JPH0480297A - 洗浄液用添加剤 - Google Patents
洗浄液用添加剤Info
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Abstract
め要約のデータは記録されません。
Description
ことができる洗浄液用添加剤に関するものであり、特に
有害金属不純物の含有量を極めて微小量とすることが要
求される電子工業用洗浄液に使用される洗浄液用添加剤
に関する。
野での洗浄剤は通常の洗浄の対象である油脂を除くだけ
でなく、微粒子や金属元素の汚染を除かねばならない。
面活性剤に関しては、微粒子除去能力についてはほとん
ど考慮されていない。
ウムや鉄、銅等が1平方センチメートル当たりピコグラ
ム程度の微量すら有害の場合があり、また液晶用のガラ
ス基板とか薄膜デバイスの基板等でも同様にナトリウム
等の微量残存が有害である。このようなものの洗1とし
て界面活性剤を添加した酸やアルカリの液を利用すると
、界面活性剤分子が被洗浄体表面に吸着するだけでなく
、同時に液中の不純物も非常に吸着しやすい。
て界面活性剤が使われる場合は、その特性が限定される
。一般に市販の界面活性剤は非金属性と称されるもので
も、原液換算でppmオーダーの種々の金属元素を不純
物として含有している。
ないものでも数ppn+程度含まれている。そのため、
電子工業用の洗浄液に使用される界面活性剤としては、
強い洗浄力と共にこのような金属不純物に対して十分な
精製が可能でなければならない。
ルキルフェノールエーテル等の、陽イオン交換樹脂によ
って高純度化の可能な非イオン性の炭化水素系界面活性
剤が使われている。
浄を必要とするのは、製造プロセスでこれらと直接、あ
るいは間接に接触する器具類である。特にフン素樹脂製
品と石英ガラス製品が多いが、後者はフッ酸系の洗浄剤
で表面がエツチングされて清浄化が容易であるのに対し
、前者の表面は強い親油性のため油脂膜が強く汚染し、
かつ耐薬品性のため高清浄化洗浄が難しい。その洗浄に
界面活性剤を使う場合は、上記の様な高純度化炭化水素
系が使われている。
のフッ素樹脂の清浄化はデバイス性能の高度化と共にま
すます精密さを要求している。界面活性剤を使用する場
合、その作用を強化しようとすると、酸あるいはアルカ
リ等による化学反応力との相乗作用を利用せねばならな
い。
カリを高濃度で使用する必要がある。また、界面活性力
を強める必要があり、できるだけ表面張力を低くできる
界面活性剤が望ましい。
剤は炭化水素系に比して、はるかに低い表面張力を示し
、また化学的安定性が優れており、強酸や強アルカリあ
るいは酸化剤・還元剤を含む液の中でもその表面活性は
安定に保たれる。そこで既に半導体分野では、陰イオン
系のパーフルオロアルキルスルフォン酸のアンモニウム
塩がシリコンウェーハのフッ酸系のエツチング液の濡れ
性をよくする目的で添加されている。
複雑で、工業生産ではナトリウム等の金属不純物レベル
が比較的に高いという問題がある。
%(固形分)に水で稀釈し、上述のように陽イオン交換
樹脂による精製を試みたが、パーフルオロアルキルのア
ミンオキサイドでも、エチレンオキサイド付加物でもナ
トリウム濃度を効果的に低減できなかった。
あたって、特に重要なのは樹脂表面に付着した微粒子の
除去である。これらの器具では成型加工の容易なテフロ
ンPFA (4フツ化エチレンパーフルオロアルコキシ
エチレン)が使われることが多く、酸やアルカリ洗浄で
のウェーハキャリアが主な物である。洗浄液は加熱して
使用されるので、フッ素樹脂といえども長時間使用して
いる間には表面が僅かに侵触されて微細な間隙を生じ、
被洗浄体の破砕微粉や樹脂からの離脱粉が捕捉される。
洗浄時にこれらの微粉がウェーハを逆に汚染してしまう
。そこで洗浄効果の強力なかつ高純度のフッ素系界面活
性剤が必要である。
金属不純物の除去が有効に行われ、しかも微粒子除去効
果の大きいフッ素系界面活性剤を成分とする洗浄液用添
加剤を提供することを目的とする。
であり、 Aは、C0NH基またはSO□NH基であり、Xは、N
O3,1/2SO4、I、Br、Cf、及びC1o4の
何れかを示す、 で表される第4級アンモニウム化合物を成分とするもの
である。
大きくなり、はぼ粒径の自乗に反比例する程である。従
って洗浄液の微粒子除去能力を計るために、後述する実
施例に示す通り、被洗浄体表面に放射性同位元素で標識
したコロイド粒子を汚染させ、それらの洗浄後の残存率
を放射能係数値の比率から求める放射化学的手法を用い
