JPH0497529A - 半導体集積回路 - Google Patents
半導体集積回路Info
- Publication number
- JPH0497529A JPH0497529A JP21599890A JP21599890A JPH0497529A JP H0497529 A JPH0497529 A JP H0497529A JP 21599890 A JP21599890 A JP 21599890A JP 21599890 A JP21599890 A JP 21599890A JP H0497529 A JPH0497529 A JP H0497529A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- wirings
- wiring
- film
- psg
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 15
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 8
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 claims abstract description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 abstract description 4
- 230000005012 migration Effects 0.000 abstract description 3
- 238000013508 migration Methods 0.000 abstract description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 abstract description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 abstract description 2
- BHEPBYXIRTUNPN-UHFFFAOYSA-N hydridophosphorus(.) (triplet) Chemical compound [PH] BHEPBYXIRTUNPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 abstract 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体集積回路に間し、特にアルミニウム層等
の金属配線を持つ半導体集積回路に間する。
の金属配線を持つ半導体集積回路に間する。
従来の半導体集積回路におけるウェハー製造後の断面図
を、第２図（Ａ）、第２図（Ｂ）に示す、第２図（Ａ）
、（Ｂ）において、半導体集積回路基板（シリコン基板
）２０上の平行配Ｉ！領域では、交差する金属配線同士
の本数が多い上に、回路素子領域にくらべ金属配線間隔
がせまいため−ＰＳＧ生成膜２５において凹凸をもつ複
雑なｎ４遺になる０例えば第１層目の平行配線２１゜２
２．２３に交差する第２層目の配線２６の厚さが、ＰＳ
Ｇ生成！２５の凹凸により均一でなくなる。
を、第２図（Ａ）、第２図（Ｂ）に示す、第２図（Ａ）
、（Ｂ）において、半導体集積回路基板（シリコン基板
）２０上の平行配Ｉ！領域では、交差する金属配線同士
の本数が多い上に、回路素子領域にくらべ金属配線間隔
がせまいため−ＰＳＧ生成膜２５において凹凸をもつ複
雑なｎ４遺になる０例えば第１層目の平行配線２１゜２
２．２３に交差する第２層目の配線２６の厚さが、ＰＳ
Ｇ生成！２５の凹凸により均一でなくなる。
前述した従来の半導体集積回路では、第１層目の平行配
線上を交差する第２層目の配線の厚さが、ＰＳＧＳ二股
の凹凸部で薄くなり、ストレス・マイグレーションによ
る第２層目の配線が断線したり、ＴＣ（温度特性）によ
るアルミニウムズレをおこしやすいという欠点があった
。
線上を交差する第２層目の配線の厚さが、ＰＳＧＳ二股
の凹凸部で薄くなり、ストレス・マイグレーションによ
る第２層目の配線が断線したり、ＴＣ（温度特性）によ
るアルミニウムズレをおこしやすいという欠点があった
。
本発明の目的は、前記欠点を解決し、凹凸を小さくして
、断線事故等を低減した半導体Ｓ、積回路を提供するこ
とにある。
、断線事故等を低減した半導体Ｓ、積回路を提供するこ
とにある。
本発明の半導体集積回路の椙成は、半導体基板上に、多
数の第１層目の配線を配列し、前記第１層目の配線間に
第１の絶縁層を介してポリシリコン配線を形成し、第２
層目の配線を第２の絶縁層を介して形成してなることを
特徴とする。
数の第１層目の配線を配列し、前記第１層目の配線間に
第１の絶縁層を介してポリシリコン配線を形成し、第２
層目の配線を第２の絶縁層を介して形成してなることを
特徴とする。
次に本発明について図面を参照して説明する。
第１図（Ａ）は本発明の一実施例の平面図、第１図（Ｂ
）は第１図（Ａ）の断面図である。
）は第１図（Ａ）の断面図である。
第１図（Ａ）、（Ｂ）において、本実施例は、シリコン
（Ｓｉ＞基板１上に、ポリシリコン（Ｐｏ１ｙ−５ｉ）
配線２．３．４．５を第１層目の平行配線間に配置し、
表面に酸化ａ６を形成後、配線２．３．４．５間に、第
１層目の配線７゜８．９を配置し、その表面にｐｓｃｆ
！１ｏを生成させると−ＰＳＧ表面が平坦化されるため
、第２層目の配線１１の厚さが均一化される。
（Ｓｉ＞基板１上に、ポリシリコン（Ｐｏ１ｙ−５ｉ）
配線２．３．４．５を第１層目の平行配線間に配置し、
表面に酸化ａ６を形成後、配線２．３．４．５間に、第
１層目の配線７゜８．９を配置し、その表面にｐｓｃｆ
！１ｏを生成させると−ＰＳＧ表面が平坦化されるため
、第２層目の配線１１の厚さが均一化される。
以上説明したように、本発明は、第１層目の配線間にＰ
ｏ ｌ ｙ −Ｓ ｉ配線を配置することでＰＳＧ膜
が平坦化し、ＰＳＧ股上の第２層配線の厚さを均一にす
ることで、ストレス・マイグレーションによる断線不良
やＴＣによるアルミニウムズレ等をふせぐ効果がある。
ｏ ｌ ｙ −Ｓ ｉ配線を配置することでＰＳＧ膜
が平坦化し、ＰＳＧ股上の第２層配線の厚さを均一にす
ることで、ストレス・マイグレーションによる断線不良
やＴＣによるアルミニウムズレ等をふせぐ効果がある。
第１図（Ａ）は本発明の一実施例の半導体集積回路の平
面図、第１図（Ｂ）は第１図（Ａ）の断面図、第２図（
