JPH0484484A - 波長可変半導体レーザ - Google Patents
波長可変半導体レーザInfo
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- JPH0484484A JPH0484484A JP19963890A JP19963890A JPH0484484A JP H0484484 A JPH0484484 A JP H0484484A JP 19963890 A JP19963890 A JP 19963890A JP 19963890 A JP19963890 A JP 19963890A JP H0484484 A JPH0484484 A JP H0484484A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/062—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium by varying the potential of the electrodes
- H01S5/06203—Transistor-type lasers
- H01S5/06206—Controlling the frequency of the radiation, e.g. tunable twin-guide lasers [TTG]
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、光通信などの光源として用いられる波長可変
半導体レーザに関する。
半導体レーザに関する。
光フアイバ通信技術としては、直接変調、直接検波方式
がすでに実用化されているが、さらに高感度が期待でき
るコヒーレント光通信が将来の実用化を目脂してさかん
に研究されている。コヒーレント光通信は光の周波数や
位相を情報として伝送する技術であり、検波の際に局部
発振光源として、厳密に周波数制御された単一波長動作
半導体レーザが必要になる。また、多数の光信号を一定
の周波数間隔で同時に伝送するコヒーレント周波数多重
伝送方式を実現するためには、やはり周波数制御された
単一波長動作半導体レーザが必要となる。
がすでに実用化されているが、さらに高感度が期待でき
るコヒーレント光通信が将来の実用化を目脂してさかん
に研究されている。コヒーレント光通信は光の周波数や
位相を情報として伝送する技術であり、検波の際に局部
発振光源として、厳密に周波数制御された単一波長動作
半導体レーザが必要になる。また、多数の光信号を一定
の周波数間隔で同時に伝送するコヒーレント周波数多重
伝送方式を実現するためには、やはり周波数制御された
単一波長動作半導体レーザが必要となる。
このようにコヒーレント光通信技術の実現に不可欠な周
波数（波長）制御単一モード動作半導体レーザの構造と
して、３電極を有する波長可変分布帰還型半導体レーザ
（ＤＢＲ−ＬＤ）がある（Ｓ、Ｍｕｒａｔａ ｅｔ ａ
ｌ、、Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ、２３
，１９８７゜ｐ、４０Ｂ、）。この波長可変ＤＢＲ−Ｌ
Ｄは、共振器方向に分割された活性領域、位相制御領域
、ＤＢＲ領域を有し、回折格子はＤＢＲ領域のみに形成
されている。ＤＢＲ領域に電流を流すことによってブラ
ッグ波長を変化させ、さらに位相制御領域に独立に電流
を流すことによってモードとびのない波長チューニング
を実現しており、７２０ＧＨｚ （５，８ｎｍ）を連続
チューニングが報告されている。
波数（波長）制御単一モード動作半導体レーザの構造と
して、３電極を有する波長可変分布帰還型半導体レーザ
（ＤＢＲ−ＬＤ）がある（Ｓ、Ｍｕｒａｔａ ｅｔ ａ
ｌ、、Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ、２３
，１９８７゜ｐ、４０Ｂ、）。この波長可変ＤＢＲ−Ｌ
Ｄは、共振器方向に分割された活性領域、位相制御領域
、ＤＢＲ領域を有し、回折格子はＤＢＲ領域のみに形成
されている。ＤＢＲ領域に電流を流すことによってブラ
ッグ波長を変化させ、さらに位相制御領域に独立に電流
を流すことによってモードとびのない波長チューニング
を実現しており、７２０ＧＨｚ （５，８ｎｍ）を連続
