JPH0476982A - セラミックス回路基板 - Google Patents
セラミックス回路基板Info
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- JPH0476982A JPH0476982A JP18943090A JP18943090A JPH0476982A JP H0476982 A JPH0476982 A JP H0476982A JP 18943090 A JP18943090 A JP 18943090A JP 18943090 A JP18943090 A JP 18943090A JP H0476982 A JPH0476982 A JP H0476982A
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- circuit board
- ceramic
- ceramic circuit
- dielectric constant
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Landscapes
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- Porous Artificial Stone Or Porous Ceramic Products (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
セラミックス回路基板に関し、
誘電率を低下させることを目的として、セラミックス回
路基板に中空ガラス(シリカバルーン)を含めるように
構成する。
路基板に中空ガラス(シリカバルーン)を含めるように
構成する。
本発明はセラミックス回路基板に係り、特に低誘電率化
したセラミックス回路基板に関する。
したセラミックス回路基板に関する。
近年、コンピュータなどの電子機器の回路基板に従来か
らの樹脂基板に代わりセラミックスを使用する機会が増
えてきている。このため、誘電率が樹脂基板曲み以下で
あることが望ましい。
らの樹脂基板に代わりセラミックスを使用する機会が増
えてきている。このため、誘電率が樹脂基板曲み以下で
あることが望ましい。
多層セラミックス回路基板は、原料粉末とバインダ、溶
媒とを混練後、ドクターブレード法で成形したグリーン
シートを積層、バインダを飛散させた後焼結して得られ
る。
媒とを混練後、ドクターブレード法で成形したグリーン
シートを積層、バインダを飛散させた後焼結して得られ
る。
シリカバルーンは、粒子径20迦、形状は真球で中が空
洞になったもので、誘電率が普通のはう珪酸ガラスより
低い。これは、プラスチックの密度を下げたり、強度を
増すために実用化されている。
洞になったもので、誘電率が普通のはう珪酸ガラスより
低い。これは、プラスチックの密度を下げたり、強度を
増すために実用化されている。
〔発明が解決しようとする課題〕。
セラミックス基板は樹脂基板と比べて耐熱性、電気絶縁
性、機械的強度等において優れているが、誘電率が高い
という欠点を有している。例えば、アルミナ、石英ガラ
ス、硼珪酸ガラスを原料粉末として製造したセラミック
ス回路基板の誘電率は約5.6であり、樹脂基板の約3
.0と比べて顕著に高い値である。これは、基板の配線
を通る信号の減衰に影響を与える。
性、機械的強度等において優れているが、誘電率が高い
という欠点を有している。例えば、アルミナ、石英ガラ
ス、硼珪酸ガラスを原料粉末として製造したセラミック
ス回路基板の誘電率は約5.6であり、樹脂基板の約3
.0と比べて顕著に高い値である。これは、基板の配線
を通る信号の減衰に影響を与える。
セラミックスマトリックス中に中空アルミナ粉末を分散
させることが提供されており、一定の効果があるが、さ
らに誘電率を低下させることが望ましい。
させることが提供されており、一定の効果があるが、さ
らに誘電率を低下させることが望ましい。
そこで、本発明は、セラミックス回路基板の誘電率をさ
らに低下せしめることを目的とする。
らに低下せしめることを目的とする。
本発明は、上記目的を達成するた約に、中空ガラスを含
むことを特徴とするセラミックス回路基板を提供する。
むことを特徴とするセラミックス回路基板を提供する。
中空ガラスは内部に空洞を有するガラス質であり、内部
が空洞であるため誘電率が低い。代表的な中空ガラスは
シリカバルーンである。形状は必ずしも真球である必要
はない。寸法はグリーンシートの厚さ(一般には300
加〜400−) より小さくなければならない。セラミ
ックス中の中空ガラスの含有量は、中空ガラスを含有す
るセラミックス基板の強度が保たれる限り多いほど誘電
率を低下させるので好ましい。少なくとも30〜40重
量%までの配合は可能である。
が空洞であるため誘電率が低い。代表的な中空ガラスは
シリカバルーンである。形状は必ずしも真球である必要
はない。寸法はグリーンシートの厚さ(一般には300
加〜400−) より小さくなければならない。セラミ
ックス中の中空ガラスの含有量は、中空ガラスを含有す
るセラミックス基板の強度が保たれる限り多いほど誘電
率を低下させるので好ましい。少なくとも30〜40重
量%までの配合は可能である。
セラミックス基板の材質及び製法は中空ガラスを含む以
外、慣用のものと同様であることができる。ここにセラ
ミックス基板は、いわゆるセラミックスのほか、ガラス
セラミックスでもよい。
