JPH0472688A - 半導体発光装置 - Google Patents
半導体発光装置Info
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- JPH0472688A JPH0472688A JP2294063A JP29406390A JPH0472688A JP H0472688 A JPH0472688 A JP H0472688A JP 2294063 A JP2294063 A JP 2294063A JP 29406390 A JP29406390 A JP 29406390A JP H0472688 A JPH0472688 A JP H0472688A
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 77
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 42
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 42
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims abstract description 32
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims abstract description 31
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims abstract description 28
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims description 7
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 7
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims description 6
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910001297 Zn alloy Inorganic materials 0.000 abstract description 9
- 229910017401 Au—Ge Inorganic materials 0.000 abstract description 7
- 239000000203 mixture Substances 0.000 abstract description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 16
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 9
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 7
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 4
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 3
- 238000005019 vapor deposition process Methods 0.000 description 3
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 2
- -1 for example Substances 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001111 Fine metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 1
- 230000002842 otolith Effects 0.000 description 1
- 210000001265 otolithic membrane Anatomy 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003870 refractory metal Substances 0.000 description 1
- 239000005394 sealing glass Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
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- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
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- H01S5/4025—Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar
- H01S5/4031—Edge-emitting structures
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/04026—Bonding areas specifically adapted for layer connectors
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/1015—Shape
- H01L2924/10155—Shape being other than a cuboid
- H01L2924/10158—Shape being other than a cuboid at the passive surface
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/151—Die mounting substrate
- H01L2924/153—Connection portion
- H01L2924/1531—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface
- H01L2924/15312—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface being a pin array, e.g. PGA
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/161—Cap
- H01L2924/1615—Shape
- H01L2924/16152—Cap comprising a cavity for hosting the device, e.g. U-shaped cap
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- H01S5/00—Semiconductor lasers
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- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
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- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
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- H01S5/0233—Mounting configuration of laser chips
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- H01S5/00—Semiconductor lasers
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の目的〕
（産業上の利用分野）
本発明は半導体発光装置特に、マルチビーム（Ｍｕｌｔ
ｉ Ｂｅａｍ）半導体レーザ（Ｌａｓｅｒ）装置に係わ
り、各ビームを独立に駆動するのに利用するマウント（
Ｍｏｕｎｔ）用電極金属に好適なものである。
ｉ Ｂｅａｍ）半導体レーザ（Ｌａｓｅｒ）装置に係わ
り、各ビームを独立に駆動するのに利用するマウント（
Ｍｏｕｎｔ）用電極金属に好適なものである。
（従来の技術）
半導体発光装置の一種であるマルチビーム半導体レーザ
装置の従来技術を第１図を参照して説明する。マルチビ
ーム半導体レーザ装置用チップ（Ｃｈｉｐ） １は電気
的絶縁性サブマウント（Ｓｕｂｍｏｕｎｔ）２を介して
ヒートシンク（Ｈｅａｊ ５ｉｎｋ） ３ に取付け
て構成されている。このような積層構造を形成するには
サブマウント２の一面全体を被覆する半田層例えばＡｕ
−３ｎ合金層４がマルチビーム半導体レーザ装置用チッ
プ１の表面に形成した電極５と接触・固着して一体とし
ている。半田層４はプリフォーム（Ｐｒｅｆｏｒｍ）と
呼ばれるチップ状のものを利用する場合と、真空蒸着法
やスパッタリング（Ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ）法などによ
り堆積した薄膜を利用する例がある。また、マルチビー
ム半導体レーザ装置では複数のビームを独立して発光さ
せるためにいわゆるジャンクションアップ（Ｊｕｎｃｔ
ｉｏｎ Ｕｐ）方式を採用している。このために第１図
に示すようにマルチビーム半導体レーザ装置用チップ１
頂面に形成した電極７に固着した金属細線８を経て電流
を供給している。
装置の従来技術を第１図を参照して説明する。マルチビ
ーム半導体レーザ装置用チップ（Ｃｈｉｐ） １は電気
的絶縁性サブマウント（Ｓｕｂｍｏｕｎｔ）２を介して
ヒートシンク（Ｈｅａｊ ５ｉｎｋ） ３ に取付け
て構成されている。このような積層構造を形成するには
サブマウント２の一面全体を被覆する半田層例えばＡｕ
−３ｎ合金層４がマルチビーム半導体レーザ装置用チッ
プ１の表面に形成した電極５と接触・固着して一体とし
ている。半田層４はプリフォーム（Ｐｒｅｆｏｒｍ）と