チューニングが報告されている。
第２区は活性領域とチューニング領域が重なって存在し
ているツイン・ガイド構造半導体レーザの共振器に垂直
な方向の断面構造である（Ｍ、Ｃ，Ａｍａｎｎｅｔａｌ
、、ＥＣ０Ｃ’８９．ｎＩ、ｐ、４６．） ＩｎＧａ
ＡｓＰ活性層２を流れる電流はｎ電極１０から順にｐ基
板１、ｐ−ＩｎＧａＡｓＰ光ガイド層１３、ＩｎＧａＡ
ｓＰ活性層２、ｎ−ＩｎＰ層３、ｎ電極１１という経路
をたどって流れる。一方、チューニング電流はｐ電極８
からｐ−ＩｎＰ１４、ｐＩｎＰ層５、Ｉ ｎＧａＡｓ
Ｐチューニング層１２、ｎ−ＩｎＰ層３、ｎ電極１１と
いう経路のたどって流れる。チューニング電流を変化さ
せることによって波長チューニングを行っており、７．
１ｎｍの連続チューニングも報告されている（Ｓ、ｌｌ
１ｅｋ ｅｔ ａｌ、、Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｌｅ
ｔｔｅｒｓ、２６，１９９０゜ｐ、４６．）。
ているツイン・ガイド構造半導体レーザの共振器に垂直
な方向の断面構造である（Ｍ、Ｃ，Ａｍａｎｎｅｔａｌ
、、ＥＣ０Ｃ’８９．ｎＩ、ｐ、４６．） ＩｎＧａ
ＡｓＰ活性層２を流れる電流はｎ電極１０から順にｐ基
板１、ｐ−ＩｎＧａＡｓＰ光ガイド層１３、ＩｎＧａＡ
ｓＰ活性層２、ｎ−ＩｎＰ層３、ｎ電極１１という経路
をたどって流れる。一方、チューニング電流はｐ電極８
からｐ−ＩｎＰ１４、ｐＩｎＰ層５、Ｉ ｎＧａＡｓ
Ｐチューニング層１２、ｎ−ＩｎＰ層３、ｎ電極１１と
いう経路のたどって流れる。チューニング電流を変化さ
せることによって波長チューニングを行っており、７．
１ｎｍの連続チューニングも報告されている（Ｓ、ｌｌ
１ｅｋ ｅｔ ａｌ、、Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｌｅ
ｔｔｅｒｓ、２６，１９９０゜ｐ、４６．）。
第２図に示したツイン・カイト構造は３電極ＤＢＲ構造
に比べて、構造が簡単て、チューニング幅も広くできる
可能性がある。しかし、報告例ではチューニング層に格
子整合したＩｎＧａＡｓＰを用いており、必ずしも最大
の波長チューニング量の得られる構造ではない。また電
流狭窄のｐｎホモ接合を用いたものであるなめ、電流量
じこめか弱く、充分な光出力が得られないなどの欠点か
を有している。
に比べて、構造が簡単て、チューニング幅も広くできる
可能性がある。しかし、報告例ではチューニング層に格
子整合したＩｎＧａＡｓＰを用いており、必ずしも最大
の波長チューニング量の得られる構造ではない。また電
流狭窄のｐｎホモ接合を用いたものであるなめ、電流量
じこめか弱く、充分な光出力が得られないなどの欠点か
を有している。
本発明は、その１つは、第１導電型基板の上に積層され
た、少なくとも回折格子、活性層、第２導電型半導体層
、チューニング層、および第１導電型半導体層からなる
多層構造がメサ状に形成され、少なくとも前記第２導電
型半導体層に接触して第２導電型半導体コンタクト層が
形成され、前記第２導電型半導体層上のチューニング層
が歪超格子構造となっていることを特徴とする波長可変
半導体レーザである。
た、少なくとも回折格子、活性層、第２導電型半導体層
、チューニング層、および第１導電型半導体層からなる
多層構造がメサ状に形成され、少なくとも前記第２導電
型半導体層に接触して第２導電型半導体コンタクト層が
形成され、前記第２導電型半導体層上のチューニング層
が歪超格子構造となっていることを特徴とする波長可変
半導体レーザである。
もう１つは、第１導電型基板上に形成された、少なくと
も回折格子、活性層、第２導電型半導体層、歪超格子の
チューニング層、および第１導電型半導体層からなる多
層構造がメサ状に形成され、その周辺に少なくともサイ
リスタ構造の電流ブロック層を含む埋め込み領域のうち
、前記第２導電型半導体層に接触した部分に第２導電型
半導体コンタクト層が形成されており、さらに前記第１
導電型基板表面および第１導電型半導体層に接してそれ
ぞれ第一導電型電極が、第２導電型半導体コンタクト層
に接して第２導電型電極が形成されており、前記第２導
電型半導体コンタクト層上の電流ブロック層がチューニ
ング層での遷移エネルギーの組成よりも大きな遷移エネ
