JPH0479975B2 - - Google Patents
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- JPH0479975B2 JPH0479975B2 JP7225984A JP7225984A JPH0479975B2 JP H0479975 B2 JPH0479975 B2 JP H0479975B2 JP 7225984 A JP7225984 A JP 7225984A JP 7225984 A JP7225984 A JP 7225984A JP H0479975 B2 JPH0479975 B2 JP H0479975B2
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Landscapes
- Silicon Compounds (AREA)
Description
〔技術分野〕
本発明はプラズマを利用した一酸化珪素の製造
方法に関する。 〔従来技術〕 一酸化珪素（SiO）は、窒化珪素（Si3N4）粉
末、炭化珪素（SiO）粉末およびウイスカー等を
製造するための中間生成物として重要であり、ま
たIC（集積回路）のコーテイング材や光学薄膜等
に使用されている。 この一酸化珪素を製造する方法としては、(a)二
酸化珪素（SiO2）とカーボン(C)の固相−固相反
応によるもの、(b)二酸化珪素とシリコン（Si）の
固相−固相反応によるもの、(c)二酸化珪素とカー
ボンとフツ化物、アルカリ金属酸化物等の添加剤
との固相−液相反応によるものがある。 ところで、上記いずれの方法も二酸化珪素を還
元するものであり、固相−固相反応または固相−
液相反応であるため、二酸化珪素の生成速度が遅
く、生産性に劣るという問題がある。このため、
二酸化珪素が高価なものとなつている。 〔発明の目的〕 本発明は、上記従来技術の問題を解決するため
になされたもので、本発明の目的は、プラズマを
利用することにより、二酸化珪素の生産性を向上
し、低コスト化を図ることにある。 〔発明の構成〕 かかる目的は、本発明によれば、シリコン金属
粉末を、キヤリアガスを用いて70ｇ／min以上の
供給量で、雰囲気ガス中に噴出しているプラズマ
ジエツト中に投入し、蒸気としたシリコン金属粉
末を、キヤリアガスおよび雰囲気ガスのうち少な
くともいずれか一方に含有されている酸素ガスと
接触させることにより合成反応を起こさせ、この
合成反応で生じる反応フレームを維持しつつ連続
的に一酸化珪素蒸気を生成し、この一酸化珪素蒸
気を急冷して得られた粗生成物を1400℃〜1800℃
で蒸留することを特徴とする一酸化珪素の製造方
法によつて達成される。 本発明において、目的とする一酸化珪素の一部
を形成する金属粉末としては、シリコン金属粉末
を用いる。 この金属粉末は、キヤリアガスを用いて、70
ｇ／min以上の供給量でプラズマジエツト中に投
入される。70ｇ／min以上としたのは、これ以上
でないと反応フレームが十分維持できないからで
ある。また、180ｇ／min以上とすれば、更に反
応フレームが大きくなりかつ安定化する。なお、
金属粉末の粒径は400μm以下であることが望まし
い。また、キヤリアガスは、金属粉末をプラズマ
ジエツトに供給するために用いるもので、不活性
ガスの他、反応ガスである酸素ガスを用いてもよ
い。 この金属粉末の供給は、連続的に行うのが望ま
しいが、間欠的であつてもよい。間欠的に供給す
る場合は、１秒以下の間隔とすることが必要であ
り、これ以下であれば安定的に連続して反応フレ
ームが形成される。 プラズマジエツトの周囲の雰囲気は、反応ガス
である酸素ガスあるいは不活性ガスで満たされ
る。このとき、キヤリアガスとして不活性ガスを
用いた場合には、雰囲気ガスには必ず酸素ガスが
含まれる。一方、キヤリアガスとして酸素ガスを
用いた場合には、雰囲気ガスは酸素ガスと不活性
