JPH0472652U - - Google Patents

Description

【図面の簡単な説明】

第１図は、本考案の実施例のレイアウト図、第
２図は、第１図中の基本セルの配列図、第３図は
、別の基本セルのレイアウト図、第４図は、第３
図中の基本セルの配列図、第５図は、実施例の配
線構造のレイアウト図、第６図は、従来例のレイ
アウト図、第７図は、従来例の配線構造のレイア
ウト図、第８図は、別の従来例のレイアウト図で
ある。 １０，３０……基板、１１，３１……基本セル
、１２ａ，１２ｂ，３２ａないし３２ｃ……ツイ
スト電極、１３ａないし１３ｃ，３３ａないし３
３ｄ……拡散層領域、１４，３４……絶縁層、１
５ａないし１５ｆ……コンタクトホール、１５Ａ
ないし１５Ｃ……仮想的に設けたコンタクトホー
ル、１６ａ，１６ｂ……コンタクトホール配線、
１７ａないし１７ｉ……配線。

Claims (1)

1. 【実用新案登録請求の範囲】 (1) 基板の上面に形成した複数の電極と、 前記各電極の両側で前記基板内の上層に形成し
   た拡散層領域と、 前記各電極側の全面を被覆する状態に形成した
   絶縁層とによりなる基本セルにおいて、 前記各電極は、そのほぼ中央部の両方向に連続
   する部分が互いに平行でかつ直線状を成し、前記
   ほぼ中央部が斜め形状を成すツイスト電極より成
   り、 前記ツイスト電極に隣合うツイスト電極を、前
   記拡散層領域を介して、線対称状態で前記基板の
   上面に形成し、 前記各拡散層領域は、そのツイスト電極側の形
   状が前記ツイスト電極にほぼ沿つた形状を有して
   、当該拡散層領域の幅が広い部分とその幅が序々
   に狭くなる部分とその幅が狭い部分とを連続して
   形成した形状でかつ線対称形状を成し、 前記ツイスト電極側の全面を被覆する状態に前
   記絶縁層を形成したことを特徴とする基本セル。 (2) 基板の上面に形成した複数のツイスト電極
   と、各ツイスト電極の両側で基板内の上層に形成
   した拡散層領域と、各ツイスト電極側の全面を覆
   う絶縁層とにより形成した基本セルの拡散層領域
   に接続する複数の配線を構成する配線構造であつ
   て、 前記拡散層領域の幅の広い部分上の絶縁層に設
   けたコンタクトホールと、 前記コンタクトホールを介して前記拡散層領域
   に接続するとともに前記絶縁層に仮想的に設けた
   コンタクトホールを被覆する状態で、前記絶縁層
   の上面に形成したコンタクトホール配線と、 前記コンタクトホール配線に接続するとともに
   前記絶縁層の上面に形成した複数の配線とにより
   なることを特徴とする基本セルの配線構造。