JPH0478980B2 - - Google Patents
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- JPH0478980B2 JPH0478980B2 JP590983A JP590983A JPH0478980B2 JP H0478980 B2 JPH0478980 B2 JP H0478980B2 JP 590983 A JP590983 A JP 590983A JP 590983 A JP590983 A JP 590983A JP H0478980 B2 JPH0478980 B2 JP H0478980B2
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- 238000013461 design Methods 0.000 claims description 39
- 230000007547 defect Effects 0.000 claims description 20
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 20
- 238000007689 inspection Methods 0.000 claims description 18
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 14
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 238000012935 Averaging Methods 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 2
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 238000011179 visual inspection Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/82—Auxiliary processes, e.g. cleaning or inspecting
- G03F1/84—Inspecting
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体装置の製造に使用するホトマス
クに形成した回路パターンの欠陥を検査するため
の欠陥検査装置に関するものである。
クに形成した回路パターンの欠陥を検査するため
の欠陥検査装置に関するものである。
半導体装置の製造工程の一つであるホトリング
ラフイ工程において使用されるホトマスクは、所
定の工程を経て形成された後にその回路パターン
の良否を検査すること、換言すればパターンの欠
陥を検査することが必須のものとされている。こ
のような欠陥検査では従来電子線を利用した検査
装置が提案されて来ており、ホトマスク上に電子
線を走査しながら照射する一方で、その反射電子
をセンサにて検出しかつこれをコンピユータにて
処理することによりパターンを認識することがで
きる。そして、認識したパターンを予め与えられ
た設計データと比較することにより両パターンの
一致、不一致を検出し、これらの不一致からパタ
ーン欠陥を見い出すことができるのである。
ラフイ工程において使用されるホトマスクは、所
定の工程を経て形成された後にその回路パターン
の良否を検査すること、換言すればパターンの欠
陥を検査することが必須のものとされている。こ
のような欠陥検査では従来電子線を利用した検査
装置が提案されて来ており、ホトマスク上に電子
線を走査しながら照射する一方で、その反射電子
をセンサにて検出しかつこれをコンピユータにて
処理することによりパターンを認識することがで
きる。そして、認識したパターンを予め与えられ
た設計データと比較することにより両パターンの
一致、不一致を検出し、これらの不一致からパタ
ーン欠陥を見い出すことができるのである。
ところで、一般にホトマスクの製作に際しては
多数の工程を必要とするために、形成されるパタ
ーンには微小の加工誤差が存在することは避けら
れず、このため形成パターンの寸法には微小誤差
が発生する。しかしながら、この程度の寸法誤差
は実用上の問題はなく、良品として充分である。
多数の工程を必要とするために、形成されるパタ
ーンには微小の加工誤差が存在することは避けら
れず、このため形成パターンの寸法には微小誤差
が発生する。しかしながら、この程度の寸法誤差
は実用上の問題はなく、良品として充分である。
ところが、前述の従来装置では、その検出精度
が極めて高いために形成パターンの前記寸法誤差
を検出してしまい、これと設計データとの微小の
