JPH047189Y2 - - Google Patents
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- JPH047189Y2 JPH047189Y2 JP1985075615U JP7561585U JPH047189Y2 JP H047189 Y2 JPH047189 Y2 JP H047189Y2 JP 1985075615 U JP1985075615 U JP 1985075615U JP 7561585 U JP7561585 U JP 7561585U JP H047189 Y2 JPH047189 Y2 JP H047189Y2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- bell gear
- cooling
- susceptor
- vapor phase
- phase growth
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 20
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 claims description 9
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 8
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 12
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 5
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 5
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 1
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 230000003449 preventive effect Effects 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
〔考案の技術分野〕
本考案はたとえば半導体基板或いは絶縁体基板
(以下これらをウエハという)上に半導体材料な
どを気相成長させる気相成長装置に関する。
(以下これらをウエハという)上に半導体材料な
どを気相成長させる気相成長装置に関する。
この種の気相成長装置としては、従来、たとえ
ば第2図に示すようなものが知られている。すな
わち、図中1はベースプレートで、このベースプ
レート1の上面部には石英ベルジヤー2が載置さ
れ反応室Aが構成されている。また、前記反応室
A内にはサセプタ3が設けられ、このサセプタ3
はサセプタ支え4により支持されている。前記サ
セプタ3の上面部には複数個のウエハ5……が載
置されている。また、前記サセプタ支え4には駆
動軸6が接続され、この駆動軸6には歯車7a,
7bを介して電動機8が接続されている。また、
前記サセプタ3の下部側にはワークコイル9が配
設され、さらに、上記サセプタ3の中央部にはノ
ズル10が挿通され、このノズル10からキヤリ
ヤガスに混合された反応ガスが噴出されるように
なつている。
ば第2図に示すようなものが知られている。すな
わち、図中1はベースプレートで、このベースプ
レート1の上面部には石英ベルジヤー2が載置さ
れ反応室Aが構成されている。また、前記反応室
A内にはサセプタ3が設けられ、このサセプタ3
はサセプタ支え4により支持されている。前記サ
セプタ3の上面部には複数個のウエハ5……が載
置されている。また、前記サセプタ支え4には駆
動軸6が接続され、この駆動軸6には歯車7a,
7bを介して電動機8が接続されている。また、
前記サセプタ3の下部側にはワークコイル9が配
設され、さらに、上記サセプタ3の中央部にはノ
ズル10が挿通され、このノズル10からキヤリ
ヤガスに混合された反応ガスが噴出されるように
なつている。
しかして、ウエハ5……に気相成長させる場合
には、ワークコイル9に給電するとともにノズル
10から反応ガスを噴出させる。これにより、サ
セプタ3が赤熱され、その熱を受けて、ウエハ5
……が所定温度に加熱され、その上面に半導体の
結晶が成長されることになる。
には、ワークコイル9に給電するとともにノズル
10から反応ガスを噴出させる。これにより、サ
セプタ3が赤熱され、その熱を受けて、ウエハ5
……が所定温度に加熱され、その上面に半導体の
結晶が成長されることになる。
ところで、この反応時には石英ベルジヤー2が
加熱されるため、その内面に反応ガスが付着して
しまう。そこで、これを防止するため、上記石英
ベルジヤー2を、冷却用ベルジヤー11により囲
繞し、その頂部に穿設された孔11aから、適当
なガスたとえば、窒素ガスなどを流入させて石英
ベルジヤー2を冷却しその内面に反応ガスが付着
することを防止するようにしている。
加熱されるため、その内面に反応ガスが付着して
しまう。そこで、これを防止するため、上記石英
ベルジヤー2を、冷却用ベルジヤー11により囲
繞し、その頂部に穿設された孔11aから、適当
なガスたとえば、窒素ガスなどを流入させて石英
ベルジヤー2を冷却しその内面に反応ガスが付着
することを防止するようにしている。
このような装置において、ウエハ5……の気相
成長面は上面であつて加熱される下面とは反対で
あるため、放熱や反応ガスとの接触により、温度
が低下し、ウエハ5……の表裏での温度差による
