JPH0472731A - 配線形成方法 - Google Patents
配線形成方法Info
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- JPH0472731A JPH0472731A JP18634190A JP18634190A JPH0472731A JP H0472731 A JPH0472731 A JP H0472731A JP 18634190 A JP18634190 A JP 18634190A JP 18634190 A JP18634190 A JP 18634190A JP H0472731 A JPH0472731 A JP H0472731A
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Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、配線用金属ＣＶＤのパターニングによって配
線を形成する方法において、レジスト塗布、露光、レジ
スト剥離などのプロセス無しで、光利用によって空間選
択性良くバターニングすることによって、従来より工程
を短縮して配線を形成する方法に関するものである。
線を形成する方法において、レジスト塗布、露光、レジ
スト剥離などのプロセス無しで、光利用によって空間選
択性良くバターニングすることによって、従来より工程
を短縮して配線を形成する方法に関するものである。
（従来の技術）
現在性われているＬＳＩなどの配線形成プロセスを第５
図を用いて説明する。第５図（ａ）のように、５ｉ０２
膜１１をパターニングしたＳｉ基板１２に、ｐｏｌｙ−
Ｓｉ膜１３をＣＶＤで成長させ、次に配線用金属のＡ１
膜１４を蒸着やＣＶＤで成長させる。次に、第５図（ｂ
）のように、レジスト材の塗布、露光、現像によって、
配線を形成したい部分にのみ、レジスト１５を残す。そ
して、Ａ１のエツチングとｐｏｌｙ−Ｓｉのエツチング
を行い、第５図（ｅ）のようにｐｏｌｙ−Ｓｉを下地と
するＡｌ配線が形成される。このような配線形成プロセ
スについては、例えば、日経マイクロデバイス誌の１９
８６年１２月号の８５ページから１００ページに記載さ
れている。
図を用いて説明する。第５図（ａ）のように、５ｉ０２
膜１１をパターニングしたＳｉ基板１２に、ｐｏｌｙ−
Ｓｉ膜１３をＣＶＤで成長させ、次に配線用金属のＡ１
膜１４を蒸着やＣＶＤで成長させる。次に、第５図（ｂ
）のように、レジスト材の塗布、露光、現像によって、
配線を形成したい部分にのみ、レジスト１５を残す。そ
して、Ａ１のエツチングとｐｏｌｙ−Ｓｉのエツチング
を行い、第５図（ｅ）のようにｐｏｌｙ−Ｓｉを下地と
するＡｌ配線が形成される。このような配線形成プロセ
スについては、例えば、日経マイクロデバイス誌の１９
８６年１２月号の８５ページから１００ページに記載さ
れている。
（発明が解決しようとする課題）
上述の従来法による配線形成方法は、配線用のｐｏｌｙ
−Ｓｉ層とＡ１層の成長プロセスと、これらのパターニ
ングを行うエツチングプロセスとが別の独立したプロセ
スであるため、レジストの塗布、露光、現像のプロセス
が必要である。しかし、このプロセスは、工程が多く煩
雑な上に、このプロセスによる汚染のために歩留りが悪
くなるという問題がある。また、異なった２種類のｐｏ
ｌｙ−Ｓｉ層とＡ１層をエツチングする必要があるため
に、各々のエツチングで異なるエッチャントを使用する
ことが必要である。このプロセスでは、材料の違いによ
るエツチング速度の違いや、これによるサイドエツチン
グの問題があり、所望の形状に配線を形成することが困
難である。
−Ｓｉ層とＡ１層の成長プロセスと、これらのパターニ
ングを行うエツチングプロセスとが別の独立したプロセ
スであるため、レジストの塗布、露光、現像のプロセス
