JPH0468654B2 - - Google Patents
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- JPH0468654B2 JPH0468654B2 JP58183278A JP18327883A JPH0468654B2 JP H0468654 B2 JPH0468654 B2 JP H0468654B2 JP 58183278 A JP58183278 A JP 58183278A JP 18327883 A JP18327883 A JP 18327883A JP H0468654 B2 JPH0468654 B2 JP H0468654B2
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- conductor
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- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 120
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 94
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 230000007274 generation of a signal involved in cell-cell signaling Effects 0.000 description 4
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 3
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 3
- 241001422033 Thestylus Species 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 239000013256 coordination polymer Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、タブレツト板上でスタイラスにより
図形などが画かれたとき、そのスタイラスのタブ
レツト板上の位置が遂次検出されることによつて
画かれた図形などのデータが得られ、このデータ
により、陰極線管表示装置に図形などが表示され
たり、陰極線管表示装置に表示される画面が変更
されたり、所要の図形などが作成されたりする、
広義の図形表示装置ないし図形作成装置におけ
る、位置検出装置に関する。
図形などが画かれたとき、そのスタイラスのタブ
レツト板上の位置が遂次検出されることによつて
画かれた図形などのデータが得られ、このデータ
により、陰極線管表示装置に図形などが表示され
たり、陰極線管表示装置に表示される画面が変更
されたり、所要の図形などが作成されたりする、
広義の図形表示装置ないし図形作成装置におけ
る、位置検出装置に関する。
背景技術とその問題点
かような位置検出装置は、タブレツト板を構成
する位置検出板と、この位置検出板上で図形など
を画くスタイラスを有するが、その１つのタイプ
として静電的に位置検出がなされるものがある。
する位置検出板と、この位置検出板上で図形など
を画くスタイラスを有するが、その１つのタイプ
として静電的に位置検出がなされるものがある。
第１図及び第２図はこのような位置検出装置の
一例で、タブレツト板を構成する位置検出板１０
は、絶縁層１１上に複数の導体Y1，Y2……Ynが
一定の間隔で平行に配列されて形成されるととも
に、絶縁層１１上に被着された絶縁層１２に導体
Y1，Y2……Ynと直交する複数の導体X1，X2…
…Xoが導体Y1，Y2……Ynの間隔と同じ間隔で平
行に配列されて形成され、さらに絶縁層１２上に
絶縁層１３が被着された構造になつている。スタ
イラスは位置検出板１０の絶縁層１３上に配され
る検出電極３１で構成され、検出電極３１と接地
の間に固定容量CLのコンデンサ３２が接続され
る。実際上、絶縁層１１，１２及び１３はそれぞ
れ透明にされ、導体X1，X2……Xo及びY1，Y2…
…Ynもそれぞれネサ膜により透明電極として形
成される。
一例で、タブレツト板を構成する位置検出板１０
は、絶縁層１１上に複数の導体Y1，Y2……Ynが
一定の間隔で平行に配列されて形成されるととも
に、絶縁層１１上に被着された絶縁層１２に導体
Y1，Y2……Ynと直交する複数の導体X1，X2…