内部応力により、結晶欠陥であるスリツプが発生
する。この防止策として冷却用ベルジヤー11の
内面に反射効率の高い金属膜例えば、金、銀、ア
ルミニユウム或いはその他の材料を蒸着により被
膜することが提案されている。
成長面は上面であつて加熱される下面とは反対で
あるため、放熱や反応ガスとの接触により、温度
が低下し、ウエハ5……の表裏での温度差による
内部応力により、結晶欠陥であるスリツプが発生
する。この防止策として冷却用ベルジヤー11の
内面に反射効率の高い金属膜例えば、金、銀、ア
ルミニユウム或いはその他の材料を蒸着により被
膜することが提案されている。
しかしながら、ウエハ5……の大口径化に伴
い、反応室Aも必然的に大きくなり、反射効率の
高い金属の被膜層を一体形の冷却用ベルジヤー1
1に形成することは経済的にも技術的にも困難で
ほとんど実現されていない。
い、反応室Aも必然的に大きくなり、反射効率の
高い金属の被膜層を一体形の冷却用ベルジヤー1
1に形成することは経済的にも技術的にも困難で
ほとんど実現されていない。
本考案は上記事情に着目してなされたもので、
その目的とするところは、冷却用ベルジヤーの上
部の内面に反射膜を容易に被膜できると同時に、
反射膜による反射輻射光を効果的に利用できるよ
うにした気相成長装置を提供しようとするもので
ある。
その目的とするところは、冷却用ベルジヤーの上
部の内面に反射膜を容易に被膜できると同時に、
反射膜による反射輻射光を効果的に利用できるよ
うにした気相成長装置を提供しようとするもので
ある。
本考案は上記目的を達成するため、冷却用ベル
ジヤーを分離可能な上部と胴部とによつて構成す
ると共に、上部の内面の曲率半径を胴部の内径に
略等しいか、それ以上にし、該上部の内面に反射
膜を被覆したものである。
ジヤーを分離可能な上部と胴部とによつて構成す
ると共に、上部の内面の曲率半径を胴部の内径に
略等しいか、それ以上にし、該上部の内面に反射
膜を被覆したものである。
以下、本考案の一実施例を第1図を参照して説
明する。なお、第2図で示した部分と同一部分に
ついては同一番号を付してその説明を省略する。
図中21は冷却用ベルジヤーで、この冷却用ベル
ジヤー21は分離可能な上部22と胴部23とに
よつて構成され、これら上部22および胴部23
は水冷ジヤケツト(図示しない)により冷却され
るようになつている。前記上部21の内面には反
射膜として反射効率の高い金属膜24が被覆され
ている。また、前記上部22の内面の曲率半径は
上記胴部23の内径と同等かそれ以上にされてい
る。
明する。なお、第2図で示した部分と同一部分に
ついては同一番号を付してその説明を省略する。
図中21は冷却用ベルジヤーで、この冷却用ベル
ジヤー21は分離可能な上部22と胴部23とに
よつて構成され、これら上部22および胴部23
は水冷ジヤケツト(図示しない)により冷却され
るようになつている。前記上部21の内面には反
射膜として反射効率の高い金属膜24が被覆され
ている。また、前記上部22の内面の曲率半径は
上記胴部23の内径と同等かそれ以上にされてい
る。
しかして、気相成長時において、サセプタ3な
どから発した輻射光は上部の22の内面の金属膜
24に反射されてウエハ5……の表面側を加熱す
る。これにより、ウエハ5……の表面からの放熱
や、反応ガスとの接触による表面温度の低下が防
止され、ウエハ5……の表裏の温度差が小さくな
り、内部応力が抑制されスリツプの発生が防止さ
れることになる。
どから発した輻射光は上部の22の内面の金属膜
24に反射されてウエハ5……の表面側を加熱す
る。これにより、ウエハ5……の表面からの放熱
や、反応ガスとの接触による表面温度の低下が防
止され、ウエハ5……の表裏の温度差が小さくな
り、内部応力が抑制されスリツプの発生が防止さ
れることになる。
上述したように、この実施例によれば、冷却用
ベルジヤー21の分離可能な上部22と胴部23
とによつて構成するため、冷却用ベルジヤー21
の上部22を胴部23から分離した状態で、上部
22の内面に金属膜24を被覆することができ
る。したがつて、反応室Aが大きい場合であつて
も、冷却用ベルジヤー21の上部22の内面に金
属膜24を容易に被覆できることになる。
ベルジヤー21の分離可能な上部22と胴部23
とによつて構成するため、冷却用ベルジヤー21
の上部22を胴部23から分離した状態で、上部
22の内面に金属膜24を被覆することができ
る。したがつて、反応室Aが大きい場合であつて
も、冷却用ベルジヤー21の上部22の内面に金
属膜24を容易に被覆できることになる。
また、冷却用ベルジヤー21の上部22の内面
に曲率半径は胴部23の内径と同等かそれ以上に
するため、サセプタ3の表面に集中的にかつ均一
的になり、輻射光を照射することができ、加熱効
率が優れる。
に曲率半径は胴部23の内径と同等かそれ以上に
するため、サセプタ3の表面に集中的にかつ均一
的になり、輻射光を照射することができ、加熱効
率が優れる。
また、サセプタ3の径が変わつた場合には胴部
23を外すことなく、上部22のみを他の曲率半
径を異にするものと交換することができ、極めて
実用的である。
23を外すことなく、上部22のみを他の曲率半
径を異にするものと交換することができ、極めて
実用的である。
また、冷却用ベルジヤー21の上部22は水冷
ジヤケツト(図示しない)により、冷却されるた
め、反射面を確実に保護でき、サセプタ3などか
ら発した輻射光をより有効に反射させることがで
きる。
ジヤケツト(図示しない)により、冷却されるた
