JPH0481635A - 微量窒素分析計校正用ゼロガス発生器 - Google Patents
微量窒素分析計校正用ゼロガス発生器Info
- Publication number
- JPH0481635A JPH0481635A JP19647890A JP19647890A JPH0481635A JP H0481635 A JPH0481635 A JP H0481635A JP 19647890 A JP19647890 A JP 19647890A JP 19647890 A JP19647890 A JP 19647890A JP H0481635 A JPH0481635 A JP H0481635A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- hydrogen
- gas
- nitrogen
- adsorption tower
- calibration
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 157
- 239000007789 gas Substances 0.000 title claims abstract description 103
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 77
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 103
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims abstract description 103
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 103
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 claims abstract description 77
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 50
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims abstract description 50
- 229910010389 TiMn Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 150000002829 nitrogen Chemical class 0.000 claims description 4
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 45
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 abstract description 23
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 abstract description 7
- 238000004891 communication Methods 0.000 abstract description 5
- 238000001994 activation Methods 0.000 description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 description 10
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 6
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 5
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 4
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 4
- 238000004817 gas chromatography Methods 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 4
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000006356 dehydrogenation reaction Methods 0.000 description 3
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- 230000036961 partial effect Effects 0.000 description 3
- 230000008929 regeneration Effects 0.000 description 3
- 238000011069 regeneration method Methods 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910002335 LaNi5 Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical group 0.000 description 2
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000011160 research Methods 0.000 description 2
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 2
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- BPPVUXSMLBXYGG-UHFFFAOYSA-N 4-[3-(4,5-dihydro-1,2-oxazol-3-yl)-2-methyl-4-methylsulfonylbenzoyl]-2-methyl-1h-pyrazol-3-one Chemical compound CC1=C(C(=O)C=2C(N(C)NC=2)=O)C=CC(S(C)(=O)=O)=C1C1=NOCC1 BPPVUXSMLBXYGG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004657 CaNi5 Inorganic materials 0.000 description 1
