JPH04733A - ウェーハ検査装置 - Google Patents

ウェーハ検査装置

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JPH04733A
JPH04733A JP10093190A JP10093190A JPH04733A JP H04733 A JPH04733 A JP H04733A JP 10093190 A JP10093190 A JP 10093190A JP 10093190 A JP10093190 A JP 10093190A JP H04733 A JPH04733 A JP H04733A
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Hideo Ishii
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (概 要) 同一の半導体チップパターンが整列して形成されている
ウェーハの検査装置に関し、 検査精度を上げて生産性の向上を図ることを目的とし、 少なくともX、Yの二次元方向に移動できるウェーハ載
置用のテーブルと、該テーブルの上記移動を制御する機
構制御部、および該テーブル上のウェーへの露出するチ
ップパターンを観察しまたは測定できるように該テーブ
ルの上方所定位置に固定して配設された測定観察系と該
測定観察系に繋がる測定制御部とで構成されるウェーハ
検査装置であって、乱数信号発生機能を持つ演算部に接
続された前記機構制御部を、該演算部で発生するランダ
ムの乱数信号によって前記テーブルの一つの移動方向と
該移動方向における移動量とが制御できるように構成す
る。
〔産業上の利用分野] 本発明は同一の半導体チップパターンが整列して形成さ
れているウェーク\の検査工程に係り、特に検査対象と
なるチップパターン領域の抽出をランダム化することで
検査精度を上げ生産性の向上を図ったウェーハ検査装置
に関する。
半導体装置の製造分野では、通常複数のチップパターン
が整列したマトリックス状に形成されているウェーハを
該チップパターン毎に切断してヘースとなる半導体チッ
プ基板を得ているが、パターン上の異物やパターン自体
の異常は半導体装置としての特性を大きく左右すること
からウェークへの時点で該ウェーハを目視や計測器等で
検査するようにしている。
〔従来の技術〕
第2図は従来のウェーハ検査装置を示す構成概念図であ
り、(1)は全体構成図、(2)は測定状態を説明する
図である。
また第3図は問題点を説明する図である。
第2図(1)で、機構制御部1からの信号によって基台
2に対して図示X、Y方向に所定ピンチで間欠的に移動
するX−Yテーブル3上には、該テーブル3のX方向に
固定されたバー3aにオリエンテーション・フラット面
(以下単にオリフラ面とする)4aを接触させることで
位置決めされたウェーハ4が載置されているが、該ウェ
ーハ4の表面には上記オリフラ面4aを一方向とするグ
リッド状に整列した状態で複数のチ・ノブパターン4b
が形成されている。
−4,31x −yテーブル3の上方で該テーブル3と
対応する位置には、ステイ5で固定された測定観察系6
が配設されており、該観察系6に付随する接眼部6aか
らは該観察系6の光軸a上に位置する1個の上記チップ
パターン4b“を観察することができると共に、該チッ
プパターン4bの各パターン寸法や形状等は該測定観察
系6に繋がる測定制御部7で測定したり記録できるよう
になっている。
そこで上記機構制御部lからの指示で、テンプパターン
4b1個分ずつのピッチでX、Y方向に間欠的に移動す
るウェーハ4を上述した測定観察系6で観察したり測定
することで該ウェーハ4の全部のチップパターン4bを
検査することができる。
この場合、製造ロットを形成するウェーハ全数について
、それぞれチップパターン4bの総てを検査するには多
くの工数を必要とする。
そこで生産性を向上させるために通常は、例えばウェー
ハとしての製造ロフトを抜き取り対象ロットとして正規
の抜き取りレベルで検査対象数を抽出すると共に、抜き
取られた各ウェーハの観察。
測定するチップパターン領域を限定するようにしている
測定状態を示す(2)で、X−Yテーブル3の片側サイ
ドには、複数の被検ウェーハ4′がチップパターン形成
面が上面になるようにほぼ水平な平行に収容されている
キャリア8が配置されており、該キャリア8から図示さ
れないアームで1個ずつ押し出されるウェーハ4“は矢
印すのように上記X−Yテーブル3に載置されて(1)
で示したウェーハ4となる。
なお3aは(1)で説明したバーを示し、また3bはキ
ャリア8から押し出されるウェーク\4“の位置決め用
のストッパである。
従って、上記キャリア8から押し出されるウェーハ4°
は図示ウェーハ4のようにX−Yテーブル3上の所定位
置に載置されることになる。
そこで機構制御部1からの指示で上記χ−Yテーブル3
ひいてはウェーハ4を基台2に対してY方向に間欠移動
させ、固定された測定観察系6で該ウェーハ4上のY方
向に整列したチ・ノブパターン4bを観察、測定するよ
うにしている。
特にこの場合のX−Yテーブル3は一方向(Y方向)の
みの移動であるため、キャリア8からの押し出し動作と
該X−Yテーブル3の上記移動を同期させることで複数
のウェーハを効率よく連続して検査することが可能とな
り、生産性の高い検査作業を実現することができる。
第3図で、(i)はX−Yテーブル上のウェーハを平面
的に示した図であり、(ii)は観察、測定されるチッ
プパターン領域を示す図である。
(i)で3がX−Yテーブル、 3aが位置決め用のバ
ー、 3bが位置決め用のストッパを示し、また4がウ
ェーハ、 4aがオリフラ面、 4bがチップパターン
をそれぞれ表わしていることは第2図と同様である。
そこで第2図(2)で説明したように酸ウェー/’+4
をX方向に間欠移動させて咳つエーノX4上のX方向に
整列したチップパターン4bを観察、測定するが、この
場合に検査されるチップパターン領域は(ii)で示す
斜線領域Aのようになると共に該領域Aは被検ウェーハ
総てに共通した同一領域となる。
従って、例えばウェーハi、、4−.のように該領域A
から外れたB、、B、領域にパターン不良があったり、
ウェーハi、、i、のように領域Aから外れた21点、
22点に異物が存在するようなときには、これらのパタ
ーン不良や異物を発見することができず結果的にウェー
ハのロット検査としては不適当となる。
〔発明が解決しようとする課題] 従来のウェーハ検査装置では、検査領域から外れた領域
に位置するパターン不良や異物等を発見することができ
ず検査精度のア・ノブによる生産性の向上が期待できな
いと言う問題があった。
〔課題を解決するための手段〕
上記問題点は、少なくともX、Yの二次元方向に移動で
きるウェーハ載置用のテーブルと、該テーブルの上記移
動を制御する機構制御部、および該テーブル上のウェー
ハの露出するチップパターンを観察しまたは測定できる
ように該テーブルの上方所定位置に固定して配設された