呼ばれるチップ状のものを利用する場合と、真空蒸着法
やスパッタリング（Ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ）法などによ
り堆積した薄膜を利用する例がある。また、マルチビー
ム半導体レーザ装置では複数のビームを独立して発光さ
せるためにいわゆるジャンクションアップ（Ｊｕｎｃｔ
ｉｏｎ Ｕｐ）方式を採用している。このために第１図
に示すようにマルチビーム半導体レーザ装置用チップ１
頂面に形成した電極７に固着した金属細線８を経て電流
を供給している。
ところで、マルチビーム半導体レーザ装置用チップ１に
形成する発光部９は厚さが７０４−１００１Ｂの基板に
いわゆるＬＰＥ（Ｌｉｑｕｉｄ Ｐｈａｓｅ Ｅｐｉｔ
ａｘｙ）法により結晶を堆積後、ビームを分離し易くす
るために発光部９からマルチビーム半導体レーザ装置用
チップ１頂面までの距離は５ｐＲ〜１０声と小さいのに
対して、電気的絶縁性サブマウント２までのそれは７０
Ｉｓ〜１００４と大きくしている。
形成する発光部９は厚さが７０４−１００１Ｂの基板に
いわゆるＬＰＥ（Ｌｉｑｕｉｄ Ｐｈａｓｅ Ｅｐｉｔ
ａｘｙ）法により結晶を堆積後、ビームを分離し易くす
るために発光部９からマルチビーム半導体レーザ装置用
チップ１頂面までの距離は５ｐＲ〜１０声と小さいのに
対して、電気的絶縁性サブマウント２までのそれは７０
Ｉｓ〜１００４と大きくしている。
これに対して熱放散を良好にする手法としていわゆるジ
ャンクションダウン（Ｊｕｎｃｔｉｏｎ Ｄｏ％ｉｎ）
方式が知られている。この例では第２図ａ、ｂに示した
ように発光部９を電気的絶縁性サブマウント２に近付け
て配置し更に、第１図の例と同様に独立して動作させる
売めにやはり分離溝１０を設置している。しかも、第２
図すに明らかなように電気的絶縁性サブマウント２に対
称的な形状にパターニング（Ｐａｔｔｅｒｎｉｎｇ）
した電極１１に半田層１２を重ねて形成して、マルチビ
ーム半導体レーザ装置用チップ１（第２図す参照）のマ
ウントに備えている。これに対する金属細線のボンダビ
リティ（Ｂｏｎｄａｂｉｌｉｔｙ）が良くないために半
田層１２の存在が好ましくない。従って、半田層１２を
電気的絶縁性サブマウント２に形成するのには電極金属
例えばＡｕと半田層１２が混ざることがなく、しかも選
択的に除去する方法を採らざるを得ない。
ャンクションダウン（Ｊｕｎｃｔｉｏｎ Ｄｏ％ｉｎ）
方式が知られている。この例では第２図ａ、ｂに示した
ように発光部９を電気的絶縁性サブマウント２に近付け
て配置し更に、第１図の例と同様に独立して動作させる
売めにやはり分離溝１０を設置している。しかも、第２
図すに明らかなように電気的絶縁性サブマウント２に対
称的な形状にパターニング（Ｐａｔｔｅｒｎｉｎｇ）
した電極１１に半田層１２を重ねて形成して、マルチビ
ーム半導体レーザ装置用チップ１（第２図す参照）のマ
ウントに備えている。これに対する金属細線のボンダビ
リティ（Ｂｏｎｄａｂｉｌｉｔｙ）が良くないために半
田層１２の存在が好ましくない。従って、半田層１２を
電気的絶縁性サブマウント２に形成するのには電極金属
例えばＡｕと半田層１２が混ざることがなく、しかも選
択的に除去する方法を採らざるを得ない。
（発明が解決しようとする課題）
ジャンクションアップ方式によりマルチビーム半導体レ
ーザ装置用チップ１を電気的絶縁性サブマウント２にマ
ウントした場合には発光点からの距離が大きいことに起
因して各発光点で発生する熱放散効果が薄れてマルチビ
ーム半導体レーザ装置用チップ１の温度が上昇して信頼
性が低下すると共に、各発光点間の熱干渉も大きくなっ
て夫々が独立して駆動するのに支障をきたすなどの難点
がある。
ーザ装置用チップ１を電気的絶縁性サブマウント２にマ
ウントした場合には発光点からの距離が大きいことに起
因して各発光点で発生する熱放散効果が薄れてマルチビ
ーム半導体レーザ装置用チップ１の温度が上昇して信頼
性が低下すると共に、各発光点間の熱干渉も大きくなっ
て夫々が独立して駆動するのに支障をきたすなどの難点
がある。
これに対してジャンクションダウン方式では電極金属例
えばＡｕと半田層が混ざることがなく、しかも選択的に
除去することが不可欠になるが、現在の技術水準では極
めて厳しい。また、金属マスク（Ｍａｓｋ）を使用した
真空蒸着法により半田層を形成する方法も考えられるが
、精密なパターニングが困難であり、その上マルチビー
ム半導体レーザの発光点間隔が１００−以下になると電
気的分離が難しくなる。
えばＡｕと半田層が混ざることがなく、しかも選択的に
除去することが不可欠になるが、現在の技術水準では極
めて厳しい。また、金属マスク（Ｍａｓｋ）を使用した
真空蒸着法により半田層を形成する方法も考えられるが
、精密なパターニングが困難であり、その上マルチビー
ム半導体レーザの発光点間隔が１００−以下になると電
気的分離が難しくなる。
本発明はこのような事情により成されたもので、熱放散
が良好でしかも各発光点間の熱干渉が小さくてどのよう
な発光点間隔でも容易に動作できる半導体発光装置を提
供することを目的とする６〔発明の構成〕 （８題を解決するための手段） ヒートシンクに固着する電気的絶縁性のサブマウントと