が必要である。しかし、このプロセスは、工程が多く煩
雑な上に、このプロセスによる汚染のために歩留りが悪
くなるという問題がある。また、異なった２種類のｐｏ
ｌｙ−Ｓｉ層とＡ１層をエツチングする必要があるため
に、各々のエツチングで異なるエッチャントを使用する
ことが必要である。このプロセスでは、材料の違いによ
るエツチング速度の違いや、これによるサイドエツチン
グの問題があり、所望の形状に配線を形成することが困
難である。
本発明の目的は、レジスト使用プロセスを省くことによ
って工程を短縮し、空間選択性良く、配線を形成できる
方法を提供することにある。
って工程を短縮し、空間選択性良く、配線を形成できる
方法を提供することにある。
（課題を解決するための手段）
本発明の配線形成方法は、有機金属を原料とする金属Ｃ
ＶＤ法を用いて配線用金属膜を、下地のｐｏｌｙ−Ｓｉ
膜上に形成し、前記ｐｏｌｙ−Ｓｉ膜と前記配線用金属
膜をパターニングして配線を形成する方法において、金
属ＣＶＤ中の配線の非形成領域に、マスクで空間的に整
形された光を照射して、光照射部での金属ＣＶＤを抑制
することによって、前記金属膜を選択的に形成すること
により、その金属膜のパターンを形成し、前記金属膜を
マスクとして前記ｐｏｌｙ−Ｓｉ膜をエツチングして、
ｐｏｌｙ−Ｓｉ上に金属が成膜された構造の配線を形成
することを特徴とする。あるいは本発明の配線方法は、
有機金属を原料とする金属ＣＶＤ中に、配線の非形成領
域に、マスクで空間的に整形された光を照射して、金属
ＣＶＤを抑制することによって、前記金属膜を選択的に
形成してパターンを形成し、次に、前記マスクを継続し
て使用し、ｐｏｌｙ−Ｓｉ膜のパターニングを光エッチ
ングにより行なうことを特徴とする。即ち、同一のマス
クを用いて、前記配線下地のｐｏｌｙ−Ｓｉ膜と前記配
線用金属膜のパターン形成を行い、ｐｏｌｙ−Ｓｉ膜上
に金属が成膜された構造の配線を形成することを特徴と
する。あるいは本発明の配線方法はｐｏｌｙ−Ｓｉ上に
金属が成膜された構造を持つ配線形成方法において、配
線の非形成領域に、マスクで空間的に整形された光を照
射してｐｏｌｙ−Ｓｉ膜の成長を抑制することによって
ｐｏｌｙ−Ｓｉ膜を選択的に形成して、パターンを形成
ししかる後に、前記マスクを継続して使用し、前記マス
クで空間的に整形された光を、有機金属を原料とする金
属ＣＶＤ中の配線の非形成領域に照射して、光照射部で
のＣＶＤを抑制することによって、金属膜を選択的に、
ｐｏｌｙ−Ｓｉ膜上に形成することを特徴とする。即ち
、同一のマスクを用いて、前記配線下地のｐｏｌｙ−Ｓ
ｉ膜と前記配線用金属膜との所望のパターンをこの順序
で光を用いたＣＶＤ法で形成することを特徴とする。
ＶＤ法を用いて配線用金属膜を、下地のｐｏｌｙ−Ｓｉ
膜上に形成し、前記ｐｏｌｙ−Ｓｉ膜と前記配線用金属
膜をパターニングして配線を形成する方法において、金
属ＣＶＤ中の配線の非形成領域に、マスクで空間的に整
形された光を照射して、光照射部での金属ＣＶＤを抑制
することによって、前記金属膜を選択的に形成すること
により、その金属膜のパターンを形成し、前記金属膜を
マスクとして前記ｐｏｌｙ−Ｓｉ膜をエツチングして、
ｐｏｌｙ−Ｓｉ上に金属が成膜された構造の配線を形成
することを特徴とする。あるいは本発明の配線方法は、
有機金属を原料とする金属ＣＶＤ中に、配線の非形成領
域に、マスクで空間的に整形された光を照射して、金属
ＣＶＤを抑制することによって、前記金属膜を選択的に
形成してパターンを形成し、次に、前記マスクを継続し
て使用し、ｐｏｌｙ−Ｓｉ膜のパターニングを光エッチ
ングにより行なうことを特徴とする。即ち、同一のマス
クを用いて、前記配線下地のｐｏｌｙ−Ｓｉ膜と前記配
線用金属膜のパターン形成を行い、ｐｏｌｙ−Ｓｉ膜上
に金属が成膜された構造の配線を形成することを特徴と
する。あるいは本発明の配線方法はｐｏｌｙ−Ｓｉ上に
