JP2704337B2 - 光波長変換装置 - Google Patents
光波長変換装置Info
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- JP2704337B2 JP2704337B2 JP1503292A JP1503292A JP2704337B2 JP 2704337 B2 JP2704337 B2 JP 2704337B2 JP 1503292 A JP1503292 A JP 1503292A JP 1503292 A JP1503292 A JP 1503292A JP 2704337 B2 JP2704337 B2 JP 2704337B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は光波長変換装置に関し、
特に詳細には、シングルモードの半導体レーザーから発
せられたレーザービームを非線形光学材料のバルク結晶
に１回だけ通して短波長化するようにした光波長変換装
置に関するものである。
特に詳細には、シングルモードの半導体レーザーから発
せられたレーザービームを非線形光学材料のバルク結晶
に１回だけ通して短波長化するようにした光波長変換装
置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来より、非線形光学材料を利用してレ
ーザービームを第２高調波等に波長変換（短波長化）す
る試みが種々なされている。このような波長変換に利用
される光波長変換素子の１つとして、バルク結晶型のも
のが広く知られている。
ーザービームを第２高調波等に波長変換（短波長化）す
る試みが種々なされている。このような波長変換に利用
される光波長変換素子の１つとして、バルク結晶型のも
のが広く知られている。
【０００３】このバルク結晶型の光波長変換素子は、基
本波を共振させる共振器内に配したり、あるいは、その
ような共振器は利用せず、該結晶を基本波が１回だけ通
過するようにして使用される。後者のようにして使用さ
れる光波長変換素子は、通常、直接変換型光波長変換素
子と称されているが、基本波が結晶中を往復何回も通過
する前者の場合と比べれば、高い波長変換効率を得る上
では不利となっている。そこでこの直接変換型の光波長
変換素子を用いる装置においては、多くの場合、基本波
を結晶端面上で収束するように十分に絞って結晶中での
基本波パワー密度を上げ、また基本波と波長変換波との
位相整合は位相整合角度許容範囲が比較的大きいノンク
リティカル位相整合（Non-Critical Phase Matching ：
以下 NCPMと称する）で果たすようにして、波長変換効
率の向上を図っている。なお上記NCPMは、基本波に対す
る屈折率楕円体波面法線方向と、波長変換波に対する屈
折率楕円体波面法線方向とが一致する角度での位相整合
である。
本波を共振させる共振器内に配したり、あるいは、その
ような共振器は利用せず、該結晶を基本波が１回だけ通
過するようにして使用される。後者のようにして使用さ
れる光波長変換素子は、通常、直接変換型光波長変換素
子と称されているが、基本波が結晶中を往復何回も通過
する前者の場合と比べれば、高い波長変換効率を得る上
では不利となっている。そこでこの直接変換型の光波長
変換素子を用いる装置においては、多くの場合、基本波
を結晶端面上で収束するように十分に絞って結晶中での
基本波パワー密度を上げ、また基本波と波長変換波との
位相整合は位相整合角度許容範囲が比較的大きいノンク
リティカル位相整合（Non-Critical Phase Matching ：
以下 NCPMと称する）で果たすようにして、波長変換効
率の向上を図っている。なお上記NCPMは、基本波に対す
る屈折率楕円体波面法線方向と、波長変換波に対する屈
折率楕円体波面法線方向とが一致する角度での位相整合
である。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上述のよう
な光波長変換素子を利用する光波長変換装置には、基本
波光源をシングルモードの半導体レーザーとするものが
多いが、その種の従来装置においては、バルク結晶の光
入射端面で反射して半導体レーザーに戻る光によって該
半導体レーザーがモードホップを起こし、そのために基
本波出力ひいては波長変換波出力が不安定になるという
問題が認められていた。このような問題は特に、前述の
NCPMを実現する場合に起こりやすくなっている。つまり
このNCPMを果たす場合、基本波の波長許容範囲は0.1 ｎ