、前記サブマウントに重ねて固着する半導体発光装置用
チップと、前記半導体発光装置用チップ表面から内部に
向けて形成する分離溝と、前記半導体発光装置用チップ
表面に選択的に形成するオーミックコンタクト（Ｏｈ＋
ｎｉｃ Ｃｏｎｔａｃｔ）電極及び半田層と、前記サブ
マウントの半導体発光装置用チップの固着面に選択的に
形成する電極配線用金属層と、前記オーミックコンタク
ト電極と半田層間に設置され半田層の融点以上の融点を
もつ一種類以上の高融点金属層に本発明に係わる半導体
発光装置の特徴がある。また前記高融点金属層をモリブ
デン（Ｍｏｌｙｂｄｅｎｕｍ）層で構成する点と、更に
前記モリブデン層とオーミックコンタクト電極間に一層
以上のチタン（Ｔｉｔａｎｉｕｍ）層を設置する点にも
特徴がある。
が良好でしかも各発光点間の熱干渉が小さくてどのよう
な発光点間隔でも容易に動作できる半導体発光装置を提
供することを目的とする６〔発明の構成〕 （８題を解決するための手段） ヒートシンクに固着する電気的絶縁性のサブマウントと
、前記サブマウントに重ねて固着する半導体発光装置用
チップと、前記半導体発光装置用チップ表面から内部に
向けて形成する分離溝と、前記半導体発光装置用チップ
表面に選択的に形成するオーミックコンタクト（Ｏｈ＋
ｎｉｃ Ｃｏｎｔａｃｔ）電極及び半田層と、前記サブ
マウントの半導体発光装置用チップの固着面に選択的に
形成する電極配線用金属層と、前記オーミックコンタク
ト電極と半田層間に設置され半田層の融点以上の融点を
もつ一種類以上の高融点金属層に本発明に係わる半導体
発光装置の特徴がある。また前記高融点金属層をモリブ
デン（Ｍｏｌｙｂｄｅｎｕｍ）層で構成する点と、更に
前記モリブデン層とオーミックコンタクト電極間に一層
以上のチタン（Ｔｉｔａｎｉｕｍ）層を設置する点にも
特徴がある。
（作 用）
本発明に係わる半導体発光装置はそれ用のチップを電気
的絶縁製サブマウントに固着するために半田層の融点以
上に温度を上げた際に、第１の高融点金属であるモリブ
デン層によりオーミックコンタクト電極用金属層と半田
層が混ざることが防げるので、オーミックコンタクト電
極抵抗の上昇が起こらず、その上半田層とサブマウント
面に選択的に形成した電極用配線金属層との接触不良も
発生しないとの知見に基すいて完成され、信頼性の高い
半導体発光装置が得られる。
的絶縁製サブマウントに固着するために半田層の融点以
上に温度を上げた際に、第１の高融点金属であるモリブ
デン層によりオーミックコンタクト電極用金属層と半田
層が混ざることが防げるので、オーミックコンタクト電
極抵抗の上昇が起こらず、その上半田層とサブマウント
面に選択的に形成した電極用配線金属層との接触不良も
発生しないとの知見に基すいて完成され、信頼性の高い
半導体発光装置が得られる。
更に、オーミックコンタクト電極用金属層と第１の高融
点金属層の間に設置した第２の高融点金属の作用効果に
ついて説明すると、オーミックコンタクト電極用金属層
と第１の高融点金属層を半導体発光装置用チップに選択
的に形成する際には夫々専用の等方性エツチング液が必
要になる。しかし、オーミックコンタクト電極用金属層
と第１の高融点金属層の界面が例えば蒸着工程時僅かで
も混ざり合うと、専用のエツチング液でも処理できなく
なる。そこで第１の高融点金属層より融点が低い第２の
高融点金属層を設置することによりオーミックコンタク
ト電極用金属層と第１の高融点金属層の界面が混ざらず
、専用の等方性エツチング液の使用が可能になる。しか
も、第１の高融点金属層より融点が低い第２の高融点金
属はオーミックコンタクト電極用金属層との混ざりを極
力抑えることができる。
点金属層の間に設置した第２の高融点金属の作用効果に
ついて説明すると、オーミックコンタクト電極用金属層
と第１の高融点金属層を半導体発光装置用チップに選択
的に形成する際には夫々専用の等方性エツチング液が必
要になる。しかし、オーミックコンタクト電極用金属層
と第１の高融点金属層の界面が例えば蒸着工程時僅かで
も混ざり合うと、専用のエツチング液でも処理できなく
なる。そこで第１の高融点金属層より融点が低い第２の
高融点金属層を設置することによりオーミックコンタク
ト電極用金属層と第１の高融点金属層の界面が混ざらず
、専用の等方性エツチング液の使用が可能になる。しか
も、第１の高融点金属層より融点が低い第２の高融点金
属はオーミックコンタクト電極用金属層との混ざりを極
力抑えることができる。
高融点金属としてモリブデンまたはチタンを選定したの
は半導体基板として利用する例えばＧａＡｓと熱膨張係
数が近似しており、更に等方性エツチングによるパター
ニングが白金やタングステン（Ｔｕｎｇｓｔｅｎ）より
し易い利点があるためである。
は半導体基板として利用する例えばＧａＡｓと熱膨張係
数が近似しており、更に等方性エツチングによるパター
ニングが白金やタングステン（Ｔｕｎｇｓｔｅｎ）より
し易い利点があるためである。
（実施例）
本発明に係わる実施例を第３図乃至第７図を参考にして
説明する。第３図と第４図に示した２ビ一ム半導体レー
ザ用半導体チップ２０に偏平状に形成される発光部２１
・・・間には電気的な分離を行う分離溝２２を公知の異