金属が成膜された構造を持つ配線形成方法において、配
線の非形成領域に、マスクで空間的に整形された光を照
射してｐｏｌｙ−Ｓｉ膜の成長を抑制することによって
ｐｏｌｙ−Ｓｉ膜を選択的に形成して、パターンを形成
ししかる後に、前記マスクを継続して使用し、前記マス
クで空間的に整形された光を、有機金属を原料とする金
属ＣＶＤ中の配線の非形成領域に照射して、光照射部で
のＣＶＤを抑制することによって、金属膜を選択的に、
ｐｏｌｙ−Ｓｉ膜上に形成することを特徴とする。即ち
、同一のマスクを用いて、前記配線下地のｐｏｌｙ−Ｓ
ｉ膜と前記配線用金属膜との所望のパターンをこの順序
で光を用いたＣＶＤ法で形成することを特徴とする。
（作用）
本発明の作用上の特徴は、熱ＣＶＤ中に光を照射し、光
照射部でのＣＶＤを抑え、非照射部に選択的に成膜する
ことで、レジストの塗布、露光、現像のプロセスを省き
、工程を短縮することにある。
照射部でのＣＶＤを抑え、非照射部に選択的に成膜する
ことで、レジストの塗布、露光、現像のプロセスを省き
、工程を短縮することにある。
光によるＣＶＤの抑制は、赤外線や、紫外線、及び、軟
Ｘ線やＸ線などの光照射により、成膜に寄与する反応種
を基板から脱離させることによグて行われる。この光照
射によるＣＶＤ抑制を配線形成に応用すると、以下に述
べるように、工程を短縮できる。
Ｘ線やＸ線などの光照射により、成膜に寄与する反応種
を基板から脱離させることによグて行われる。この光照
射によるＣＶＤ抑制を配線形成に応用すると、以下に述
べるように、工程を短縮できる。
第１図に示すように、マスク１６で空間的に整形された
光１７を熱ＣＶＤ中に照射すると、光照射部でのＣＶＤ
を抑制できる。一方、非照射部では熱ＣＶＤがそのまま
起こる。したがって、従来のようにレジストを用いなく
ても、直接熱ＣＶＤ膜１８をパターニングできるので、
レジストを用いるプロセスを省け、工程を短縮できるこ
とになる。また、従来の光照射部にＣＶＤを行う場合、
光照射領域以外への気相生成活性種の拡散による空間選
択性の低下が問題になるが、光照射部での拡散してくる
活性種の脱離、吸着分子の脱離によってＣＶＤが抑制さ
れ、パターニングされるので、従来技術よりも空間選択
性を向上させることができる。
光１７を熱ＣＶＤ中に照射すると、光照射部でのＣＶＤ
を抑制できる。一方、非照射部では熱ＣＶＤがそのまま
起こる。したがって、従来のようにレジストを用いなく
ても、直接熱ＣＶＤ膜１８をパターニングできるので、
レジストを用いるプロセスを省け、工程を短縮できるこ
とになる。また、従来の光照射部にＣＶＤを行う場合、
光照射領域以外への気相生成活性種の拡散による空間選
択性の低下が問題になるが、光照射部での拡散してくる
活性種の脱離、吸着分子の脱離によってＣＶＤが抑制さ
れ、パターニングされるので、従来技術よりも空間選択
性を向上させることができる。
（実施例）
以下、本発明の一実施例の製造工程について第２図を参
照しながら説明する。本実施例では、Ｓｉデバイスの形
成において、Ａｔ配線を形成する場合について述べる。
照しながら説明する。本実施例では、Ｓｉデバイスの形
成において、Ａｔ配線を形成する場合について述べる。
第２図（ａ）には、ＡＩ膜１４を光１７を用いて直接パ
ターニングしなから堆積させ、ＡＩ膜１４をｐｏｌｙ−
Ｓｉ膜１３を通してＳｉ基板１２に対して電気的コンタ
クトを持つ配線の形成方法を示しである。Ｓｉ基板１２
上には、熱酸化による５ｉ０２膜１１が電気的コンタク
トをとるためにパターニングされており、この上の全面
にｐｏｌｙ−Ｓｉ膜１３が５００人の厚さで成膜されて
いる。
ターニングしなから堆積させ、ＡＩ膜１４をｐｏｌｙ−
Ｓｉ膜１３を通してＳｉ基板１２に対して電気的コンタ
クトを持つ配線の形成方法を示しである。Ｓｉ基板１２
上には、熱酸化による５ｉ０２膜１１が電気的コンタク