- 241001091551 Clio Species 0.000 description 1
- 235000015429 Mirabilis expansa Nutrition 0.000 description 1
- 244000294411 Mirabilis expansa Species 0.000 description 1
- 101100508520 Mus musculus Nfkbiz gene Proteins 0.000 description 1
- 239000012494 Quartz wool Substances 0.000 description 1
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910010382 TiMn2 Inorganic materials 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 description 1
- 239000003463 adsorbent Substances 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 150000001485 argon Chemical class 0.000 description 1
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229910002090 carbon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000002290 gas chromatography-mass spectrometry Methods 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 230000002427 irreversible effect Effects 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 235000013536 miso Nutrition 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 238000011017 operating method Methods 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 238000010926 purge Methods 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 1
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 1
- -1 that is Substances 0.000 description 1
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 description 1
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、微量窒素分析計を校正する際に用いられるゼ
ロガス発生器に関する。
ロガス発生器に関する。
高純度アルゴンガス中の微量窒素ガスを分析する際、一
般に無声放電方式による窒素分析計が広く用いられてい
る。この窒素分析計を用いて微量窒素ガスを分析するに
当り、窒素濃度既知のガスを用いて窒素濃度と電圧値と
の相関関係を予め求めておく。この時に行う操作がゼロ
、スパン校正である。即ち、窒素を含まないアルゴンガ
ス(現実には測定に影響を与えない程度にまで窒素分を
最大限除去したアルゴンガスを用いる)を流してゼロ校
正を行い、次いで窒素濃度既知のアルゴンガスを流して
スパン校正を行う。
般に無声放電方式による窒素分析計が広く用いられてい
る。この窒素分析計を用いて微量窒素ガスを分析するに
当り、窒素濃度既知のガスを用いて窒素濃度と電圧値と
の相関関係を予め求めておく。この時に行う操作がゼロ
、スパン校正である。即ち、窒素を含まないアルゴンガ
ス(現実には測定に影響を与えない程度にまで窒素分を
最大限除去したアルゴンガスを用いる)を流してゼロ校
正を行い、次いで窒素濃度既知のアルゴンガスを流して
スパン校正を行う。
無声放電方式による窒素分析においては、ゼロ校正の正
確さが分析値に直接影響を及ぼす度合いが大きいため、
ゼロ校正を行うに当っては高純度のゼロガス、即ち窒素
を最大限に除去したアルゴンガスを用いる必要がある。
確さが分析値に直接影響を及ぼす度合いが大きいため、
ゼロ校正を行うに当っては高純度のゼロガス、即ち窒素
を最大限に除去したアルゴンガスを用いる必要がある。
このような高純度ゼロガスを得るため従来はゲッター型
精製器が用いられていた。この精製器はチタンやジルコ
ニウム等の窒素吸着金属を充填した吸着塔に高温雰囲気
下でアルゴンガスを通し、アルゴンガス中の不純物であ
る窒素を吸着して除去し純アルゴンガスを得るものであ
〔発明が解決しようとする課題〕 上記ゲンター型精製器を用いてアルゴンガス中の窒素を
吸着除去するためには、原料ガス及び吸着塔を350°
C以上に保持する必要があり、また−酸化炭素、二酸化
炭素、メタン等を1ppb以下にするためには常時45
0℃以上の高m Lこ保持する必要があった。更に窒素
吸着のための前処理即ち活性化処理には600°C以上
の高温、1O−6torr以下の高真空を必要としてい
た。
精製器が用いられていた。この精製器はチタンやジルコ
ニウム等の窒素吸着金属を充填した吸着塔に高温雰囲気
下でアルゴンガスを通し、アルゴンガス中の不純物であ
る窒素を吸着して除去し純アルゴンガスを得るものであ
〔発明が解決しようとする課題〕 上記ゲンター型精製器を用いてアルゴンガス中の窒素を
吸着除去するためには、原料ガス及び吸着塔を350°
C以上に保持する必要があり、また−酸化炭素、二酸化
炭素、メタン等を1ppb以下にするためには常時45
0℃以上の高m Lこ保持する必要があった。更に窒素
吸着のための前処理即ち活性化処理には600°C以上
の高温、1O−6torr以下の高真空を必要としてい
た。
このような高温、高真空を作り出すためには、大容量ヒ
ーター、ロータリーポンプ、ターボモレキュラーポンプ
、グローブボックス等の多種多様な設備を備えることが
不可欠であり、装置的に大がかりとなり且つ高価であっ
た。