不一致に基づいて形成パターンに欠陥が存在する
との検査結果を出力してしまう。このため、充分
実用になるホトマスクをも欠陥製品としてしま
い、ホトマスクの製造歩留を低下させる。また、
これに対して検査精度を下げて微小寸法誤差を許
容し得るような検査装置に構成すると、今度は微
小寸法のパターン欠陥を検出することができなく
なり、検査の信頼性及びホトマスクの信頼性が低
下するという問題がある。
が極めて高いために形成パターンの前記寸法誤差
を検出してしまい、これと設計データとの微小の
不一致に基づいて形成パターンに欠陥が存在する
との検査結果を出力してしまう。このため、充分
実用になるホトマスクをも欠陥製品としてしま
い、ホトマスクの製造歩留を低下させる。また、
これに対して検査精度を下げて微小寸法誤差を許
容し得るような検査装置に構成すると、今度は微
小寸法のパターン欠陥を検出することができなく
なり、検査の信頼性及びホトマスクの信頼性が低
下するという問題がある。
したがつて本発明の目的はホトマスクのパター
ン欠陥を高精度にしかも寸法誤差とは区別してこ
れを検査することができ、これによりホトマスク
の信頼性を高めると共に、製造歩留の向上を図る
ことができる欠陥検査装置を提供することにあ
る。
ン欠陥を高精度にしかも寸法誤差とは区別してこ
れを検査することができ、これによりホトマスク
の信頼性を高めると共に、製造歩留の向上を図る
ことができる欠陥検査装置を提供することにあ
る。
以下、本発明を図示の実施例により説明する。
第１図は本発明の一実施例を示しており、図に
おいて、１は所定のパターンを形成した被検査体
としてのホトマスクであり、形成されたパターン
はホトマスク１の全面にわたつて或いはその一部
に加工ばらつきによつて微小寸法誤差が生じるこ
とがある。前記ホトマスク１はXYテーブル２上
に載置され、Ｘ方向やＹ方向に移動されることに
よりその上方に位置した電子線源３からの電子線
４が走査されながら照射される。５はパターン検
出部であり、前記ホトマスク１から反射される電
子線を検出するセンサ６と、このセンサ出力と前
記XYテーブル２からの座標出力とに基づいてパ
ターン形状、寸法を認識する認識器７とを備えて
いる。
おいて、１は所定のパターンを形成した被検査体
としてのホトマスクであり、形成されたパターン
はホトマスク１の全面にわたつて或いはその一部
に加工ばらつきによつて微小寸法誤差が生じるこ
とがある。前記ホトマスク１はXYテーブル２上
に載置され、Ｘ方向やＹ方向に移動されることに
よりその上方に位置した電子線源３からの電子線
４が走査されながら照射される。５はパターン検
出部であり、前記ホトマスク１から反射される電
子線を検出するセンサ６と、このセンサ出力と前
記XYテーブル２からの座標出力とに基づいてパ
ターン形状、寸法を認識する認識器７とを備えて
いる。
一方、８は設計データ部であり、前記ホトマス
ク１に形成するパターンの形状、寸法設計データ
９を読み取つてこれを電気信号として保持する処
理器１０を備えている。そして、本例にあつて
は、この設計データ部８にシフト部１１を接続
し、前記設計データを微小範囲でシフトして出力
するようになつている。このシフト部１１は前記
パターン検出部５の認識器７から出力される検出
信号の平均値或いは中央値等を求める信号処理器
１２と、この信号処理器１２の出力と前記設計デ
ータとの出力を比較する比較器１３と、この比較
により両信号の寸法誤差を平均的に求めるシフト
量設定器１４とを備えており、その出力に基づい
て前記設計データをシフト制御する。
ク１に形成するパターンの形状、寸法設計データ
９を読み取つてこれを電気信号として保持する処
理器１０を備えている。そして、本例にあつて
は、この設計データ部８にシフト部１１を接続
し、前記設計データを微小範囲でシフトして出力
するようになつている。このシフト部１１は前記
パターン検出部５の認識器７から出力される検出
信号の平均値或いは中央値等を求める信号処理器
１２と、この信号処理器１２の出力と前記設計デ
ータとの出力を比較する比較器１３と、この比較
により両信号の寸法誤差を平均的に求めるシフト
量設定器１４とを備えており、その出力に基づい
て前記設計データをシフト制御する。
更に、前記パターン検出部５と設計データ部８
とは一対一の形状、寸法比較を行なつて両者の不
一致を欠陥として検出する比較器１５に接続し、
不一致が生じた場合に表示器１６を動作させるよ
うにしている。
とは一対一の形状、寸法比較を行なつて両者の不
一致を欠陥として検出する比較器１５に接続し、
不一致が生じた場合に表示器１６を動作させるよ
うにしている。
以上の構成によれば、パターン検出部５では被
検査体としてのホトマスク１に電子線を走査させ