…Xoが導体Y1，Y2……Ynの間隔と同じ間隔で平
行に配列されて形成され、さらに絶縁層１２上に
絶縁層１３が被着された構造になつている。スタ
イラスは位置検出板１０の絶縁層１３上に配され
る検出電極３１で構成され、検出電極３１と接地
の間に固定容量CLのコンデンサ３２が接続され
る。実際上、絶縁層１１，１２及び１３はそれぞ
れ透明にされ、導体X1，X2……Xo及びY1，Y2…
…Ynもそれぞれネサ膜により透明電極として形
成される。
そして、ある一定の期間内において、シフトレ
ジスタ２４の出力端子N1，N2……Noからスイツ
チ回路２２のスイツチ２２1，２２2……２２oに
パルス信号が一定の時間間隔で順次与えられて、
スイツチ２２1，２２2……２２oが端子Ａ側から
端子Ｂ側に一定の時間間隔で順次切換えられ、こ
れにより導体X1，X2……Xoにそれぞれの一端か
ら電源端子２１よりの電圧Vccが一定の時間間隔
で順次与えられる。また、これと別の一定の期間
内において、同様に、シフトレジスタ２５の出力
端子M1，M2……Mnからスイツチ回路２３のス
イツチ２３1，２３2……２３nにパルス信号が一
定の時間間隔で順次与えられて、スイツチ２３1，
２３2……２３nが端子Ａ側から端子Ｂ側に一定の
時間間隔で順次切換えられ、これにより導体Y1，
Y2……Ynにそれぞれの一端から電源端子２１よ
りの電圧VCCが一定の時間間隔で順次与えられ
る。
ジスタ２４の出力端子N1，N2……Noからスイツ
チ回路２２のスイツチ２２1，２２2……２２oに
パルス信号が一定の時間間隔で順次与えられて、
スイツチ２２1，２２2……２２oが端子Ａ側から
端子Ｂ側に一定の時間間隔で順次切換えられ、こ
れにより導体X1，X2……Xoにそれぞれの一端か
ら電源端子２１よりの電圧Vccが一定の時間間隔
で順次与えられる。また、これと別の一定の期間
内において、同様に、シフトレジスタ２５の出力
端子M1，M2……Mnからスイツチ回路２３のス
イツチ２３1，２３2……２３nにパルス信号が一
定の時間間隔で順次与えられて、スイツチ２３1，
２３2……２３nが端子Ａ側から端子Ｂ側に一定の
時間間隔で順次切換えられ、これにより導体Y1，
Y2……Ynにそれぞれの一端から電源端子２１よ
りの電圧VCCが一定の時間間隔で順次与えられ
る。
ここで、電圧VCCが与えられた導体と検出電極
３１との間に形成される静電容量をCPとすると、
そのときの検出電極３１に得られる電圧VSは VS＝CP／CP＋CLVCC で表わされ、容量CPが大きいほど、従つて電圧
VCCが与えられた導体と検出電極３１との距離が
小さいほど、電圧VSが大きくなる。従つて、導
体X1，X2……XoないしY1，Y2……Ynに電圧VCC
が一定の時間間隔で順次与えられて、第３図に示
すように電圧VCCが与えられた導体と検出電極３
１との間に形成される容量CPが一定の時間間隔
で順次変化するに伴なつて、検出電極３１に得ら
れる電圧VSは第４図に示すように一定の時間間
隔TSで階段状に変化し、導体X1，X2……Xoない
しY1，Y2……Ynのうちの検出電極３１の位置に
最も近い導体に電圧VCCが与えられるときに最大
値VPになる。そして、この電圧VSにもとづいて、
検出電極３１の位置検出板１０上の導体X1，X2
……Xoの配列方向であるＸ方向と導体Y1，Y2…
…Ynの配列方向であるＹ方向の位置が検出され
る。
３１との間に形成される静電容量をCPとすると、
そのときの検出電極３１に得られる電圧VSは VS＝CP／CP＋CLVCC で表わされ、容量CPが大きいほど、従つて電圧
VCCが与えられた導体と検出電極３１との距離が
小さいほど、電圧VSが大きくなる。従つて、導
体X1，X2……XoないしY1，Y2……Ynに電圧VCC
が一定の時間間隔で順次与えられて、第３図に示
すように電圧VCCが与えられた導体と検出電極３
１との間に形成される容量CPが一定の時間間隔
で順次変化するに伴なつて、検出電極３１に得ら
れる電圧VSは第４図に示すように一定の時間間
隔TSで階段状に変化し、導体X1，X2……Xoない
しY1，Y2……Ynのうちの検出電極３１の位置に
最も近い導体に電圧VCCが与えられるときに最大
値VPになる。そして、この電圧VSにもとづいて、
検出電極３１の位置検出板１０上の導体X1，X2
……Xoの配列方向であるＸ方向と導体Y1，Y2…
…Ynの配列方向であるＹ方向の位置が検出され
る。
具体的には、検出電極３１に得られる電圧VS
がバンドパスフイルタに供給されて、第４図に示
すように電圧VSが最大値VPになる時点より一定