ガスのうちどちらでもよい。 シリコン金属粉末と酸素ガスの反応の結果得ら
れた一酸化珪素蒸気は、冷却板等に衝突して急冷
され、一酸化珪素の粗生成物を生成する。この粗
生成物は1400℃〜1800℃に加熱され、蒸留され
る。この結果、蒸気圧の高い一酸化珪素が精製さ
れる。 〔発明の作用〕 本発明においては、プラズマジエツト中に供給
されたシリコン金属粉末は蒸気となり、酸素ガス
と反応して一酸化珪素を合成する。この合成反応
により生じた発熱により、更に他のシリコン金属
蒸気と酸素ガスの合成反応が促進され、プラズマ
ジエツトを包囲する反応フレーム（反応炎）が形
成される。このとき、反応フレーム内の温度は、
プラズマからの熱および反応熱により3000〓
（2727℃）以上に昇温する。この3000〓〜4000〓
の温度では、第３図に示すように、一酸化珪素が
最も多く安定的に存在する。このため、以後は一
定量のシリコン金属粉末を供給し続ければ、プラ
ズマジエツトおよび一酸化珪素自体の生成時の発
熱により、反応フレームは安定化し、次々に一酸
化珪素の粗生成物が生産される。その後は、この
一酸化珪素の粗生成物を蒸留することにより、高
純度な一酸化珪素が得られる。 〔発明の効果〕 以上より、本発明によれば、以下の効果を奏す
る。 (イ) 原料のシリコン金属粉末蒸気と酸素ガスの反
応の際生じる発熱により、他のシリコン金属粉
末の蒸気化が促進されるので、外部から与える
熱エネルギはプラズマのみでよく、熱効率が極
めて良い。従つて、低コスト化が図れる。 (ロ) 反応フレームが安定的に形成されるため、連
続的に大量の一酸化珪素が得られ、極めて効率
がよく、均質な一酸化珪素が量産性よく得られ
る。 (ハ) シリコン金属粉末原料は不純物が多くてもよ
く、低コスト化が図れる。 (ニ) 蒸留により一酸化珪素の粒度を任意に制御で
きる。従つて、適用範囲が広がる。 〔実施例〕 次に、本発明の実施例を図面を参考にして説明
する。 ここで、第１図は本発明の実施例に使用した一
酸化珪素製造装置の概要を示す概略構成図、第２
図は本発明の実施例で使用した蒸留炉の概要を示
す概略構成図である。 第１図において、１はプラズマ装置のノズルで
あり、タングステン陰極２と銅陽極３からなる。
このタングステン陰極２と銅陽極３で形成される
通路４には、プラズマガスが供給される。また、
５は金属粉末６とキヤリアガスを供給する供給管
であり、上記銅陽極３に接続され、銅陽極３を貫
通して通路４に開口している。 ノズル１の先端部は密閉容器７内に開口してお
り、この密閉容器７には、雰囲気ガス供給管８と
排気管９が取り付けられている。 また、密閉容器７内において、ノズル１と対向
する位置に、所定間隔を保つて水冷銅板１０が配
設されている。 かかる一酸化珪素製造装置を用いて、一酸化珪
素を製造した。 まず、密閉容器７内を不活性ガスである窒素で
満たした後、プラズマガスとして一次ガスと二次
ガスの混合ガスをタングステン陰極２と銅陽極３
の間の通路４に流す。このとき、一次ガスとして
アルゴンガスを、二次ガスとして水素ガスを用
い、それぞれ54／min、５／minの割合で供
給する。そして、タングステン陰極２と銅陽極３
の間に約50V、600Aの電流を流しプラズマを発
生させる。このプラズマは、図に示すように、密
閉容器７内にプラズマジエツト１１となつて噴出
する。 次いで、供給管５からキヤリアガスとして酸素
ガスを用いて平均粒径100μmのシリコン金属粉末
を供給する。このとき、酸素ガスの供給量は70
／minであり、珪素粉末の供給量で180ｇ／
minとした。すると、第１図に示すように、プラ
ズマジエツト１１の周りに大きな反応フレーム１
２を形成してシリコン金属粉末と酸素ガスが反応
し、一酸化珪素が合成される。この反応は発熱反
応であるため、反応による発熱によりシリコン金
属粉末の蒸気化が促進され、プラズマジエツト１
１による熱と反応熱により反応フレーム１２が維
持されつつ反応が進行する。かくして製造された