ｍ程度と極めて小さく、それに対して一般にシングルモ
ード半導体レーザーの縦モード間隔は0.3 ｎｍ程度であ
るため、モードホップが起きると基本波波長は簡単にNC
PMの波長許容範囲から外れてしまうのである。
な光波長変換素子を利用する光波長変換装置には、基本
波光源をシングルモードの半導体レーザーとするものが
多いが、その種の従来装置においては、バルク結晶の光
入射端面で反射して半導体レーザーに戻る光によって該
半導体レーザーがモードホップを起こし、そのために基
本波出力ひいては波長変換波出力が不安定になるという
問題が認められていた。このような問題は特に、前述の
NCPMを実現する場合に起こりやすくなっている。つまり
このNCPMを果たす場合、基本波の波長許容範囲は0.1 ｎ
ｍ程度と極めて小さく、それに対して一般にシングルモ
ード半導体レーザーの縦モード間隔は0.3 ｎｍ程度であ
るため、モードホップが起きると基本波波長は簡単にNC
PMの波長許容範囲から外れてしまうのである。
【０００５】上述のような戻り光をカットする手段とし
て従来よりアイソレータが知られているが、このアイソ
レータは大型でコストが高く、また光の透過率も低いの
で、実用には向いていないという欠点がある。
て従来よりアイソレータが知られているが、このアイソ
レータは大型でコストが高く、また光の透過率も低いの
で、実用には向いていないという欠点がある。
【０００６】本発明は上記のような事情に鑑みてなされ
たものであり、シングルモード半導体レーザーから発せ
られたレーザービームを直接変換型の光波長変換素子に
より波長変換するようにした上で、アイソレータを用い
ずに半導体レーザーへの戻り光をカットできる光波長変
換装置を提供することを目的とするものである。
たものであり、シングルモード半導体レーザーから発せ
られたレーザービームを直接変換型の光波長変換素子に
より波長変換するようにした上で、アイソレータを用い
ずに半導体レーザーへの戻り光をカットできる光波長変
換装置を提供することを目的とするものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明による光波長変換
装置は、上記のように基本波光源としてシングルモード
半導体レーザーを、光波長変換素子として直接変換型の
非線形光学材料のバルク結晶を用い、そして基本波を上
記バルク結晶の光入射端面上で収束するように絞る手段
が設けられた光波長変換装置において、上記バルク結晶
が、そこに入射した基本波の進行方向がその位相整合軸
と一致し、かつ、上記光入射端面に対する基本波入射角
Δψが基本波の絞り角αに対してΔψ≧α／２となる向
きに配設されたことを特徴とするものである。
装置は、上記のように基本波光源としてシングルモード
半導体レーザーを、光波長変換素子として直接変換型の
非線形光学材料のバルク結晶を用い、そして基本波を上
記バルク結晶の光入射端面上で収束するように絞る手段
が設けられた光波長変換装置において、上記バルク結晶
が、そこに入射した基本波の進行方向がその位相整合軸
と一致し、かつ、上記光入射端面に対する基本波入射角
Δψが基本波の絞り角αに対してΔψ≧α／２となる向
きに配設されたことを特徴とするものである。
【０００８】
【作用および発明の効果】上述のように非線形光学材料
のバルク結晶が、基本波の進行方向と位相整合軸（NCPM
軸等である）とが一致する向きになっていれば、当然、
基本波と波長変換波とが位相整合することになる。
のバルク結晶が、基本波の進行方向と位相整合軸（NCPM
軸等である）とが一致する向きになっていれば、当然、
基本波と波長変換波とが位相整合することになる。
【０００９】また、基本波の入射角Δψと絞り角αとの
関係がΔψ≧α／２となっていれば、非線形光学材料の
バルク結晶の光入射端面で反射した基本波は、そこに入
射する基本波とは全く別の光路を辿ることになる。した
がって、この光入射端面で基本波が反射しても、その反
射した光が半導体レーザーに戻ることはなく、半導体レ
ーザーが戻り光によってモードホップを起こすことが防
止される。そうであれば、モードホップによって基本波
波長が位相整合許容範囲から外れることがなくなり、出
力の安定した波長変換波が得られることになる。
関係がΔψ≧α／２となっていれば、非線形光学材料の
バルク結晶の光入射端面で反射した基本波は、そこに入
射する基本波とは全く別の光路を辿ることになる。した
がって、この光入射端面で基本波が反射しても、その反