て測定した。被洗浄体のフッ素樹脂はPFAで代表させ
、一定の形状のものを発煙硝酸中にIO日間浸漬して表
面を荒らし、長期間酸洗浄処理を受けた表面に対応させ
て、洗浄効果比較試験用試験片とし、種々の界面活性剤
の洗浄特性を比較した。この試験結果から明らかな通り
、上記−数式[I)で表される第4級アンモニウム化合
物は、微粒子に対する洗浄効果が極めて優れている。ま
たこの第4級アンモニウム化合物について、陽イオン交
換樹脂による精製効果を追跡したところ、ナトリウム等
の金属不純物質が有効に除去され、極めて高純度の添加
剤が得られることを確認した。
る第4級アンモニウム化合物を成分とするものであるが
、この第4級アンモニウム化合物は、以下のようにして
合成される。
ある場合には、出発原料として下記−数式〔■〕 H3 / (式中、Rfは前記の通り) で表されるアミン化合物を使用する。このアミン化合物
は、前記Rfに対応するパーフルオロアルキル基を有す
るパーフルオロアルキルカルボン酸の低級アルキルエス
テルとジメチルアミノプロピルアミンとの反応によって
得られる。
ある場合には、出発原料として下記−数式〔■]/ RfSOzN)l(CHzhN
(m ]\ H3 (式中、Rfは前記の通り) で表されるアミン化合物を使用する。このアミン化合物
は、アルキルスルホニルクロライドの電解フッ素化で生
成するパーフルオロアルキルスルホニルクロライドとジ
メチルアミノプロピルアミンとの反応によって得られる
。
)または〔■〕で表されるアミン化合物を硝酸、硫酸、
ヨウ化水素酸、臭化水素酸、塩酸、あるいは過塩素酸で
中和したのち、更に酸化エチレンを反応させることによ
って容易に得られるものである。
た第4級アンモニウム化合物を成分とするものである。
いて、本発明の優れた効果を発揮するためには、Rfは
、炭素原子数4〜10のパーフルオロアルキル基である
ことが重要である。パーフルオロアルキル基の炭素数が
3以下の場合、及び11以上の場合は、洗浄力が大巾に
低下するという不都合を生じる。
化合物は陽イオン性界面活性剤であるにも拘らず、p旧
3の水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液中でも安定
で、100ppb程度の微量でも表面張力を20dyn
es/cm程度に下げ得て洗浄効果が十分に得られる。
下げられ、洗浄効果が期待できる。
1)で表される分子構造を有している限りにおいて、訂
の炭素数、A及びXの如何によらず、陽イオン交換樹脂
で精製が可能である。合成直後は通常固形分濃度で50
%程度のものが得られるが、上述の合成工程は製造環境
からの金属汚染の管理が容易であり、また含金属物質を
原料としないので比較的金属不純物の少ない合成品が得
られる。すなわち、最も量の多いナトリウムが数ppt
*カルシウムがこれに次ぎ、カリウム、鉄、銅、アルミ
ニウム等は1pp−ないし0.lppm+程度に制御出
来る。さらに、固形分濃度が10%程度となるように水
で稀釈して、陽イオン交換樹脂で処理するとナトリウム
は10ppb以下、他の金属元素は数ppb以下となる
。
性洗浄液に添加され、これに優れた微粒子除去効果を与
える。このようなアルカリ性洗浄液としては、例えばコ
リンf(CH3) 3N (C2H4OH)・0旧、水
M化テトラメチルアンモニウム等の第4級アンモニウム
、グアニジン及びこれらの酸付加塩(例えばケイ酸コリ
ン、炭酸グアニジン等)等の強塩基性物質を含む洗浄液
を挙げることができ、該洗浄液を室温で使用する場合、
pFIは11以上であることが好適である。また酸性洗
浄液としては、例えば硝酸、硫酸、塩酸等の酸性物資を
含む洗浄液を挙げることができ、該洗浄液の酸濃度はI
ON以上であることが好適である。
の成分である第4級アンモニウム化合物が、100〜5
00ppmの濃度となるような量で十分である。従って
、洗浄液中の本則に起因するナトリウムその他の金属元
素は数十ppt以下のオーダとなり、はぼ18メグオー
ムの超純水中のレヘルと匹敵するものとなるので、ナト
リウム等の金属元素による汚染を有効に回避することが
可能となる。
工業用のフッ素樹脂器具の洗浄に特に効果的であるが、
それに限定されるものではなく、ポリプロピレン、ポリ
エチレンその他のプラスチック器具の洗浄に有効である
。また、液晶用ガラス基板や石英ガラス基板等二酸化ケ
イ素表面の脱脂除塵にも有効である他、特定の場合には
シリコンウェーハのような半導体基板の洗浄にも使用可
能な程、高純度な洗浄剤を提供するものである。
