JPH0484115A - 光束整形レンズおよび短波長レーザ光源 - Google Patents

光束整形レンズおよび短波長レーザ光源

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JPH0484115A
JPH0484115A JP2199437A JP19943790A JPH0484115A JP H0484115 A JPH0484115 A JP H0484115A JP 2199437 A JP2199437 A JP 2199437A JP 19943790 A JP19943790 A JP 19943790A JP H0484115 A JPH0484115 A JP H0484115A
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    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/35Non-linear optics
    • G02F1/37Non-linear optics for second-harmonic generation
    • G02F1/372Means for homogenizing the output beam

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  • Optical Integrated Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は コヒーレント光を利用する光情報処理分野、
あるいは光応用計測制御分野に使用する光波長変換素子
用光束整形レンズおよび光束整形レンズを用いた短波長
レーザ光源に関するものであム 従来の技術 第9図に従来の短波長レーザ光源の構成図を示す。第9
図で21は半導体レーサミ 24はコリメータレンX2
5はフォーカスレンズ、 27は光波長変換素子である
。マウント20に取り付けられた半導体レーザ21は基
本波Plを出射する。
発生した基本波P1はコリメータレンズ24で平行光に
され 半波長板26で偏光方向か90度回転された後、
フォーカスレンズ25により集光され光波長変換素子2
7に形成された光導波路2の端部より光導波路2に入る
。光導波路2中で高調波P2に変換され外部に放射され
る。外部に放射された高調波P2は光束整形レンズ30
により平行光にされ4 以下0.84μmの波長の基本
波に対する従来の光束整形レンズによる高調波(波長0
゜42μm)の整形について第10図を用いて詳しく述
べる。第10図は光波長変換素子21および従来の光束
整形レンズ30の断面図である。 (伊藤他 特開平1
−280720号参照)光束整形レンズ30はa軸の回
りに対称となる円錐形状をしており、円錐の頂点31は
光波長変換素子21の高調波であるチェレンコフ光の出
射面3と反対側にある。LiNbO3基板1に形成され
た埋め込み型の光導波路2の入射面5に半導体レーザか
らの基本波P1の光を入射すると、基本波の導波モード
の実効屈折率と高調波の実効屈折率が等しくなるような
条件が満足されるとき、光導波路2からLiNbO3基
板1内にチェレンコフ光である高調波P2の光が効率良
く放射され 光波長変換素子として動作すも 高調波P
2は基板外へ放射されるときスネルの法則により屈折さ
れa軸に対してさらに大きな角度で放射される。このチ
ェレンコフ光を光束整形レンズ30により平行にする。
光束整形レンズ30は一断面に関してはプリズム的な働
きをする。そのためチェレンコフ光は第10図の図形を
回転対称軸であるa軸の回りで回転したときもすべてに
対して平行になも 具体的に数値を用いて説明すると8
40 nmの波長のレーザ光を光波長変換素子に入射し
た場合LiNbO3からの出射角φは52度になり硝材
LaK14(屈折率1.716、波長420 nmにて
)を用いると頂角αとして33度が得られる。この条件
で作製された光束整形レンズ30を光波長変換素子21
の前に配置し光導波路2の延長線上に光束整形レンズ3
0の頂点31を置くと高調波P2はa軸に対して平行と
なりa軸を中心に高調波であるチェレンコフ光が平行光
となる。
発明が解決しようとする課題 上記のような従来の光束整形レンズでは実際には 完全
な平行光にすることはむずかしく、高調波を回折限界ま
