ドが変形する問題を除去するため、モールド樹脂内の金
属板によるリードを排除し、リードを下部あるいは上部
モール下樹脂上に、めっきあるいは印刷により形成し信
軌性の優れた半導体装置を提供するものである。
（作用）
前述のように本発明では、モールド樹脂内部の金属板に
よるリードを排除し、リードを下部あるいは上部モール
下樹脂上にメッキあるいは印刷することにより形成した
ので、半導体素子の位置を自由に出来るため、金属細線
と半導体素子端部のショートをなくなり、絶縁性のフィ
ルムが吸湿し、リフロー時にモールド樹脂に亀裂が入る
ことを防ぎ、絶縁性のフィルムの面積が広いため樹脂の
流れが悪くなり半導体素子の傾きが発生する問題を防ぐ
。
よるリードを排除し、リードを下部あるいは上部モール
下樹脂上にメッキあるいは印刷することにより形成した
ので、半導体素子の位置を自由に出来るため、金属細線
と半導体素子端部のショートをなくなり、絶縁性のフィ
ルムが吸湿し、リフロー時にモールド樹脂に亀裂が入る
ことを防ぎ、絶縁性のフィルムの面積が広いため樹脂の
流れが悪くなり半導体素子の傾きが発生する問題を防ぐ
。
（実施例）
第１図は本発明の実施例を示す半導体装置断面図である
。１はモール下樹脂上にめっきあるいは印刷により形成
された内部リードであり、４は半導体素子であり、半導
体素子接着剤５を介してモールド樹脂６に固着されてい
る。さらに内部リード１の一端で金属細線３により半導
体素子と接続しており、他の一端で外部リード２に接続
され、半導体素子４、金属細線３、半導体素子接着剤５
、内部リード１及び外部リード２の１部を覆うよう封止
されている。
。１はモール下樹脂上にめっきあるいは印刷により形成
された内部リードであり、４は半導体素子であり、半導
体素子接着剤５を介してモールド樹脂６に固着されてい
る。さらに内部リード１の一端で金属細線３により半導
体素子と接続しており、他の一端で外部リード２に接続
され、半導体素子４、金属細線３、半導体素子接着剤５
、内部リード１及び外部リード２の１部を覆うよう封止
されている。
以下第２図半導体装置製造工程を用いて順を追って説明
する。
する。
まず、モールド樹脂（エポキシ等）を用いて、（ａ）図
のように下部モールド樹脂６ａを形成する。
のように下部モールド樹脂６ａを形成する。
次に必要な前処理（例えば酸処理、脱脂、活性化等）を
行なった後、無電解めっきあるいは無電解めっき後電解
めっきにより所定のパターンｌを形成する。（ｂ図）こ
の際、全体にめっきをした後エツチングによりパターン
を形成しても、マスクを用いて所定のパターンをめっき
しても良い。その後下部モールド６ａ上に半導体素子４
を半導体素子接着剤５を介して固着する。（０図）その
後金属細線３により半導体素子４と内部リード１を接続
しくｄ図）、外部リード２を内部リード１に接着剤を用
い接着し、上部をモールド樹脂６ｂにより、封止する（
ｅ図）さらに必要に応じて外部リード２を任意の形状に
加工する。また外部り−ド２は任意の形に加工されてい
るものを用いても問題ない。またパターン形成に用いる
メッキに関しては例えば銅メッキ、ニッケルメッキ、金
メッキ、スズメッキ等種々のメッキを用いることが出来
、さらにたとえば銅メッキ−ニッケルメッキという具合
に組み合せて用いても良い。また必要に応じて銀メッキ
、金メッキ等を部分的に付けても良い。このようにして
、第１図半導体装置断面図に示す樹脂封止型半導体装置
が完成する。
行なった後、無電解めっきあるいは無電解めっき後電解
めっきにより所定のパターンｌを形成する。（ｂ図）こ
の際、全体にめっきをした後エツチングによりパターン
を形成しても、マスクを用いて所定のパターンをめっき
しても良い。その後下部モールド６ａ上に半導体素子４
を半導体素子接着剤５を介して固着する。（０図）その
後金属細線３により半導体素子４と内部リード１を接続
しくｄ図）、外部リード２を内部リード１に接着剤を用
い接着し、上部をモールド樹脂６ｂにより、封止する（
ｅ図）さらに必要に応じて外部リード２を任意の形状に
加工する。また外部り−ド２は任意の形に加工されてい
るものを用いても問題ない。またパターン形成に用いる
メッキに関しては例えば銅メッキ、ニッケルメッキ、金
メッキ、スズメッキ等種々のメッキを用いることが出来
、さらにたとえば銅メッキ−ニッケルメッキという具合
に組み合せて用いても良い。また必要に応じて銀メッキ
、金メッキ等を部分的に付けても良い。このようにして