ルギーの組成であることを特徴とする波長可変半導体レ
ーザである。
も回折格子、活性層、第２導電型半導体層、歪超格子の
チューニング層、および第１導電型半導体層からなる多
層構造がメサ状に形成され、その周辺に少なくともサイ
リスタ構造の電流ブロック層を含む埋め込み領域のうち
、前記第２導電型半導体層に接触した部分に第２導電型
半導体コンタクト層が形成されており、さらに前記第１
導電型基板表面および第１導電型半導体層に接してそれ
ぞれ第一導電型電極が、第２導電型半導体コンタクト層
に接して第２導電型電極が形成されており、前記第２導
電型半導体コンタクト層上の電流ブロック層がチューニ
ング層での遷移エネルギーの組成よりも大きな遷移エネ
ルギーの組成であることを特徴とする波長可変半導体レ
ーザである。
第１図に本発明の波長可変半導体レーザの断面図を示す
。第２図と異なるのは、ＩｎＧａＡｓＰチューニング層
１２を歪超格子チューニング層４としたことと、ｎ−Ｉ
ＪＪＰ層３とｐ−Ｉ ｒＩＰ層５からなるサイリスタ構
造の電流ブロック層を用いたことである。チューニング
層を歪超格子層としたことで、ホールの有効質量が軽く
なることが期待出来、さらにこの効果によるプラズマ効
果の増大が期待される。これを以下で説明する。
。第２図と異なるのは、ＩｎＧａＡｓＰチューニング層
１２を歪超格子チューニング層４としたことと、ｎ−Ｉ
ＪＪＰ層３とｐ−Ｉ ｒＩＰ層５からなるサイリスタ構
造の電流ブロック層を用いたことである。チューニング
層を歪超格子層としたことで、ホールの有効質量が軽く
なることが期待出来、さらにこの効果によるプラズマ効
果の増大が期待される。これを以下で説明する。
古典論によると半導体中のキャリアのプラズマ効果によ
る屈折率変化は次式で表される。
る屈折率変化は次式で表される。
ｄ ｎ −８２
ｄ Ｎ ２ ｍ ｃω２ｎε０
ここで、ｍ ｅ、 ｍ ｖは電子、ホールの有効質量を
それぞれ表し、ｅは電荷素置を表す。格子整合したＩｎ
ＧａＡｓＰ等ではｍｏはｍＶに比べて一部小さく、プラ
ズマ効果のキャリア密度依存性はほぼ電子の有効質量で
決まる。しかし、歪超格子では価電子帯のバンドミキシ
ンクが生じることから、ホールの有効質量が通常の格子
整合しているものに比べて１１５程度となる。この効果
により、ホールの有効質量もプラズマ効果に大きく寄与
し、屈折率のキャリア密度依存性の増大が期待され、わ
ずかな注入電流の変化でも大きな屈折率変化が得られる
。チューニング層の屈折率が変化すると、レーザを構成
している導波路の等偏屈折率が変化し、ＤＦＢ−ＬＤの
発振波長を変化することが可能となる。本発明で示した
構造を用いれば少ない電流変化で大きな等偏屈折率の変
化が期待されるので、可変波長範囲が従来例のものと比
べて１．５倍以上となる。
それぞれ表し、ｅは電荷素置を表す。格子整合したＩｎ
ＧａＡｓＰ等ではｍｏはｍＶに比べて一部小さく、プラ
ズマ効果のキャリア密度依存性はほぼ電子の有効質量で
決まる。しかし、歪超格子では価電子帯のバンドミキシ
ンクが生じることから、ホールの有効質量が通常の格子
整合しているものに比べて１１５程度となる。この効果
により、ホールの有効質量もプラズマ効果に大きく寄与
し、屈折率のキャリア密度依存性の増大が期待され、わ
ずかな注入電流の変化でも大きな屈折率変化が得られる
。チューニング層の屈折率が変化すると、レーザを構成
している導波路の等偏屈折率が変化し、ＤＦＢ−ＬＤの
発振波長を変化することが可能となる。本発明で示した
構造を用いれば少ない電流変化で大きな等偏屈折率の変
化が期待されるので、可変波長範囲が従来例のものと比
べて１．５倍以上となる。
さらに本発明では電流ブロック層にサイリスタ構造を採
用したことにより、漏れ電流が少なくなり注入効率の改
善が期待され高光出力が期待される。
用したことにより、漏れ電流が少なくなり注入効率の改
善が期待され高光出力が期待される。
結晶成長はすべてＭＯＶＰＥ ＜有機金属気相成長法）
を用いた。ます、（１００）ｐ型ＩｎＰ基板１（キャリ
ア濃度ｐ＝ Ｉ Ｘ １０１８ｃｍ−’）表面に周期２
４００人の回折格子を形成した。ｐ−ＩｎＧａＡｓＰ光
ガイド層１３（波長１．３μｍ組成、層厚０．１μｍ）
、ｐ−ＩｎＧａＡｓＰ活性層２く波長１．５５μｍ組成