で集光することが困難であったすなわち光束整形レンズ
の頂角αは高調波の出射角φで一義的に決まり、逆に半
導体レーザの発振波長がずれたときまた(よ 発振波長
のスペクトルが広がっている場合には光束整形レンズ通
過後に平行光からずれたり、または高調波か広がりを持
つ光となる。詳細に図を用いて説明する。第11図に従
来の光束整形レンズの断面を示す。光波長変換素子21
から出射された高調波P2は波長が異なることで光波長
変換素子からの出射角に違いがでる。例えば波長λ1に
対して平行となるように設計された光束整形レンズ30
では波長λ2の高調波に対してはa軸との角度ずれが生
じる。そのためこのような平行光からずれた光を集光す
ると収差のため集光が困難となるといった問題があっち 課題を解決するための手段 本発明(よ 上記課題を解決するためにチェレンコフ光
の整形レンズに新たな工夫を加えることにより光束整形
レンズ通過後の高調波のパターンの完全な平行出射を可
能とするものである。
そのために本発明の光束整形レンズは光導波路が形成さ
れた基板より成る光波長変換素子より放射されるチェレ
ンコフ光に対して透明な材料より成り、第1の円錐形状
となる部分および第2の円錐形状よりなる部分を有しな
おかつ第1の円錐の中心軸が第2の円錐の中心軸と一致
するという手段を用いるものである。
また 本発明の短波長レーザ光源は光導波路か形成され
た基板より成る光波長変換素子と光束整形レンズと半導
体レーザを備え、前記光束整形レンズが前記光波長変換
素子より放射されるチェレンコフ光の延長線状に位置し
なおかつ光導波路の延長線上に円錐の頂点を配しなおか
つ光波長変換素子のチェレンコフ光の出射面側と前記円
錐の頂点が対抗するように配されているという手段を用
いるものである。
作用 上記手段により光波長変換素子より出射された異なった
波長に対して異なった方向に出射される高調波であるチ
ェレンコフ光を完全な平行光に変換が図れ 回折限界ま
で集光することが可能となる。
実施例 本発明の短波長レーザ光源の実施例について図を用いて
説明する。第1図に本発明の光束整形レンズを用いて構
成される短波長レーザ光源の一種である青色レーザ光源
の構成図を示す。この青色レーザ光源はプロトン交換法
により作製した光導波路2が形成されたLiNbO3基
板から成る光波長変換素子27と光束整形レンズ30と
半導体レーザ21と半導体レーザ21を駆動する電源で
ある高周波電源より基本的に構成される。LiNbO3
基板1にプロトン交換法により作製した光導波路(プロ
トン交検光導波路)は発生する高調波の均一性が良1.
%  この青色レーザ光源の動作について簡単に説明す
る。高周波駆動された半導体レーザ21から出射された
基本波P1はコリメータレンズ24で平行光にされた後
フォーカスレンズ25により光波長変換素子27に形成
された光導波路2中に入射すも ここで半波長板26は
半導体レザ21と光導波路2の偏光方向を合わせるため
のものである。入射した基本波P2は光導波路2で高周
波P2に変換されLiNbO3基板1内に放射され 端
面より光波長変換素子27の外部へ出射される。この高
周波P2はチェレンコフリング状の発散光(チェレンコ
フ光)となるた数 光束整形レンズ30により平行化さ
れ青色レーザ光源の正面へと出射される。
次に本発明の光束整形レンズの動作について詳しく図面
を用いて説明を行う。第2図に光波長変換素子27およ
び光束レンズ30の断面図を示す。
光束整形レンズ30はa軸の回りに回転対称であり第1
の円錐形状となる部分30aおよび第2の円錐形状とな
る部分30bより成っている。また第1の円錐形状の中
心軸と第2の円錐形状の中心軸はともにa軸であり一致
している。従来の光束整形レンズと異なる点は頂点31
が光波長変換素子27の高調波の出射面3側に対抗して
いることおよび波長分散の大きな材料を用いていること
である。また 従来とは異なり2つの円錐形状部分を持
つ。第2図において基本波P1より発生する高周波P2
の基板内への出射角θは以下の式となも cosθ= N / n ここでnは高周波の屈折UNは導波する基本波の実行屈
折率であり光導波路の延長線状であるa軸を軸としてほ
ぼ対称なチェレンコフリングを描く。これは一般的にチ
ェレンコフ光と呼ばれる。
また基板の屈折率は波長依存性がありそのため出射角θ
は基本波の波長に依存することとなる。
