JPH0474412A - レジスト塗布装置 - Google Patents
レジスト塗布装置Info
- Publication number
- JPH0474412A JPH0474412A JP18993190A JP18993190A JPH0474412A JP H0474412 A JPH0474412 A JP H0474412A JP 18993190 A JP18993190 A JP 18993190A JP 18993190 A JP18993190 A JP 18993190A JP H0474412 A JPH0474412 A JP H0474412A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resist
- semiconductor substrate
- vacuum chuck
- coating apparatus
- resist coating
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 title claims abstract description 14
- 238000000576 coating method Methods 0.000 title claims abstract description 14
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 37
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 37
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 claims 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 abstract description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 4
- 230000007547 defect Effects 0.000 abstract description 3
- 239000003595 mist Substances 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Coating Apparatus (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、半導体基板上にレジストを塗布するレジス
ト塗布装置に関するものである。
ト塗布装置に関するものである。
第２図は従来のレジスト塗布装置の断面図であり、図に
おいて、（１）は半導体基板、（２）は半導体基板（１
）を固定するための真空チャック、（３）は真空チャッ
ク（２）の真空排気系、（４）はレジスト、（５）はレ
ジスト（４）を吐出するノズル、（６）は真空チャック
（２）の支持棒、（７）は支持棒（６）の回転軸受、（
８）はモーターである。回転軸受（７）はモーター（８
）に固定されており、支持棒（６）の真空排気系（３）
を外部の排気系へつなぐ。
おいて、（１）は半導体基板、（２）は半導体基板（１
）を固定するための真空チャック、（３）は真空チャッ
ク（２）の真空排気系、（４）はレジスト、（５）はレ
ジスト（４）を吐出するノズル、（６）は真空チャック
（２）の支持棒、（７）は支持棒（６）の回転軸受、（
８）はモーターである。回転軸受（７）はモーター（８
）に固定されており、支持棒（６）の真空排気系（３）
を外部の排気系へつなぐ。
次に動作について説明する。半導体基板（１）か真空チ
ャック（２）に固定されるとノズル（５）よりレジスト
液か滴下し、モーター（８）か回転し始める。半導体基
板（１）は真空チャック（２）、支持棒（６）と共に回
転し、滴下されたレジスト液は半導体基板（１）上で遠
心力により広かり、半導体基板（１）上に均一な厚さの
レジスト（４）の膜を形成する。
ャック（２）に固定されるとノズル（５）よりレジスト
液か滴下し、モーター（８）か回転し始める。半導体基
板（１）は真空チャック（２）、支持棒（６）と共に回
転し、滴下されたレジスト液は半導体基板（１）上で遠
心力により広かり、半導体基板（１）上に均一な厚さの
レジスト（４）の膜を形成する。
従来のレジスト塗布装置は以上のように構成されている
のでレジストは遠心力により塗布されるか余ったレジス
ト液の半導体基板の側面、裏面への回り込みか起り、側
面付着のレジスト液はミストとなり、半導体基板のレジ
スト膜厚の変動、欠陥の原因となり、また裏面付着のレ
ジスト液は半導体基板の厚みの変動をきたし、これが次
工程の精度に影響するといった問題点かあった。
のでレジストは遠心力により塗布されるか余ったレジス
ト液の半導体基板の側面、裏面への回り込みか起り、側
面付着のレジスト液はミストとなり、半導体基板のレジ
