JPH0476946B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0476946B2 JPH0476946B2 JP2006869A JP686990A JPH0476946B2 JP H0476946 B2 JPH0476946 B2 JP H0476946B2 JP 2006869 A JP2006869 A JP 2006869A JP 686990 A JP686990 A JP 686990A JP H0476946 B2 JPH0476946 B2 JP H0476946B2
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- Japan
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- drying
- thick
- ceramic body
- lid
- bottomed
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Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は例えば底付き碍管の底部等となる有底
肉厚陶磁器素体の乾燥方法に関するものである。
肉厚陶磁器素体の乾燥方法に関するものである。
(従来の技術)
従来、例えば大型の底付き碍管等の製造工程に
おいては、肉厚が40〜70mm、直径が150〜650mm、
高さが300〜500mm程度の有底肉厚陶磁器素体を乾
燥させる必要がある。
おいては、肉厚が40〜70mm、直径が150〜650mm、
高さが300〜500mm程度の有底肉厚陶磁器素体を乾
燥させる必要がある。
このため従来は陶磁器素体を熱風乾燥機中で乾
燥する方法も行なわれているが、前記のような肉
厚のものあるいは肉厚差の大きい陶磁器素体は均
一乾燥が極めて困難でクラツクの発生率が高く、
乾燥歩留りが低い欠点があつた。また大物の陶磁
器素体の乾燥方法として一般的に広く知られてい
る通電乾燥手段を用いて、第2図に示されるよう
に、有底肉厚陶磁器素体1の底面に通電乾燥用の
円形の電極2を張り付けるとともに、有底肉厚陶
磁器素体1の上部外周にも環状の電極3を張り付
けて両電極間に通電し、ジユール熱による通電乾
燥を行うことも実施されていた。しかしこのよう
な通電乾燥方法は直接通電を行うために電極2,
3の放電によるコロナの発生があり、有底肉厚陶
磁器素体1の表面に斑点を生じ易い問題があつ
た。またこの方法は乾燥の進行にともなつて有底
肉厚陶磁器素体1の固有抵抗値が変化するために
電流値の設定が困難なうえ、底部のコーナー部4
に電流が流れにくいためにこの部分の乾燥が遅
れ、乾燥のバラツキによる収縮差によつてコーナ
ー部4にクラツクが入り易いという問題もあつ
た。
燥する方法も行なわれているが、前記のような肉
厚のものあるいは肉厚差の大きい陶磁器素体は均
一乾燥が極めて困難でクラツクの発生率が高く、
乾燥歩留りが低い欠点があつた。また大物の陶磁
器素体の乾燥方法として一般的に広く知られてい
る通電乾燥手段を用いて、第2図に示されるよう
に、有底肉厚陶磁器素体1の底面に通電乾燥用の
円形の電極2を張り付けるとともに、有底肉厚陶
磁器素体1の上部外周にも環状の電極3を張り付
けて両電極間に通電し、ジユール熱による通電乾
燥を行うことも実施されていた。しかしこのよう
な通電乾燥方法は直接通電を行うために電極2,
3の放電によるコロナの発生があり、有底肉厚陶
磁器素体1の表面に斑点を生じ易い問題があつ
た。またこの方法は乾燥の進行にともなつて有底
肉厚陶磁器素体1の固有抵抗値が変化するために
電流値の設定が困難なうえ、底部のコーナー部4
に電流が流れにくいためにこの部分の乾燥が遅
れ、乾燥のバラツキによる収縮差によつてコーナ
ー部4にクラツクが入り易いという問題もあつ
た。
(発明が解決しようとする課題)
本発明はこのような従来の問題点を解決して、
有底肉厚陶磁器素体をクラツクや斑点等の欠陥を
生ずることなく均一に乾燥させることができる有
底肉厚陶磁器素体の乾燥方法を提供するためにな
されたものである。
有底肉厚陶磁器素体をクラツクや斑点等の欠陥を
生ずることなく均一に乾燥させることができる有
底肉厚陶磁器素体の乾燥方法を提供するためにな
されたものである。
(課題を解決するための手段)
上記の課題を解決するためになされた本発明
は、底部に桟木を当てて乾燥室内に置かれた有底
肉厚陶磁器素体の開口部を板状の蓋で覆い、この
蓋の下面に吊るされた赤外線ヒータからの輻射熱
により有底肉厚陶磁器素体の内部を乾燥室内の温
度以上に保ちつつ内外両面から乾燥させることを
特徴とするものである。
は、底部に桟木を当てて乾燥室内に置かれた有底
肉厚陶磁器素体の開口部を板状の蓋で覆い、この
蓋の下面に吊るされた赤外線ヒータからの輻射熱
により有底肉厚陶磁器素体の内部を乾燥室内の温