時間遅れて最大振幅になる一定周波数の信号SBが
得られ、この信号SBがシユミツト・トリガー回路
に供給されて、信号SBが所定の正の電位VRを負
から正の向きによぎる時点で高レベルから低レベ
ルに立ち下がり、その後の接地電位を逆に正から
負の向きによぎる時点で低レベルから高レベルに
立ち上がる信号SZが得られる。そして、導体X1，
X2……XoないしY1，Y2……Ynのうちの一番は
しの導体X1ないしY1に電圧VCCが与えられる時点
tSから、その後の信号SZが最初に立ち上がる時点
tDまでの期間において、周期が前述の時間間隔TS
よりも充分短かいクロツクパルスがカウンタでカ
ウントされることにより、時点tSから時点tDまで
の時間TDが検出され、この時点tDにおけるカウン
タの出力のデータが検出電極３１の位置検出板１
０上の前述のＸ方向ないしＹ方向の位置の検出出
力として取り出される。
がバンドパスフイルタに供給されて、第４図に示
すように電圧VSが最大値VPになる時点より一定
時間遅れて最大振幅になる一定周波数の信号SBが
得られ、この信号SBがシユミツト・トリガー回路
に供給されて、信号SBが所定の正の電位VRを負
から正の向きによぎる時点で高レベルから低レベ
ルに立ち下がり、その後の接地電位を逆に正から
負の向きによぎる時点で低レベルから高レベルに
立ち上がる信号SZが得られる。そして、導体X1，
X2……XoないしY1，Y2……Ynのうちの一番は
しの導体X1ないしY1に電圧VCCが与えられる時点
tSから、その後の信号SZが最初に立ち上がる時点
tDまでの期間において、周期が前述の時間間隔TS
よりも充分短かいクロツクパルスがカウンタでカ
ウントされることにより、時点tSから時点tDまで
の時間TDが検出され、この時点tDにおけるカウン
タの出力のデータが検出電極３１の位置検出板１
０上の前述のＸ方向ないしＹ方向の位置の検出出
力として取り出される。
なお、電圧VCCが与えられた導体と検出電極３
１との間に形成される容量CPは、その導体と検
出電極３１との距離が大きいほど小さくなるとと
もに、その導体の幅が大きいほど大きくなる。そ
こで、導体X1，X2……Xoに電圧VCCが順次与え
られるＸ方向の位置の検出のときと、導体Y1，
Y2……Ynに電圧VCCが順次与えられるＹ方向の
位置の検出のときとで、電圧VSの最大値VPがあ
まり変わらないように、第１図及び第２図に示す
ように、位置検出板１０の面に垂直な方向におい
て検出電極３１との距離が大きい下側の導体Y1，
Y2……Ynの幅が、位置検出板１０の面に垂直な
方向において検出電極３１との距離が小さい上側
の導体X1，X2……Xoのそれより大きくされる。
１との間に形成される容量CPは、その導体と検
出電極３１との距離が大きいほど小さくなるとと
もに、その導体の幅が大きいほど大きくなる。そ
こで、導体X1，X2……Xoに電圧VCCが順次与え
られるＸ方向の位置の検出のときと、導体Y1，
Y2……Ynに電圧VCCが順次与えられるＹ方向の
位置の検出のときとで、電圧VSの最大値VPがあ
まり変わらないように、第１図及び第２図に示す
ように、位置検出板１０の面に垂直な方向におい
て検出電極３１との距離が大きい下側の導体Y1，
Y2……Ynの幅が、位置検出板１０の面に垂直な
方向において検出電極３１との距離が小さい上側
の導体X1，X2……Xoのそれより大きくされる。
ところで、導体X1，X2……Xo及びY1，Y2……
Ynは抵抗を有し、特にこれが前述のようにネサ
膜により透明電極として形成される場合には抵抗
が比較的大きく、また隣り合う導体の間や上側の
導体と下側の導体の間には浮遊容量が存在する。
そのため、導体X1，X2……XoないしY1，Y2……
Ynには、その駆動回路を構成するスイツチ回路
２２ないし２３のスイツチ２２1，２２2……２２
ｏないし２３1，２３2……２３nに接続された側の
一端から離れるにつれて、電圧VCCが遅れて与え
られる。第５図はこれをＸ方向の位置を検出する
ためのある導体Xjに代表させて示したもので、
導体Xjの長手方向のある点Ｐと導体Xjのスイツ
チ２２jに接続された側の一端ａとの間に抵抗RV
が存在し、また導体Xjと他の導体との間に浮遊
容量CSが存在し、スイツチ２２jが端子Ａ側から
端子Ｂ側に切換えられて導体Xjの一端ａに電圧
VCCが与えられると、この電圧VCCは点Ｐには抵
抗RVと容量CSで構成されるローパスフイルタに
よつて遅延されて与えられる。しかも、点Ｐの一
端ａに対する距離が大きいほど抵抗RVが大きく、
ローパスフイルタの遅延時間が大きいので、点Ｐ