射した光が半導体レーザーに戻ることはなく、半導体レ
ーザーが戻り光によってモードホップを起こすことが防
止される。そうであれば、モードホップによって基本波
波長が位相整合許容範囲から外れることがなくなり、出
力の安定した波長変換波が得られることになる。
【００１０】
【実施例】図２は、本発明の一実施例による光波長変換
装置を示すものである。この光波長変換装置は、基本波
としての波長860 ｎｍのレーザービーム10を発する半導
体レーザー11と、この半導体レーザー11を所定温度に調
節するペルチェ素子12と、発散光状態で半導体レーザー
11から射出されたレーザービーム10を平行光化するコリ
メーターレンズ13と、断面楕円状のレーザービーム10を
断面正円状に変換するアナモルフィックプリズムペア14
と、後述のＫＮ結晶等で反射し光軸を外れて戻って来る
レーザービーム10をカットする開口板15と、レーザービ
ーム10を絞る集光レンズ16と、絞られたレーザービーム
10の収束点に光入射端面17ａが位置するように配された
ＫＮｂＯ3 のバルク結晶（以下、ＫＮ結晶と称する）17
と、このＫＮ結晶17を所定温度に調節するペルチェ素子
18と、ＫＮ結晶17から出射した光ビームを平行光化する
コリメータレンズ19と、この光ビームを集光する集光レ
ンズ21とからなる。
装置を示すものである。この光波長変換装置は、基本波
としての波長860 ｎｍのレーザービーム10を発する半導
体レーザー11と、この半導体レーザー11を所定温度に調
節するペルチェ素子12と、発散光状態で半導体レーザー
11から射出されたレーザービーム10を平行光化するコリ
メーターレンズ13と、断面楕円状のレーザービーム10を
断面正円状に変換するアナモルフィックプリズムペア14
と、後述のＫＮ結晶等で反射し光軸を外れて戻って来る
レーザービーム10をカットする開口板15と、レーザービ
ーム10を絞る集光レンズ16と、絞られたレーザービーム
10の収束点に光入射端面17ａが位置するように配された
ＫＮｂＯ3 のバルク結晶（以下、ＫＮ結晶と称する）17
と、このＫＮ結晶17を所定温度に調節するペルチェ素子
18と、ＫＮ結晶17から出射した光ビームを平行光化する
コリメータレンズ19と、この光ビームを集光する集光レ
ンズ21とからなる。
【００１１】レーザービーム10はＫＮ結晶17を図中左か
ら右方に１回通過する際に、非線形光学材料であるこの
ＫＮ結晶17により、波長が１／２すなわち430 ｎｍの第
２高調波20に変換される。したがってＫＮ結晶17から
は、この第２高調波20とレーザービーム10とが混合した
光ビームが出射する。なお本例では、上述のようにして
得られる第２高調波20の光強度を検出する光検出器22が
配設されている。
ら右方に１回通過する際に、非線形光学材料であるこの
ＫＮ結晶17により、波長が１／２すなわち430 ｎｍの第
２高調波20に変換される。したがってＫＮ結晶17から
は、この第２高調波20とレーザービーム10とが混合した
光ビームが出射する。なお本例では、上述のようにして
得られる第２高調波20の光強度を検出する光検出器22が
配設されている。
【００１２】上記の半導体レーザー11は、横モードおよ
び縦モードが共にシングルモードのものであり、出力は
100 ｍＷである。またＫＮ結晶17は、長さが10ｍｍで、
この方向に垂直な断面のサイズが２×２ｍｍに形成さ
れ、その両端面には波長860 ｎｍのレーザービーム10に
対する無反射コーティングが施されている。一方コリメ
ータレンズ13は開口数ＮＡ＝0.65、焦点距離ｆ＝0.8 ｍ
ｍ、集光レンズ16は焦点距離ｆ＝110 ｍｍの平凸レンズ
であり、これらのレンズ13、16および前記アナモルフィ
ックプリズムペア14によりレーザービーム10は、ＫＮ結
晶17の光入射端面17ａ上で直径30μｍの正円状スポット
に収束する。
び縦モードが共にシングルモードのものであり、出力は
100 ｍＷである。またＫＮ結晶17は、長さが10ｍｍで、
この方向に垂直な断面のサイズが２×２ｍｍに形成さ
れ、その両端面には波長860 ｎｍのレーザービーム10に
対する無反射コーティングが施されている。一方コリメ
ータレンズ13は開口数ＮＡ＝0.65、焦点距離ｆ＝0.8 ｍ
ｍ、集光レンズ16は焦点距離ｆ＝110 ｍｍの平凸レンズ
であり、これらのレンズ13、16および前記アナモルフィ
ックプリズムペア14によりレーザービーム10は、ＫＮ結
晶17の光入射端面17ａ上で直径30μｍの正円状スポット
に収束する。
【００１３】図１は、ＫＮ結晶17とそこに入射するレー