方性エツチング例えば反応性ドライエツチング法により
形成され、電気的絶縁性サブマウント２３を介してヒー
トシンク２４に固着する。ところで、シリコンから成り
高抵抗の電気的絶縁性サブマウント２３にいわゆるジャ
ンクションダウン方式によって２ビ一ム半導体レーザ用
半導体チップ２０を取付けるにはＧｅを１２％程度含有
したＡｕ−Ｇｅ半田層２５によっており、蒸着法などで
約２虜堆積したものが好適である。更に２ビ一ム半導体
レーザ用半導体チップ２０のオーミックコンタクト電極
として機能する厚さが０．５ｊ１ｍ程度のＡｕ−Ｚｎ合
金層２６をＡｕ−Ｇｅ半田層２５に隣接して形成する。
説明する。第３図と第４図に示した２ビ一ム半導体レー
ザ用半導体チップ２０に偏平状に形成される発光部２１
・・・間には電気的な分離を行う分離溝２２を公知の異
方性エツチング例えば反応性ドライエツチング法により
形成され、電気的絶縁性サブマウント２３を介してヒー
トシンク２４に固着する。ところで、シリコンから成り
高抵抗の電気的絶縁性サブマウント２３にいわゆるジャ
ンクションダウン方式によって２ビ一ム半導体レーザ用
半導体チップ２０を取付けるにはＧｅを１２％程度含有
したＡｕ−Ｇｅ半田層２５によっており、蒸着法などで
約２虜堆積したものが好適である。更に２ビ一ム半導体
レーザ用半導体チップ２０のオーミックコンタクト電極
として機能する厚さが０．５ｊ１ｍ程度のＡｕ−Ｚｎ合
金層２６をＡｕ−Ｇｅ半田層２５に隣接して形成する。
このＡｕ−Ｇｅ半田層２５及びＡｕ−Ｚｎ合金層２６の
分離溝２２に対応する部分はフォトリソグラフィ（Ｐｈ
ｏｔｏ Ｌｉｔｈ。
分離溝２２に対応する部分はフォトリソグラフィ（Ｐｈ
ｏｔｏ Ｌｉｔｈ。
ｇｒａρｈｙ）技術によるパターニング工程により除去
する。
する。
２ビ一ム半導体レーザ用半導体チップ２０は例えばＧａ
Ａｓから成るｐ型半導体基板で構成し、電気的絶縁性サ
ブマウント２３と固着する表面はｎ型半導体に変換され
るので、Ａｕ−Ｇｅ半田層２５がオーミック電極層を兼
ねることも可能である。また、積層体の上端には厚さが
約ＩＩｓのＡｕ−Ｇｅ合金から成る共通電極２７を設置
して２ビ一ム半導体レーザ用半導体チップ２０のオーミ
ックコンタクト電極を形成すると共に、２ビームの共通
電極として機能させる。また電気的絶縁性サブマウント
２３の裏面を被覆するのはヒートシンク２４との固着用
として設置する厚さが３７ａ程度のＡｕ−５ｎ合金製の
半田層２９である。更に本発明にとって最も重要な構成
要件である第１の高融点金属層２８について説明する。
Ａｓから成るｐ型半導体基板で構成し、電気的絶縁性サ
ブマウント２３と固着する表面はｎ型半導体に変換され
るので、Ａｕ−Ｇｅ半田層２５がオーミック電極層を兼
ねることも可能である。また、積層体の上端には厚さが
約ＩＩｓのＡｕ−Ｇｅ合金から成る共通電極２７を設置
して２ビ一ム半導体レーザ用半導体チップ２０のオーミ
ックコンタクト電極を形成すると共に、２ビームの共通
電極として機能させる。また電気的絶縁性サブマウント
２３の裏面を被覆するのはヒートシンク２４との固着用
として設置する厚さが３７ａ程度のＡｕ−５ｎ合金製の
半田層２９である。更に本発明にとって最も重要な構成
要件である第１の高融点金属層２８について説明する。
即ちオーミックコンタクト電極として機能するＡｕ−Ｚ
ｎ合金層とＡｕ−Ｇｅ半田層２５が混ざるのを防止する
厚さがほぼ０．２ｇｎのＭｏ層２８を蒸着法などにより
堆積して形成する。
ｎ合金層とＡｕ−Ｇｅ半田層２５が混ざるのを防止する
厚さがほぼ０．２ｇｎのＭｏ層２８を蒸着法などにより
堆積して形成する。
そして、Ａｕ−Ｇｅ半田層２５、Ａｕ−Ｚｎ合金層２６
及び第１の高融点金属層２８はいずれも一般的な抵抗加
熱蒸着法やＥ （１：１６ｃｔｒｏｎ）ガン（Ｇｕｎ）
蒸着法により２ビ一ム半導体レーザ用半導体チップ２０
表面に堆積後、通常のレジスト（Ｒｅｓｉｓｔ）をマス
クとしてまた、Ａｕ−Ｇｅ半田層２５とＡｕ−Ｚｎ合金
層２６をシアン（Ｃｙａｎｅ）を含むＡｕのエツチング
液を用いてパターニングする。第１の高融点金属層２８
及びＡｕ−Ｚｎ合金層２６は蒸着時混ざり合うとエツチ
ングが難しくなるので、蒸着工程では極力温度上昇を抑
える必要がある。
及び第１の高融点金属層２８はいずれも一般的な抵抗加
熱蒸着法やＥ （１：１６ｃｔｒｏｎ）ガン（Ｇｕｎ）
蒸着法により２ビ一ム半導体レーザ用半導体チップ２０
表面に堆積後、通常のレジスト（Ｒｅｓｉｓｔ）をマス
クとしてまた、Ａｕ−Ｇｅ半田層２５とＡｕ−Ｚｎ合金
層２６をシアン（Ｃｙａｎｅ）を含むＡｕのエツチング
液を用いてパターニングする。第１の高融点金属層２８
及びＡｕ−Ｚｎ合金層２６は蒸着時混ざり合うとエツチ
ングが難しくなるので、蒸着工程では極力温度上昇を抑
える必要がある。
ここで２ビ一ム半導体レーザ用半導体チップ２０の構造
を第５図の斜視図面の簡単な説明すると、ｎ型ＧａＡｓ
基板３０の一面にはＰ型ＧａＡｓから成る電流ブロック
（ＢＬｏｃｋ）層３１を、更に以下の部品を記載順にＬ
ＰＥ法により積層する。即ち、ｎ型ＧａＡＱＡｓクラッ
ド層３２、ｐ型Ｇａ１ｌＡｓ活性層３３、ｐ型Ｇａｌ！
Ａｓクラッド層３４、ｐ型ＧａＡｓオーミック層３５及
び電極２Ｇで構成する。