ーター、ロータリーポンプ、ターボモレキュラーポンプ
、グローブボックス等の多種多様な設備を備えることが
不可欠であり、装置的に大がかりとなり且つ高価であっ
た。
また窒素吸着に当り、ゲッター材と窒素の化学反応は不
可逆反応であるため、再生がきかず、窒素吸着が飽和状
態に達したゲッター材は使い捨てられていたものであり
、省資源の面やコスト面からも問題があった。
可逆反応であるため、再生がきかず、窒素吸着が飽和状
態に達したゲッター材は使い捨てられていたものであり
、省資源の面やコスト面からも問題があった。
本発明は蒸上の点に鑑みなされたもので、窒素吸着や活
性化処理に当って従来のように高温、高真空を必要と廿
ず設備的に簡素化でき、且つ吸着材の再生も可能で繰り
返しの使用を可能にした、微量窒素分析計校正用ゼロガ
ス発生器を捉供することを目的としている。
性化処理に当って従来のように高温、高真空を必要と廿
ず設備的に簡素化でき、且つ吸着材の再生も可能で繰り
返しの使用を可能にした、微量窒素分析計校正用ゼロガ
ス発生器を捉供することを目的としている。
上記目的を達成するため本発明者等は、窒素吸着を従来
よりも低い温度条件下で行えると共に活性化処理を従来
よりも低い温度且つ低い真空度の条件下で行うことがで
きるような窒素吸着手段を種々検討した結果、TiMn
系の水素吸蔵合金を用いればその目的に叶うものである
ことを見出した。
よりも低い温度条件下で行えると共に活性化処理を従来
よりも低い温度且つ低い真空度の条件下で行うことがで
きるような窒素吸着手段を種々検討した結果、TiMn
系の水素吸蔵合金を用いればその目的に叶うものである
ことを見出した。
即ち、
l ) Ca Ni5
2 ) L a N ia、 qA l o。
3 ) L a NL、tANo、3
4 ) Tio、aa Zro、sa M no、e
Cr CLlO,2の4種の水素吸蔵合金を用い、これ
らを充填した各吸着塔に不純物としての窒素を含有した
アルゴンガスを通したところ、4)の水素吸蔵合金のみ
が窒素を吸着除去できるものであることが判明した。し
かも、窒素吸着時の温度及び活性化処理時の温度、真空
度は上記に述べた条件を満足するものであることも判っ
た。
Cr CLlO,2の4種の水素吸蔵合金を用い、これ
らを充填した各吸着塔に不純物としての窒素を含有した
アルゴンガスを通したところ、4)の水素吸蔵合金のみ
が窒素を吸着除去できるものであることが判明した。し
かも、窒素吸着時の温度及び活性化処理時の温度、真空
度は上記に述べた条件を満足するものであることも判っ
た。
しかし、本発明等は更に研究を続けていくなかで、Ti
Mn系水素吸蔵合金が窒素を吸着する際、僅かながら水
素を放出し、この放出された水素がゼロ校正の精度に悪
影響を及ぼすという新たな知見を得た。上記の窒素吸着
時に放出される水素とはTlMn系水素吸蔵合全中合金
中していた水素である。即ち、上記合金を水素を用いて
活性化処理する際、最後の水素除去過程で完全に水素除
去を行うことは困難で、その結果、僅かな量の水素が上
記合金中に残存するのである。
Mn系水素吸蔵合金が窒素を吸着する際、僅かながら水
素を放出し、この放出された水素がゼロ校正の精度に悪
影響を及ぼすという新たな知見を得た。上記の窒素吸着
時に放出される水素とはTlMn系水素吸蔵合全中合金
中していた水素である。即ち、上記合金を水素を用いて
活性化処理する際、最後の水素除去過程で完全に水素除
去を行うことは困難で、その結果、僅かな量の水素が上
記合金中に残存するのである。
この残存水素が放出されると、例えば、窒素分析方式が
無声放電方式の場合、該放出水素が放電によって発光し
、窒素分析計があたかも窒素がサンプルガス中に存在す
るかの如く応答してしまう。このことは分析計のゼロ校
正を不正確なものにすることを意味する。
無声放電方式の場合、該放出水素が放電によって発光し
、窒素分析計があたかも窒素がサンプルガス中に存在す
るかの如く応答してしまう。このことは分析計のゼロ校
正を不正確なものにすることを意味する。
上記に述べた点は第4図に示すクロマトグラムに明瞭に
示されている。この第4図は窒素ガス含有アルゴンガス
をTiMn系水素吸蔵合金を充填した吸着塔に通し、該
吸着塔を通過したガスについてガスクロ質量分析計で分
析を行った結果を示すクロマトグラムである。図中、水
素のクロマトグラム1によれば水素のピークが現れてい
ることが明らかに確認できる。尚、2は窒素のクロマト
グラム、3はアルゴンのクロマトグラムをそれぞれ示す
。
示されている。この第4図は窒素ガス含有アルゴンガス
をTiMn系水素吸蔵合金を充填した吸着塔に通し、該
吸着塔を通過したガスについてガスクロ質量分析計で分
析を行った結果を示すクロマトグラムである。図中、水
素のクロマトグラム1によれば水素のピークが現れてい
ることが明らかに確認できる。尚、2は窒素のクロマト
グラム、3はアルゴンのクロマトグラムをそれぞれ示す
。
残存水素の放出による悪影響を取り除くため本発明者等
は、この放出される水素を水素吸蔵合金によって吸着除
去することを検討した。この場合、設備の簡素化、コス
トの低減という本発明の目的に沿うため、該水素吸蔵合
金は、1)室温近くで極微量の水素と反応すること、2
)水素の反応は可逆的であって、再生が可能であること
、3)活性化処理を比較的低い温度で且つ高真空ではな
く、低い真空度で行えること、という要件を満足する必
要がある。本発明者等が研究した結果、そのような要件
を満足する水素吸蔵合金はCaN i系又はLaNi系
の水素吸蔵合金であることが判明した。
は、この放出される水素を水素吸蔵合金によって吸着除
去することを検討した。この場合、設備の簡素化、コス
トの低減という本発明の目的に沿うため、該水素吸蔵合
金は、1)室温近くで極微量の水素と反応すること、2
)水素の反応は可逆的であって、再生が可能であること
、3)活性化処理を比較的低い温度で且つ高真空ではな
く、低い真空度で行えること、という要件を満足する必
要がある。本発明者等が研究した結果、そのような要件
を満足する水素吸蔵合金はCaN i系又はLaNi系
の水素吸蔵合金であることが判明した。
本発明は以上述べた如き知見に基づき完成されたもので
ある。即ち、本発明は、一端に校正用ガス流入口を設け
、他端に校正用ガス流出口を設けてなるガス流通経路を
有し、このガス流通経路内に、TiMn系の水素吸蔵合
金を充填した窒素吸着塔を設け、更にこの窒素吸着塔の
ガス出口側に、CaNi系又はLaNi系の水素吸蔵合
金を充填した水素吸着塔を設けてなることを特徴とする