ザービーム10を詳しく示している。以下この図１を参照
して、ＫＮ結晶17に入射する前、およびそこに入射した
レーザービーム10の光路を詳しく説明する。本実施例で
はＫＮ結晶17の非線形光学定数ｄ32＝21ｐｍ／Ｖを利用
する。その場合、基本波波長λ＝860.0 ｎｍで90°ノン
クリティカル位相整合（NCPM）が実現され、そのときの
レーザービーム10の空気中最適ビーム角δθは、
ザービーム10を詳しく示している。以下この図１を参照
して、ＫＮ結晶17に入射する前、およびそこに入射した
レーザービーム10の光路を詳しく説明する。本実施例で
はＫＮ結晶17の非線形光学定数ｄ32＝21ｐｍ／Ｖを利用
する。その場合、基本波波長λ＝860.0 ｎｍで90°ノン
クリティカル位相整合（NCPM）が実現され、そのときの
レーザービーム10の空気中最適ビーム角δθは、
【００１４】
【数１】
【００１５】である。この最適ビーム角δθ以上の角度
でＫＮ結晶17に入射するレーザービーム10は波長変換に
寄与せず、損失となる。その一方、この角度δθよりも
小さくレーザービーム10を絞ると、集光スポット径が大
きくなってＫＮ結晶17中のレーザービーム10のパワー密
度が低下し、波長変換効率が低下することになる。つま
り、レーザービーム10の絞り角α＝δθとすれば、最も
高強度の第２高調波20が得られることになるので、本実
施例ではα＝δθに設定する。数１においてＬ＝10ｍ
ｍ、λ＝860.0 ｎｍとし、またＫＮ結晶17の各屈折率を
代入すると、δθ＝49ｍrad ＝2.8 °となる。
でＫＮ結晶17に入射するレーザービーム10は波長変換に
寄与せず、損失となる。その一方、この角度δθよりも
小さくレーザービーム10を絞ると、集光スポット径が大
きくなってＫＮ結晶17中のレーザービーム10のパワー密
度が低下し、波長変換効率が低下することになる。つま
り、レーザービーム10の絞り角α＝δθとすれば、最も
高強度の第２高調波20が得られることになるので、本実
施例ではα＝δθに設定する。数１においてＬ＝10ｍ
ｍ、λ＝860.0 ｎｍとし、またＫＮ結晶17の各屈折率を
代入すると、δθ＝49ｍrad ＝2.8 °となる。
【００１６】そこでＫＮ結晶17は、図１に詳しく示され
ているように、光入射端面17ａへのレーザービーム10の
入射角ΔψがΔψ＝α／２＝1.4 °となるように、そこ
に入射する前のレーザービーム10（図１中斜線を付して
示す）のビーム中心に対して1.4 °傾けて配置されてい
る。そのため、光入射端面17ａで反射したレーザービー
ム10（図１中細点を付して示す）はすべて、該端面17ａ
に入射するレーザービーム10とは異なる光路を進むこと
になり、半導体レーザー11には戻り得ない。なお図１に
おいて、ＫＮ結晶17の傾き角は誇張して示してある。
ているように、光入射端面17ａへのレーザービーム10の
入射角ΔψがΔψ＝α／２＝1.4 °となるように、そこ
に入射する前のレーザービーム10（図１中斜線を付して
示す）のビーム中心に対して1.4 °傾けて配置されてい
る。そのため、光入射端面17ａで反射したレーザービー
ム10（図１中細点を付して示す）はすべて、該端面17ａ
に入射するレーザービーム10とは異なる光路を進むこと
になり、半導体レーザー11には戻り得ない。なお図１に
おいて、ＫＮ結晶17の傾き角は誇張して示してある。
【００１７】またＫＮ結晶17は、そこに入射したレーザ
ービーム10の進行方向（図１中矢印Ｑで示す）がNCPM軸
である結晶軸ａと一致するように、この結晶軸ａに対し
て光入射端面17ａがβ＝1.2 °の角度をなすようにカッ
トされている。したがって、レーザービーム10と第２高
調波20との間で良好に位相整合が取られる。なお上記β
の角度は次式で求められる。
ービーム10の進行方向（図１中矢印Ｑで示す）がNCPM軸
である結晶軸ａと一致するように、この結晶軸ａに対し
て光入射端面17ａがβ＝1.2 °の角度をなすようにカッ
トされている。したがって、レーザービーム10と第２高
調波20との間で良好に位相整合が取られる。なお上記β
の角度は次式で求められる。
【００１８】
【数２】
【００１９】上記のように、端面17ａで反射したレーザ
ービーム10が半導体レーザー11に戻ることがなければ、
半導体レーザー11がこの戻り光のためにモードホップを
起こして、レーザービーム10の波長λが860.0 ｎｍから
外れることがなくなるので、この基本波波長は常に位相
整合範囲内に保たれ、第２高調波20の出力が安定化され
