JPH0482125A - マグネトロンの製造方法 - Google Patents
マグネトロンの製造方法Info
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- JPH0482125A JPH0482125A JP19490190A JP19490190A JPH0482125A JP H0482125 A JPH0482125 A JP H0482125A JP 19490190 A JP19490190 A JP 19490190A JP 19490190 A JP19490190 A JP 19490190A JP H0482125 A JPH0482125 A JP H0482125A
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Landscapes
- Microwave Tubes (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は陰極構体を構成するエンドシールドに粉末金属
焼結体のゲッタを生成するマグネトロンの製造方法に関
する。
焼結体のゲッタを生成するマグネトロンの製造方法に関
する。
マグネトロンの製造は、陰極構体のフィラメントの表面
に炭化層を生成する着炭工程を行った後、この陰極構体
を陽極構体や排気管組立と共に組上げて封止法とし、そ
の後封止法を排気する排気工程を経て行われる。ここで
、前記着炭工程では、真空中でフィラメントへ所定の高
電流（フラッシング電流）を流した後、−旦冷却し、数
ｔｏｒｒのメタンガス雰囲気とし、再度上記の７ラツシ
ング電流を流してフィラメント表面に着炭層を形成する
ものである。
に炭化層を生成する着炭工程を行った後、この陰極構体
を陽極構体や排気管組立と共に組上げて封止法とし、そ
の後封止法を排気する排気工程を経て行われる。ここで
、前記着炭工程では、真空中でフィラメントへ所定の高
電流（フラッシング電流）を流した後、−旦冷却し、数
ｔｏｒｒのメタンガス雰囲気とし、再度上記の７ラツシ
ング電流を流してフィラメント表面に着炭層を形成する
ものである。
ところで従来、陰極構体のエンドシールドに粉末金属焼
結体のゲッタを生成する方法としては、例えば特開昭５
７−３６７５２号公報の方法が知られている。この方法
は、着炭工程を経た後に、陰極構体のエンドシールドに
、粉末状のＺｒＨ２またはＴ ｉＨｔを有機質バインダ
とで混練したペーストを塗布し、乾燥させた陰極構体を
封止法として組込み、その後の排気工程のフィラメント
の通電加熱でペーストを焼結体とするものである。
結体のゲッタを生成する方法としては、例えば特開昭５
７−３６７５２号公報の方法が知られている。この方法
は、着炭工程を経た後に、陰極構体のエンドシールドに
、粉末状のＺｒＨ２またはＴ ｉＨｔを有機質バインダ
とで混練したペーストを塗布し、乾燥させた陰極構体を
封止法として組込み、その後の排気工程のフィラメント
の通電加熱でペーストを焼結体とするものである。
上記従来技術は、着炭工程後にエンドシールドにベース
１ｍ布し、排気工程中のフィラメント電流による昇温で
焼結体とするので、次に述べるような問題点があった。
１ｍ布し、排気工程中のフィラメント電流による昇温で
焼結体とするので、次に述べるような問題点があった。
ゲッタ用のペーストを塗布する基体であるエンドシール
ドの表面は、着炭工程においてフィラメントからの蒸発
物質や着炭用ガス（メタンなど）からの炭化などで変質
してしまい、エンドシールドとゲッタ粉体との密着度が
悪くなり、粉末焼結体が浮き上ってしまう。
ドの表面は、着炭工程においてフィラメントからの蒸発
物質や着炭用ガス（メタンなど）からの炭化などで変質
してしまい、エンドシールドとゲッタ粉体との密着度が
悪くなり、粉末焼結体が浮き上ってしまう。
本発明の目的は、粉末金属焼結体のゲッタをエンドシー
ルドに強固に固着生成することができるマグネトロンの
製造方法を提供することにある。
ルドに強固に固着生成することができるマグネトロンの
製造方法を提供することにある。
上記目的を達成するために、陰極構体のフィラメントを
着炭する前に、エンドシールドにＺｒまたはＴｉなとの
水素化物の粉体を有機質バインダと混練したペーストを
塗布し、このベース）ｋ着炭工程のフィラメント通電に
よる加熱で焼結したものである。
着炭する前に、エンドシールドにＺｒまたはＴｉなとの
水素化物の粉体を有機質バインダと混練したペーストを
塗布し、このベース）ｋ着炭工程のフィラメント通電に
よる加熱で焼結したものである。
着炭工程前にペーストをエンドシールドに塗布するので
、着炭工程のフラッシング電流によるエンドシールドの
昇温で粉体同志の焼結のみならず、基体であるエンドシ
ールドと粉体とも良く固着する。
、着炭工程のフラッシング電流によるエンドシールドの
昇温で粉体同志の焼結のみならず、基体であるエンドシ
ールドと粉体とも良く固着する。
以下、本発明の一実施例を第１図により説明する。熱電
子を放出するトリア入りタングステン線からなるフィラ
メント１は、モリブデンなどの高融点金属よりなる上エ
ンドシールド２及び下エンドシールド３にルテニウム・
モリブデン共晶ろうなどを用いてろう付は固着されてい
る。更に上、下エンドシールド２．３には、やはりモリ
ブデンなどの高融点金属からなる棒状のセンタリード４
及びサイドリード５が連結されている。
子を放出するトリア入りタングステン線からなるフィラ
メント１は、モリブデンなどの高融点金属よりなる上エ
ンドシールド２及び下エンドシールド３にルテニウム・
モリブデン共晶ろうなどを用いてろう付は固着されてい
る。更に上、下エンドシールド２．３には、やはりモリ
ブデンなどの高融点金属からなる棒状のセンタリード４
及びサイドリード５が連結されている。
また前記上エンドシールド２の外表面には粉末金属焼結
体のゲッタ６が固着されている。このゲッタ６は次のよ
うにして生成される。陰極構体のフィラメント１を着炭
する前に、上エンドシールド２の外表面にＺｒＨｔまた