、層厚０．１μｍ、キャリア濃度ｐ＝ＩＸ１０１８ｃｍ
−３） 、ｎ−ＩｎＰ半導体層３（層厚０．３μｍ、キ
ャリア濃度ｎ＝Ｉ Ｘ １０１８ｃｍ−３） 、２０人
のＩ ｎ ｏ、ｇ Ｇ ａ Ｏ，２Ａｓウ工ル層、１０
０人のＩ ｎＧａＡｓＰ （波長１．３μｍ組成）１０
周期からなるＩ ｎＧａＡｓＰ歪超格子チューニング層
４、ｐ−ＩｎＰクラッド層（層厚１μｍ、キャリア濃度
５ Ｘ １０ ”ｃｍ−’）ｐ−ＩｎＧａＡｓキー’ｔ
”７プ層６（層厚０．２ｐｍ、キャリア濃度Ｉ Ｘ １
０１９ｃｍ−’）を成長した。
を用いた。ます、（１００）ｐ型ＩｎＰ基板１（キャリ
ア濃度ｐ＝ Ｉ Ｘ １０１８ｃｍ−’）表面に周期２
４００人の回折格子を形成した。ｐ−ＩｎＧａＡｓＰ光
ガイド層１３（波長１．３μｍ組成、層厚０．１μｍ）
、ｐ−ＩｎＧａＡｓＰ活性層２く波長１．５５μｍ組成
、層厚０．１μｍ、キャリア濃度ｐ＝ＩＸ１０１８ｃｍ
−３） 、ｎ−ＩｎＰ半導体層３（層厚０．３μｍ、キ
ャリア濃度ｎ＝Ｉ Ｘ １０１８ｃｍ−３） 、２０人
のＩ ｎ ｏ、ｇ Ｇ ａ Ｏ，２Ａｓウ工ル層、１０
０人のＩ ｎＧａＡｓＰ （波長１．３μｍ組成）１０
周期からなるＩ ｎＧａＡｓＰ歪超格子チューニング層
４、ｐ−ＩｎＰクラッド層（層厚１μｍ、キャリア濃度
５ Ｘ １０ ”ｃｍ−’）ｐ−ＩｎＧａＡｓキー’ｔ
”７プ層６（層厚０．２ｐｍ、キャリア濃度Ｉ Ｘ １
０１９ｃｍ−’）を成長した。
次に、＜０１１＞方向に形成したＳｉＯ□膜をマスクと
して用いて、ｐ基板１に達するまでメサエチングした。
して用いて、ｐ基板１に達するまでメサエチングした。
メサ形状は幅２μｍ、高さ３゜５μｍになるようにした
。また、メサ側面は表面に垂直な（０１１）面が形成さ
れるよう、塩酸系および硫酸系のエツチング溶液を併用
した。 続いて、メサストライプの両側にｎ−ＩｎＰｎ
Ｐ層３厚２０７μｍ、キャリア濃度ｎ＝ＩＸｎ＝ｌＸ１
０１８Ｃ、ｐ−１０２層５（層厚０．１．ｃｚｍ、キャ
リア濃度ｐ＝ Ｉ Ｘ １０”ｃｍ−３＞ 、ｎ −Ｉ
ｎＰ層（コンタクト層）３（層厚０．１μｍ、キャリ
ア濃度ｎ＝ｌＸ１０１８ｃｍ−３） −ｐ −Ｉ ｎＧ
ａＡｓ２層９（波長１．２ｕｍ組成、層厚０．１μｍ、
キャリア濃度Ｐ＝ＩＸ１０１８ｃｍ−３） −ｎ−Ｉ
ｎＰ層３（層厚１．１３μｍ、キャリア濃度ｎ＝１×１
０１８ｃｍ−’）を選択埋め込み成長する。さらに、Ｓ
ｉＯ２膜をフッ酸で除去した後、ｐ−ＩｎＧａＡｓキャ
ップ層６（層厚０．２μｍ、キャリア密度ｐ＝ＩＸ１０
１９叩−３）の成長を行なう。ｐＩ ｎＧａＡｓキャッ
プ層６の表面にｐ電極８を形成し、ｐ型ＩｎＰ基板１を
研磨した後、基板にｐ電［ｉｌｏを形成する。さらに、
メサストライプ以外の一部を第１図にあるようにｎ−Ｉ
ｎＰ層くコンタクト層）３表面まで選択エツチングしｎ
電極１１を形成する。
。また、メサ側面は表面に垂直な（０１１）面が形成さ
れるよう、塩酸系および硫酸系のエツチング溶液を併用
した。 続いて、メサストライプの両側にｎ−ＩｎＰｎ
Ｐ層３厚２０７μｍ、キャリア濃度ｎ＝ＩＸｎ＝ｌＸ１
０１８Ｃ、ｐ−１０２層５（層厚０．１．ｃｚｍ、キャ
リア濃度ｐ＝ Ｉ Ｘ １０”ｃｍ−３＞ 、ｎ −Ｉ
ｎＰ層（コンタクト層）３（層厚０．１μｍ、キャリ
ア濃度ｎ＝ｌＸ１０１８ｃｍ−３） −ｐ −Ｉ ｎＧ
ａＡｓ２層９（波長１．２ｕｍ組成、層厚０．１μｍ、
キャリア濃度Ｐ＝ＩＸ１０１８ｃｍ−３） −ｎ−Ｉ
ｎＰ層３（層厚１．１３μｍ、キャリア濃度ｎ＝１×１
０１８ｃｍ−’）を選択埋め込み成長する。さらに、Ｓ
ｉＯ２膜をフッ酸で除去した後、ｐ−ＩｎＧａＡｓキャ
ップ層６（層厚０．２μｍ、キャリア密度ｐ＝ＩＸ１０
１９叩−３）の成長を行なう。ｐＩ ｎＧａＡｓキャッ
プ層６の表面にｐ電極８を形成し、ｐ型ＩｎＰ基板１を
研磨した後、基板にｐ電［ｉｌｏを形成する。さらに、
メサストライプ以外の一部を第１図にあるようにｎ−Ｉ
ｎＰ層くコンタクト層）３表面まで選択エツチングしｎ
電極１１を形成する。
素子は共振器長４００μｍに切り出し、ヒートシンク基
板を融着してマウントし、ｐ電極８およびｎ電極１１に
それぞれボンディングする。
板を融着してマウントし、ｐ電極８およびｎ電極１１に
それぞれボンディングする。
しきい値電流は、報告されている従来例に比べて低く、
２５ｍＡ程度のものが再現性良く得られた。これは、本