微量窒素分析計校正用ゼロガス発生器である。
ある。即ち、本発明は、一端に校正用ガス流入口を設け
、他端に校正用ガス流出口を設けてなるガス流通経路を
有し、このガス流通経路内に、TiMn系の水素吸蔵合
金を充填した窒素吸着塔を設け、更にこの窒素吸着塔の
ガス出口側に、CaNi系又はLaNi系の水素吸蔵合
金を充填した水素吸着塔を設けてなることを特徴とする
微量窒素分析計校正用ゼロガス発生器である。
次に、本発明の実施例を図面に基づき説明する。
第1図は本発明のゼロガス発生器の実施例を示すもので
、一端に校正用ガス流入口11を設け、他端に校正用ガ
ス流出口12を設けでなるガス流通経路13を有し、こ
のガス流通経路13内に窒素吸着塔14が設けられ、更
にこの窒素吸着塔14のガス出口側に水素吸着塔15が
設けられている。窒素吸着塔工4のガス入口側には予熱
管16が設けられ、窒素吸着塔14に流入するガスを所
定温度にまで予熱するように構成されている。17は予
熱管16を加熱するためのヒーターである。また、各吸
着塔の近傍にも加熱用のヒーター18.19がそれぞれ
設けられている。20はラインフィルターである。
、一端に校正用ガス流入口11を設け、他端に校正用ガ
ス流出口12を設けでなるガス流通経路13を有し、こ
のガス流通経路13内に窒素吸着塔14が設けられ、更
にこの窒素吸着塔14のガス出口側に水素吸着塔15が
設けられている。窒素吸着塔工4のガス入口側には予熱
管16が設けられ、窒素吸着塔14に流入するガスを所
定温度にまで予熱するように構成されている。17は予
熱管16を加熱するためのヒーターである。また、各吸
着塔の近傍にも加熱用のヒーター18.19がそれぞれ
設けられている。20はラインフィルターである。
21は窒素吸着塔14を出たガスを所定温度まで冷却し
た後、水素吸着塔に導くために設けられた放熱銅管で、
放熱高率を良くするため蛇管状に構成され、この放熱銅
管の近傍には冷却用のファン22が設けられている。
た後、水素吸着塔に導くために設けられた放熱銅管で、
放熱高率を良くするため蛇管状に構成され、この放熱銅
管の近傍には冷却用のファン22が設けられている。
校正用ガス流入口11及び校正用ガス流出口12を有す
るガス流路Aと、窒素吸着塔14及び水素吸着塔15を
有するガス流路Bは六方バルブ23を介して接続されて
おり、この六方バルブ23の切り換え操作によって、ガ
ス流路Aとガス流路Bとが連通又は非連通の状態になる
ように構成されている。
るガス流路Aと、窒素吸着塔14及び水素吸着塔15を
有するガス流路Bは六方バルブ23を介して接続されて
おり、この六方バルブ23の切り換え操作によって、ガ
ス流路Aとガス流路Bとが連通又は非連通の状態になる
ように構成されている。
更に、本発明ゼロガス発生器は活性化処理のために、水
素を給排する機構を備えており、この機構として、水素
ガス供給口24、水素ガス排出口25を有するガス流路
Cが設けられている。26.27はそれぞれストンプバ
ルブである。このガス流路Cは六方バルブ23を介して
ガス流路Bと接続されている。
素を給排する機構を備えており、この機構として、水素
ガス供給口24、水素ガス排出口25を有するガス流路
Cが設けられている。26.27はそれぞれストンプバ
ルブである。このガス流路Cは六方バルブ23を介して
ガス流路Bと接続されている。
窒素吸着塔工4はTiMn系の水素吸蔵合金を管体内部
に充填して構成され、また水素吸着塔15はCaNi系
またはLaNi系の水素吸蔵合金を管体内部に充填して
構成さるものであり、2つの吸着塔は構造的には同一の
もので、その詳細な一構成例を第2図に示す。
に充填して構成され、また水素吸着塔15はCaNi系
またはLaNi系の水素吸蔵合金を管体内部に充填して
構成さるものであり、2つの吸着塔は構造的には同一の
もので、その詳細な一構成例を第2図に示す。
同図において、28は管体で、この管体28として通常
、鋼管(例えば外径20mm、長さ150mm)が用い
られる。この管体28内に水素吸蔵合金の粉末29が充
填される。該粉末の粒度は例えば20/60メンシユで
ある。ところで、水素吸蔵合金の活性化処理に伴い、合
金の微細化により吸着塔内で目詰りを起こし、圧損が大
きくなるおそれがあるが、この圧…の増加を極力防くた
めには、合金粉末29にステンレス粉末30(例えば2
0/40メツシユ)を混合することが好ましい。
、鋼管(例えば外径20mm、長さ150mm)が用い
られる。この管体28内に水素吸蔵合金の粉末29が充
填される。該粉末の粒度は例えば20/60メンシユで
ある。ところで、水素吸蔵合金の活性化処理に伴い、合
金の微細化により吸着塔内で目詰りを起こし、圧損が大
きくなるおそれがあるが、この圧…の増加を極力防くた
めには、合金粉末29にステンレス粉末30(例えば2
0/40メツシユ)を混合することが好ましい。
図中、31は石英ウール、32はステンレス金網、33
はステンレス管、34はガス入口、35はガス出口をそ
れぞれ示す。
はステンレス管、34はガス入口、35はガス出口をそ
れぞれ示す。
窒素吸着塔に充填されるTiMn系の水素吸蔵合金上し
ては、例えばTiMn+、sやTiMn2及びそれらの
改良型即ち、Ti及びMnの2種金属以外に第3、第4
成分を混合した改良型の合金を用いることができる。後
者の改良型合金は温度特性、圧力特性、耐久性、経済性
の点においてTiMn+、sやT i M n 2より
も優れているため、できれば改良型の合金を用いること
が好ましい。このような改良型合金として、一般式: TH、、Z r ((−H) M nM Cr Cu
(1−111(但し、I > n >0.55.1
>m>0.7)で表されるもの、或いは一般式: %式% で表されるものを用いることができる。
ては、例えばTiMn+、sやTiMn2及びそれらの
改良型即ち、Ti及びMnの2種金属以外に第3、第4
成分を混合した改良型の合金を用いることができる。後
者の改良型合金は温度特性、圧力特性、耐久性、経済性
の点においてTiMn+、sやT i M n 2より
も優れているため、できれば改良型の合金を用いること
が好ましい。このような改良型合金として、一般式: TH、、Z r ((−H) M nM Cr Cu
(1−111(但し、I > n >0.55.1
>m>0.7)で表されるもの、或いは一般式: %式% で表されるものを用いることができる。
具体的には、例えば、
T i o、bbZ r o、saM no、e Cr
Cuo、zT 1o、bZ ro、a Mn+、q
Cuo、+Affia、zT ! o、sZ r 0.