はＴｉＨｔの粉体を有機質バインダと混練したペースト
を塗布する。
体のゲッタ６が固着されている。このゲッタ６は次のよ
うにして生成される。陰極構体のフィラメント１を着炭
する前に、上エンドシールド２の外表面にＺｒＨｔまた
はＴｉＨｔの粉体を有機質バインダと混練したペースト
を塗布する。
そして、フィラメント１０表面に炭化層を生成する着炭
工程を行う。このフィラメント１０着炭工程の通電加熱
による昇温度で、前ＰペーストはＺｒＨ２またはＴ ｔ
Ｈｚが分解されてＺｒまたはＴ１の粉体金属焼結体の
ゲッタ６として上エンドシールド２に固着される。この
着炭時には、メタンガスによりゲッタ６の表層部にはＺ
ｒＣまたはＴｉＣなどが生成されるが、ゲッタ機能が劣
化するほどではないことが分った。またＺｒＨ，やＴｉ
Ｈｙの粉体粒度に関しては、なるべく細い方（平均粒度
１０Ｐｍ以下）が優れた焼結性が得られた。
工程を行う。このフィラメント１０着炭工程の通電加熱
による昇温度で、前ＰペーストはＺｒＨ２またはＴ ｔ
Ｈｚが分解されてＺｒまたはＴ１の粉体金属焼結体の
ゲッタ６として上エンドシールド２に固着される。この
着炭時には、メタンガスによりゲッタ６の表層部にはＺ
ｒＣまたはＴｉＣなどが生成されるが、ゲッタ機能が劣
化するほどではないことが分った。またＺｒＨ，やＴｉ
Ｈｙの粉体粒度に関しては、なるべく細い方（平均粒度
１０Ｐｍ以下）が優れた焼結性が得られた。
このように、着炭工程前にベース）を上エンドシールド
２に塗布し、着炭工程のフラッシング電流による上エン
ドシールド２の昇温で焼結するので、粉体同志の焼結の
みならず、基体である上エンドシールド２と粉体とも良
く固着する。
２に塗布し、着炭工程のフラッシング電流による上エン
ドシールド２の昇温で焼結するので、粉体同志の焼結の
みならず、基体である上エンドシールド２と粉体とも良
く固着する。
なお、上記実施例においては、ゲッタ６を上エンドシー
ルド２のみに設けたが、下エンドシールド３にも同様の
方法によってゲッタ６を設けてもよい。し・かじ、上エ
ンドシールド２の方が下エンドシールド３よφも高温に
なることから、ゲッタ機能をより高くするのに適してい
る。
ルド２のみに設けたが、下エンドシールド３にも同様の
方法によってゲッタ６を設けてもよい。し・かじ、上エ
ンドシールド２の方が下エンドシールド３よφも高温に
なることから、ゲッタ機能をより高くするのに適してい
る。
本発明によれば、粉末金属焼結体のゲッタを基体となる
エンドシールドに強固に固着生成することができるので
、ゲッタの浮き上りがなくなり、信頼性の高いマグネト
ロンが得られる。
エンドシールドに強固に固着生成することができるので
、ゲッタの浮き上りがなくなり、信頼性の高いマグネト
ロンが得られる。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の一実施例のマグネトロンの陰極構体の
要部断面図である。 １・・・フィラメント、 ２・・−上エンドシール
ド、３・・・下エンドシールド、 ６・・−ゲッタ
。 代理人 弁理士 小 川 勝 男
要部断面図である。 １・・・フィラメント、 ２・・−上エンドシール
ド、３・・・下エンドシールド、 ６・・−ゲッタ
。 代理人 弁理士 小 川 勝 男
Claims (1)
- １、熱電子を放出するらせん状のフィラメントと、この
フィラメントの上下端をそれぞれ支持する上、下エンド
シールドとよりなる陰極を備え、少なくとも前記上エン
ドシールドの外表面に、ＺｒまたはＴｉなどの水素化物
の粉体を有機質バインダと混練したペーストを塗布し、
このペーストをフィラメントの通電加熱で焼結して粉末
金属焼結体のゲツタとするマグネトロンの製造方法にお
いて、前記ペーストをフィラメントの着炭工程前に塗布
し、このペーストを着炭工程のフィラメント通電による
加熱で焼結することを特徴とするマグネトロンの製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19490190A JPH0482125A (ja) | 1990-07-25 | 1990-07-25 | マグネトロンの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19490190A JPH0482125A (ja) | 1990-07-25 | 1990-07-25 | マグネトロンの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0482125A true JPH0482125A (ja) | 1992-03-16 |
Family
ID=16332218
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19490190A Pending JPH0482125A (ja) | 1990-07-25 | 1990-07-25 | マグネトロンの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0482125A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006278103A (ja) * | 2005-03-29 | 2006-10-12 | Toshiba Hokuto Electronics Corp | 電子管用コーティングゲッター膜の製造方法 |
-
1990
- 1990-07-25 JP JP19490190A patent/JPH0482125A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006278103A (ja) * | 2005-03-29 | 2006-10-12 | Toshiba Hokuto Electronics Corp | 電子管用コーティングゲッター膜の製造方法 |
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