度以上に保ちつつ内外両面から乾燥させることを
特徴とするものである。
(実施例)
以下に本発明を図示の実施例によつて詳細に説
明する。
明する。
第1図において、1は底部及び側壁の肉厚が40
〜70mm、直径が150〜650mm程度の例えば大型底付
碍管等に用いる有底肉厚陶磁器素体であり、その
底部の両側にフエルト5付きの桟木6,6を当て
た状態で乾燥室の内部に置かれている。桟木6,
6を当てる位置は有底肉厚陶磁器素体1の内周面
を下方へ延長した線上に桟木6,6の中心が位置
するようにしておくことが好ましい。なお乾燥室
の内部は例えば湿度が70%程度、温度が35〜40℃
程度に維持されている。
〜70mm、直径が150〜650mm程度の例えば大型底付
碍管等に用いる有底肉厚陶磁器素体であり、その
底部の両側にフエルト5付きの桟木6,6を当て
た状態で乾燥室の内部に置かれている。桟木6,
6を当てる位置は有底肉厚陶磁器素体1の内周面
を下方へ延長した線上に桟木6,6の中心が位置
するようにしておくことが好ましい。なお乾燥室
の内部は例えば湿度が70%程度、温度が35〜40℃
程度に維持されている。
このようにして乾燥室の内部に置かれた有底肉
厚陶磁器素体1の開口部には、例えば耐水性ベニ
ヤ板等からなる板状の蓋7が載せられる。この蓋
7はその中心の円形孔にエポキシ樹脂等からなる
小蓋7aを備えたものであり、この小蓋7aを貫
通するコード8の下端に赤外線ヒータ9が吊るさ
れている。この赤外線ヒータ9としては、本出願
人の出願に係る実公昭50−3303号公報に示される
ような、ジルコニア、コージエライト、アルミナ
等のセラミツク体の内部にニクロム線を埋め込ん
だ間接加熱型の遠赤外線ヒータが特に好ましい。
なお赤外線ヒータ9は、有底肉厚陶磁器素体1の
内底部から80〜100mm程度の高さに吊るしておく
ことが好ましい。
厚陶磁器素体1の開口部には、例えば耐水性ベニ
ヤ板等からなる板状の蓋7が載せられる。この蓋
7はその中心の円形孔にエポキシ樹脂等からなる
小蓋7aを備えたものであり、この小蓋7aを貫
通するコード8の下端に赤外線ヒータ9が吊るさ
れている。この赤外線ヒータ9としては、本出願
人の出願に係る実公昭50−3303号公報に示される
ような、ジルコニア、コージエライト、アルミナ
等のセラミツク体の内部にニクロム線を埋め込ん
だ間接加熱型の遠赤外線ヒータが特に好ましい。
なお赤外線ヒータ9は、有底肉厚陶磁器素体1の
内底部から80〜100mm程度の高さに吊るしておく
ことが好ましい。
この赤外線ヒータ9に変流器等で電流量を制御
しつつ通電し、蓋7により開口部を覆われた有底
肉厚陶磁器素体1の内部を赤外線ヒータ9からの
輻射熱により乾燥室内の温度よりも高い50〜80℃
とする。そしてこの状態で所定時間保ちつつ乾燥
室内で乾燥を進行させる。
しつつ通電し、蓋7により開口部を覆われた有底
肉厚陶磁器素体1の内部を赤外線ヒータ9からの
輻射熱により乾燥室内の温度よりも高い50〜80℃
とする。そしてこの状態で所定時間保ちつつ乾燥
室内で乾燥を進行させる。
この結果、有底肉厚陶磁器素体1は内外両面か
ら乾燥されることとなるが、水分は蓋7により密
閉された有底肉厚陶磁器素体1内で拡散しつつ
徐々に外表面に移行し、陶磁器素体1の外表面よ
り乾燥室内にゆつくりと蒸発し、クラツクを生ず
ることなく均一な乾燥が行われる。また底部には
桟木6を当ててあるので、底面の乾燥も他の部分
と同様に行われる。
ら乾燥されることとなるが、水分は蓋7により密
閉された有底肉厚陶磁器素体1内で拡散しつつ
徐々に外表面に移行し、陶磁器素体1の外表面よ
り乾燥室内にゆつくりと蒸発し、クラツクを生ず
ることなく均一な乾燥が行われる。また底部には
桟木6を当ててあるので、底面の乾燥も他の部分
と同様に行われる。
なお、蓋7の上面に50〜80℃の温度を色の変化
として表示できるサーモラベル10等を張り付け
ておけば、内部の温度管理を容易に行なえるとと
もに、もし赤外線ヒータ9が断線したような場合
にはサーモラベルの色変化がないことから温度上
昇がないことが直ちに目視でき、ヒータの故障発
見にも容易に行なえる利点を生ずる。
として表示できるサーモラベル10等を張り付け
ておけば、内部の温度管理を容易に行なえるとと
もに、もし赤外線ヒータ9が断線したような場合
にはサーモラベルの色変化がないことから温度上
昇がないことが直ちに目視でき、ヒータの故障発
見にも容易に行なえる利点を生ずる。
(発明の効果)
以上に説明したように、本発明の乾燥方法によ
れば有底肉厚陶磁器素体を内外両面から均一に乾
燥させることができ、従来の熱風乾燥のように表
面部分の局部的乾燥にともなうクラツクの発生が
なく、さらに陶磁器素体に電極を張り付けた通電
乾燥方法のようなコロナによる斑点の発生や、通
電不良部分の乾燥収縮の不均一によるクラツク等
が生ずることがない。また本発明の乾燥方法によ
れば、内部の温度を定期的に管理するだけでよ