2M n 1.’l M Oo、:+T io、7Zr
o、iMno、s CrCuo、z等が挙げられる。
Cuo、zT 1o、bZ ro、a Mn+、q
Cuo、+Affia、zT ! o、sZ r 0.
2M n 1.’l M Oo、:+T io、7Zr
o、iMno、s CrCuo、z等が挙げられる。
また、水素吸着塔に充填される水素吸蔵合金はCaNi
系又はLaNi系であり、CaN1系としては例えばC
aNi5を用いることができ、LaNi系としては例え
ばLaNi。
系又はLaNi系であり、CaN1系としては例えばC
aNi5を用いることができ、LaNi系としては例え
ばLaNi。
を用いることができる。LaNi5 も第3、第4成分
を混合した改良型合金とすることにより、反応時の水素
分圧をある程度コントロールすることができ、水素分圧
が低くても水素の吸着が可能となる。
を混合した改良型合金とすることにより、反応時の水素
分圧をある程度コントロールすることができ、水素分圧
が低くても水素の吸着が可能となる。
CaNi、は第3、第4成分を混合しなくても充分低い
水素分圧から水素と選択的に反応し、1−aNisに第
3、第4成分を混合したものと同等の性能を有する。こ
のCaNi5はLaNi5はどの耐久性はないが、La
Ni5より安価であるという利点がある。
水素分圧から水素と選択的に反応し、1−aNisに第
3、第4成分を混合したものと同等の性能を有する。こ
のCaNi5はLaNi5はどの耐久性はないが、La
Ni5より安価であるという利点がある。
1−aNisの改良型合金として、
一般式: L a N inA P、 (5−n+(但
し、4.5>n>4) で表されるものを用いることができ、具体的には、例え
ば、L a N i 4.5 A ffo、s等が挙げ
られる。上記一般式において、La0代わりにミソシュ
メタル(Mm)を用いたもの、及びAffiの代わりに
Mn、Crを用いたもの、例えば、MmN 1.7AN
o、+やMmNi4.sCr o、3A lo、2T
a o、ozも同様に用いることができる。
し、4.5>n>4) で表されるものを用いることができ、具体的には、例え
ば、L a N i 4.5 A ffo、s等が挙げ
られる。上記一般式において、La0代わりにミソシュ
メタル(Mm)を用いたもの、及びAffiの代わりに
Mn、Crを用いたもの、例えば、MmN 1.7AN
o、+やMmNi4.sCr o、3A lo、2T
a o、ozも同様に用いることができる。
次に、本発明の作用についで説明する。
本発明のゼロガス発生器を用いるに当っては、まず最初
ムこ2つの吸着塔における水素吸蔵合金の活性化処理を
行う。この活性化処理の一例を示すと、まず六方バルブ
23を操作してガス流路Bとガス流路Cとが連通した状
態にし、水素ガス排出口25に真空ポンプを接続し、バ
ルブ27を開け、系内の空気を排気する。次に、バルブ
27を閉し、バルブ26を開け、系内に水素(1〜2k
g/−・g)を導入する。系内のパージを完全にするた
めに以上の操作を更に1〜2回繰り返す。バルブ26を
閉じ、バルブ27を開は系内を減圧(1〜10 tor
r)にした後、ヒーター18.19の電源をONにし、
温度コントローラーを140°Cに設定して、窒素吸着
塔14、水素吸着塔15をそれぞれ少なくとも30分間
加熱する(脱水素過程)。
ムこ2つの吸着塔における水素吸蔵合金の活性化処理を
行う。この活性化処理の一例を示すと、まず六方バルブ
23を操作してガス流路Bとガス流路Cとが連通した状
態にし、水素ガス排出口25に真空ポンプを接続し、バ
ルブ27を開け、系内の空気を排気する。次に、バルブ
27を閉し、バルブ26を開け、系内に水素(1〜2k
g/−・g)を導入する。系内のパージを完全にするた
めに以上の操作を更に1〜2回繰り返す。バルブ26を
閉じ、バルブ27を開は系内を減圧(1〜10 tor
r)にした後、ヒーター18.19の電源をONにし、
温度コントローラーを140°Cに設定して、窒素吸着
塔14、水素吸着塔15をそれぞれ少なくとも30分間
加熱する(脱水素過程)。
次に、ヒーター18.19の電源をOFFにし、両吸着
塔14.15を40°C以下に冷却した後、バルブ27
を閉し、バルブ26を開け、水素ガスを水素ガス供給口
24より導入する。圧力を5〜6kg/c+l1−Gま
でに昇圧させ約30分間、両吸着塔の水素吸蔵合金に水
素を充分吸蔵させる(水素吸蔵過程)。充分に水素吸蔵
合金を活性化させるために以上の操作を2〜3回繰り返
す。水素吸蔵合金を活性化した後、バルブ26を閉し、
バルブ27を開け、系内の水素を排気すると共に、両吸
着塔を段階的に250 ’Cまで昇温させ、1〜2時間
脱気する。
塔14.15を40°C以下に冷却した後、バルブ27
を閉し、バルブ26を開け、水素ガスを水素ガス供給口
24より導入する。圧力を5〜6kg/c+l1−Gま
でに昇圧させ約30分間、両吸着塔の水素吸蔵合金に水
素を充分吸蔵させる(水素吸蔵過程)。充分に水素吸蔵
合金を活性化させるために以上の操作を2〜3回繰り返
す。水素吸蔵合金を活性化した後、バルブ26を閉し、
バルブ27を開け、系内の水素を排気すると共に、両吸
着塔を段階的に250 ’Cまで昇温させ、1〜2時間
脱気する。
このようにして活性化処理を完了した後、窒素吸着塔を