ので、10日間発煙硝酸中に浸漬して表面を荒らしたも
のである。試験の重点は微粒子除去能力とし、既述した
理由から除去の難しい超微粒子領域の、即ちコロイド汚
染に対する除去能力を調べることで洗浄能力の比較を容
易にした。試験法は放射性同位元素によるトレーサ法で
ある。試験片は+ 9 @ A uで標識した金コロイ
ドを分散した液に浸漬して、まずPFA表面の荒らされ
た微間隙に付着させ、純水でリンスしてから乾燥し1夜
放置した後、59Feで標識した塩化鉄液を塗布し、最
後に牛脂を塗布したもので、微粒子汚染、金属イオン汚
染、油脂汚染をシミュレートした。尚比較のため牛脂を
塗布しない試料も作成した。放射能測定はマルチチャン
ネルアナライザーによった。尚以下界面活性剤の濃度(
%)はいずれも固形分の重量%を示す。
去効果はアルカリ性の場合が優れている例が多いので、
市販の代表的な洗浄用界面活性剤と洗浄効果を比較した
。それらを含む水酸化テトラメチルアンモニウム5%溶
液中に24時間上記試験片を浸した後、金コロイドと鉄
イオンの残存率を試験片に牛脂を塗布したものとしない
もの(括弧内の値)との比較で示した。結果を表1に示
す。
強い洗浄効果を示す。しかも微粒子除去能力に関して炭
化水素系よりはるかに強力である。
イオンに対してはいずれの場合もかなりの洗浄効果があ
る。試験片の牛脂塗布の有無に関して、両者の残存率の
差は実験誤差の範囲内であり、また鉄イオンの除去が進
んでいる所から、いずれの界面活性剤でも脱脂は十分に
行なわれたといえる。
中での金コロイドに対する洗浄効果について、上記牛脂
塗布試験片で比較した。実験条件は前例と同じである。
2人に示す。
が、金コロイドの除去についてはFlと両性のパーフル
オロアルキルベタイン系のものが明らかに優れている。
ネス原子吸光分析法による分析結果と、この両者それぞ
れの水による稀釈液(固形分10%)を陽イオン交換樹
脂筒を通過させて精製し、同様に分析を行った結果を表
2Bに例示する。
使っているため不純物としてナトリウムが多く、これは
陽イオン交換樹脂で効果的な除去が出来ないのは表示の
とおりである。Flについては陽イオン交換樹脂による
精製が非常に有効である。
品を作成した。
・ C20 ・・・F2 \ CH3 / C1゜F2IC0NH(CFIZ)3NのC2H40H
−Bre ・・・F3 \ CH3 CH3 / C+1F23cONH(CH2)、NeC,H,OH・ O3e ・・・F4 \ CH3 / C4F9CONH(CH2)3NΦ CZLOH・ O1e ・・・F5 \ CFI。
・I e\ CH3 ・・・F6 CH。
OH・\ CH:l [l/2 O4i e ・・・F7 CH3 / これらを前例と同じく水酸化テトラメチルアンモニウム
の5%溶液中にそれぞれ0.01%加えた試験液で、+
911Au標識金コロイドの付着したPFA試験片に対
する洗浄効果を比較した。試験片を24時間試験液中に
浸した後、試験片の金コロイド残存率を求めたものを表
3で示す。
の炭素数は4〜10の範囲が有効であることが分る。
ス片を浸漬させて作成したコロイド粒子付着試験片に対
する、アルカリ洗浄での本発明化合物の添加効果を調べ
た。試験液として炭酸グアニジン0.1%液を用い、こ
れに試験片を12時間浸漬して、石英ガラス上の超微粒
子残存を測定した。結果は表4のとおりである。
洗浄よりも酸系の洗浄が有効であるから、S 9 p
eで標識した塩化鉄を〜1 ng/cm”程度吸着させ
たフッ素樹脂PFA並びにPTFEに対する、酸洗浄で
の本発明の化合物の添加効果を調べた。それぞれの試験
片の塩化鉄の吸着は水溶液への浸漬で行い、吸着後乾燥
して2時間放置したものに対し、フッ素樹脂に対する代
表的な酸洗浄剤である硝酸を用い、5分の浸漬で比較を
行い、次の表5に示す結果を得た。
域ではクーロン力の支配が大きい。フッ素樹脂は帯電性
のもっとも強い物質であり、しがも実施例の比較試験に
用いたPFA片は薬品処理で表面が荒らされており、微
粒子はその微細な間隙に強く捕捉される。粒子の付着力
は粒径が細かくなる程急激に強大になるので、コロイド
SRMの超微粒子は除去が極めて難しい。このような厳
しい条件での試験において、本発明で提示されたフン素
糸界面活性剤はアルカリ洗浄剤への添加により、優れた
脱微粒子効果を示すことが明らかとなった。従ってこの
PFA試験片での結果から、他の材質のプラスチック例
えばポリプロピレン、ポリエチレン等の帯電性の強い材
料に対しても効果的であることはいうまでもない。また
実施例4に示すように石英ガラス等にも有効である。し