測定観察系と該測定観察系に繋がる測定制御部とで構成
されるウェーハ検査装置であって、乱数信号発生機能を
持つ演算部に接続された前記機構制御部が、該演算部で
発生するランダムの乱数信号によって前記テーブルの一
つの移動方向と該移動方向における移動量とが制御でき
るように構成されているウェーハ検査装置によって解決
される。
[作 用] 製造ロント内のウェーハ毎の検査領域をランダムに変え
ると、少なくとも該ロント内の検査精度を向上させるこ
とができる。
本発明では、X−Yテーブルに繋がる機構制御部に乱数
発生機能を具えた演算部を接続することで、少なくとも
製造ロット内の各ウエーノ\毎に従来のX方向の検査領
域をX方向にランダムにシフトさせるようにしている。
このことは、ウェーハの製造ロットを対象としたときに
は従来の場合よりも検査領域が拡大されることになるた
め、例えばマスクに起因するパターン不良等の発見され
る確率が向上することを意味する。
従って、検査精度の向上による生産性の向上を実現する
ことができる。
〔実施例〕
第1図は本発明になるウェーハ検査装置の構成例を示す
図であり、第2図で説明した機構制御部1と同様の機構
制御部11にX−Yテーブル3をランダムのピンチ数だ
けX軸方向にシフトさせるための乱数発生機能を有する
演算部12を接続したものであるが、該機構制御部11
と演算部12以外の構成は第2図と全く同様である。
特にこの場合には、X−Yテーブル3のX方向はぼ中心
を通るX方向の線Cと第3図で説明した測定観察系6の
光軸aとが合致した時の該X−Yテーブル3の位置を該
テーブル3の基準位置として設定すると共に、演算部1
2から発生する乱数信号を該テーブル3に繋がる機構制
御部11のX方向のシフトをコントロールする回路に接
続することで、該演算部12から発生する乱数に対応す
るピンチ分だけHg x −Yテーブル3をX方向にシ
フトするように構成している。
ここでチップパターン4bがオリフラ面4aに沿った方
向に10数個程度形成されているウェーハ4の場合を例
として詳細に説明する。
例えば該演算部12から発生する乱数を01〜19に設
定し、更に該乱数信号によってX方向に動作する機構制
御部11を、01〜09の乱数が伝達されたときにはX
−Yテーブル3を上記基準位置から「−j側に各数字分
だけソフトするように構成し。
また11〜19までの乱数が伝達されたときには該テー
ブル3を上記基準位置から「↓」側に1位の数字分だけ
シフトするように構成する。
かかる構成になるウェーハ検査装置では、例えば該演算
部12から発生する乱数が“07′′の場合には、該乱
数信号07を受けた機構制御部11がX−Yテーブル3
ひいてはウェーハ4を基準位置からX軸に沿う「−」側
すなわち図では左側に7ピツチだけシフトさせた後第3
図で説明したように該ウェーハ4をY方向に移動させる
ため、基準位置から右側に7ピツチだけ離れた領域に位
置するチップパターンを観察、測定することができる。
また演算部12から発生する乱数が例えば10“の場合
には、X−Yテーブル3ひいてはウェーハ4をX方向に
シフトさせることな(そのまま基準i!IAc上をY方
向に移動させるので、基準となる中心領域に位置するチ
ップパターンをそのまま観察。
測定することができる。
更に演算部12から機構制御部11に伝達される乱数が
例えば“14“の場合には、X−Yチーフル3ひいては
ウェーハ4が基準位置からX軸に沿う「±」側すなわち
右側に4ピツチだけシフトした後Y方向に移動するため
、基準となる中心領域から左側に4ピツチだけ離れた領
域に位置するチップパターンを観察、測定することがで
きる。
このことは、製造ロフトから抽出される被ウェーハの数
が少なくとも20個以上の場合には、該ウェーハに形成
されている総てのチップパターンが観察、測定されるこ
とを意味する。
他方、マスクに起因する不良はほぼ総てのウェーハの同
一箇所またはその近傍に発生する。
従ってかかる不良が発見される確率を従来に比べて大幅
に大きくすることができる。
ここで理解し易くするために第3図で説明した発見され
ない異物やパターン不良等が発見される過程を説明する
なお、第3図におけるチップパターン領域AをX−Yテ
ーブル3の基準位置と対応するチップパターン領域とす
る。
例えば、ウェーハ4−3のパターン不良が位置するB、
?+N域は基準となるA領域の左側2ピン千目にある。
従って該ウェーハ4−.の場合には、該ウェーハ4−1
ひいてはX−Yテーブル3をχ軸に沿って右側すなわち
「+」方向に2ピツチシフトさせることで該領域B1を
基準となる領域Aの位置に移動させることができる。
そこで、8亥ウェーハ4−1ひいてはX−Yテーフ゛ル
3を「+」方向に2ピツチシフトさせた後に第3図で説
明したように該ウェーハ4−1すなわちX−Y チー 
フル3をY方向に移動させることで該パターン不良を発
見することができる。
このことは逆に、演算部12がら“’12”の乱数が発
生したときに該パターン不良が発見できることを意味し
ている。
またウェーハ4−2の場合には、異物P1が位置する領
域は基準となるA %lJ域の右側1ピツチ目にあるた
め、8亥ウェーハ4−2ひいてはX−Yチーフル3をX
軸に沿って左側すなわち「−」方向に1ピツチシフトさ
せるだけで異物P1が位置する領域を領域Aの位置に合
わせることができる。
このことは演算部12から01”の乱数が発生すると該
異物が発見できることを表わしている。
同様にウェーハ4−3と4−4では、演算部12から′
“02”の乱数が発生したときにウェーハ4−3ではB
zSN域にあるパターン不良が、またウェーハ44では
異物P2が発見できることになる。
従って、ランダムに発生する乱数によってウェーハ毎に
異なる領域の観察や測定を行うことができるため、製造
ロフトとしてのウェーハの検査精度を向上させることが
できる。
(発明の効果] 上述の如く本発明により、検査対象となるチップパター
ン領域の抽出をランダム化することで検査精度を上げ生
産性の向上を図ったウェーハ検査装置を提供することが
できる。
なお、本発明の説明では二次元方向に移動するX−Yテ
ーブルを使用した場合について行っているが、被検ウェ
ーハが同一面内で軸回転できる回転機能を具えたχ−Y
テーブルを使用した場合では演算部からの乱数信号を回
転角度に対応させた状態で該テーブルに繋がる機構制御
部の回転角度をコントロールする回路に接続しても同等
の効果を得ることができる。
4bはチップパターン、 6は測定観察系、 11は機構制御部、 をそれぞれ表わす。
7は測定制御部、 12は演算部、
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明になるウェーハ検査装置の構成例を示す
図、 第2図は従来のウェーハ検査装置を示す構成概念図、 第3図は問題点を説明する図、 である。 図において、 3はテーブル(x−yチーフル)、 4はウェーハ、 4aはオリエンテーション・フラット面、茅1図 従来のつ1−ハ検査装置と示す構A概芝図第 2 図 (¥の2)