、第１図半導体装置断面図に示す樹脂封止型半導体装置
が完成する。
なお以上は下部モールド樹脂６ａを先に形成しその上に
内部リード１を形成する工程として説明したが、上部モ
ールド樹脂６ｂを先に形成して、それに内部リード１を
形成しても半導体素子４の載置、電極条件によっては有
効である。
内部リード１を形成する工程として説明したが、上部モ
ールド樹脂６ｂを先に形成して、それに内部リード１を
形成しても半導体素子４の載置、電極条件によっては有
効である。
（発明の効果）
以上、詳細に説明したようにこの発明によれば、モール
ド樹脂内部の金属板によるリードを排除し、リードを下
部あるいは上部モール下樹脂上にメッキあるいは印刷す
ることにより形成したので、半導体素子の位置を自由に
出来るため、金属細線と半導体素子端部のショートをな
くす効果と絶縁性のフィルムが吸湿し、リフロー時にモ
ールド樹脂に亀裂が入ることを防ぐ効果と、リードの変
形を防ぐ効果と、絶縁性のフィルムの面積が広いため樹
脂の流れが悪くなり、半導体素子の傾きが発生する問題
を防ぐ効果が期待できる。さらに金属板によるリードで
はないので板厚分生導体装置を薄くできる効果も期待で
きる。
ド樹脂内部の金属板によるリードを排除し、リードを下
部あるいは上部モール下樹脂上にメッキあるいは印刷す
ることにより形成したので、半導体素子の位置を自由に
出来るため、金属細線と半導体素子端部のショートをな
くす効果と絶縁性のフィルムが吸湿し、リフロー時にモ
ールド樹脂に亀裂が入ることを防ぐ効果と、リードの変
形を防ぐ効果と、絶縁性のフィルムの面積が広いため樹
脂の流れが悪くなり、半導体素子の傾きが発生する問題
を防ぐ効果が期待できる。さらに金属板によるリードで
はないので板厚分生導体装置を薄くできる効果も期待で
きる。
第１図は本発明の実施例の半導体装置断面図、第２図は
その製造工程図、第３図は従来の樹脂封止型半導体装置
の断面図である。 １・・・内部リード、６・・・モールド樹脂、６ａ・・
・下部モールド樹脂、６ｂ・・・下部モールド樹脂。 本発明０大武イ幻、）＋帽本牧ｉ断向図第１図 （ｄ） （ｅ） 本発明の矢方矩付’Ｊ （Ｑ ＄１イ木表γ製造り程図
第２図
その製造工程図、第３図は従来の樹脂封止型半導体装置
の断面図である。 １・・・内部リード、６・・・モールド樹脂、６ａ・・
・下部モールド樹脂、６ｂ・・・下部モールド樹脂。 本発明０大武イ幻、）＋帽本牧ｉ断向図第１図 （ｄ） （ｅ） 本発明の矢方矩付’Ｊ （Ｑ ＄１イ木表γ製造り程図
第２図
Claims (2)
- （１）樹脂封止型半導体装置において、モールド樹脂内
のリードをモールド樹脂上にメッキあるいは印刷により
形成したことを特徴とする樹脂封止型半導体装置。 - （２）下部あるいは上部モールド樹脂形成後、該モール
下樹脂上に内部リードを形成し、半導体素子搭載、金属
細線接続、上部あるいは下部モールドする工程を順に施
こすことを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2207672A JPH0499050A (ja) | 1990-08-07 | 1990-08-07 | 樹脂封止型半導体装置及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2207672A JPH0499050A (ja) | 1990-08-07 | 1990-08-07 | 樹脂封止型半導体装置及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0499050A true JPH0499050A (ja) | 1992-03-31 |
Family
ID=16543655
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2207672A Pending JPH0499050A (ja) | 1990-08-07 | 1990-08-07 | 樹脂封止型半導体装置及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0499050A (ja) |
-
1990
- 1990-08-07 JP JP2207672A patent/JPH0499050A/ja active Pending
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