一酸化珪素蒸気は、ノズル１前方の水冷銅板１０
に衝突し、急冷されて酸化が抑えられる。このと
き、水冷銅板１０のノズル１からの位置を３通り
に変えて行つた。この結果、第１表からも明らか
なように、最も温度の高い300mm付近のものが最
も収率がよくなつているのが判る。
方法に関する。 〔従来技術〕 一酸化珪素（SiO）は、窒化珪素（Si3N4）粉
末、炭化珪素（SiO）粉末およびウイスカー等を
製造するための中間生成物として重要であり、ま
たIC（集積回路）のコーテイング材や光学薄膜等
に使用されている。 この一酸化珪素を製造する方法としては、(a)二
酸化珪素（SiO2）とカーボン(C)の固相−固相反
応によるもの、(b)二酸化珪素とシリコン（Si）の
固相−固相反応によるもの、(c)二酸化珪素とカー
ボンとフツ化物、アルカリ金属酸化物等の添加剤
との固相−液相反応によるものがある。 ところで、上記いずれの方法も二酸化珪素を還
元するものであり、固相−固相反応または固相−
液相反応であるため、二酸化珪素の生成速度が遅
く、生産性に劣るという問題がある。このため、
二酸化珪素が高価なものとなつている。 〔発明の目的〕 本発明は、上記従来技術の問題を解決するため
になされたもので、本発明の目的は、プラズマを
利用することにより、二酸化珪素の生産性を向上
し、低コスト化を図ることにある。 〔発明の構成〕 かかる目的は、本発明によれば、シリコン金属
粉末を、キヤリアガスを用いて70ｇ／min以上の
供給量で、雰囲気ガス中に噴出しているプラズマ
ジエツト中に投入し、蒸気としたシリコン金属粉
末を、キヤリアガスおよび雰囲気ガスのうち少な
くともいずれか一方に含有されている酸素ガスと
接触させることにより合成反応を起こさせ、この
合成反応で生じる反応フレームを維持しつつ連続
的に一酸化珪素蒸気を生成し、この一酸化珪素蒸
気を急冷して得られた粗生成物を1400℃〜1800℃
で蒸留することを特徴とする一酸化珪素の製造方
法によつて達成される。 本発明において、目的とする一酸化珪素の一部
を形成する金属粉末としては、シリコン金属粉末
を用いる。 この金属粉末は、キヤリアガスを用いて、70
ｇ／min以上の供給量でプラズマジエツト中に投
入される。70ｇ／min以上としたのは、これ以上
でないと反応フレームが十分維持できないからで
ある。また、180ｇ／min以上とすれば、更に反
応フレームが大きくなりかつ安定化する。なお、
金属粉末の粒径は400μm以下であることが望まし
い。また、キヤリアガスは、金属粉末をプラズマ
ジエツトに供給するために用いるもので、不活性
ガスの他、反応ガスである酸素ガスを用いてもよ
い。 この金属粉末の供給は、連続的に行うのが望ま
しいが、間欠的であつてもよい。間欠的に供給す
る場合は、１秒以下の間隔とすることが必要であ
り、これ以下であれば安定的に連続して反応フレ
ームが形成される。 プラズマジエツトの周囲の雰囲気は、反応ガス
である酸素ガスあるいは不活性ガスで満たされ
る。このとき、キヤリアガスとして不活性ガスを
用いた場合には、雰囲気ガスには必ず酸素ガスが
含まれる。一方、キヤリアガスとして酸素ガスを
用いた場合には、雰囲気ガスは酸素ガスと不活性
ガスのうちどちらでもよい。 シリコン金属粉末と酸素ガスの反応の結果得ら
れた一酸化珪素蒸気は、冷却板等に衝突して急冷
され、一酸化珪素の粗生成物を生成する。この粗
生成物は1400℃〜1800℃に加熱され、蒸留され
る。この結果、蒸気圧の高い一酸化珪素が精製さ
れる。 〔発明の作用〕 本発明においては、プラズマジエツト中に供給
されたシリコン金属粉末は蒸気となり、酸素ガス
と反応して一酸化珪素を合成する。この合成反応
により生じた発熱により、更に他のシリコン金属
蒸気と酸素ガスの合成反応が促進され、プラズマ
ジエツトを包囲する反応フレーム（反応炎）が形
成される。このとき、反応フレーム内の温度は、
プラズマからの熱および反応熱により3000〓