る。
ービーム10が半導体レーザー11に戻ることがなければ、
半導体レーザー11がこの戻り光のためにモードホップを
起こして、レーザービーム10の波長λが860.0 ｎｍから
外れることがなくなるので、この基本波波長は常に位相
整合範囲内に保たれ、第２高調波20の出力が安定化され
る。
【００２０】なお上記実施例ではΔψ＝α／２としてい
るが、もちろんΔψ＞α／２となるようにしてもよい。
つまり上記の例においては、レーザービーム10の入射角
Δψを1.4 °よりも大きい値に設定しても構わない。
るが、もちろんΔψ＞α／２となるようにしてもよい。
つまり上記の例においては、レーザービーム10の入射角
Δψを1.4 °よりも大きい値に設定しても構わない。
【００２１】また上記実施例では、ＫＮ結晶17を直方体
状に形成しているが、他の要素との位置調整を容易化す
る等のためにこのＫＮ結晶17を、図３に示すように平行
四辺形の側面形状を有するようにカットしてもよい。
状に形成しているが、他の要素との位置調整を容易化す
る等のためにこのＫＮ結晶17を、図３に示すように平行
四辺形の側面形状を有するようにカットしてもよい。
【図１】本発明の一実施例による光波長変換装置の要部
を示す側面図
を示す側面図
【図２】上記実施例の光波長変換装置の全体形状を示す
側面図
側面図
【図３】本発明の光波長変換装置における非線形光学材
料結晶の別の形状例を示す側面図
料結晶の別の形状例を示す側面図
10 レーザービーム（基本波） 11 半導体レーザー 13 コリメータレンズ 14 アナモルフィックプリズムペア 16 集光レンズ 17 ＫＮ結晶 17ａ ＫＮ結晶の光入射端面 20 第２高調波
Claims (1)
- 【請求項１】 シングルモードの半導体レーザーから出
射した基本波としてのレーザービームを非線形光学材料
のバルク結晶に入射させ、そこを一方向のみに通過させ
て波長変換する光波長変換装置において、 前記基本波を前記バルク結晶の光入射端面上で収束する
ように絞る手段が設けられるとともに、 前記バルク結晶が、そこに入射した基本波の進行方向が
その位相整合軸と一致し、かつ、前記光入射端面に対す
る基本波入射角Δψが基本波の絞り角αに対してΔψ≧
α／２となる向きに配設されていることを特徴とする光
波長変換装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1503292A JP2704337B2 (ja) | 1992-01-30 | 1992-01-30 | 光波長変換装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1503292A JP2704337B2 (ja) | 1992-01-30 | 1992-01-30 | 光波長変換装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05210134A JPH05210134A (ja) | 1993-08-20 |
| JP2704337B2 true JP2704337B2 (ja) | 1998-01-26 |
Family
ID=11877498
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1503292A Expired - Fee Related JP2704337B2 (ja) | 1992-01-30 | 1992-01-30 | 光波長変換装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2704337B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012032724A (ja) * | 2010-08-03 | 2012-02-16 | Nikon Corp | 波長変換光学系及び紫外レーザ装置 |
-
1992
- 1992-01-30 JP JP1503292A patent/JP2704337B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05210134A (ja) | 1993-08-20 |
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|---|---|---|---|
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