発明の構造によってＩ ｎＧａＡｓＰ活性層２を通らな
い漏れ電流が減少したことによる。最大光出力は４０ｍ
Ｗ程度である。また、活性層に流れる電流を１００ｍＡ
一定として、チューニング電流を６０ｍＡまで変化すれ
ば、チューニング幅として１５ｎｍ程度の値が得られる
。
２５ｍＡ程度のものが再現性良く得られた。これは、本
発明の構造によってＩ ｎＧａＡｓＰ活性層２を通らな
い漏れ電流が減少したことによる。最大光出力は４０ｍ
Ｗ程度である。また、活性層に流れる電流を１００ｍＡ
一定として、チューニング電流を６０ｍＡまで変化すれ
ば、チューニング幅として１５ｎｍ程度の値が得られる
。
この特性は従来例に比べて優れており、本発明のチュー
ニング層に歪量子井戸構造を導入したことで波長チュー
ニング幅の拡大が実現できることを示すものである。
ニング層に歪量子井戸構造を導入したことで波長チュー
ニング幅の拡大が実現できることを示すものである。
実施例では電流狭窄構造として、メサストライプの両側
にサイリスタ構造の電流ブロック層を形成した例を示し
たが、他の電流狭窄構造、例えばサイリスタ構造に替え
て高抵抗層を電流ブロック層に用いる構造でもよい。
にサイリスタ構造の電流ブロック層を形成した例を示し
たが、他の電流狭窄構造、例えばサイリスタ構造に替え
て高抵抗層を電流ブロック層に用いる構造でもよい。
以上述べたように、本発明の波長可変半導体レーザ構造
を用いることによって、従来例に比べ広い波長可変特性
を得ることができ、コヒーレント光通信用光源として有
望であることを示した。活性層を量子井戸構造にすれば
狭スペクトル線幅を実現できるので、さらに高性能を備
えた素子を作製することができる。
を用いることによって、従来例に比べ広い波長可変特性
を得ることができ、コヒーレント光通信用光源として有
望であることを示した。活性層を量子井戸構造にすれば
狭スペクトル線幅を実現できるので、さらに高性能を備
えた素子を作製することができる。
第１図は本発明の波長可変半導体レーザの断面図であり
、第２図は従来例を表す断面図である。 図中、１はｐ−ＩｎＰ基板、２はｐ−ＩｎＧａＡｓＰガ
イド層、３はｎ−ＩｎＰ、４は歪超格子チューニング層
、５はｐ−ＩｎＰ層、６はｐ−ＩｎＧａＡｓキャップ層
、８はｎ電極、９はｐＩ ｎＧａＡｓＰ層、１０はｎ電
極、１１はｎ電極、１２はＩ ｎＧａＡｓＰチューニン
グ層、１３はＩｎＧａＡｓＰ光ガイド層、１４はｐ−Ｉ
ｎＰ層を表す。
、第２図は従来例を表す断面図である。 図中、１はｐ−ＩｎＰ基板、２はｐ−ＩｎＧａＡｓＰガ
イド層、３はｎ−ＩｎＰ、４は歪超格子チューニング層
、５はｐ−ＩｎＰ層、６はｐ−ＩｎＧａＡｓキャップ層
、８はｎ電極、９はｐＩ ｎＧａＡｓＰ層、１０はｎ電
極、１１はｎ電極、１２はＩ ｎＧａＡｓＰチューニン
グ層、１３はＩｎＧａＡｓＰ光ガイド層、１４はｐ−Ｉ
ｎＰ層を表す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、第１導電型基板の上に積層された、少なくとも回折
格子、活性層、第２導電型半導体層、チューニング層、
および第１導電型半導体層からなる多層構造がメサ状に
形成され、少なくとも前記第２導電型半導体層に接触し
て第２導電型半導体コンタクト層が形成され、前記第２
導電型半導体層上のチューニング層が歪超格子構造とな
っていることを特徴とする波長可変半導体レーザ。 ２、第１導電型基板上に形成された、少なくとも回折格
子、活性層、第２導電型半導体層、歪超格子のチューニ
ング層、および第１導電型半導体層からなる多層構造が
メサ状に形成され、その周辺に少なくともサイリスタ構
造の電流ブロック層を含む埋め込み領域のうち、前記第
２導電型半導体層に接触した部分に第２導電型半導体コ
ンタクト層が形成されており、さらに前記第１導電型基
板表面および第１導電型半導体層に接してそれぞれ第一
導電型電極が、第２導電型半導体コンタクト層に接して
第２導電型電極が形成されており、前記第２導電型半導
体コンタクト層上の電流ブロック層がチューニング層で
の遷移エネルギーの組成よりも大きな遷移エネルギーの