め、反射面を確実に保護でき、サセプタ3などか
ら発した輻射光をより有効に反射させることがで
きる。
なお、本考案はその要旨の範囲内で種々変形実
施可能なことは勿論である。
施可能なことは勿論である。
本考案は以上説明したように、冷却用ベルジヤ
ーを分離可能な上部と胴部とにより構成し、上部
の内面の曲率半径を胴部の内径に略等しいか、そ
れ以上にし、前記上部の内面に反射膜を設けたか
ら、サセプタなどから発せられた輻射光をウエハ
の表面側に集中的かつ一様に反射させることがで
き、ウエハの表裏の温度差をなくしスリツプの発
生を防止することができる。また、冷却用ジヤケ
ツトの上部を胴部から分離できるため、反応室が
大きくなつても、容易に反射膜を被覆できるとと
もに、その保守も容易になるという効果を奏する
ものである。
ーを分離可能な上部と胴部とにより構成し、上部
の内面の曲率半径を胴部の内径に略等しいか、そ
れ以上にし、前記上部の内面に反射膜を設けたか
ら、サセプタなどから発せられた輻射光をウエハ
の表面側に集中的かつ一様に反射させることがで
き、ウエハの表裏の温度差をなくしスリツプの発
生を防止することができる。また、冷却用ジヤケ
ツトの上部を胴部から分離できるため、反応室が
大きくなつても、容易に反射膜を被覆できるとと
もに、その保守も容易になるという効果を奏する
ものである。
第1図は本考案の一実施例である気相成長装置
を示す縦断面図、第2図は従来例を示す断面図で
ある。 A……反応室、2……ベルジヤー、21……冷
却用ベルジヤー、22……上部、23……胴部、
24……金属膜(反射膜)。
を示す縦断面図、第2図は従来例を示す断面図で
ある。 A……反応室、2……ベルジヤー、21……冷
却用ベルジヤー、22……上部、23……胴部、
24……金属膜(反射膜)。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 (1) 反応室を構成するベルジヤーと、このベルジ
ヤーを覆う冷却用ベルジヤーとを具えた気相成
長装置において、前記冷却用ベルジヤーを分離
可能な上部と胴部とによつて構成し、前記上部
の内面の曲率半径を胴部の内径に等しいか、そ
れ以上にし、前記上部の内面に反射膜を設けた
ことを特徴とする気相成長装置。 (2) 反射膜は金属膜であることを特徴とする実用
新案登録請求の範囲第1項記載の気相成長装
置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1985075615U JPH047189Y2 (ja) | 1985-05-21 | 1985-05-21 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1985075615U JPH047189Y2 (ja) | 1985-05-21 | 1985-05-21 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61191474U JPS61191474U (ja) | 1986-11-28 |
JPH047189Y2 true JPH047189Y2 (ja) | 1992-02-26 |
Family
ID=30617000
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1985075615U Expired JPH047189Y2 (ja) | 1985-05-21 | 1985-05-21 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH047189Y2 (ja) |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5223571A (en) * | 1975-08-19 | 1977-02-22 | Toshiba Corp | Vapor phase reaction apparatus |
JPS599083B2 (ja) * | 1976-11-30 | 1984-02-29 | ソニー株式会社 | 記録内容の保護方法 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS599083U (ja) * | 1982-07-07 | 1984-01-20 | 東芝機械株式会社 | 気相成長装置 |
JPS5983031U (ja) * | 1982-11-27 | 1984-06-05 | 東芝機械株式会社 | 縦型気相成長装置 |
-
1985
- 1985-05-21 JP JP1985075615U patent/JPH047189Y2/ja not_active Expired
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5223571A (en) * | 1975-08-19 | 1977-02-22 | Toshiba Corp | Vapor phase reaction apparatus |
JPS599083B2 (ja) * | 1976-11-30 | 1984-02-29 | ソニー株式会社 | 記録内容の保護方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS61191474U (ja) | 1986-11-28 |
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