が他端ｂ寄りであるほど電圧VCCが遅れて与えら
れることになる。
Ynは抵抗を有し、特にこれが前述のようにネサ
膜により透明電極として形成される場合には抵抗
が比較的大きく、また隣り合う導体の間や上側の
導体と下側の導体の間には浮遊容量が存在する。
そのため、導体X1，X2……XoないしY1，Y2……
Ynには、その駆動回路を構成するスイツチ回路
２２ないし２３のスイツチ２２1，２２2……２２
ｏないし２３1，２３2……２３nに接続された側の
一端から離れるにつれて、電圧VCCが遅れて与え
られる。第５図はこれをＸ方向の位置を検出する
ためのある導体Xjに代表させて示したもので、
導体Xjの長手方向のある点Ｐと導体Xjのスイツ
チ２２jに接続された側の一端ａとの間に抵抗RV
が存在し、また導体Xjと他の導体との間に浮遊
容量CSが存在し、スイツチ２２jが端子Ａ側から
端子Ｂ側に切換えられて導体Xjの一端ａに電圧
VCCが与えられると、この電圧VCCは点Ｐには抵
抗RVと容量CSで構成されるローパスフイルタに
よつて遅延されて与えられる。しかも、点Ｐの一
端ａに対する距離が大きいほど抵抗RVが大きく、
ローパスフイルタの遅延時間が大きいので、点Ｐ
が他端ｂ寄りであるほど電圧VCCが遅れて与えら
れることになる。
このため、検出電極３１が絶縁層１３を介して
導体Xj上にあるときについてみると、検出電極
３１が導体Xjの一端ａ上にあれば、検出電極３
１に得られる電圧VSは第６図Ａに示すように一
端ａに電圧VCC画与えられた時点taでただちに最
大値VPに立ち上がるのに対して、検出電極３１
が図のように導体Xjの一端ａから離れた点上に
あると、電圧VSは第６図Ｂに示すように時点taよ
りも遅れて最大値VPに立ち上がり、しかも検出
電極３１が他端ｂ寄りの点上にあるときほど最大
値VPに立ち上がるのが遅れる。そのため、前述
の第４図で説明した検出時点tDも、検出電極３１
が他端ｂ寄りの点上にあるときほど遅れる。
導体Xj上にあるときについてみると、検出電極
３１が導体Xjの一端ａ上にあれば、検出電極３
１に得られる電圧VSは第６図Ａに示すように一
端ａに電圧VCC画与えられた時点taでただちに最
大値VPに立ち上がるのに対して、検出電極３１
が図のように導体Xjの一端ａから離れた点上に
あると、電圧VSは第６図Ｂに示すように時点taよ
りも遅れて最大値VPに立ち上がり、しかも検出
電極３１が他端ｂ寄りの点上にあるときほど最大
値VPに立ち上がるのが遅れる。そのため、前述
の第４図で説明した検出時点tDも、検出電極３１
が他端ｂ寄りの点上にあるときほど遅れる。
従つて、前述の位置検出装置では、Ｘ方向の位
置を検出するための導体Xjが第７図Ａに示すよ
うにＸ軸の原点（Ｘ方向の零点）上のＸ軸に垂直
な基準線LXに平行に形成されていて、即ちＹ軸
に平行に形成されていて、検出電極３１が導体
Xj上にあるときは、その長手方向であるＹ方向
のどの位置にあつてもＸ方向の位置の検出のとき
の前述の検出時間TDが一定になるべきものが、
一定にはならず、第７図Ｂの実線１で示すように
検出電極３１が導体Xjの他端ｂ寄りの位置にあ
るときほど検出時間TDが大きくなる。即ち、検
出時間TDは、Ｘ方向の位置の検出のときは、検
出電極３１のＸ方向の位置に応じた分TXに対し
てＹ方向の位置に応じた分が誤差として足された
ものになつしまう。
置を検出するための導体Xjが第７図Ａに示すよ
うにＸ軸の原点（Ｘ方向の零点）上のＸ軸に垂直
な基準線LXに平行に形成されていて、即ちＹ軸
に平行に形成されていて、検出電極３１が導体
Xj上にあるときは、その長手方向であるＹ方向
のどの位置にあつてもＸ方向の位置の検出のとき
の前述の検出時間TDが一定になるべきものが、
一定にはならず、第７図Ｂの実線１で示すように
検出電極３１が導体Xjの他端ｂ寄りの位置にあ
るときほど検出時間TDが大きくなる。即ち、検
出時間TDは、Ｘ方向の位置の検出のときは、検
出電極３１のＸ方向の位置に応じた分TXに対し
てＹ方向の位置に応じた分が誤差として足された
ものになつしまう。
Ｙ方向の位置の検出についても同様で、Ｙ方向
の位置を検出するための導体Yjが第８図Ａに示
すようにＹ軸の原点（Ｙ方向の零点）上のＹ軸に
垂直な基準線LYに平行に形成されていて、即ち
Ｘ軸に平行に形成されていて、検出電極３１が導
体Yj上にあるときは、その長手方向であるＸ方
向のどの位置にあつてもＹ方向の位置の検出のと
きの検出時間TDが一定になるべきものが、一定
にはならず、第８図Ｂの実線２で示すように検出
電極３１が導体Yjの駆動回路に接続された側の