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】  少なくともX、Yの二次元方向に移動できるウェーハ
    載置用のテーブル(3)と、該テーブル(3)の上記移
    動を制御する機構制御部(11)、および該テーブル上
    のウェーハ(4)の露出するチップパターン(4b)を
    観察しまたは測定できるように該テーブル(3)の上方
    所定位置に固定して配設された測定観察系(6)と該測
    定観察系(6)に繋がる測定制御部(7)とで構成され
    るウェーハ検査装置であって、 乱数信号発生機能を持つ演算部(12)に接続された前
    記機構制御部(11)が、該演算部(12)で発生する
    ランダムの乱数信号によって前記テーブル(3)の一つ
    の移動方向と該移動方向における移動量とが制御できる
    ように構成されていることを特徴としたウェーハ検査装
    置。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2021509535A (ja) * 2017-12-27 2021-03-25 ジュソン エンジニアリング カンパニー リミテッド 基板検査装置及び基板検査方法
US12032013B2 (en) 2017-12-27 2024-07-09 Jusung Engineering Co., Ltd. Substrate inspection device and substrate inspection method

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US11726134B2 (en) 2017-12-27 2023-08-15 Jusung Engineering Co., Ltd. Substrate inspection device and substrate inspection method
US12032013B2 (en) 2017-12-27 2024-07-09 Jusung Engineering Co., Ltd. Substrate inspection device and substrate inspection method

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