かも本発明の化合物は10%以下に水で稀釈して陽イオ
ン交換樹脂で処理することにより半導体プロセス材料と
して十分な高純度化が可能である。洗浄液中では添加量
は0.01%程度で十分なのでナトリウム、鉄等の有害
金属をo、otppb以下とすることが出来−る。
吸着のような化学汚染に対して、洗浄効果を著しく強化
し得ることが実施例5より明らかである。
Claims (2)
- (1)下記一般式〔 I 〕、 ▲数式、化学式、表等があります▼〔 I 〕 式中、 Rfは、炭素原子数4〜10のパーフルオロアルキル基
であり、 Aは、CONH基またはSO_2NH基であり、Xは、
NO_3、1/2SO_4、I、Br、Cl、及びCl
O_4の何れかを示す、 で表される第4級アンモニウム化合物を成分とする洗浄
液用添加剤。 - (2)固形分濃度が10重量%となるように希釈したと
きのナトリウム含量が10ppb以下である高純度の請
求項1に記載の洗浄液用添加剤。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP19436790A JP2866161B2 (ja) | 1990-07-23 | 1990-07-23 | 洗浄液用添加剤 |
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Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0662705A2 (en) * | 1994-01-07 | 1995-07-12 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Cleaning agent for semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device |
EP0827188A2 (en) * | 1996-08-09 | 1998-03-04 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Cleaning liquid for producing semiconductor device and process for producing semiconductor device using same |
US5876509A (en) * | 1995-08-18 | 1999-03-02 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Cleaning solution for cleaning semiconductor device and cleaning method using the same |
KR100370695B1 (ko) * | 1995-03-27 | 2003-03-19 | 가부시키가이샤 퓨아렉스 | 실리콘웨이퍼세정액및이를사용하는실리콘웨이퍼의세정방법 |
CN114479808A (zh) * | 2020-10-23 | 2022-05-13 | 中国石油化工股份有限公司 | 一种天然气藏解水锁剂及其制备方法和应用 |
-
1990
- 1990-07-23 JP JP19436790A patent/JP2866161B2/ja not_active Expired - Lifetime
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EP0827188A3 (en) * | 1996-08-09 | 1998-08-19 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Cleaning liquid for producing semiconductor device and process for producing semiconductor device using same |
CN114479808A (zh) * | 2020-10-23 | 2022-05-13 | 中国石油化工股份有限公司 | 一种天然气藏解水锁剂及其制备方法和应用 |
CN114479808B (zh) * | 2020-10-23 | 2023-07-04 | 中国石油化工股份有限公司 | 一种天然气藏解水锁剂及其制备方法和应用 |
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