（2727℃）以上に昇温する。この3000〓〜4000〓
の温度では、第３図に示すように、一酸化珪素が
最も多く安定的に存在する。このため、以後は一
定量のシリコン金属粉末を供給し続ければ、プラ
ズマジエツトおよび一酸化珪素自体の生成時の発
熱により、反応フレームは安定化し、次々に一酸
化珪素の粗生成物が生産される。その後は、この
一酸化珪素の粗生成物を蒸留することにより、高
純度な一酸化珪素が得られる。 〔発明の効果〕 以上より、本発明によれば、以下の効果を奏す
る。 (イ) 原料のシリコン金属粉末蒸気と酸素ガスの反
応の際生じる発熱により、他のシリコン金属粉
末の蒸気化が促進されるので、外部から与える
熱エネルギはプラズマのみでよく、熱効率が極
めて良い。従つて、低コスト化が図れる。 (ロ) 反応フレームが安定的に形成されるため、連
続的に大量の一酸化珪素が得られ、極めて効率
がよく、均質な一酸化珪素が量産性よく得られ
る。 (ハ) シリコン金属粉末原料は不純物が多くてもよ
く、低コスト化が図れる。 (ニ) 蒸留により一酸化珪素の粒度を任意に制御で
きる。従つて、適用範囲が広がる。 〔実施例〕 次に、本発明の実施例を図面を参考にして説明
する。 ここで、第１図は本発明の実施例に使用した一
酸化珪素製造装置の概要を示す概略構成図、第２
図は本発明の実施例で使用した蒸留炉の概要を示
す概略構成図である。 第１図において、１はプラズマ装置のノズルで
あり、タングステン陰極２と銅陽極３からなる。
このタングステン陰極２と銅陽極３で形成される
通路４には、プラズマガスが供給される。また、
５は金属粉末６とキヤリアガスを供給する供給管
であり、上記銅陽極３に接続され、銅陽極３を貫
通して通路４に開口している。 ノズル１の先端部は密閉容器７内に開口してお
り、この密閉容器７には、雰囲気ガス供給管８と
排気管９が取り付けられている。 また、密閉容器７内において、ノズル１と対向
する位置に、所定間隔を保つて水冷銅板１０が配
設されている。 かかる一酸化珪素製造装置を用いて、一酸化珪
素を製造した。 まず、密閉容器７内を不活性ガスである窒素で
満たした後、プラズマガスとして一次ガスと二次
ガスの混合ガスをタングステン陰極２と銅陽極３
の間の通路４に流す。このとき、一次ガスとして
アルゴンガスを、二次ガスとして水素ガスを用
い、それぞれ54／min、５／minの割合で供
給する。そして、タングステン陰極２と銅陽極３
の間に約50V、600Aの電流を流しプラズマを発
生させる。このプラズマは、図に示すように、密
閉容器７内にプラズマジエツト１１となつて噴出
する。 次いで、供給管５からキヤリアガスとして酸素
ガスを用いて平均粒径100μmのシリコン金属粉末
を供給する。このとき、酸素ガスの供給量は70
／minであり、珪素粉末の供給量で180ｇ／
minとした。すると、第１図に示すように、プラ
ズマジエツト１１の周りに大きな反応フレーム１
２を形成してシリコン金属粉末と酸素ガスが反応
し、一酸化珪素が合成される。この反応は発熱反
応であるため、反応による発熱によりシリコン金
属粉末の蒸気化が促進され、プラズマジエツト１
１による熱と反応熱により反応フレーム１２が維
持されつつ反応が進行する。かくして製造された
一酸化珪素蒸気は、ノズル１前方の水冷銅板１０
に衝突し、急冷されて酸化が抑えられる。このと
き、水冷銅板１０のノズル１からの位置を３通り
に変えて行つた。この結果、第１表からも明らか
なように、最も温度の高い300mm付近のものが最
も収率がよくなつているのが判る。
【表】
この合成した一酸化珪素粗生成物は、水冷銅板
１０から採取され、第２図に示す蒸留炉に入れら
れる。 第２図において、蒸留炉１３は蒸発室１４と捕
集室１５とからなり、この蒸発室１４と捕集室１
５は細管１５を介して連通されている。また、蒸
発室１４の周囲には、加熱手段としてのヒータ１
７が設けられ、捕集室１５は図示しない排気系へ