く、乾燥作業が容易となる。
れば有底肉厚陶磁器素体を内外両面から均一に乾
燥させることができ、従来の熱風乾燥のように表
面部分の局部的乾燥にともなうクラツクの発生が
なく、さらに陶磁器素体に電極を張り付けた通電
乾燥方法のようなコロナによる斑点の発生や、通
電不良部分の乾燥収縮の不均一によるクラツク等
が生ずることがない。また本発明の乾燥方法によ
れば、内部の温度を定期的に管理するだけでよ
く、乾燥作業が容易となる。
このように本発明は従来は均一な乾燥を行うの
に苦労していた有底碍管等の素材となる有底肉厚
陶磁器素体の乾燥方法として実用性に優れた方法
であり、産業の発展に寄与するところは極めて大
である。
に苦労していた有底碍管等の素材となる有底肉厚
陶磁器素体の乾燥方法として実用性に優れた方法
であり、産業の発展に寄与するところは極めて大
である。
第1図は本発明の乾燥方法を説明する端面図、
第2図は従来の乾燥方法を説明する同じく端面図
である。 1:有底肉厚陶磁器素体、6:桟木、7:蓋、
9:赤外線ヒータ。
第2図は従来の乾燥方法を説明する同じく端面図
である。 1:有底肉厚陶磁器素体、6:桟木、7:蓋、
9:赤外線ヒータ。
Claims (1)
- 1 底部に桟木6を当てて乾燥室内に置かれた有
底肉厚陶磁器素体1の開口部を板状の蓋7で覆
い、この蓋7の下面に吊るされた赤外線ヒータ9
からの輻射熱により有底肉厚陶磁器素体1の内部
を乾燥室内の温度以上に保ちつつ内外両面から乾
燥させることを特徴とする有底肉厚陶磁器素体の
乾燥方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP686990A JPH03215338A (ja) | 1990-01-16 | 1990-01-16 | 有底肉厚陶磁器素体の乾燥方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP686990A JPH03215338A (ja) | 1990-01-16 | 1990-01-16 | 有底肉厚陶磁器素体の乾燥方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03215338A JPH03215338A (ja) | 1991-09-20 |
| JPH0476946B2 true JPH0476946B2 (ja) | 1992-12-07 |
Family
ID=11650242
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP686990A Granted JPH03215338A (ja) | 1990-01-16 | 1990-01-16 | 有底肉厚陶磁器素体の乾燥方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03215338A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7138295B2 (en) | 1997-04-04 | 2006-11-21 | Elm Technology Corporation | Method of information processing using three dimensional integrated circuits |
| US7176545B2 (en) | 1992-04-08 | 2007-02-13 | Elm Technology Corporation | Apparatus and methods for maskless pattern generation |
| US7193239B2 (en) | 1997-04-04 | 2007-03-20 | Elm Technology Corporation | Three dimensional structure integrated circuit |
| US7385835B2 (en) | 1992-04-08 | 2008-06-10 | Elm Technology Corporation | Membrane 3D IC fabrication |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2527861B2 (ja) * | 1991-09-25 | 1996-08-28 | 日本碍子株式会社 | 肉厚セラミック製品の乾燥方法 |
| JP5874973B2 (ja) * | 2012-03-19 | 2016-03-02 | 日本碍子株式会社 | 碍管の乾燥方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54158414A (en) * | 1978-06-05 | 1979-12-14 | Yuzuru Matsubara | Process for drying pottery and other earthen products |