かつこれをセンサ６にて検出することにより、認
識器７ではホトマスク１に形成されたパターンの
実形状、実寸法を認識できる。一方、これと同時
に設計データ部８では処理器１０において前記パ
ターンの設計データ９を読み取りこれを電気信号
として保持しておく。
検査体としてのホトマスク１に電子線を走査させ
かつこれをセンサ６にて検出することにより、認
識器７ではホトマスク１に形成されたパターンの
実形状、実寸法を認識できる。一方、これと同時
に設計データ部８では処理器１０において前記パ
ターンの設計データ９を読み取りこれを電気信号
として保持しておく。
そして、前記パターン検出部５の認識信号と設
計データ部８の信号をシフト部１１に送出する。
すると、シフト部１１では先ずパターン検出部５
の実形状、実寸法信号に信号処理器１２において
平均化或いは中央値化等の適宜の画像処理を施
し、この結果、パターン形状の細部に拘らずにパ
ターン各部の実寸法を計出する。次いで、この実
寸法を設計データ部８から出力された相対する各
部の寸法（データ寸法）と比較器１３において比
較すれば、両者の寸法の相違が求められる。即
ち、第２図に示すように検出パターンP1とデー
タ上のパターンP2との全体的な寸法比較を行な
い、これにより実際に形成されたホトマスクのパ
ターンの加工誤差（ばらつき）を求めることがで
きる。そして、この誤差値に基づいてシフト量設
定器１４は設計データ部の各寸法をシフト（調
整）し、誤差を相対的に零にしたデータパターン
P3を比較部１５に出力する。この場合、シフト
量はパターンの縦横方向に異なることがあり、ま
たホトマスクの各部間においても異なることがあ
る。
計データ部８の信号をシフト部１１に送出する。
すると、シフト部１１では先ずパターン検出部５
の実形状、実寸法信号に信号処理器１２において
平均化或いは中央値化等の適宜の画像処理を施
し、この結果、パターン形状の細部に拘らずにパ
ターン各部の実寸法を計出する。次いで、この実
寸法を設計データ部８から出力された相対する各
部の寸法（データ寸法）と比較器１３において比
較すれば、両者の寸法の相違が求められる。即
ち、第２図に示すように検出パターンP1とデー
タ上のパターンP2との全体的な寸法比較を行な
い、これにより実際に形成されたホトマスクのパ
ターンの加工誤差（ばらつき）を求めることがで
きる。そして、この誤差値に基づいてシフト量設
定器１４は設計データ部の各寸法をシフト（調
整）し、誤差を相対的に零にしたデータパターン
P3を比較部１５に出力する。この場合、シフト
量はパターンの縦横方向に異なることがあり、ま
たホトマスクの各部間においても異なることがあ
る。
したがつて、比較器１５ではパターン検出部５
からの実形状、実寸法のパターンP1と、シフト
部１１を通してシフトされた設計データパターン
P3とを比較することになる。このため、両者の
間では加工誤差に基づくパターン不一致が生じる
ことはなく、形状の相違に基づく不一致Xa，Xb
のみが検出されて表示部１６に表示されることに
なる。これにより、ホトマスクのパターンが実用
上支障のない程度の誤差が生じているものであれ
ば不一致は生ぜず、欠陥品として処理されること
はなく歩留の低下を防止できる。また、加工誤差
を検査しなくなるので検査精度を高くしても前述
のように不具合が生じることはなく、これにより
微細な欠陥の検査を可能にし、検査の信頼性及び
ホトマスクの信頼性を向上できる。
からの実形状、実寸法のパターンP1と、シフト
部１１を通してシフトされた設計データパターン
P3とを比較することになる。このため、両者の
間では加工誤差に基づくパターン不一致が生じる
ことはなく、形状の相違に基づく不一致Xa，Xb
のみが検出されて表示部１６に表示されることに
なる。これにより、ホトマスクのパターンが実用
上支障のない程度の誤差が生じているものであれ
ば不一致は生ぜず、欠陥品として処理されること
はなく歩留の低下を防止できる。また、加工誤差
を検査しなくなるので検査精度を高くしても前述
のように不具合が生じることはなく、これにより
微細な欠陥の検査を可能にし、検査の信頼性及び
ホトマスクの信頼性を向上できる。
ここで、設計データ部側の信号がシフトされる
ように構成されているため、シフト部の構成が複
雑になるのを回避することができる。
ように構成されているため、シフト部の構成が複
雑になるのを回避することができる。
すなわち、実パターンは加工の時に生じるエツ
ジラフネス（微視的に見れば、直線でなく、小さ
な形状変化がある。）や、角が丸みを帯びたりし
ている。そのため、実パターン側を相似的に補正
（シフト）すると、補正（シフト）後の形状およ
び寸法に誤差が含まれてしまい、本来の目的であ
る、加工寸法誤差を原因とする誤判定の防止を実