次にLiNbO5基板1からの出射角φはスネルの法則
を満たすため以下に示す式で表すことができる。
φ=s i n−’ [ns i nθ]上述のように
出射角φも同様に波長が変化することにより変わる。す
なわち波長変化による出射角θおよび屈折率nの変化に
よりφも変化する。
第3図に基本波の波長に対する出射角の変化を示す。波
長が短くなると出射角φは大きくなる。光束整形レンズ
30は波長分散か大きな材料でできており、第2図にお
いて光束整形レンズ30内部で(友 より短い波長であ
る波長λ1の光に対しての屈折率が長い波長である波長
λ2の光の屈折率よりも大きく、波長λ1の光の方が大
きく曲がる。そのため波長分散の大きな材料を用い光束
整形レンズ30の頂角α1およびα2を選べば出射角の
異なる光を平行にすることができる。ここで頂角は中心
軸であるa軸からの角度である。
以下具体的な数値を用いて説明する。この実施例では光
束整形レンズの材料として分散の大きなLiNbO5を
用いf、:Oアツベ数は18である。アツベ数νは分散
の大きな材料程小さ(以下の式で定義される。
v= (rz−1)/ (nr−no)ここでnd、n
fS ficはそれぞれ波長587nm。
486%m、  656%mでの屈折率である。またa
軸に高調波が平行になるように頂角を計算し頂角α1は
72度α2は81.5度とし總 半導体レーザの波長は
415.0%mより±0.2nmモードホップを生じた
が光束整形レンズより出射される高調波はa軸の回りに
完全な平行光であっ九 次に短波長レーザ光源の一種である青色レーザ光源の製
造方法について説明を行う。短波長レーザ光源の製造方
法としてはまず第1図でマウント20に光波長変換素子
27の光導波路2の形成されている面側を接着し池 次
にNAが0.6のフォーカスレンズ25および半波長板
26をマウント20中に挿入し固定しt4  次にNA
が0.3のコリメータレンズ24、半導体レーザ21を
挿入した後、半導体レーザ21を駆動し基本波PIが光
波長変換素子27の光導波路2の入射部に焦点を結ぶよ
うにコリメータレンズ24および半導体レーザ21を動
かし出射する高調波P2が最大になるようにした後、固
定を行っk その後、光束整形レンズ30をマウント2
0に取り付けtも  光束整形レンズ30はマウント2
0に固定するため半分に切断し?、  光波長変換素子
27に形成されている光導波路2の延長線上に光束整形
レンズ30の頂点31を配置し高調波P2か平行に出射
されるようにしk 第1図で半導体レーザ21は830
 nmの発振波長のものでCW主電源り一定電流をまた
高周波電源よりサイン状の高周波(IGHz)が印加さ
れており平均パワー40mWの基本波PIが出射されて
いる。この基本波P1がレンズ24.25および半波長
板26を用いて光波長変換素子27に入射し高調波P2
が発生しなこの光波長変換素子27では光導波路2の内
部に25mWの基本波P1が入射L  1. 2mWの
高調波が得られトータルの変換効率は3%であっ九出射
された高周波P2は光束整形レンズ30により平行化さ
れ広がり角1mmrad以下であった従来の光束整形レ
ンズを用いたものは10mmradであっ九 この実施
例のように本発明の光束整形レンズを用いることで大幅
に平行度を改善できも ま?、、、0.65〜1.6μmの波長の基本波を用い
た光波長変換素子による高調波発生に対し光束整形レン
ズが有効であること、また短波長レーザ光源からの出射
光が平行化されるこ七を確認し九 次に第2の実施剥きして本発明の光束整形レンズを実施
例1と同じ<LiNbO3により構成したものについて
説明する。第4図において30は光束整形レンズであり
凸状の第1の円錐形状となる部分の頂点31と削り取ら
れた第2の円錐形状となる部分の頂点32を持つ。頂角
はα1が60度、α2が99.9度である。この実施例
では830%mの半導体レーザを高周波駆動して用い出
力された基本波は光波長変換素子に結合され 発生した
高調波P2は波長λ1からλ2までのスペクトル広がり
を持つ。第5図は光束整形レンズを通過した後の高調波
の波長に対するa軸からの広がり角であa 実際高調波
は415%mを中心として±lnmのスペクトル広がり
を持つ。そのため従来の光束整形レンズでは±0.1度
の広がり角を持っていた力丈 本発明の光束整形レンズ
では広がりがなくなった この実施例で示されるように