トをとるためにパターニングされており、この上の全面
にｐｏｌｙ−Ｓｉ膜１３が５００人の厚さで成膜されて
いる。
この基板を２００°Ｃに加熱し、Ａ１原料としてのＡｌ
（ＣＨ３）２ＨをＨｅガスをキャリヤガスにして供給し
、熱ＣＶＤを行わせる。同時に、マスク１６で空間的に
整形された光１７を照射し、光照射部でのＡｌＣＶＤを
抑制し、非照射部での熱ＣＶＤでＡＩ膜を成長させる。
（ＣＨ３）２ＨをＨｅガスをキャリヤガスにして供給し
、熱ＣＶＤを行わせる。同時に、マスク１６で空間的に
整形された光１７を照射し、光照射部でのＡｌＣＶＤを
抑制し、非照射部での熱ＣＶＤでＡＩ膜を成長させる。
こうして選択的にＭを形成でき、マスクにより自由なパ
ターンの金属膜が形成できる。
ターンの金属膜が形成できる。
用いた光は、４０人より長波長側白色光の極短波長光で
ある。このようにして、５０００人の厚さにまでＡＩ膜
１４を成長させて、ＣＶＤを停止すると、第２図（ｂ）
のようになる。次に、このＭ膜１４をマスクにして、ｐ
ｏｌｙ−Ｓｉｉ １３を、Ｃ１２を用いる反応性プラズ
マエツチングで除去すると、第２図（ｃ）のようにＡｔ
配線を形成できる。
ある。このようにして、５０００人の厚さにまでＡＩ膜
１４を成長させて、ＣＶＤを停止すると、第２図（ｂ）
のようになる。次に、このＭ膜１４をマスクにして、ｐ
ｏｌｙ−Ｓｉｉ １３を、Ｃ１２を用いる反応性プラズ
マエツチングで除去すると、第２図（ｃ）のようにＡｔ
配線を形成できる。
本発明の第２の実施例として、Ｓｉデバイスの形成にお
いて、Ａｔ配線を形成する場合について第３図を参照し
ながら説明する。
いて、Ａｔ配線を形成する場合について第３図を参照し
ながら説明する。
第３図（ａ）は、第１の実施例の第２図（ａ）と同じで
、Ａ１膜１４を光１７を用いて直接パターニングしなが
ら堆積させるプロセスを示している。Ａ１膜１４のパタ
ーニングしつつＣＶＤで成長させた後、Ａ１の原料であ
るＡｌ（ＣＨ３）２Ｈの供給を停止する。次に、第３図
（ｂ）のように、同じマスク１６を用い、かつ、同じ構
成で、今度はＣ１２ガスを導入し、ｐｏｌｙ−Ｓｉ膜１
３を光エッチングする。光照射部ではエツチングが進み
、５ｉ０２膜１１が現れると、自動的にエツチングは停
止し、第３図（ｃ）のようにＡ１配線を形成できる。こ
の方法は、第１の実施例に比べて、Ａ１をマスクとする
ｐｏｌｙ−Ｓｉ膜１３のプラズマエツチングのプロセス
が無いので、−層工程が簡略化されるだけでなく、Ａｌ
膜１４の表面に損傷を与えることも無い。また同一マス
クを用いているのでエツジでのきれがよく良好な形状が
得られる。
、Ａ１膜１４を光１７を用いて直接パターニングしなが
ら堆積させるプロセスを示している。Ａ１膜１４のパタ
ーニングしつつＣＶＤで成長させた後、Ａ１の原料であ
るＡｌ（ＣＨ３）２Ｈの供給を停止する。次に、第３図
（ｂ）のように、同じマスク１６を用い、かつ、同じ構
成で、今度はＣ１２ガスを導入し、ｐｏｌｙ−Ｓｉ膜１
３を光エッチングする。光照射部ではエツチングが進み
、５ｉ０２膜１１が現れると、自動的にエツチングは停
止し、第３図（ｃ）のようにＡ１配線を形成できる。こ
の方法は、第１の実施例に比べて、Ａ１をマスクとする
ｐｏｌｙ−Ｓｉ膜１３のプラズマエツチングのプロセス
が無いので、−層工程が簡略化されるだけでなく、Ａｌ
膜１４の表面に損傷を与えることも無い。また同一マス
クを用いているのでエツジでのきれがよく良好な形状が
得られる。
本発明の第３の実施例として、Ｓｉデバイスの形成にお
いて、Ａｔ配線を形成する場合について第４図を参照し
ながら説明する。
いて、Ａｔ配線を形成する場合について第４図を参照し
ながら説明する。
第４図（ａ）は、Ｓｉ基板１２上に、熱酸化による５ｉ
０２膜１１がパターニングされている基板に、マスク１
６で空間的に整形された光１７を照射して、ｐｏｌｙ−
