JPH047189Y2 - - Google Patents

Info

Publication number
JPH047189Y2
JPH047189Y2 JP1985075615U JP7561585U JPH047189Y2 JP H047189 Y2 JPH047189 Y2 JP H047189Y2 JP 1985075615 U JP1985075615 U JP 1985075615U JP 7561585 U JP7561585 U JP 7561585U JP H047189 Y2 JPH047189 Y2 JP H047189Y2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
bell gear
cooling
susceptor
vapor phase
phase growth
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
JP1985075615U
Other languages
English (en)
Other versions
JPS61191474U (ja
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to JP1985075615U priority Critical patent/JPH047189Y2/ja
Publication of JPS61191474U publication Critical patent/JPS61191474U/ja
Application granted granted Critical
Publication of JPH047189Y2 publication Critical patent/JPH047189Y2/ja
Expired legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Description

【考案の詳細な説明】 〔考案の技術分野〕 本考案はたとえば半導体基板或いは絶縁体基板
(以下これらをウエハという)上に半導体材料な
どを気相成長させる気相成長装置に関する。
〔考案の技術的背景とその問題点〕
この種の気相成長装置としては、従来、たとえ
ば第2図に示すようなものが知られている。すな
わち、図中1はベースプレートで、このベースプ
レート1の上面部には石英ベルジヤー2が載置さ
れ反応室Aが構成されている。また、前記反応室
A内にはサセプタ3が設けられ、このサセプタ3
はサセプタ支え4により支持されている。前記サ
セプタ3の上面部には複数個のウエハ5……が載
置されている。また、前記サセプタ支え4には駆
動軸6が接続され、この駆動軸6には歯車7a,
7bを介して電動機8が接続されている。また、
前記サセプタ3の下部側にはワークコイル9が配
設され、さらに、上記サセプタ3の中央部にはノ
ズル10が挿通され、このノズル10からキヤリ
ヤガスに混合された反応ガスが噴出されるように
なつている。
しかして、ウエハ5……に気相成長させる場合
には、ワークコイル9に給電するとともにノズル
10から反応ガスを噴出させる。これにより、サ
セプタ3が赤熱され、その熱を受けて、ウエハ5
……が所定温度に加熱され、その上面に半導体の
結晶が成長されることになる。
ところで、この反応時には石英ベルジヤー2が
加熱されるため、その内面に反応ガスが付着して
しまう。そこで、これを防止するため、上記石英
ベルジヤー2を、冷却用ベルジヤー11により囲
繞し、その頂部に穿設された孔11aから、適当
なガスたとえば、窒素ガスなどを流入させて石英
ベルジヤー2を冷却しその内面に反応ガスが付着
することを防止するようにしている。
このような装置において、ウエハ5……の気相
成長面は上面であつて加熱される下面とは反対で
あるため、放熱や反応ガスとの接触により、温度
が低下し、ウエハ5……の表裏での温度差による
内部応力により、結晶欠陥であるスリツプが発生
する。この防止策として冷却用ベルジヤー11の
内面に反射効率の高い金属膜例えば、金、銀、ア
ルミニユウム或いはその他の材料を蒸着により被
膜することが提案されている。
しかしながら、ウエハ5……の大口径化に伴
い、反応室Aも必然的に大きくなり、反射効率の
高い金属の被膜層を一体形の冷却用ベルジヤー1
1に形成することは経済的にも技術的にも困難で
ほとんど実現されていない。
〔考案の目的〕
本考案は上記事情に着目してなされたもので、
その目的とするところは、冷却用ベルジヤーの上
部の内面に反射膜を容易に被膜できると同時に、
反射膜による反射輻射光を効果的に利用できるよ
うにした気相成長装置を提供しようとするもので
ある。
〔考案の概要〕
本考案は上記目的を達成するため、冷却用ベル
ジヤーを分離可能な上部と胴部とによつて構成す
ると共に、上部の内面の曲率半径を胴部の内径に
略等しいか、それ以上にし、該上部の内面に反射
膜を被覆したものである。
〔考案の実施例〕
以下、本考案の一実施例を第1図を参照して説
明する。なお、第2図で示した部分と同一部分に
ついては同一番号を付してその説明を省略する。
図中21は冷却用ベルジヤーで、この冷却用ベル
ジヤー21は分離可能な上部22と胴部23とに
よつて構成され、これら上部22および胴部23
は水冷ジヤケツト(図示しない)により冷却され
るようになつている。前記上部21の内面には反
射膜として反射効率の高い金属膜24が被覆され
ている。また、前記上部22の内面の曲率半径は
上記胴部23の内径と同等かそれ以上にされてい
る。
しかして、気相成長時において、サセプタ3な
どから発した輻射光は上部の22の内面の金属膜
24に反射されてウエハ5……の表面側を加熱す
る。これにより、ウエハ5……の表面からの放熱
や、反応ガスとの接触による表面温度の低下が防
止され、ウエハ5……の表裏の温度差が小さくな
り、内部応力が抑制されスリツプの発生が防止さ
れることになる。
上述したように、この実施例によれば、冷却用
ベルジヤー21の分離可能な上部22と胴部23
とによつて構成するため、冷却用ベルジヤー21
の上部22を胴部23から分離した状態で、上部
22の内面に金属膜24を被覆することができ
る。したがつて、反応室Aが大きい場合であつて
も、冷却用ベルジヤー21の上部22の内面に金
属膜24を容易に被覆できることになる。
また、冷却用ベルジヤー21の上部22の内面
に曲率半径は胴部23の内径と同等かそれ以上に
するため、サセプタ3の表面に集中的にかつ均一
的になり、輻射光を照射することができ、加熱効
率が優れる。
また、サセプタ3の径が変わつた場合には胴部
23を外すことなく、上部22のみを他の曲率半
径を異にするものと交換することができ、極めて
実用的である。
また、冷却用ベルジヤー21の上部22は水冷
ジヤケツト(図示しない)により、冷却されるた
め、反射面を確実に保護でき、サセプタ3などか
ら発した輻射光をより有効に反射させることがで
きる。
なお、本考案はその要旨の範囲内で種々変形実
施可能なことは勿論である。
〔考案の効果〕
本考案は以上説明したように、冷却用ベルジヤ
ーを分離可能な上部と胴部とにより構成し、上部
の内面の曲率半径を胴部の内径に略等しいか、そ
れ以上にし、前記上部の内面に反射膜を設けたか
ら、サセプタなどから発せられた輻射光をウエハ
の表面側に集中的かつ一様に反射させることがで
き、ウエハの表裏の温度差をなくしスリツプの発
生を防止することができる。また、冷却用ジヤケ
ツトの上部を胴部から分離できるため、反応室が
大きくなつても、容易に反射膜を被覆できるとと
もに、その保守も容易になるという効果を奏する
ものである。
【図面の簡単な説明】
第1図は本考案の一実施例である気相成長装置
を示す縦断面図、第2図は従来例を示す断面図で
ある。 A……反応室、2……ベルジヤー、21……冷
却用ベルジヤー、22……上部、23……胴部、
24……金属膜(反射膜)。