スト膜厚の変動、欠陥の原因となり、また裏面付着のレ
ジスト液は半導体基板の厚みの変動をきたし、これが次
工程の精度に影響するといった問題点かあった。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、半導体基板の側面、裏面に付着するレジスト
液を抑えることのできるレジスト塗布装置を得ることを
目的とする。
たもので、半導体基板の側面、裏面に付着するレジスト
液を抑えることのできるレジスト塗布装置を得ることを
目的とする。
この発明に係るレジスト塗布装置は半導体基板の裏面を
完全に被うように真空チャックを半導体基板より大きく
し、かつ真空チャックの円周部にテーパーをもたせたも
のである。
完全に被うように真空チャックを半導体基板より大きく
し、かつ真空チャックの円周部にテーパーをもたせたも
のである。
この発明におけるレジスト塗布装置は、真空チャックを
半導体基板より大きくしたことにより、半導体基板の裏
面へのレジスト液の回り込みを防ぎまた真空チャックの
円周部にテーパーをもたせたので半導体基板の側面への
付着を軽減し、表面にレジストミストの再付着を防げる
。
半導体基板より大きくしたことにより、半導体基板の裏
面へのレジスト液の回り込みを防ぎまた真空チャックの
円周部にテーパーをもたせたので半導体基板の側面への
付着を軽減し、表面にレジストミストの再付着を防げる
。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。第１
図はレジスト塗布装置の断面図である。
図はレジスト塗布装置の断面図である。
図において（１）、 （３）〜（８）は第２図の従来に
示したものと同等であるので説明を省略する。（９）は
真空チャックである。
示したものと同等であるので説明を省略する。（９）は
真空チャックである。
次に動作について説明する。半導体基板（１）か真空チ
ャック（９）に固定されると、ノズル（５）よりレジス
ト液が滴下し、モーター（８）が回転し始め、真空チャ
ック（９）と共に半導体基板（１）が回転する。レジス
ト液はこの回転による遠心力により半導体基板（１）上
に１〜１．２μｍの均一なレジスト（４）の膜を形成す
る。
ャック（９）に固定されると、ノズル（５）よりレジス
ト液が滴下し、モーター（８）が回転し始め、真空チャ
ック（９）と共に半導体基板（１）が回転する。レジス
ト液はこの回転による遠心力により半導体基板（１）上
に１〜１．２μｍの均一なレジスト（４）の膜を形成す
る。
半導体基板（１）上に滴下されたレジスト（４）は真空
チャック（９）の回転によって均一な膜厚、例えば１〜
１．２μｍに形成されるかこのとき余分なレジスト（４
）は真空チャック（９）の外に振り切られる。半導体基
板（］）は裏面を真空チャック（９）で完全に被われ、
かつ真空チャック（９）の円周部にテーパーを設けたの
てレジスト（４）か充分に振り切られる。この結果、半
導体基板（１）の側面へのレジスト（４）の付着の軽減
によるミストの減少となり、レジスト（４）の膜厚の変
動をおさえ、欠陥を少なくてきる。また半導体基板（１
）の裏面への回り込みかなくなるので、レジスト（４）
の付着による半導体基板（１）の厚み変動をなくし、次
工程の精度向上か得られる。
チャック（９）の回転によって均一な膜厚、例えば１〜
１．２μｍに形成されるかこのとき余分なレジスト（４
）は真空チャック（９）の外に振り切られる。半導体基
板（］）は裏面を真空チャック（９）で完全に被われ、
かつ真空チャック（９）の円周部にテーパーを設けたの
てレジスト（４）か充分に振り切られる。この結果、半
導体基板（１）の側面へのレジスト（４）の付着の軽減
によるミストの減少となり、レジスト（４）の膜厚の変
動をおさえ、欠陥を少なくてきる。また半導体基板（１
）の裏面への回り込みかなくなるので、レジスト（４）
の付着による半導体基板（１）の厚み変動をなくし、次
工程の精度向上か得られる。
なお、上記実施例はレジスト（４）塗布の場合について
説明したか回転塗布する装置であれば、上記実施例と同
様の効果を奏する。
説明したか回転塗布する装置であれば、上記実施例と同
様の効果を奏する。
以上のように、この発明によれば、真空チャックを大型
化かつ、円周部にテーパーをつけたことにより半導体基
板におけるミストの低減、および次工程の精度の向上が
得られる効果がある。
化かつ、円周部にテーパーをつけたことにより半導体基
板におけるミストの低減、および次工程の精度の向上が
得られる効果がある。
第１図はこの発明の一実施例によるレジスト塗布装置を
示す断面図、第２図は従来の塗布装置の断面図である。 図において、（１）は半導体基板、（３）は真空排気系
、（４）はレジスト、（５）はノズル、（６）は支持棒
、（７）は回転軸受、（８）はモーター、（９）は真空
チャックである。 なお、図中、同一符号は同一 または相当部分を示す。
示す断面図、第２図は従来の塗布装置の断面図である。 図において、（１）は半導体基板、（３）は真空排気系