Ａ）は従来の半導体集積回路を示す平面図、第２図（Ｂ
）は第２図（Ａ＞の断面図である。 １．２０・・・シリコン（Ｓｉ）基板、２．３゜４．５
・・・ポリシリコン（Ｐｏｌｙ−５ｉ）配線、６．２４
・・・酸化膜、７．８．９．２１．２２２３・・・第１
層目の配線、１０−・・ＰＳＧ （リンガラス）ＷＪ、
、１１．２６・・・第２層目の配線。 代理人 弁理士 内 Ｗ、 晋 ７Ｖ轍
面図、第１図（Ｂ）は第１図（Ａ）の断面図、第２図（
Ａ）は従来の半導体集積回路を示す平面図、第２図（Ｂ
）は第２図（Ａ＞の断面図である。 １．２０・・・シリコン（Ｓｉ）基板、２．３゜４．５
・・・ポリシリコン（Ｐｏｌｙ−５ｉ）配線、６．２４
・・・酸化膜、７．８．９．２１．２２２３・・・第１
層目の配線、１０−・・ＰＳＧ （リンガラス）ＷＪ、
、１１．２６・・・第２層目の配線。 代理人 弁理士 内 Ｗ、 晋 ７Ｖ轍
Claims (1)
- 半導体基板上に、多数の第１層目の配線を配列し、前
記第１層目の配線間に第１の絶縁層を介してポリシリコ
ン配線を形成し、第２層目の配線を第２の絶縁層を介し
て形成してなることを特徴とする半導体集積回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21599890A JPH0497529A (ja) | 1990-08-16 | 1990-08-16 | 半導体集積回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21599890A JPH0497529A (ja) | 1990-08-16 | 1990-08-16 | 半導体集積回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0497529A true JPH0497529A (ja) | 1992-03-30 |
Family
ID=16681707
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21599890A Pending JPH0497529A (ja) | 1990-08-16 | 1990-08-16 | 半導体集積回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0497529A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6052086A (en) * | 1996-09-18 | 2000-04-18 | Honda Giken Kogyo Kabushiki Kaisha | Array antenna, antenna device with the array antenna and antenna system employing the antenna device |
-
1990
- 1990-08-16 JP JP21599890A patent/JPH0497529A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6052086A (en) * | 1996-09-18 | 2000-04-18 | Honda Giken Kogyo Kabushiki Kaisha | Array antenna, antenna device with the array antenna and antenna system employing the antenna device |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH1064901A (ja) | 半導体チップパッケージ素子 | |
| JPS6248892B2 (ja) | ||
| JPH0497529A (ja) | 半導体集積回路 | |
| KR100200687B1 (ko) | 새로운 패드층을 구비하는 반도체장치 | |
| JPS6325951A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS60178641A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS621246A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JPH06196478A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS63209145A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0786281A (ja) | 半導体装置および半導体装置の製造方法 | |
| JP2538245Y2 (ja) | 半導体装置 | |
| JPH04186828A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS63275142A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS63283042A (ja) | 半導体素子 | |
| JPS63107045A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH02192145A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS62271453A (ja) | 半導体素子の製造方法 | |
| JPS63226041A (ja) | 半導体集積回路装置の製造方法 | |
| JPS5831557A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS6235537A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JPS61288458A (ja) | 半導体集積回路装置の製造方法 | |
| JPS62199037A (ja) | 半導体装置の配線構造 | |
| JPS62108542A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH01222461A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH03136351A (ja) | 半導体集積回路 |