200°Cに設定し、水素吸着塔を冷却し室温で放置す
る。
200°Cに設定し、水素吸着塔を冷却し室温で放置す
る。
次にゼロガス発生の操作手順について説明する。
まず、六方バルブ23を切り換えてガス流路Aとガス流
路Bとを連通させる。校正用ガス流入口IIより窒素を
不純物として含むアルゴンガスを導入し、まず窒素吸着
塔14に流入させる。アルゴンガス中の窒素はこの吸着
塔内の水素吸蔵合金によって吸着除去される。この窒素
吸着に伴い、水素吸蔵合金の格子内に部分的に残存して
いた水素は徐々に放出される。この放出された水素は水
素吸着塔15に導入されることにより、該吸着塔内の水
素吸蔵合金によって吸着除去される。このようにして、
窒素と水素が除去された純アルゴンガス即ち、ゼロガス
が得られ、このゼロガスは校正用ガス流出口12より流
出する。
路Bとを連通させる。校正用ガス流入口IIより窒素を
不純物として含むアルゴンガスを導入し、まず窒素吸着
塔14に流入させる。アルゴンガス中の窒素はこの吸着
塔内の水素吸蔵合金によって吸着除去される。この窒素
吸着に伴い、水素吸蔵合金の格子内に部分的に残存して
いた水素は徐々に放出される。この放出された水素は水
素吸着塔15に導入されることにより、該吸着塔内の水
素吸蔵合金によって吸着除去される。このようにして、
窒素と水素が除去された純アルゴンガス即ち、ゼロガス
が得られ、このゼロガスは校正用ガス流出口12より流
出する。
このゼロガスを分析計に導入することによって分析計の
ゼロ校正を行うことができる。
ゼロ校正を行うことができる。
次に、六方バルブ23を切り換えてガス流路Aとガス流
路Bとを非連通の状態にし、校正用ガス流入口11より
窒素濃度既知のアルゴンガス(標準ガス)を導入する。
路Bとを非連通の状態にし、校正用ガス流入口11より
窒素濃度既知のアルゴンガス(標準ガス)を導入する。
このアルゴンガスはガス流路Aのみを流れて、校正用ガ
ス流出口12より流出し、分析計へ導かれる。これによ
ってスパン校正を行うことかできる。
ス流出口12より流出し、分析計へ導かれる。これによ
ってスパン校正を行うことかできる。
本発明において、活性化処理は、水素吸蔵時には室温、
脱水素時には80°C−150°Cが、また脱水素のた
めの減圧条件は1〜10torrが好ましい。窒素吸着
塔の温度160°C〜250°C1水素吸着塔の温度は
30°C以下が好ましい。
脱水素時には80°C−150°Cが、また脱水素のた
めの減圧条件は1〜10torrが好ましい。窒素吸着
塔の温度160°C〜250°C1水素吸着塔の温度は
30°C以下が好ましい。
本発明のゼロガス発生器を用いたときの窒素及び水素の
吸着状況をガスクロ質量分析計で観察した。この分析の
条件は以下の通りである。
吸着状況をガスクロ質量分析計で観察した。この分析の
条件は以下の通りである。
1)窒素吸着塔の水素吸蔵合金:
T io、hb Zro、3a Mno、s CrCu
a、i2)水素吸着塔の水素吸蔵合金:CaNi53)
標準ガス: 113ppm Nz /A r比較のため
、窒素を含むアルゴンガスを本発明における窒素吸着塔
及び水素吸着塔に通さなかった場合及び窒素吸着塔のみ
に通した場合についても同様に分析を行って観察した。
a、i2)水素吸着塔の水素吸蔵合金:CaNi53)
標準ガス: 113ppm Nz /A r比較のため
、窒素を含むアルゴンガスを本発明における窒素吸着塔
及び水素吸着塔に通さなかった場合及び窒素吸着塔のみ
に通した場合についても同様に分析を行って観察した。
分析の結果は第3図〜第5図に示されている。即ち、第
3図は窒素を含むアルゴンガスを本発明における窒素吸
着塔及び水素吸着塔に通さなかった場合のガスクロ質量
分析計の結果を示すクロマトグラムであり、第4回は同
一ガスを窒素吸着塔のみに通した場合のクロマトグラム
を示している。第4図から窒素吸着塔においてアルゴン
中の窒素は確実に除去されていることが判るが、同時に
水素の流出が認められる。この水素は極微量でも窒素分
析計に対し大きな影響を与え好ましくない。
3図は窒素を含むアルゴンガスを本発明における窒素吸
着塔及び水素吸着塔に通さなかった場合のガスクロ質量
分析計の結果を示すクロマトグラムであり、第4回は同
一ガスを窒素吸着塔のみに通した場合のクロマトグラム
を示している。第4図から窒素吸着塔においてアルゴン
中の窒素は確実に除去されていることが判るが、同時に
水素の流出が認められる。この水素は極微量でも窒素分
析計に対し大きな影響を与え好ましくない。
第5回はさらに同一ガスを窒素吸着塔並びに水素吸着塔
の順で通した場合のクロマトグラムを示しており、窒素
のみならず水素のピークも消え、それらが確実に除去さ
れていることを示している。
の順で通した場合のクロマトグラムを示しており、窒素
のみならず水素のピークも消え、それらが確実に除去さ
れていることを示している。
尚、第5図において窒素のクロマトグラムのプロフィル
は逆向きのピークを示しているが、これは分析計自身の
窒素のバンクグラウンドが高いためであり、窒素は完全
に吸着除去されているといえる。
は逆向きのピークを示しているが、これは分析計自身の
窒素のバンクグラウンドが高いためであり、窒素は完全
に吸着除去されているといえる。