接続されている。 この蒸留炉１３に一酸化珪素の粗生成物１８を
入れ、蒸発室１４と捕集室１５内を排気し、酸素
分圧を低くする。続いて、蒸発室１４をヒータ１
７で1500℃前後に加熱し、一酸化珪素のみを蒸発
させた。蒸発した一酸化珪素は、減圧されている
捕集室１５に細管１６を通して導入され、捕集室
１５に付着する。 この結果、平均粒径500Åで純度99.9％の一酸
化珪素粉末が得られた。 以上、本発明の特定の実施例について説明した
が、本発明は、この実施例に限定されるものでは
なく、特許請求の範囲に記載の範囲内で種々実施
態様が包含されるものである。 例えば、実施例ではキヤリアガスとして酸素ガ
スを用いたが、雰囲気ガスとして酸素ガスを用い
てもよい。 また、ノズルと水冷銅板の間隔は、実施例では
300mmが最も効率がよかつたが、これはシリコン
金属粉末やキヤリアガスの量等により反応フレー
ムの大きさが変わるため、条件が変わればその都
度最も適した間隔を定める必要がある。要は、最
も温度の高いところで水冷銅板に当てるのが望ま
しい。 また、実施例ではシリコン金属粉末を連続的に
噴射したが、例えば0.5秒ごとに間欠的に噴射し
てもよい。 更に、実施例では一酸化珪素粗生成物を約1500
℃で蒸留精製したが、この温度は不純物（他の金
属酸化物）の量により変わるものである。
１０から採取され、第２図に示す蒸留炉に入れら
れる。 第２図において、蒸留炉１３は蒸発室１４と捕
集室１５とからなり、この蒸発室１４と捕集室１
５は細管１５を介して連通されている。また、蒸
発室１４の周囲には、加熱手段としてのヒータ１
７が設けられ、捕集室１５は図示しない排気系へ
接続されている。 この蒸留炉１３に一酸化珪素の粗生成物１８を
入れ、蒸発室１４と捕集室１５内を排気し、酸素
分圧を低くする。続いて、蒸発室１４をヒータ１
７で1500℃前後に加熱し、一酸化珪素のみを蒸発
させた。蒸発した一酸化珪素は、減圧されている
捕集室１５に細管１６を通して導入され、捕集室
１５に付着する。 この結果、平均粒径500Åで純度99.9％の一酸
化珪素粉末が得られた。 以上、本発明の特定の実施例について説明した
が、本発明は、この実施例に限定されるものでは
なく、特許請求の範囲に記載の範囲内で種々実施
態様が包含されるものである。 例えば、実施例ではキヤリアガスとして酸素ガ
スを用いたが、雰囲気ガスとして酸素ガスを用い
てもよい。 また、ノズルと水冷銅板の間隔は、実施例では
300mmが最も効率がよかつたが、これはシリコン
金属粉末やキヤリアガスの量等により反応フレー
ムの大きさが変わるため、条件が変わればその都
度最も適した間隔を定める必要がある。要は、最
も温度の高いところで水冷銅板に当てるのが望ま
しい。 また、実施例ではシリコン金属粉末を連続的に
噴射したが、例えば0.5秒ごとに間欠的に噴射し
てもよい。 更に、実施例では一酸化珪素粗生成物を約1500
℃で蒸留精製したが、この温度は不純物（他の金
属酸化物）の量により変わるものである。
第１図は本発明の実施例に使用した一酸化珪素
製造装置の概要を示す概略構成図、第２図は本発
明の実施例に使用した蒸留炉の概要を示す概略構
成図、第３図はシリコン−酸素−窒素系の高温に
おける平衡組成図である。 １……プラズマ装置のノズル、２……タングス
テン陰極、３……銅陽極、４……通路、５……供
給管、６……金属粉末、７……密閉容器、８……
反応ガス供給管、９……排気管、１０……水冷銅
板、１１……プラズマジエツト、１２……反応フ
レーム、１３……蒸留炉、１４……蒸発室、１５
……捕集室、１６……細管、１７……ヒータ（加
熱手段）、１８……一酸化珪素の粗生成物。
製造装置の概要を示す概略構成図、第２図は本発
明の実施例に使用した蒸留炉の概要を示す概略構
成図、第３図はシリコン−酸素−窒素系の高温に
おける平衡組成図である。 １……プラズマ装置のノズル、２……タングス
テン陰極、３……銅陽極、４……通路、５……供