現することが不可能になる。
ジラフネス（微視的に見れば、直線でなく、小さ
な形状変化がある。）や、角が丸みを帯びたりし
ている。そのため、実パターン側を相似的に補正
（シフト）すると、補正（シフト）後の形状およ
び寸法に誤差が含まれてしまい、本来の目的であ
る、加工寸法誤差を原因とする誤判定の防止を実
現することが不可能になる。
一方、設計データには、エツジラフネス等が存
在せず、形状および寸法は理想値である。したが
つて、寸法補正後の形状および寸法には誤差が含
まれないため、設計データ側においてシフトを実
行することにより、加工寸法誤差を原因とする誤
判定の防止を実現することができる。
在せず、形状および寸法は理想値である。したが
つて、寸法補正後の形状および寸法には誤差が含
まれないため、設計データ側においてシフトを実
行することにより、加工寸法誤差を原因とする誤
判定の防止を実現することができる。
また、設計データ側をシフトさせることによ
り、実パターン側のデータはシフトに際して、設
計寸法との差を求めるのに使用されるだけとなる
ため、加工寸法誤差を含むことによつて精度が若
干低く目であつても、欠陥検査に際して誤判定を
引き起こす程には到らない。
り、実パターン側のデータはシフトに際して、設
計寸法との差を求めるのに使用されるだけとなる
ため、加工寸法誤差を含むことによつて精度が若
干低く目であつても、欠陥検査に際して誤判定を
引き起こす程には到らない。
したがつて、シフト部１１において、実パター
ン検出部５からの実形状および実寸法信号を平均
化或いは中央値化するための信号処理部１２は省
略してもよい。すなわち、実パターン検出部５か
らの信号と設計データ部２８からの信号とを比較
器１３において直接比較してもよい。
ン検出部５からの実形状および実寸法信号を平均
化或いは中央値化するための信号処理部１２は省
略してもよい。すなわち、実パターン検出部５か
らの信号と設計データ部２８からの信号とを比較
器１３において直接比較してもよい。
換言すれば、シフト部１１に、実パターン検出
部５からの実形状および実寸法信号を平均化或い
は中央値化する信号処理部１２を設けることによ
り、実パターンと設計データによる理想パターン
との差を求めるに際しての精度を高めることがで
きるという効果が得られる。
部５からの実形状および実寸法信号を平均化或い
は中央値化する信号処理部１２を設けることによ
り、実パターンと設計データによる理想パターン
との差を求めるに際しての精度を高めることがで
きるという効果が得られる。
また、一般にパターン検出部５ではパターンの
検出を２値化信号（デジタル）によつて処理して
いるため、設計データ側もデジタル処理すること
が好ましく、かつシフトもデジタル的に行なうこ
とになり、各処理装置を容易なものにできる。
検出を２値化信号（デジタル）によつて処理して
いるため、設計データ側もデジタル処理すること
が好ましく、かつシフトもデジタル的に行なうこ
とになり、各処理装置を容易なものにできる。
以上のように本発明の欠陥検査装置によれば、
加工誤差を欠陥として検出することはなく、これ
により高精度の欠陥検査を可能にして検査及びホ
トマスクの信頼性を向上することができると共
に、実用上有効なホトマスクの歩留りの向上を図
ることができるという効果を奏する。
加工誤差を欠陥として検出することはなく、これ
により高精度の欠陥検査を可能にして検査及びホ
トマスクの信頼性を向上することができると共
に、実用上有効なホトマスクの歩留りの向上を図
ることができるという効果を奏する。
第１図は本発明の欠陥検査装置の全体構成図、
第２図は検出パターンと設計データパターン及び
シフトしたパターンの一例を示す図である。 １……ホトマスク、５……パターン検出部、６
……センサ、７……認識器、８……設計データ
部、９……設計データ、１０……処理器、１１…
…シフト部、１２……信号処理器、１３……比較
器、１４……シフト量設定器、１５……比較部、
１６……表示部。
第２図は検出パターンと設計データパターン及び
シフトしたパターンの一例を示す図である。 １……ホトマスク、５……パターン検出部、６
……センサ、７……認識器、８……設計データ
部、９……設計データ、１０……処理器、１１…
…シフト部、１２……信号処理器、１３……比較
器、１４……シフト量設定器、１５……比較部、
１６……表示部。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ ホトマスクに実際に形成されたパターンの実
形状および実寸法を検出するパターン検出部と、 前記パターンを形成するための設計データに基
づいてパターンの設計上の形状および寸法信号を