Ｓｉ膜１３を直接パターニングしながら成長させるプロ
セスを示している。基板温度を６００°Ｃにし、Ｓｉ２
Ｈ６を供給して５ｉＣＶＤの最中に、４０人より長波長
側白色光の極短波長光を照射して、マスクにより光の照
射されない領域に５００人のｐｏｌｙ−Ｓｉ膜１３を成
長できる。次に、第４図（ｂ）のように、マスク１６、
光１７の照射位置を変えることなく、そのまま用いて、
基板温度を２００°Ｃに下げて、Ａｌ原料としてのＡｌ
（ＣＨ３）２ＨをＨｅガスをキャリヤガスにして供給し
、ＡＩの熱ＣＶＤを行わせる。このようにして、第４図
（Ｃ）のようにｐｏｌｙ−Ｓｉ膜上にＡｔ配線を形成で
きる。本実施例では、成膜のプロセスのみてん配線を形
成し、エツチング用ガスを導入しないので、表面荒れな
どを防止できるメリットがある。
０２膜１１がパターニングされている基板に、マスク１
６で空間的に整形された光１７を照射して、ｐｏｌｙ−
Ｓｉ膜１３を直接パターニングしながら成長させるプロ
セスを示している。基板温度を６００°Ｃにし、Ｓｉ２
Ｈ６を供給して５ｉＣＶＤの最中に、４０人より長波長
側白色光の極短波長光を照射して、マスクにより光の照
射されない領域に５００人のｐｏｌｙ−Ｓｉ膜１３を成
長できる。次に、第４図（ｂ）のように、マスク１６、
光１７の照射位置を変えることなく、そのまま用いて、
基板温度を２００°Ｃに下げて、Ａｌ原料としてのＡｌ
（ＣＨ３）２ＨをＨｅガスをキャリヤガスにして供給し
、ＡＩの熱ＣＶＤを行わせる。このようにして、第４図
（Ｃ）のようにｐｏｌｙ−Ｓｉ膜上にＡｔ配線を形成で
きる。本実施例では、成膜のプロセスのみてん配線を形
成し、エツチング用ガスを導入しないので、表面荒れな
どを防止できるメリットがある。
以上の実施例では、Ａｌ（ＣＨ３）２Ｈを原料とするＡ
ｌのＣＶＤについて述べたが、原料はこれに限られるこ
とはなく 、ＡＩ（ＣＨ３）ａやＡｌ−Ａｌ−１ｓｏ（
Ｃ４Ｈなどの有機金属でも良いし、これらの構成原子に
塩素が含まれていても良い。また、使用できる光は、本
実施例の極短波長に限られることはなく、紫外線領域や
赤外線領域のレーザやランプなどの光でも良い。
ｌのＣＶＤについて述べたが、原料はこれに限られるこ
とはなく 、ＡＩ（ＣＨ３）ａやＡｌ−Ａｌ−１ｓｏ（
Ｃ４Ｈなどの有機金属でも良いし、これらの構成原子に
塩素が含まれていても良い。また、使用できる光は、本
実施例の極短波長に限られることはなく、紫外線領域や
赤外線領域のレーザやランプなどの光でも良い。
（発明の効果）
本発明によれば、配線用金属ＣＶＤのパターニングによ
って配線を形成する方法において、レジスト塗布、露光
、レジスト剥離などのプロセス無しで、光利用によって
空間選択性良くパターニングすることによって、従来よ
り工程を短縮して配線を形成する方法を提供できる。
って配線を形成する方法において、レジスト塗布、露光
、レジスト剥離などのプロセス無しで、光利用によって
空間選択性良くパターニングすることによって、従来よ
り工程を短縮して配線を形成する方法を提供できる。
第１図は本発明の方法による配線形成方法を示す概念図
である。第２図、第３図、第４図は本発明の方法による
配線形成の実施例を示す概念図である。 第５図は従来の配線形成方法を示す概念図である。 １ｌ−Ｓｉ０２膜、１２・・・Ｓｉ基板、１３−ｐｏｌ
ｙ−Ｓｉ膜、１４−Ａｌ膜、１５・・・レジスト、１６
・・・マスク、１７・・・光、１８・・・熱ＣＶＤ膜
である。第２図、第３図、第４図は本発明の方法による
配線形成の実施例を示す概念図である。 第５図は従来の配線形成方法を示す概念図である。 １ｌ−Ｓｉ０２膜、１２・・・Ｓｉ基板、１３−ｐｏｌ
ｙ−Ｓｉ膜、１４−Ａｌ膜、１５・・・レジスト、１６
・・・マスク、１７・・・光、１８・・・熱ＣＶＤ膜
Claims (3)
- （１）有機金属を原料とする金属ＣＶＤ法を用いた配線
形成方法において基板上に、ポリシリコン（ｐｏｌｙ−