外、慣用のものと同様であることができる。ここにセラ
ミックス基板は、いわゆるセラミックスのほか、ガラス
セラミックスでもよい。
中空ガラスはセラミックス内部に細かい気泡を形成し、
これが誘発率の飛躍的な減少をもたらす。
これが誘発率の飛躍的な減少をもたらす。
それぞれ90gのアルミナ、石英ガラス、はう珪酸ガラ
スを原料粉末とし、バインダ(ポリメチルメタクリレー
ト)40g溶媒(メチルエチルケトン)300gと共に
ボールミルで16時間混練した。次いで厚さ約400p
のグリーンシートに成形し、導体層をスクリーン印刷で
形成し、410層積層後、800℃湿潤雰囲気中でバイ
ンダを飛散させてから、大気中1030℃で焼成した。
スを原料粉末とし、バインダ(ポリメチルメタクリレー
ト)40g溶媒(メチルエチルケトン)300gと共に
ボールミルで16時間混練した。次いで厚さ約400p
のグリーンシートに成形し、導体層をスクリーン印刷で
形成し、410層積層後、800℃湿潤雰囲気中でバイ
ンダを飛散させてから、大気中1030℃で焼成した。
得られたセラミ1.クス基板の誘電率を測定したところ
5.6であった。
5.6であった。
次に、上記と同様にして、アルミナ100g、はう硅酸
ガラス200gをボールミルで16時間混練後、40g
のシリカバルーン(粒径20IMlの真球状中空体)を
加え、ボールを除去して約20時間さらに混練して均一
分散させたものを成形、焼成して、シリカバルーン含有
セラミックス基板を作製した。誘電率は2.8であった
。
ガラス200gをボールミルで16時間混練後、40g
のシリカバルーン(粒径20IMlの真球状中空体)を
加え、ボールを除去して約20時間さらに混練して均一
分散させたものを成形、焼成して、シリカバルーン含有
セラミックス基板を作製した。誘電率は2.8であった
。
第1図にこのセラミックス基板の断面を模式的に示すが
、セラミックスマトリックス1中に中空のシリカバルー
ン2が分散している。
、セラミックスマトリックス1中に中空のシリカバルー
ン2が分散している。
すなわち、アルミナに代えてシリカバルーンを用いたこ
とにより誘電率が5.6から2.8へ約50%減少した
。
とにより誘電率が5.6から2.8へ約50%減少した
。
以上説明した様に、本発明により多層セラミックス回路
基板の誘電率を減少させる事が可能になる事により、配
線内の信号の減衰を防止する事が出来る。
基板の誘電率を減少させる事が可能になる事により、配
線内の信号の減衰を防止する事が出来る。
第1図は実施例のセラミックス回路基板の模式断面図で
ある。 1・・・セラミックスマトリックス、 2・・・シリカバルーン。
ある。 1・・・セラミックスマトリックス、 2・・・シリカバルーン。
Claims (1)
- 1.中空ガラスを含むことを特徴とするセラミックス回
路基板。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18943090A JPH0476982A (ja) | 1990-07-19 | 1990-07-19 | セラミックス回路基板 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18943090A JPH0476982A (ja) | 1990-07-19 | 1990-07-19 | セラミックス回路基板 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0476982A true JPH0476982A (ja) | 1992-03-11 |
Family
ID=16241119
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP18943090A Pending JPH0476982A (ja) | 1990-07-19 | 1990-07-19 | セラミックス回路基板 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0476982A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104019874A (zh) * | 2014-07-01 | 2014-09-03 | 山东理工大学 | 气囊式球磨机内部球石检测装置及检测方法 |
JPWO2018083830A1 (ja) * | 2016-11-02 | 2019-06-24 | 株式会社村田製作所 | セラミック電子部品及びセラミック電子部品の製造方法 |
-
1990
- 1990-07-19 JP JP18943090A patent/JPH0476982A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104019874A (zh) * | 2014-07-01 | 2014-09-03 | 山东理工大学 | 气囊式球磨机内部球石检测装置及检测方法 |
CN104019874B (zh) * | 2014-07-01 | 2016-04-13 | 山东理工大学 | 气囊式球磨机内部球石检测装置及检测方法 |
JPWO2018083830A1 (ja) * | 2016-11-02 | 2019-06-24 | 株式会社村田製作所 | セラミック電子部品及びセラミック電子部品の製造方法 |
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