給管、６……金属粉末、７……密閉容器、８……
反応ガス供給管、９……排気管、１０……水冷銅
板、１１……プラズマジエツト、１２……反応フ
レーム、１３……蒸留炉、１４……蒸発室、１５
……捕集室、１６……細管、１７……ヒータ（加
熱手段）、１８……一酸化珪素の粗生成物。
Claims (1)
- １ シリコン金属粉末を、キヤリアガスを用いて
70ｇ／min以上の供給量で、雰囲気ガス中に噴出
しているプラズマジエツト中に投入し、蒸気とし
たシリコン金属粉末を、キヤリアガスおよび雰囲
気ガスのうち少なくともいずれか一方に含有され
ている酸素ガスと接触させることにより合成反応
を起こさせ、この合成反応で生じる反応フレーム
を維持しつつ連続的に一酸化珪素蒸気を生成し、
この一酸化珪素蒸気を急冷して得られた粗生成物
を1400℃〜1800℃で蒸留することを特徴とする一
酸化珪素の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7225984A JPS60215514A (ja) | 1984-04-10 | 1984-04-10 | 一酸化珪素の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7225984A JPS60215514A (ja) | 1984-04-10 | 1984-04-10 | 一酸化珪素の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60215514A JPS60215514A (ja) | 1985-10-28 |
| JPH0479975B2 true JPH0479975B2 (ja) | 1992-12-17 |
Family
ID=13484111
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7225984A Granted JPS60215514A (ja) | 1984-04-10 | 1984-04-10 | 一酸化珪素の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60215514A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2023282136A1 (ja) | 2021-07-05 | 2023-01-12 | 信越化学工業株式会社 | 一酸化珪素の製造方法 |
| WO2023032845A1 (ja) | 2021-09-02 | 2023-03-09 | 信越化学工業株式会社 | 一酸化珪素粉末及びリチウムイオン二次電池用負極活物質 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005298273A (ja) * | 2004-04-12 | 2005-10-27 | Nippon Steel Corp | 高純度ＳｉＯ固体の製造方法及び製造装置 |
-
1984
- 1984-04-10 JP JP7225984A patent/JPS60215514A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2023282136A1 (ja) | 2021-07-05 | 2023-01-12 | 信越化学工業株式会社 | 一酸化珪素の製造方法 |
| WO2023032845A1 (ja) | 2021-09-02 | 2023-03-09 | 信越化学工業株式会社 | 一酸化珪素粉末及びリチウムイオン二次電池用負極活物質 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60215514A (ja) | 1985-10-28 |
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