組成であることを特徴とする波長可変半導体レーザ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19963890A JP2630035B2 (ja) | 1990-07-27 | 1990-07-27 | 波長可変半導体レーザ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19963890A JP2630035B2 (ja) | 1990-07-27 | 1990-07-27 | 波長可変半導体レーザ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0484484A true JPH0484484A (ja) | 1992-03-17 |
| JP2630035B2 JP2630035B2 (ja) | 1997-07-16 |
Family
ID=16411180
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19963890A Expired - Lifetime JP2630035B2 (ja) | 1990-07-27 | 1990-07-27 | 波長可変半導体レーザ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2630035B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07135368A (ja) * | 1993-11-11 | 1995-05-23 | Nec Corp | 波長可変半導体レーザの製造方法 |
| EP0663710A2 (en) * | 1994-01-18 | 1995-07-19 | Canon Kabushiki Kaisha | Optical semiconductor device and method for producing the same |
| US5692002A (en) * | 1994-09-20 | 1997-11-25 | Nec Corporation | Buried heterostructure semiconductor laser fabricated on a p-type substrate |
-
1990
- 1990-07-27 JP JP19963890A patent/JP2630035B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07135368A (ja) * | 1993-11-11 | 1995-05-23 | Nec Corp | 波長可変半導体レーザの製造方法 |
| EP0663710A2 (en) * | 1994-01-18 | 1995-07-19 | Canon Kabushiki Kaisha | Optical semiconductor device and method for producing the same |
| EP0663710A3 (en) * | 1994-01-18 | 1996-01-10 | Canon Kk | Semiconductor optical device and manufacturing method. |
| US5728605A (en) * | 1994-01-18 | 1998-03-17 | Canon Kabushiki Kaisha | Method for producing an optical semiconductor device having a carrier injection path or an electric-field applying path |
| US5692002A (en) * | 1994-09-20 | 1997-11-25 | Nec Corporation | Buried heterostructure semiconductor laser fabricated on a p-type substrate |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2630035B2 (ja) | 1997-07-16 |
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