一端ｃとは反対側の他端ｄ寄りの位置にあるとき
ほど検出時間TDが大きくなる。即ち、検出時間
TDは、Ｙ方向の位置の検出のときは、検出電極
３１のＹ方向の位置に応じた分TYに対してＸ方
向の位置に応じた分が誤差として足されたものに
なつてしまう。
の位置を検出するための導体Yjが第８図Ａに示
すようにＹ軸の原点（Ｙ方向の零点）上のＹ軸に
垂直な基準線LYに平行に形成されていて、即ち
Ｘ軸に平行に形成されていて、検出電極３１が導
体Yj上にあるときは、その長手方向であるＸ方
向のどの位置にあつてもＹ方向の位置の検出のと
きの検出時間TDが一定になるべきものが、一定
にはならず、第８図Ｂの実線２で示すように検出
電極３１が導体Yjの駆動回路に接続された側の
一端ｃとは反対側の他端ｄ寄りの位置にあるとき
ほど検出時間TDが大きくなる。即ち、検出時間
TDは、Ｙ方向の位置の検出のときは、検出電極
３１のＹ方向の位置に応じた分TYに対してＸ方
向の位置に応じた分が誤差として足されたものに
なつてしまう。
導体の抵抗は導体の幅が小さいほど大きいの
で、この検出時間TDにおける誤差分は位置を検
出するための導体の幅が小さいほど大きく、前述
のように導体X1，X2……Xoの幅が導体Y1，Y2…
…Ynのそれにより小さくされる場合には、第７
図Ｂの実線１と第８図Ｂの実線２で対比して示す
ようにＸ方向の位置の検出のときの方がＹ方向の
位置の検出のときよりも大きくなる。また、この
誤差分は前述の時間間隔TSが小さくされる場合
ほど相対的に大きくなる。
で、この検出時間TDにおける誤差分は位置を検
出するための導体の幅が小さいほど大きく、前述
のように導体X1，X2……Xoの幅が導体Y1，Y2…
…Ynのそれにより小さくされる場合には、第７
図Ｂの実線１と第８図Ｂの実線２で対比して示す
ようにＸ方向の位置の検出のときの方がＹ方向の
位置の検出のときよりも大きくなる。また、この
誤差分は前述の時間間隔TSが小さくされる場合
ほど相対的に大きくなる。
発明の目的
本発明は、以上の点に鑑み、位置を検出するた
めの導体が抵抗を有していても位置検出出力に誤
差を生じないようにすることができ、位置を検出
するための導体が抵抗の比較的大きいネサ膜によ
り透明電極として形成される場合にも誤差のない
位置検出出力を得ることができるようにしたもの
である。
めの導体が抵抗を有していても位置検出出力に誤
差を生じないようにすることができ、位置を検出
するための導体が抵抗の比較的大きいネサ膜によ
り透明電極として形成される場合にも誤差のない
位置検出出力を得ることができるようにしたもの
である。
発明の概要
本発明は、検出時間TDにおける、位置検出板
が第１図のように構成される場合には前述のよう
に誤差分となる成分が、そもそも誤差分とならな
ように、位置を検出するための導体の、検出電極
の位置検出板上の検出されるべき位置の座標軸に
対する位置関係を工夫したものである。
が第１図のように構成される場合には前述のよう
に誤差分となる成分が、そもそも誤差分とならな
ように、位置を検出するための導体の、検出電極
の位置検出板上の検出されるべき位置の座標軸に
対する位置関係を工夫したものである。
即ち、第７図Ｃに示すように、Ｘ方向の位置を
検出するための導体Xjを、その駆動回路に接続
される側の一端ａに対して他端ｂが前述の基準線
LXより遠ざかるように、基準線LXに対して傾斜
させる。同様に、第８図Ｃに示すように、Ｙ方向
の位置を検出するための導体Yjを、その駆動回
路に接続される側の一端ｃに対して他端ｄが前述
の基準線LYより遠ざかるように、基準線LYに対
して傾斜させる。この場合、導体XjないしYjの
基準線LXないしLYに対する傾きは、第７図Ｂな
いし第８図Ｂで説明した、Ｘ方向ないしＹ方向の
位置の検出のときの検出時間TDにおける前述の
導体XjないしYjが有する抵抗に起因する誤差分
に相当する分の大きさに対応させる。従つて、前
述のように導体Xjの幅が導体Yjのそれより小さ
くされて、Ｘ方向の位置の検出のときの方がＹ方
向の位置の検出のときよりも前述の誤差分に相当
する分が大きくなる場合には、第７図Ｃと第８図
Ｃで対比して示すように導体Xjの基準線LXに対
する傾きの方を導体Yjの基準線LYに対するそれ
よりも大きくする。
検出するための導体Xjを、その駆動回路に接続
される側の一端ａに対して他端ｂが前述の基準線
LXより遠ざかるように、基準線LXに対して傾斜
させる。同様に、第８図Ｃに示すように、Ｙ方向
の位置を検出するための導体Yjを、その駆動回