Claims (1)

  1. 【実用新案登録請求の範囲】 (1) 反応室を構成するベルジヤーと、このベルジ
    ヤーを覆う冷却用ベルジヤーとを具えた気相成
    長装置において、前記冷却用ベルジヤーを分離
    可能な上部と胴部とによつて構成し、前記上部
    の内面の曲率半径を胴部の内径に等しいか、そ
    れ以上にし、前記上部の内面に反射膜を設けた
    ことを特徴とする気相成長装置。 (2) 反射膜は金属膜であることを特徴とする実用
    新案登録請求の範囲第1項記載の気相成長装
    置。
JP1985075615U 1985-05-21 1985-05-21 Expired JPH047189Y2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1985075615U JPH047189Y2 (ja) 1985-05-21 1985-05-21

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1985075615U JPH047189Y2 (ja) 1985-05-21 1985-05-21

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS61191474U JPS61191474U (ja) 1986-11-28
JPH047189Y2 true JPH047189Y2 (ja) 1992-02-26

Family

ID=30617000

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP1985075615U Expired JPH047189Y2 (ja) 1985-05-21 1985-05-21

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH047189Y2 (ja)

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5223571A (en) * 1975-08-19 1977-02-22 Toshiba Corp Vapor phase reaction apparatus
JPS599083B2 (ja) * 1976-11-30 1984-02-29 ソニー株式会社 記録内容の保護方法

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS599083U (ja) * 1982-07-07 1984-01-20 東芝機械株式会社 気相成長装置
JPS5983031U (ja) * 1982-11-27 1984-06-05 東芝機械株式会社 縦型気相成長装置

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5223571A (en) * 1975-08-19 1977-02-22 Toshiba Corp Vapor phase reaction apparatus
JPS599083B2 (ja) * 1976-11-30 1984-02-29 ソニー株式会社 記録内容の保護方法

Also Published As

Publication number Publication date
JPS61191474U (ja) 1986-11-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5059770A (en) Multi-zone planar heater assembly and method of operation
US6001183A (en) Wafer carriers for epitaxial growth processes
US6301434B1 (en) Apparatus and method for CVD and thermal processing of semiconductor substrates
US5514439A (en) Wafer support fixtures for rapid thermal processing
JP2766433B2 (ja) 半導体気相成長装置
JP3008192B2 (ja) 化学気相蒸着の加熱装置
US5370371A (en) Heat treatment apparatus
JPH0790590A (ja) 基板キャリア
CA2177645A1 (en) Apparatus and Method for Depositing a Substance with Temperature Control
JP2004533117A (ja) 基板サポートアセンブリと基板処理用装置
JP3167976B2 (ja) 堆積装置のサセプタ
CN111748773A (zh) 一种蒸发源和蒸镀装置
JPH047189Y2 (ja)
KR100375396B1 (ko) 준고온벽을갖춘반응챔버
JPH0345954Y2 (ja)
JPH07245264A (ja) 気相成長装置
JPH07249580A (ja) 薄膜製造装置
KR100351043B1 (ko) 코팅된 반사판을 구비한 히터 조립체
JP2004027252A (ja) 有機薄膜形成装置の加熱容器
JPH07118465B2 (ja) 縦型エピタキシャル装置用サセプター
JPS6058613A (ja) エピタキシャル装置
JP2514788B2 (ja) 気相成長用サセプタ
JPH11135432A (ja) 真空処理装置
JPH07147248A (ja) Cvd装置のガス吹き出しノズル
JPH0616922Y2 (ja) Cvd装置