本発明において各吸着塔に充填される水素吸蔵合金は再
生が可能である。この再生のための処理としては、水素
の吸蔵、放出という前述した活性化処理と同様の処理を
行えばよい。尚、TiMn系の水素吸蔵合金の場合は、
再生処理の際、水素を吸着して膨張による割れが生し、
その結果、新しい活性表面が生しるため繰り返しの使用
が可能になるものと考えられる。
生が可能である。この再生のための処理としては、水素
の吸蔵、放出という前述した活性化処理と同様の処理を
行えばよい。尚、TiMn系の水素吸蔵合金の場合は、
再生処理の際、水素を吸着して膨張による割れが生し、
その結果、新しい活性表面が生しるため繰り返しの使用
が可能になるものと考えられる。
本発明は、アルゴンガス中の微量窒素ガスを分析する際
のゼロガス発生器としての用途に限定されない。即ちア
ルゴンガス以外の例えばヘリウムガス等の不活性ガス中
の微量窒素ガスを分析する際のゼロガス発生器としても
同様に用いることができる。
のゼロガス発生器としての用途に限定されない。即ちア
ルゴンガス以外の例えばヘリウムガス等の不活性ガス中
の微量窒素ガスを分析する際のゼロガス発生器としても
同様に用いることができる。
本発明はガス流通経路内に、TiMn系の水素吸蔵合金
を充填した窒素吸着塔、及びCaNi系又はLaNi系
の水素吸蔵合金を充填した水素吸着塔を設けたので、第
1吸着塔としての窒素吸着塔で校正用ガス中の窒素ガス
を確実に吸着除去できると共に、この窒素吸着塔の水素
吸蔵合金より放出される水素を第2吸着塔としての水素
吸着塔で確実に吸着除去でき、容易にゼロガスを製造す
ることができる。
を充填した窒素吸着塔、及びCaNi系又はLaNi系
の水素吸蔵合金を充填した水素吸着塔を設けたので、第
1吸着塔としての窒素吸着塔で校正用ガス中の窒素ガス
を確実に吸着除去できると共に、この窒素吸着塔の水素
吸蔵合金より放出される水素を第2吸着塔としての水素
吸着塔で確実に吸着除去でき、容易にゼロガスを製造す
ることができる。
しかも、本発明によれば窒素吸着に当たって従来のよう
に高温を必要とせず、比較的低い温度で操作でき、また
水素吸着は室温でも充分に行えるという利点がある。更
に活性化処理においても従来のような高温、高真空を必
要とせず、設備的に簡素化できる効果がある。従って、
本発明によれば、真空ポンプ、ヒーター温調器等の簡単
な機器類を備えるだけで容易にゼロガスを製造すること
ができ、コスト的にも極めて有利である。
に高温を必要とせず、比較的低い温度で操作でき、また
水素吸着は室温でも充分に行えるという利点がある。更
に活性化処理においても従来のような高温、高真空を必
要とせず、設備的に簡素化できる効果がある。従って、
本発明によれば、真空ポンプ、ヒーター温調器等の簡単
な機器類を備えるだけで容易にゼロガスを製造すること
ができ、コスト的にも極めて有利である。
更に、本発明において、各吸着塔の水素吸蔵合金はいず
れも再生が可能であり、長期に亘って繰り返し使用でき
るという効果もある。
れも再生が可能であり、長期に亘って繰り返し使用でき
るという効果もある。
第1図は本発明ゼロガス発生器の実施例を示す略図、第
2回は窒素又は水素の吸着塔を示す縞断面図、第3図〜
第5図は校正用ガスのガスクロ質量分析におけるクロマ
トグラムを示す図である。 11・・・校正用ガス流入口 12・・・校正用ガス流
出口 13・・・ガス流通経路 14・・・窒素吸着塔
15・・・水素吸着塔 第 1 図 第 2 図 貴1 11・・・校正用ガス流入口 12・・・校正用ガス流出口 13・・・ガス流通経路 14・・・窒素吸着塔 15・・・水素吸着塔 第 図 □−」 第 図
2回は窒素又は水素の吸着塔を示す縞断面図、第3図〜
第5図は校正用ガスのガスクロ質量分析におけるクロマ
トグラムを示す図である。 11・・・校正用ガス流入口 12・・・校正用ガス流
出口 13・・・ガス流通経路 14・・・窒素吸着塔
15・・・水素吸着塔 第 1 図 第 2 図 貴1 11・・・校正用ガス流入口 12・・・校正用ガス流出口 13・・・ガス流通経路 14・・・窒素吸着塔 15・・・水素吸着塔 第 図 □−」 第 図
Claims (1)
- 一端に校正用ガス流入口を設け、他端に校正用ガス流出
口を設けてなるガス流通経路を有し、このガス流通経路
内に、TiMn系の水素吸蔵合金を充填した窒素吸着塔
を設け、更にこの窒素吸着塔のガス出口側に、CaNi
系又はLaNi系の水素吸蔵合金を充填した水素吸着塔
を設けてなることを特徴とする微量窒素分析計校正用ゼ
ロガス発生器。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP19647890A JPH0481635A (ja) | 1990-07-25 | 1990-07-25 | 微量窒素分析計校正用ゼロガス発生器 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP19647890A JPH0481635A (ja) | 1990-07-25 | 1990-07-25 | 微量窒素分析計校正用ゼロガス発生器 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0481635A true JPH0481635A (ja) | 1992-03-16 |