路に接続される側の一端ｃに対して他端ｄが前述
の基準線LYより遠ざかるように、基準線LYに対
して傾斜させる。この場合、導体XjないしYjの
基準線LXないしLYに対する傾きは、第７図Ｂな
いし第８図Ｂで説明した、Ｘ方向ないしＹ方向の
位置の検出のときの検出時間TDにおける前述の
導体XjないしYjが有する抵抗に起因する誤差分
に相当する分の大きさに対応させる。従つて、前
述のように導体Xjの幅が導体Yjのそれより小さ
くされて、Ｘ方向の位置の検出のときの方がＹ方
向の位置の検出のときよりも前述の誤差分に相当
する分が大きくなる場合には、第７図Ｃと第８図
Ｃで対比して示すように導体Xjの基準線LXに対
する傾きの方を導体Yjの基準線LYに対するそれ
よりも大きくする。
このようにすると、検出時間TDは、前述の誤
差分に相当する分を含めて、Ｘ方向の位置の検出
のときは検出電極のＸ方向の位置に応じたものと
なり、Ｙ方向の位置の検出のときは検出電極のＹ
方向の位置に応じたものとなつて、検出時間TD
にはそもそも誤差分が生じないようになる。
差分に相当する分を含めて、Ｘ方向の位置の検出
のときは検出電極のＸ方向の位置に応じたものと
なり、Ｙ方向の位置の検出のときは検出電極のＹ
方向の位置に応じたものとなつて、検出時間TD
にはそもそも誤差分が生じないようになる。
実施例
第９図は本発明の位置検出装置の一例で、位置
検出板１０は、絶縁層１１上に導体Y1，Y2……
Ynが並行して配列されるとともに、絶縁層１１
上に被着された絶縁層１２上に導体X1，X2……
Xoが並行して配列され、さらに図示しないが絶
縁層１２上に絶縁層が被着された構造のものであ
るが、特に、導体X1，X2……Xoが、それぞれ、
そのスイツチ２２1，２２2……２２oに接続され
る側の一端ａに対して他端ｂが前述の基準線LX
より遠ざかるように、基準線LXに対して傾いて
形成され、同様に、導体Y1，Y2……Ynが、それ
ぞれ、そのスイツチ２３1，２３2……２３nに接
続される側の一端ｃに対して他端ｄが前述の基準
線LYより遠ざかるように、基準線LYに対して傾
いて形成される。この場合も下側の導体Y1，Y2
……Ynの幅が上側の導体X1，X2……Xoのそれよ
り大きくされ、従つて前述のように導体X1，X2
……Xoの基準線LXに対する傾きの方が導体Y1，
Y2……Ynの基準線LYに対するそれよりも大きく
される。従つて、導体X1，X2……Xoと導体Y1，
Y2……Ynは直交しない。なお、絶縁層１１及び
１２と絶縁層１２上に被着される絶縁層はそれぞ
れ透明にされ、導体X1，X2……Xo及びY1，Y2…
…Ynもそれぞれネサ膜により透明電極として形
成される。
検出板１０は、絶縁層１１上に導体Y1，Y2……
Ynが並行して配列されるとともに、絶縁層１１
上に被着された絶縁層１２上に導体X1，X2……
Xoが並行して配列され、さらに図示しないが絶
縁層１２上に絶縁層が被着された構造のものであ
るが、特に、導体X1，X2……Xoが、それぞれ、
そのスイツチ２２1，２２2……２２oに接続され
る側の一端ａに対して他端ｂが前述の基準線LX
より遠ざかるように、基準線LXに対して傾いて
形成され、同様に、導体Y1，Y2……Ynが、それ
ぞれ、そのスイツチ２３1，２３2……２３nに接
続される側の一端ｃに対して他端ｄが前述の基準
線LYより遠ざかるように、基準線LYに対して傾
いて形成される。この場合も下側の導体Y1，Y2
……Ynの幅が上側の導体X1，X2……Xoのそれよ
り大きくされ、従つて前述のように導体X1，X2
……Xoの基準線LXに対する傾きの方が導体Y1，
Y2……Ynの基準線LYに対するそれよりも大きく
される。従つて、導体X1，X2……Xoと導体Y1，
Y2……Ynは直交しない。なお、絶縁層１１及び
１２と絶縁層１２上に被着される絶縁層はそれぞ
れ透明にされ、導体X1，X2……Xo及びY1，Y2…
…Ynもそれぞれネサ膜により透明電極として形
成される。
一方、クロツクパルス発生回路４１から例えば
4MHzの周波数のクロツクパルスCOが得られ、こ
れが分周回路４２に供給されて例えばクロツクパ
ルスCOの1/40の100kHzの周波数のクロツクパル
スCSが得られ、これが分周回路などからなる信号
発生回路４３に供給されて、回路４３より、第１
０図に示すように、単位検出期間分の周期を有
し、クロツクパルスCSの一周期分のパルス幅を有
する検出開始信号SPと、信号SPに対してクロツク
パルスCSの一周期分の時間遅延した駆動開始信号
STと、信号SPの一周期ごとにレベルが反転する検
出期間識別信号SXYと、信号STのうちの信号SXYが