-
1990
- 1990-01-16 JP JP686990A patent/JPH03215338A/ja active Granted
Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7485571B2 (en) | 1992-04-08 | 2009-02-03 | Elm Technology Corporation | Method of making an integrated circuit |
| US7176545B2 (en) | 1992-04-08 | 2007-02-13 | Elm Technology Corporation | Apparatus and methods for maskless pattern generation |
| US7615837B2 (en) | 1992-04-08 | 2009-11-10 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company | Lithography device for semiconductor circuit pattern generation |
| US7223696B2 (en) | 1992-04-08 | 2007-05-29 | Elm Technology Corporation | Methods for maskless lithography |
| US7242012B2 (en) | 1992-04-08 | 2007-07-10 | Elm Technology Corporation | Lithography device for semiconductor circuit pattern generator |
| US7385835B2 (en) | 1992-04-08 | 2008-06-10 | Elm Technology Corporation | Membrane 3D IC fabrication |
| US7550805B2 (en) | 1992-04-08 | 2009-06-23 | Elm Technology Corporation | Stress-controlled dielectric integrated circuit |
| US7479694B2 (en) | 1992-04-08 | 2009-01-20 | Elm Technology Corporation | Membrane 3D IC fabrication |
| US7474004B2 (en) | 1997-04-04 | 2009-01-06 | Elm Technology Corporation | Three dimensional structure memory |
| US7504732B2 (en) | 1997-04-04 | 2009-03-17 | Elm Technology Corporation | Three dimensional structure memory |
| US7138295B2 (en) | 1997-04-04 | 2006-11-21 | Elm Technology Corporation | Method of information processing using three dimensional integrated circuits |
| US7193239B2 (en) | 1997-04-04 | 2007-03-20 | Elm Technology Corporation | Three dimensional structure integrated circuit |
| US8928119B2 (en) | 1997-04-04 | 2015-01-06 | Glenn J. Leedy | Three dimensional structure memory |
| US8933570B2 (en) | 1997-04-04 | 2015-01-13 | Elm Technology Corp. | Three dimensional structure memory |
| US9401183B2 (en) | 1997-04-04 | 2016-07-26 | Glenn J. Leedy | Stacked integrated memory device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH03215338A (ja) | 1991-09-20 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
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