JPH0476042B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0476042B2 JPH0476042B2 JP58243847A JP24384783A JPH0476042B2 JP H0476042 B2 JPH0476042 B2 JP H0476042B2 JP 58243847 A JP58243847 A JP 58243847A JP 24384783 A JP24384783 A JP 24384783A JP H0476042 B2 JPH0476042 B2 JP H0476042B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- circuit board
- printed circuit
- light
- fluorescent light
- fluorescent
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 17
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 14
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 6
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000001917 fluorescence detection Methods 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は配線パターンを検出するパターン検出
装置に係り、特にプリント基板の基材から発生す
る螢光をとらえることによつて配線パターンを検
出するパターン検出方法及びその装置に関するも
のである。
装置に係り、特にプリント基板の基材から発生す
る螢光をとらえることによつて配線パターンを検
出するパターン検出方法及びその装置に関するも
のである。
従来のパターン検出装置は、プリント基板の配
線パターンからの反射光像を検出器で検出するも
のである。しかしながら、この検出装置では本来
配線パターンに欠陥のないもの（例えばよごれ、
浅い傷）まで欠陥とみなしてしまう欠点を有し
た。
線パターンからの反射光像を検出器で検出するも
のである。しかしながら、この検出装置では本来
配線パターンに欠陥のないもの（例えばよごれ、
浅い傷）まで欠陥とみなしてしまう欠点を有し
た。
本発明の目的は、上記従来技術の欠点をなく
し、Ｓ／Ｎの良い螢光パターンを検出できるよう
にし、基板上に形成された配線パターンを精度良
く認識するパターン検出方法及びその装置を提供
するにある。
し、Ｓ／Ｎの良い螢光パターンを検出できるよう
にし、基板上に形成された配線パターンを精度良
く認識するパターン検出方法及びその装置を提供
するにある。
本発明は、上記目的を達成するために、プリン
ト基板の下側に螢光を発生する螢光体を位置し、
プリント基板を透過してきた光によつて前記螢光
体から螢光を発生させ、基板を透過して戻つてく
る螢光を、基材から発生した螢光に加えることに
より検出すべき螢光の光量を増大させ、該光量を
増大された螢光を検出器で検出することにより、
基板上に形成された配線パターンを精度良く検出
することを特徴とするものである。
ト基板の下側に螢光を発生する螢光体を位置し、
プリント基板を透過してきた光によつて前記螢光
体から螢光を発生させ、基板を透過して戻つてく
る螢光を、基材から発生した螢光に加えることに
より検出すべき螢光の光量を増大させ、該光量を
増大された螢光を検出器で検出することにより、
基板上に形成された配線パターンを精度良く検出
することを特徴とするものである。
以下本発明の一実施例を第１図及び第２図によ
り説明する。
り説明する。
第１図に示すプリント基板１の配線面２に限定
した波長の光２２を照射し基材３から発生する螢
光３１を検出器１１で検出する方式であり、プリ
ント基板１の基材３から発生する螢光が小さいた
め、第１のフイルタ７あるいは第２のフイルタ９
の分光透過率特性の良いものを選ぶ必要があつた
り、出力の大きい光源５を使う必要があつた。
した波長の光２２を照射し基材３から発生する螢
光３１を検出器１１で検出する方式であり、プリ
ント基板１の基材３から発生する螢光が小さいた
め、第１のフイルタ７あるいは第２のフイルタ９
の分光透過率特性の良いものを選ぶ必要があつた
り、出力の大きい光源５を使う必要があつた。
そこで次のように構成した。第２図において、
プリント基板１、光源５、コンデンサレンズ６、
第１のフイルタ７、半透鏡８、第２のフイルタ
９、結像レンズ１０、検出器１１は、第１図に示
した従来のパターン検出装置の同一符号のものと
同じ構成であるが新たに螢光体１２が追加されて
いる。光源５から発した光２１は第１のフイルタ
７でプリント基板１の基材３から螢光が発生しや
すい波長の光２２に変わり、半透鏡８によつて光
路が変更され、プリント基板１の配線図２に照射
される。プリント基板１の配線図２では反射光が
発生し、基材３では螢光が発生する。更に、前記
基材３を透過した光２３は、プリント基板１の下
側に位置する螢光体１２に照射され、螢光３３を
発生させる。螢光３３は再びプリント基板１の基
材３を透過して上方へ向かう。然らば光３４は配