高レベルになる期間PXにおけるパルスからなる
信号STXと、信号STのうちの信号SXYが低レベルに
なる期間PYにおけるパルスからなる信号STYが得
られる。
4MHzの周波数のクロツクパルスCOが得られ、こ
れが分周回路４２に供給されて例えばクロツクパ
ルスCOの1/40の100kHzの周波数のクロツクパル
スCSが得られ、これが分周回路などからなる信号
発生回路４３に供給されて、回路４３より、第１
０図に示すように、単位検出期間分の周期を有
し、クロツクパルスCSの一周期分のパルス幅を有
する検出開始信号SPと、信号SPに対してクロツク
パルスCSの一周期分の時間遅延した駆動開始信号
STと、信号SPの一周期ごとにレベルが反転する検
出期間識別信号SXYと、信号STのうちの信号SXYが
高レベルになる期間PXにおけるパルスからなる
信号STXと、信号STのうちの信号SXYが低レベルに
なる期間PYにおけるパルスからなる信号STYが得
られる。
そして、クロツクパルスCSがシフトレジスタ２
４にシフトパルスとして供給され、信号STXがシ
フトレジスタ２４にスタートパルスとして供給さ
れて、期間PX内の信号STXの前縁の時点からこれ
より一定時間経た時点までの期間PXDにおいて、
シフトレジスタ２４の出力端子N1，N2……Noに
各々クロツクパルスCSの一周期分のパルス幅を有
するパルス信号がクロツクパルスCSの一周期分の
時間間隔TSで順次得られ、このパルス信号がス
イツチ回路２２のスイツチ２２1，２２2……２２
ｏに供給されて、スイツチ２２1，２２2……２２o
が端子Ａ側から端子Ｂ側にクロツクパルスCSの一
周期分の時間間隔TSで順次切換えられ、これに
より導体X1，X2……Xoにそれぞれの一端ａから
電源端子２１よりの電圧VCCがクロツクパルスCS
の一周期分の時間間隔TSで順次与えられる。
４にシフトパルスとして供給され、信号STXがシ
フトレジスタ２４にスタートパルスとして供給さ
れて、期間PX内の信号STXの前縁の時点からこれ
より一定時間経た時点までの期間PXDにおいて、
シフトレジスタ２４の出力端子N1，N2……Noに
各々クロツクパルスCSの一周期分のパルス幅を有
するパルス信号がクロツクパルスCSの一周期分の
時間間隔TSで順次得られ、このパルス信号がス
イツチ回路２２のスイツチ２２1，２２2……２２
ｏに供給されて、スイツチ２２1，２２2……２２o
が端子Ａ側から端子Ｂ側にクロツクパルスCSの一
周期分の時間間隔TSで順次切換えられ、これに
より導体X1，X2……Xoにそれぞれの一端ａから
電源端子２１よりの電圧VCCがクロツクパルスCS
の一周期分の時間間隔TSで順次与えられる。
同様に、クロツクパルスCSがシフトレジスタ２
５にシフトパルスとして供給され、信号STYがシ
フトレジスタ２５にスタートパルスとして供給さ
れて、期間PY内の信号STYの前縁の時点からこれ
により一定時間経た時点までの期間PYDにおいて、
シフトレジスタ２５の出力端子M1，M2……Mn
に各々クロツクパルスCSの一周期分のパルス幅を
有するパルス信号がクロツクパルスCSの一周期分
の時間間隔TSで順次得られ、このパルス信号が
スイツチ回路２３のスイツチ２３1，２３2……２
３nに供給されて、スイツチ２３1，２３2……２
３nが端子Ａ側から端子Ｂ側にクロツクパルスCS
の一周期分の時間間隔TSで順次切換えられ、こ
れにより導体Y1，Y2……Ynにそれぞれの一端ｃ
から電源端子２１よりの電圧VCCがクロツクパル
スCSの一周期分の時間間隔TSで順次与えられる。
５にシフトパルスとして供給され、信号STYがシ
フトレジスタ２５にスタートパルスとして供給さ
れて、期間PY内の信号STYの前縁の時点からこれ
により一定時間経た時点までの期間PYDにおいて、
シフトレジスタ２５の出力端子M1，M2……Mn
に各々クロツクパルスCSの一周期分のパルス幅を
有するパルス信号がクロツクパルスCSの一周期分
の時間間隔TSで順次得られ、このパルス信号が
スイツチ回路２３のスイツチ２３1，２３2……２
３nに供給されて、スイツチ２３1，２３2……２
３nが端子Ａ側から端子Ｂ側にクロツクパルスCS
の一周期分の時間間隔TSで順次切換えられ、こ
れにより導体Y1，Y2……Ynにそれぞれの一端ｃ
から電源端子２１よりの電圧VCCがクロツクパル
スCSの一周期分の時間間隔TSで順次与えられる。
検出電極３１は頭部がシールドケース３３の外
部に臨まされて位置検出板１０上に置かれるとと
もに、シールドケース３３の内部において前述の