本発明の光束整形レンズを用いることで完全に広がりを
抑えることができ九 次に第3の実施例として本発明の光束整形レンズを実施
例1と同じ<LiNbO3により構成したものについて
説明する。第6図において27は光導波路2が形成され
た光波長変換素子、 30は光束整形レンズであり円錐
の頂点31が光波長変換素子27の高調波の出射面3に
対抗している。この実施例の光束整形レンズ30では円
錐の頂点31は1つしかなくレンズ加工が簡単である。
頂角α1は66、2度であった これにより2rnmr
ad以下の平行光が得られた なお円錐の頂角は60度
未満では光束整形レンズが大きくなりすぎるため実用的
ではなく85度以上では補正の効果が少なくなる。
次に第4の実施例として本発明の光束整形レンズの材料
として硝材5FS9により構成したものについて説明す
4 3FS9はSF系の硝材であり波長415nmの高
調波に対して透明であり、アツベ数も24と小さい。第
7図において30は光束整形レンズであり円錐の頂点3
1、32を持つ。この実施例の光束整形レンズでは材料
か硝材であるためレンズ加工か簡単であり材料も安価と
いう特徴がある。頂角α1は68度でり、α2は73度
であっ九 これにより2mmrad以下の平行光が得ら
れた、 なお本実施例では材料として5FS9を用いたが他の5
F890等のアツベ数30以下の高分散な硝材も低価格
であり有効である。
次に第5の実施例として本発明の光束整形レンズを有機
非線系材料に応用した例について説明すも 第8図に本
実施例の構成を示す。27はガラスファイバー1a中に
有機非線形材料であるMNAを光導波路2とし7て作製
した光波長変換素子、30は材料にZnSを用いた光束
整形レンズであ4ZnSは吸収端が360 nmと短く
また分散も非常に大きし−半導体レーザから出射された
基本波P1はMNAでできた光導波路2中を伝搬し高調
波P2に変換されガラスでできたクラッド中を伝搬し外
部に放射される。これをZnSで作られた光束整形レン
ズ30によりスペクトル広がりによる出射角の広がった
光も完全に平行化され出射され九 次に第6の実施例として本発明の短波長レーザ光源を光
ディスクの読み取りに応用した光情報処理装置について
説明する。実施例2で説明したように高調波は光束整形
レンズにより広がりがなく完全に平行光にされる。この
高調波は偏光ビームスプリッタを通過後、フォーカシン
グレンズで集光され光デイスク上に0.6μmのスポッ
トを結氷 この反射信号は再び偏光ビームスプリッタを
通過後、受光器に入射する。波長0.84μm出力40
mWの半導体レーザを用い960MH2で高周波駆動す
ることにより2mWの高調波が放射され九 このように本発明の光束整形レンズを半導体レーザを高
周波ドライブした短波長レーザ光源に用いることで回折
限界まで集光可能でしかも高出力の高調波を取り出すこ
とができる。そのた嵌 従来使用していた0、  8μ
m帯の半導体レーザを用いた光ディスクの読み取り系に
比べて半分のスポットに絞ることができ光ディスクの記
録密度を4倍に向上することができも なお光デイスク以外にもレーザプリン久 製版機などの
集光が不可欠な光情報処理装置にも利用することができ
も また 実施例では基板として非線形光学定数の大きなL
iNbO3を〜用いた力(他にLiTaO3、KNbO
3などの強誘電化 有機物質、またはZnSなどの化合
物半導体などの非線形光学定数の大きな基板でチェレン
コフ放射による高周波発生が可能あれば用いることがで
きる。
発明の詳細 な説明したように本発明の光束整形レンズによれば 材
料に大きな波長分散を持たせることで半導体レーザを高
周波で駆動し光波長変換素子から放射される高調波のス
ペクトルが広がった場合または半導体レーザの波長がホ
ップした場合においても高調波を平行にすることができ
回折限界まで集光させることが可能となる。
また 短波長レーザ光源として本光束整形レンズを組み
込んだものは1mmrad以内の極めて広がりの少ない
平行レーザ光の出射が可能でありその実用的価値は極め
て大きい。
上記短波長レーザ光源を組み込んだ光情報処理装置とし
ては高出力で安定な短波長光を利用でき記録密度および
感度が大幅に向上する。
【図面の簡単な説明】
第1図は第1の実施例である本発明の短波長レーザ光源
の構成医 第2図は本発明の第1の実施例である光束整
形レンズの断面図 第3図は基本波の波長に対する高調