線図２での反射光と基材３で発生した螢光と螢光
体１２で発生し基材３を透過して来た螢光の合わ
さつた光である。光３４は半透鏡８を通過して第
２のフイルタ９に入射する。第２のフイルタ９で
は反射光がカツトされ螢光３５のみ透過され、結
像レンズ１０で検出器１１の結像面に結像され
る。
プリント基板１、光源５、コンデンサレンズ６、
第１のフイルタ７、半透鏡８、第２のフイルタ
９、結像レンズ１０、検出器１１は、第１図に示
した従来のパターン検出装置の同一符号のものと
同じ構成であるが新たに螢光体１２が追加されて
いる。光源５から発した光２１は第１のフイルタ
７でプリント基板１の基材３から螢光が発生しや
すい波長の光２２に変わり、半透鏡８によつて光
路が変更され、プリント基板１の配線図２に照射
される。プリント基板１の配線図２では反射光が
発生し、基材３では螢光が発生する。更に、前記
基材３を透過した光２３は、プリント基板１の下
側に位置する螢光体１２に照射され、螢光３３を
発生させる。螢光３３は再びプリント基板１の基
材３を透過して上方へ向かう。然らば光３４は配
線図２での反射光と基材３で発生した螢光と螢光
体１２で発生し基材３を透過して来た螢光の合わ
さつた光である。光３４は半透鏡８を通過して第
２のフイルタ９に入射する。第２のフイルタ９で
は反射光がカツトされ螢光３５のみ透過され、結
像レンズ１０で検出器１１の結像面に結像され
る。
本実施例によれば、プリント基板１の基材３か
ら発生する螢光に加えて、螢光体１２から発生し
基材３を透過してくる螢光も検出されるので検出
すべき螢光が増大し、検出信号のＳ／Ｎを改善で
きるという効果がある。
ら発生する螢光に加えて、螢光体１２から発生し
基材３を透過してくる螢光も検出されるので検出
すべき螢光が増大し、検出信号のＳ／Ｎを改善で
きるという効果がある。
第３図は、スルーホール１３を有するプリント
基板１に適用した実施例を示す。スルーホール１
３を通過した光２４によつて螢光体１２から螢光
３３が発生し、かつスルーホール１３を通過して
戻り、第２図における光３４に合わさつた光３６
になる。
基板１に適用した実施例を示す。スルーホール１
３を通過した光２４によつて螢光体１２から螢光
３３が発生し、かつスルーホール１３を通過して
戻り、第２図における光３４に合わさつた光３６
になる。
第４図はスルーホール１３を有するプリント基
板１の検出器１１で検出されたパターン像を示
す。スルーホール１３がパツド１４のパターン像
の中に検出される。
板１の検出器１１で検出されたパターン像を示
す。スルーホール１３がパツド１４のパターン像
の中に検出される。
上記説明した実施例によれば、プリント基板１
がスルーホール１３を有する場合、スルーホール
１３を通過した光２４によつて螢光体１２から螢
光３３が発生し、かつスルーホール１３を通過し
て戻つてくる螢光３３を検出することになるの
で、スルーホール１３をパターン像として検出す
ることができるため、パツド１４とスルーホール
１３の位置ずれあるいはスルーホール１３の径の
測定が可能になる。
がスルーホール１３を有する場合、スルーホール
１３を通過した光２４によつて螢光体１２から螢
光３３が発生し、かつスルーホール１３を通過し
て戻つてくる螢光３３を検出することになるの
で、スルーホール１３をパターン像として検出す
ることができるため、パツド１４とスルーホール
１３の位置ずれあるいはスルーホール１３の径の
測定が可能になる。
以上説明したように本発明によれば、プリント
基板１の基材３から発生する螢光に加えて、螢光
体１２から発生し、基材３を通過してくる螢光も
検出されるので検出すべき螢光の光量を増大させ
ることができ、検出信号のＳ／Ｎが改善されてプ
リント基板１上の配線パターンを精度よく検出で
きるという効果がある。
基板１の基材３から発生する螢光に加えて、螢光
体１２から発生し、基材３を通過してくる螢光も
検出されるので検出すべき螢光の光量を増大させ
ることができ、検出信号のＳ／Ｎが改善されてプ
リント基板１上の配線パターンを精度よく検出で
きるという効果がある。
第１図は本発明に係る螢光検出方式のパターン
検出装置を示す側面図、第２図及び第３図は本発
明の一実施例のパターン検出装置を示す側面図、
第４図はパターン像を示す図である。 １……プリント基板、２……配線図、３……基
材、４……配線パターン、５……光源、６……コ
ンデンサレンズ、７……第１のフイルタ、８……
半透鏡、９……第２のフイルタ、１０……結像レ
ンズ、１１……検出器、１２……螢光体、１３…
…スルーホール、１４……パツド、２１，２２，
２３，２４……照明光、３１，３４，３６……螢
光と反射光の合わさつた光、３２，３３，３５…
…螢光。
検出装置を示す側面図、第２図及び第３図は本発
明の一実施例のパターン検出装置を示す側面図、
第４図はパターン像を示す図である。 １……プリント基板、２……配線図、３……基
材、４……配線パターン、５……光源、６……コ
ンデンサレンズ、７……第１のフイルタ、８……
半透鏡、９……第２のフイルタ、１０……結像レ
ンズ、１１……検出器、１２……螢光体、１３…
…スルーホール、１４……パツド、２１，２２，
２３，２４……照明光、３１，３４，３６……螢
光と反射光の合わさつた光、３２，３３，３５…
…螢光。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 表面に配線パターンが形成されたプリント基