を第５図の斜視図面の簡単な説明すると、ｎ型ＧａＡｓ
基板３０の一面にはＰ型ＧａＡｓから成る電流ブロック
（ＢＬｏｃｋ）層３１を、更に以下の部品を記載順にＬ
ＰＥ法により積層する。即ち、ｎ型ＧａＡＱＡｓクラッ
ド層３２、ｐ型Ｇａ１ｌＡｓ活性層３３、ｐ型Ｇａｌ！
Ａｓクラッド層３４、ｐ型ＧａＡｓオーミック層３５及
び電極２Ｇで構成する。
一方Ａｕ−Ｇｅ半田層２５により２ビ一ム半導体レーザ
用半導体チップ２０と固着する電気的絶縁性サブマウン
ト２３表面には選択的に電極配線用金属層３６が形成さ
れており、Ａｕ−Ｇｅ半田層２５とにより一体とする。
用半導体チップ２０と固着する電気的絶縁性サブマウン
ト２３表面には選択的に電極配線用金属層３６が形成さ
れており、Ａｕ−Ｇｅ半田層２５とにより一体とする。
第４図には第３図における第１の高融点金属層２８に、
厚さが０．１癖位のＴｉ層３７即ち第２の高融点金属層
を追加した他の実施例を示した。このＴｉ金属層３７も
Ｅガン蒸着法により堆積後、レジストをマスクとし弗酸
系の等方性エツチング液によりパターニングして形成す
るが、しかしＴｉはＭＯより融点が低いために蒸着中の
温度上昇が極端に抑えられる。この結果、蒸着工程中に
Ａｕ−Ｚｎ合金層２６とＴｉ層３７が混じることがない
ので、専用の等方性エツチング液が使用でき、パターン
精度が向上する。
厚さが０．１癖位のＴｉ層３７即ち第２の高融点金属層
を追加した他の実施例を示した。このＴｉ金属層３７も
Ｅガン蒸着法により堆積後、レジストをマスクとし弗酸
系の等方性エツチング液によりパターニングして形成す
るが、しかしＴｉはＭＯより融点が低いために蒸着中の
温度上昇が極端に抑えられる。この結果、蒸着工程中に
Ａｕ−Ｚｎ合金層２６とＴｉ層３７が混じることがない
ので、専用の等方性エツチング液が使用でき、パターン
精度が向上する。
即ち従来技術により得られるパターン精度は５癖のパタ
ーンに対して２Ｉａ〜３陣であったのが、第１及び第２
の実施例では±１声以下の値に向上することができる。
ーンに対して２Ｉａ〜３陣であったのが、第１及び第２
の実施例では±１声以下の値に向上することができる。
従って、電気的絶縁性サブマウント２３と２ビ一ム半導
体レーザ用半導体チップ２０の剥離現象がなくなる外に
、コンタクトが採れないような電気抵抗の悪化が防止で
き、ひいては信頼性の向上をもたらす効果が得られる。
体レーザ用半導体チップ２０の剥離現象がなくなる外に
、コンタクトが採れないような電気抵抗の悪化が防止で
き、ひいては信頼性の向上をもたらす効果が得られる。
更に、オーミックコンタクト電極であるＡｕ−Ｚｎ合金
層２６と半田層２５を共通化した２ビ一ム半導体レーザ
用半導体チップ２０が考えられるが、これと同等な初期
特性と信頼性が得られる。
層２６と半田層２５を共通化した２ビ一ム半導体レーザ
用半導体チップ２０が考えられるが、これと同等な初期
特性と信頼性が得られる。
ところで、電気的絶縁性サブマウント２３を介してヒー
トシンク２４に取付けた２ビ一ム半導体レーザ用半導体
チップ２０は第６図に明らかにしたようにステム（Ｓｔ
ｅｍ）３７にマウントして他の電子機器と接続可能にな
る。このために、金属製の支持部３８に複数個のり一ド
３９をガラス（Ｇｌａｓｓ）層４３（第７図参照）を利
用してハーメチックシール（ＨａｒｍｅｔｉｃＳｅａｌ
）シており、電気的絶縁性サブマウント２３を介してヒ
ートシンク２４に取付けた２ビ一ム半導体レーザ用半導
体チップ２０は支持部３８にマウントする。更にこれら
を覆い中央が開口した遮蔽体４０を設置して外囲器とし
て機能させる。
トシンク２４に取付けた２ビ一ム半導体レーザ用半導体
チップ２０は第６図に明らかにしたようにステム（Ｓｔ
ｅｍ）３７にマウントして他の電子機器と接続可能にな
る。このために、金属製の支持部３８に複数個のり一ド
３９をガラス（Ｇｌａｓｓ）層４３（第７図参照）を利
用してハーメチックシール（ＨａｒｍｅｔｉｃＳｅａｌ
）シており、電気的絶縁性サブマウント２３を介してヒ
ートシンク２４に取付けた２ビ一ム半導体レーザ用半導
体チップ２０は支持部３８にマウントする。更にこれら
を覆い中央が開口した遮蔽体４０を設置して外囲器とし
て機能させる。
第７図には第３図及び第４図に示した２ビ一ム半導体レ
ーザ用半導体チップ２０の上面図が示されており、第６
図における電気的絶縁性サブマウント２３に形成した電
極４１からリード３９へのＡｕ細線４２による接続状況
及び２ビ一ム半導体レーザ用半導体チップ２０からヒー
トシンク２４へのＡｕ細線４２による接続状況を拡大し
て示した図である。
ーザ用半導体チップ２０の上面図が示されており、第６
図における電気的絶縁性サブマウント２３に形成した電
極４１からリード３９へのＡｕ細線４２による接続状況
及び２ビ一ム半導体レーザ用半導体チップ２０からヒー
トシンク２４へのＡｕ細線４２による接続状況を拡大し
て示した図である。
なおステム３７を貫通して設置するリード３９の間には
ハーメチックシール用ガラス層４３が明らかにされてい
る。
ハーメチックシール用ガラス層４３が明らかにされてい
る。
図に明らかなようにヒートシンク２４の露出面にパター
ニングされた電極４１にはＡｕ細線４２がボンディング