波出射角依存性を示すグラフ、第4図は本発明の第2の
実施例である光束整形レンズの断面図 第5図は高調波
の波長に対する広がり角を示すグラス 第6図は本発明
の第3の実施例である光束整形レンズの断面図 第7図
は本発明の第4の実施例である光束整形レンズの断面図
 第8図は本発明の第5の実施例である光束整形レンズ
の断面図 第9図は従来の短波長レーザ光源の構成@ 
第10図は従来の光束整形レンズの断面図 第11図は
従来の光束整形レンズの原理を示す断面図である。 であム ■・・・LiNbO3基板、 2・・・光導波m21・
・・半導体レーサミ 27・・・光波長変換素子、 3
0・・・光束整形レン、CP2・・・高調嵩 代理人の氏名 弁理士 粟野 重孝 ほか1名rl−1
区 ′b−I) 蒙コ 翫コー曜 lNbO3 尤 導 波 路 究違長寥1喚覧子 を肇瞥氾しンズ 1占 B調波 第2図 第 図 う1 長(nm) 光 ′jII  長 ? 候 累 子 第 図 第 図 第 図 415   4/6 ;皮 長 (n m)

Claims (10)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)光導波路が形成された基板より成る光波長変換素
    子より放射されるチェレンコフ光に対して透明な材料よ
    り成り、第1の円錐形状となる部分および第2の円錐形
    状よりなる部分を有し、前記第1の円錐の中心軸が前記
    第2の円錐の中心軸と一致することを特徴とする光束整
    形レンズ。
  2. (2)光導波路が形成された基板より成る光波長変換素
    子と光束整形レンズと半導体レーザを備え、前記光束整
    形レンズが前記光波長変換素子より放射されるチェレン
    コフ光の延長線状に位置し前記光導波路の延長線上に円
    錐の頂点を配し前記光波長変換素子のチェレンコフ光の
    出射面側と前記円錐の頂点が対抗するように配されてい
    ることを特徴とする短波長レーザ光源。
  3. (3)光導波路が形成された基板としてLiNb_xT
    a_1_−_xO_3(0≦X≦1)基板を使用したこ
    とを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の光束整形レ
    ンズまたは同第2項記載の短波長レーザ光源。
  4. (4)光導波路としてプロトン交換光導波路を用いたこ
    とを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の光束整形レ
    ンズまたは同第2項記載の短波長レーザ光源。
  5. (5)光導波路として有機非線系光学材料よりなる光導
    波路を用いたことを特徴とする特許請求の範囲第1項記
    載の光束整形レンズまたは同第2項記載の短波長レーザ
    光源。
  6. (6)SF系の硝材を材料としたことを特徴とする特許
    請求の範囲第1項記載の光束整形レンズまたは同第2項
    記載の短波長レーザ光源。
  7. (7)LiNbO_3を材料としたことを特徴とする特
    許請求の範囲第1項記載の光束整形レンズまたは同第2
    項記載の短波長レーザ光源。
  8. (8)アッベ数が30以下の材料を用いたことを特徴と
    する特許請求の範囲第1項記載の光束整形レンズまたは
    同第2項記載の短波長レーザ光源。
  9. (9)円錐の頂角が60度以上、85度以下であること
    を特徴とする特許請求の範囲第1項記載の光束整形レン
    ズまたは同第2項記載の短波長レーザ光源。
  10. (10)光束整形レンズが第1の円錐形状となる部分お
    よび第2の円錐形状となる部分を有することを特徴とす
    る特許請求の範囲第2項記載の短波長レーザ光源。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01287531A (ja) * 1988-05-14 1989-11-20 Sumitomo Electric Ind Ltd 光源装置
JPH0235423A (ja) * 1988-07-26 1990-02-06 Fuji Photo Film Co Ltd 光波長変換素子

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