発生する設計データ部と、 前記パターン検出部からのパターンの実形状お
よび実寸法信号と前記設計データ部からの設計形
状および設計寸法信号とを比較する比較部とを備
えており、 前記比較部にて前記実形状および実寸法信号と
前記設計形状および設計寸法信号との間に不一致
が検出された時に、前記パターンの欠陥を検出す
る欠陥検査装置において、 前記パターン検出部、設計データ部および比較
部に、前記パターン検出部からの実形状および実
寸法信号と前記設計データ部からの設計形状およ
び設計寸法信号とを比較することにより、実寸法
と設計寸法との差を求め、この差の分だけ前記設
計データ部からの設計形状および設計寸法信号を
シフトさせた信号を前記比較部に出力するシフト
部が接続されており、 前記比較部は前記シフト部によつてシフトされ
た設計形状および設計寸法信号と、前記パターン
検出部からの実形状および実寸法信号とを比較す
ることを特徴とする欠陥検査装置。 ２ シフト部は、実寸法信号と設計寸法信号との
差を求めるに際し、パターン検出部からの実形状
および実寸法信号を平均化或いは中央値化する信
号処理部を備えていることを特徴とする請求項１
に記載の欠陥検査装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58005909A JPS59132129A (ja) | 1983-01-19 | 1983-01-19 | 欠陥検査装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58005909A JPS59132129A (ja) | 1983-01-19 | 1983-01-19 | 欠陥検査装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59132129A JPS59132129A (ja) | 1984-07-30 |
| JPH0478980B2 true JPH0478980B2 (ja) | 1992-12-14 |
Family
ID=11624020
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58005909A Granted JPS59132129A (ja) | 1983-01-19 | 1983-01-19 | 欠陥検査装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59132129A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03163845A (ja) * | 1989-11-22 | 1991-07-15 | Fujitsu Ltd | パターン検査装置 |
| JP3575871B2 (ja) * | 1995-06-19 | 2004-10-13 | 株式会社ルネサステクノロジ | フォトマスクの製造方法およびそのフォトマスクを用いた半導体集積回路装置の製造方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50127574A (ja) * | 1974-03-27 | 1975-10-07 | ||
| JPS5225575A (en) * | 1975-08-22 | 1977-02-25 | Hitachi Ltd | Inspection method of the state of object |
| JPS5860538A (ja) * | 1981-10-06 | 1983-04-11 | Fujitsu Ltd | パタ−ン検査方法 |
-
1983
- 1983-01-19 JP JP58005909A patent/JPS59132129A/ja active Granted
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50127574A (ja) * | 1974-03-27 | 1975-10-07 | ||
| JPS5225575A (en) * | 1975-08-22 | 1977-02-25 | Hitachi Ltd | Inspection method of the state of object |
| JPS5860538A (ja) * | 1981-10-06 | 1983-04-11 | Fujitsu Ltd | パタ−ン検査方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59132129A (ja) | 1984-07-30 |
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