法（Ｂｏｎｄｉｎｇ）法により熱圧着または超音波圧着
されている様子を示している。このような接続状態にあ
ると１発光部４２夫々に電流が印加されることになる。
ニングされた電極４１にはＡｕ細線４２がボンディング
法（Ｂｏｎｄｉｎｇ）法により熱圧着または超音波圧着
されている様子を示している。このような接続状態にあ
ると１発光部４２夫々に電流が印加されることになる。
更にまた２ビ一ム半導体レーザ用半導体チップ２０とヒ
ートシンク２４を別のＡｕ細線４４により接続すること
により各発光部の共通電極とする。
ートシンク２４を別のＡｕ細線４４により接続すること
により各発光部の共通電極とする。
このように本発明では２ビームの発光部間隔を最小３０
虜にすることができ、一方から光出力１０ｍＷを取出し
ながら、他方から光出力１０ｍＷが得られるような電流
を付勢した際、熱の影響により先に発光していた光出力
が低下する率を示す熱的クロストーク（ｃｌｏｓｓｔａ
ｌｋ）量は５％以下（発光部間間隔３０ｐｍ）であった
。この値は従来のいわえるジャンクションアップ型に比
べて半分以下の数値である。
虜にすることができ、一方から光出力１０ｍＷを取出し
ながら、他方から光出力１０ｍＷが得られるような電流
を付勢した際、熱の影響により先に発光していた光出力
が低下する率を示す熱的クロストーク（ｃｌｏｓｓｔａ
ｌｋ）量は５％以下（発光部間間隔３０ｐｍ）であった
。この値は従来のいわえるジャンクションアップ型に比
べて半分以下の数値である。
このような実施例は半導体レーザ装置により説明したが
、その外のいかなる発光装置にも適用できるし更に、発
光部が２個より多い装置にも利用できる。なお半導体レ
ーザ装置以外のどのような発光装置にも応用できる。
、その外のいかなる発光装置にも適用できるし更に、発
光部が２個より多い装置にも利用できる。なお半導体レ
ーザ装置以外のどのような発光装置にも応用できる。
本発明に係わる半導体発光装置はいかなる極性の半導体
発光装置用チップを用いても高い信頼性が容易に得られ
、マルチビーム半導体レーザ装置でも同じように形成で
きる。
発光装置用チップを用いても高い信頼性が容易に得られ
、マルチビーム半導体レーザ装置でも同じように形成で
きる。
第１図及び第２図ａ、ｂは従来の半導体発光装置を示す
断面図と斜視図、第３図及び第４図は本発明の実施例を
示す断面図、第５図は本発明の２ビ一ム半導体レーザ装
置用チップの斜視図、第６図は２ビ一ム半導体レーザ装
置用チップを電気的絶縁性サブマウントを介して取付け
たヒートシンクを固着する状況を明らかにした斜視図、
第７図は２ビ一ム半導体レーザ装置用チップの上面図で
ある。 １．２０：半導体チップ、 ２．２３：電気的絶縁性サブマウント、３．２４：ヒー
トシンク、５．７．１１．２７：電極、６．１２．２５
．２９：半田層、 ２８．３７：高融点金属層、９．２１：発光点、１０．
２２：分離溝、３７：ステム、３８：支持部、３９：リ
ード、４０：遮蔽体、４２．４４：金属細線、４３ニガ
ラス層。 代理人 弁理士 大 胡 典 夫 第 図 第７図
断面図と斜視図、第３図及び第４図は本発明の実施例を
示す断面図、第５図は本発明の２ビ一ム半導体レーザ装
置用チップの斜視図、第６図は２ビ一ム半導体レーザ装
置用チップを電気的絶縁性サブマウントを介して取付け
たヒートシンクを固着する状況を明らかにした斜視図、
第７図は２ビ一ム半導体レーザ装置用チップの上面図で
ある。 １．２０：半導体チップ、 ２．２３：電気的絶縁性サブマウント、３．２４：ヒー
トシンク、５．７．１１．２７：電極、６．１２．２５
．２９：半田層、 ２８．３７：高融点金属層、９．２１：発光点、１０．
２２：分離溝、３７：ステム、３８：支持部、３９：リ
ード、４０：遮蔽体、４２．４４：金属細線、４３ニガ
ラス層。 代理人 弁理士 大 胡 典 夫 第 図 第７図
Claims (3)
- （１）ヒートシンクに固着する電気的絶縁性のサブマウ
ントと、前記サブマウントに重ねて固着する半導体発光
装置用チップと、前記半導体発光装置用チップ表面から
内部に向けて形成する分離溝と、前記半導体発光装置用
チップ表面に選択的に形成するオーミックコンタクト電
極及び半田層と、前記サブマウントの半導体発光装置用
チップの固着面に選択的に形成する電極配線用金属層と
、前記オーミックコンタクト電極と半田層間に設置され
半田層の融点以上の融点をもつ一種類以上の高融点金属
層を具備することを特徴とする半導体発光装置。 - （２）前記高融点金属層をモリブデン層で構成すること
を特徴とする半導体発光装置。 - （３）前記モリブデン層とオーミックコンタクト電極間
に一層以上のチタン層を設置することを特徴とする半導
体発光装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019910007949A KR940003436B1 (ko) | 1990-05-18 | 1991-05-16 | 반도체발광장치 |
| EP19910108027 EP0457344A3 (en) | 1990-05-18 | 1991-05-17 | Semiconductor light-emitting device |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2-128361 | 1990-05-18 | ||