板の裏側に上記プリント基板の基材から発生する
螢光の波長とほぼ同じ波長の螢光を発生する螢光
体を置き、上記プリント基板の表面に光を照射し
て、上記プリント基板の基材から発生する螢光
と、上記プリント基板を透過した上記光により上
記螢光体から発生して上記プリント基板を透過し
た螢光とを加え合せて、該加え合せた螢光を検出
器で検出することにより上記プリント基板表面に
形成された配線パターンを検出することを特徴と
するパターン検出方法。 ２ 上記螢光体として、上記プリント基板の基材
を用いることを特徴とする特許請求の範囲第１項
記載のパターン検出方法。 ３ プリント基板の配線パターンに光を照射する
光源と、螢光を検出するための検出器と、前記光
源からの光を螢光が発生しやすい波長に限定する
ための第１のフイルタと、前記プリント基板の配
線パターンからの反射光をカツトし、螢光を透過
する第２のフイルタと、前記検出器に配線パター
ン像を結像するための結像レンズと、光源からの
光をプリント基板の配線面に向け、該配線面から
の反射光および螢光を前記結像レンズおよび検出
器側へ導く半透鏡と、プリント基板の裏側に位置
し、プリント基板の基材を透過する光により螢光
を発生する螢光体とを備え付けたことを特徴とす
るパターン検出装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24384783A JPS60135805A (ja) | 1983-12-26 | 1983-12-26 | パタ−ン検出方法及びその装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24384783A JPS60135805A (ja) | 1983-12-26 | 1983-12-26 | パタ−ン検出方法及びその装置 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15473092A Division JPH0676884B2 (ja) | 1992-06-15 | 1992-06-15 | パターン検出方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60135805A JPS60135805A (ja) | 1985-07-19 |
| JPH0476042B2 true JPH0476042B2 (ja) | 1992-12-02 |
Family
ID=17109832
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24384783A Granted JPS60135805A (ja) | 1983-12-26 | 1983-12-26 | パタ−ン検出方法及びその装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60135805A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0752096B2 (ja) * | 1986-03-07 | 1995-06-05 | 三菱化学株式会社 | ウエハ−発光波長及び面積測定装置 |
| US6190759B1 (en) | 1998-02-18 | 2001-02-20 | International Business Machines Corporation | High optical contrast resin composition and electronic package utilizing same |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52114483A (en) * | 1976-03-18 | 1977-09-26 | Agfa Gevaert Nv | Improvement for radioactiveeray conversion screens |
| JPS5447579A (en) * | 1977-09-22 | 1979-04-14 | Hitachi Ltd | Develping condiction inspecting method in photoetching |
-
1983
- 1983-12-26 JP JP24384783A patent/JPS60135805A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52114483A (en) * | 1976-03-18 | 1977-09-26 | Agfa Gevaert Nv | Improvement for radioactiveeray conversion screens |
| JPS5447579A (en) * | 1977-09-22 | 1979-04-14 | Hitachi Ltd | Develping condiction inspecting method in photoetching |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60135805A (ja) | 1985-07-19 |
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