Family
ID=16358463
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP19647890A Pending JPH0481635A (ja) | 1990-07-25 | 1990-07-25 | 微量窒素分析計校正用ゼロガス発生器 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0481635A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5853902A (en) * | 1994-12-02 | 1998-12-29 | Usui Kokusai Sangyo Kaisha, Ltd. | Metal honeycomb core body |
US6475446B1 (en) | 1996-05-31 | 2002-11-05 | Nissan Motor Co., Ltd. | Carrier body for exhaust gas catalysts |
-
1990
- 1990-07-25 JP JP19647890A patent/JPH0481635A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5853902A (en) * | 1994-12-02 | 1998-12-29 | Usui Kokusai Sangyo Kaisha, Ltd. | Metal honeycomb core body |
US6475446B1 (en) | 1996-05-31 | 2002-11-05 | Nissan Motor Co., Ltd. | Carrier body for exhaust gas catalysts |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US5895519A (en) | Method and apparatus for purifying hydrogen gas | |
US5489327A (en) | Process for purifying hydrogen gas | |
US7736609B1 (en) | Hydrogen purification system | |
US6017502A (en) | Hydrogen purification using metal hydride getter material | |
US6521192B1 (en) | Rejuvenable ambient temperature purifier | |
JPH0481635A (ja) | 微量窒素分析計校正用ゼロガス発生器 | |
FR2601181A1 (fr) | Procede et dispositif pour la decontamination du gaz rejete du cycle de combustible d'un reacteur nucleaire a fusion, gaz rejete contamine par des composants contenant du tritium et/ou du deuterium sous forme combinee chimiquement | |
JP2008003050A (ja) | 不活性ガス雰囲気で融解処理された試料中の元素分析方法および元素分析装置 | |
US5851690A (en) | Hydrogen absorbing alloys | |
JP2977606B2 (ja) | 希ガスの精製方法 | |
Block et al. | Selective absorption of hydrogen by Ti-Mn-based alloys from gas mixtures containing CO or CH4 | |
JPH03165259A (ja) | 水素ガス中の微量不純物の分析方法及びその装置 | |
JP2686466B2 (ja) | 窒素ガス中の微量不純物の分析方法及びその装置 | |
JPH08337402A (ja) | 水素ガスからの不純物除去装置及びその運転方法 | |
JP3292995B2 (ja) | ガスの精製方法および装置 | |
JP2008039643A (ja) | 不活性ガス雰囲気で融解処理された試料中の元素分析方法および元素分析装置 | |
JP3181686B2 (ja) | 水素回収精製装置 | |
JPH0531331A (ja) | 水素同位体の分離方法 | |
JPS6348802B2 (ja) | ||
JPS6313925B2 (ja) | ||
JPH11137969A (ja) | 水素同位体の分離・回収方法及びその装置 | |
JPH04293514A (ja) | 不活性ガス中の微量水素の除去方法および除去装置 | |
JP3213851B2 (ja) | 不活性ガス中の一酸化炭素の除去方法 | |
JPS63103801A (ja) | 水素の精製方法 | |
JP2005349271A (ja) | 同位体選択性吸着剤及び同位体の分離濃縮方法並びに同位体分離濃縮装置 |