Ｓｉ）膜を形成する工程と、マスクで空間的に整形れさ
た光を照射しながら金属ＣＶＤを行ない、光照射部での
金属ＣＶＤを抑制することによって、選択的に金属膜を
形成する工程と、前記選択的に形成された金属膜をマス
クとして前記ｐｏｌｙ−Ｓｉ膜をエッチングする工程と
を備えることを特徴とする配線形成方法。 - （２）有機金属を原料とする金属ＣＶＤ法を用いた配線
形成方法において基板上にｐｏｌｙ−Ｓｉ膜を形成する
工程と、マスクで空間的に整形された光を照射しながら
金属ＣＶＤを行ない、光照射部での金属ＣＶＤを抑制す
ることによって、選択的に金属膜を形成する工程と、前
記マスクを継続して使用し、ｐｏｌｙ−Ｓｉ膜を光エッ
チングする工程とを備えることを特徴とする配線形成方
法。 - （３）マスクで空間的に整形された光を照射して光照射
部でのｐｏｌｙ−Ｓｉ膜の成長を抑制することによって
基板上に選択的にｐｏｌｙ−Ｓｉ膜を形成する工程と前
記マスクを継続して使用し、空間的に整形された光を、
照射しながら有機金属原料を用いた金属ＣＶＤを行ない
、光照射部での金属のＣＶＤを抑制することによって、
選択的に金属膜を形成する工程とを備えることを特徴と
する配線形成方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2186341A JP2586700B2 (ja) | 1990-07-13 | 1990-07-13 | 配線形成方法 |
| US07/717,603 US5393577A (en) | 1990-06-19 | 1991-06-19 | Method for forming a patterned layer by selective chemical vapor deposition |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2186341A JP2586700B2 (ja) | 1990-07-13 | 1990-07-13 | 配線形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0472731A true JPH0472731A (ja) | 1992-03-06 |
| JP2586700B2 JP2586700B2 (ja) | 1997-03-05 |
Family
ID=16186661
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
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| JP (1) | JP2586700B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0580158A1 (en) * | 1992-07-23 | 1994-01-26 | Canon Kabushiki Kaisha | Method of treating active material |
-
1990
- 1990-07-13 JP JP2186341A patent/JP2586700B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0580158A1 (en) * | 1992-07-23 | 1994-01-26 | Canon Kabushiki Kaisha | Method of treating active material |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2586700B2 (ja) | 1997-03-05 |
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