| JP12836190 | 1990-05-18 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0472688A true JPH0472688A (ja) | 1992-03-06 |
| JP2622029B2 JP2622029B2 (ja) | 1997-06-18 |
Family
ID=14982921
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2294063A Expired - Lifetime JP2622029B2 (ja) | 1990-05-18 | 1990-10-31 | 半導体発光装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2622029B2 (ja) |
| KR (1) | KR940003436B1 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1051078A (ja) * | 1996-08-06 | 1998-02-20 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 半導体レーザアレイ及びその製造方法 |
| JPH11330617A (ja) * | 1998-05-15 | 1999-11-30 | Nec Corp | 光半導体素子の実装構造 |
| US6479325B2 (en) * | 1999-12-07 | 2002-11-12 | Sony Corporation | Method of stacking semiconductor laser devices in a sub-mount and heatsink |
| CN105304511A (zh) * | 2015-09-18 | 2016-02-03 | 西安派瑞功率半导体变流技术有限公司 | 一种新型大直径半导体芯片与钼片键合式欧姆接触加工方法 |
| JP2019016658A (ja) * | 2017-07-05 | 2019-01-31 | 三菱電機株式会社 | 光モジュールおよび光モジュールの製造方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6319892A (ja) * | 1986-07-14 | 1988-01-27 | Hitachi Ltd | 半導体レ−ザ |
| JPH01115187A (ja) * | 1987-10-28 | 1989-05-08 | Sharp Corp | 半導体レーザ装置 |
-
1990
- 1990-10-31 JP JP2294063A patent/JP2622029B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1991
- 1991-05-16 KR KR1019910007949A patent/KR940003436B1/ko not_active IP Right Cessation
Patent Citations (2)
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| US6184560B1 (en) | 1998-05-15 | 2001-02-06 | Nec Corporation | Photosemiconductor device mounted structure |
| US6479325B2 (en) * | 1999-12-07 | 2002-11-12 | Sony Corporation | Method of stacking semiconductor laser devices in a sub-mount and heatsink |
| CN105304511A (zh) * | 2015-09-18 | 2016-02-03 | 西安派瑞功率半导体变流技术有限公司 | 一种新型大直径半导体芯片与钼片键合式欧姆接触加工方法 |
| CN105304511B (zh) * | 2015-09-18 | 2017-10-31 | 西安派瑞功率半导体变流技术股份有限公司 | 一种新型大直径半导体芯片与钼片键合式欧姆接触加工方法 |
| JP2019016658A (ja) * | 2017-07-05 | 2019-01-31 | 三菱電機株式会社 | 光モジュールおよび光モジュールの製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR940003436B1 (ko) | 1994-04-22 |
| KR910020955A (ko) | 1991-12-20 |
| JP2622029B2 (ja) | 1997-06-18 |
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