、（４）はレジスト、（５）はノズル、（６）は支持棒
、（７）は回転軸受、（８）はモーター、（９）は真空
チャックである。 なお、図中、同一符号は同一 または相当部分を示す。
Claims (1)
- 写真製版に用いられるレジスト塗布装置において半導
体基板を固定する真空チャックを半導体基板よりも大き
くし、円周部にテーパーをもたせたことを特徴とするレ
ジスト塗布装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18993190A JPH0474412A (ja) | 1990-07-16 | 1990-07-16 | レジスト塗布装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18993190A JPH0474412A (ja) | 1990-07-16 | 1990-07-16 | レジスト塗布装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0474412A true JPH0474412A (ja) | 1992-03-09 |
Family
ID=16249606
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18993190A Pending JPH0474412A (ja) | 1990-07-16 | 1990-07-16 | レジスト塗布装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0474412A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6395086B1 (en) * | 1993-04-08 | 2002-05-28 | Chartered Semiconductor Manufacturing Pte Ltd | Shield for wafer station |
| JP2020015133A (ja) * | 2018-07-25 | 2020-01-30 | 株式会社タカハシキカイ | 真空チャック |
-
1990
- 1990-07-16 JP JP18993190A patent/JPH0474412A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6395086B1 (en) * | 1993-04-08 | 2002-05-28 | Chartered Semiconductor Manufacturing Pte Ltd | Shield for wafer station |
| JP2020015133A (ja) * | 2018-07-25 | 2020-01-30 | 株式会社タカハシキカイ | 真空チャック |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH04300673A (ja) | 回転式塗布装置及び回転式塗布方法 | |
| JPH0474412A (ja) | レジスト塗布装置 | |
| JPH0512990B2 (ja) | ||
| JP2533401B2 (ja) | 回転式塗布装置 | |
| JPS62185322A (ja) | フオトレジスト塗布装置 | |
| JP2593465B2 (ja) | 半導体ウエーハの液処理装置 | |
| JPH02133916A (ja) | レジスト塗布装置 | |
| JPS62190838A (ja) | レジスト塗布方法 | |
| JP3602164B2 (ja) | 現像方法 | |
| JPH05259050A (ja) | 半導体基板のスピンコーティング方法および装置 | |
| JPS60189934A (ja) | 粘性液の塗布方法 | |
| JPH01228575A (ja) | スピンコーター | |
| JPS63260025A (ja) | 回転塗布装置 | |
| JPH03256321A (ja) | レジスト膜形成装置 | |
| JP2575959B2 (ja) | 回転塗布装置 | |
| JPS6333660Y2 (ja) | ||
| JPH03245875A (ja) | 塗布液の塗布方法 | |
| JPH08107053A (ja) | 成膜除去方法 | |
| JPH01164035A (ja) | 半導体製造装置 | |
| JPH0487665A (ja) | 回転式塗布装置 | |
| JPH05123632A (ja) | 液状塗布物質の塗布方法 | |
| JPH0684776A (ja) | 回転機構 | |
| JPH0824878B2 (ja) | 角形基板の回転処理装置 | |
| JPH06120202A (ja) | 半導体基板湿式処理装置 | |
| JPH03151076A (ja) | 塗布装置 |