コンデンサ３２を介して接地される。さらに、検
出電極３１はシールドケース３３の内部において
電界効果トランジスタ３４のゲートに接続され、
トランジスタ３４のゲートと接地の間にバイアス
抵抗３５が接続される。従つて、検出電極３１に
得られる電圧VSは、抵抗３５を通じる放電が生
じることによつて完全な階段状にならない点は第
４図に示したものと異なるが、第１０図に示すよ
うに、期間PX内の期間PXDでは導体X1，X2……
Xoのうちの検出電極３１の位置に最も近い導体
に電圧VCCが与えられたときに最大になり、期間
PY内の期間PYDでは導体Y1，Y2……Ynのうちの
検出電極３１の位置に最も近い導体に電圧VCCが
与えられたときに最大になる。
部に臨まされて位置検出板１０上に置かれるとと
もに、シールドケース３３の内部において前述の
コンデンサ３２を介して接地される。さらに、検
出電極３１はシールドケース３３の内部において
電界効果トランジスタ３４のゲートに接続され、
トランジスタ３４のゲートと接地の間にバイアス
抵抗３５が接続される。従つて、検出電極３１に
得られる電圧VSは、抵抗３５を通じる放電が生
じることによつて完全な階段状にならない点は第
４図に示したものと異なるが、第１０図に示すよ
うに、期間PX内の期間PXDでは導体X1，X2……
Xoのうちの検出電極３１の位置に最も近い導体
に電圧VCCが与えられたときに最大になり、期間
PY内の期間PYDでは導体Y1，Y2……Ynのうちの
検出電極３１の位置に最も近い導体に電圧VCCが
与えられたときに最大になる。
この検出電極３１に得られる電圧VSが電界効
果トランジスタ３４を通じてバンドパスフイルタ
５１に供給されて、第１０図に示すように電圧
VSが最大になる時点より一定時間遅れて最大振
幅になる一定周波数の信号SBが得られ、この信号
SBがシユミツト・トリガー回路５２に供給され
て、信号SBが所定の正の電位VRを負から正の向
きによぎる時点で高レベルから低レベルに立ち下
がり、その後の接地電位を逆に正から負の向きに
よぎる時点で低レベルから高レベルに立ち上がる
信号SZが得られる。
果トランジスタ３４を通じてバンドパスフイルタ
５１に供給されて、第１０図に示すように電圧
VSが最大になる時点より一定時間遅れて最大振
幅になる一定周波数の信号SBが得られ、この信号
SBがシユミツト・トリガー回路５２に供給され
て、信号SBが所定の正の電位VRを負から正の向
きによぎる時点で高レベルから低レベルに立ち下
がり、その後の接地電位を逆に正から負の向きに
よぎる時点で低レベルから高レベルに立ち上がる
信号SZが得られる。
そして、信号発生回路４３より得られる駆動開
始信号STがRSフリツプフロツプ回路５３のセツ
ト端子Ｓに供給され、ジユミツト・トリガー回路
５２の出力の信号SZが回路５３のリセツト端子Ｒ
に供給されて、回路５３より、期間PXないしPY
の駆動期間PXDないしPYDの始めの導体X1ないし
Y1に電圧VCCが与えられる時点tSである、信号ST
の前縁で立ち上がり、その後にバンドパスフイル
タ５１の出力の信号SBが最初に接地電位を正から
負の向きによぎる時点tDである、その後の信号SZ
の上向きの矢印で示す最初の立ち上がりで立ち下
がる信号GCが得られる。さらに、信号発生回路
４３より得られる検出開始信号SPがカウンタ５４
のクリア端子CLRに供給されて、期間PXないし
PYの始めの信号SPの前縁でカウンタ５４がクリ
アされ、クロツクパルス発生回路４１より得られ
るクロツクパルスCOとRSフリツプフロツプ回路
５３の出力の信号GCがアンドゲート回路５５に
供給されて、信号GCの高レベルの期間において
クロツクパルスCOが抜き取られ、このカウンタ
５４がクリアされた後の期間PXないしPY内の信
号GCの高レベルの期間においてアンドゲート回
路５５より得られるクロツクパルスがカウンタ５
４のクロツク端子CKに供給されて、カウントさ
れる。即ち、カウンタ５４によつて期間PXない
しPYにおける信号GCの高レベルの期間の時間TD
が、そのときの検出電極３１の位置検出板１０上
の基準線LXに垂直なＸ方向ないし基準線LYに垂
直なＹ方向の位置として、検出される。
始信号STがRSフリツプフロツプ回路５３のセツ
ト端子Ｓに供給され、ジユミツト・トリガー回路
５２の出力の信号SZが回路５３のリセツト端子Ｒ
に供給されて、回路５３より、期間PXないしPY
の駆動期間PXDないしPYDの始めの導体X1ないし
Y1に電圧VCCが与えられる時点tSである、信号ST
の前縁で立ち上がり、その後にバンドパスフイル
タ５１の出力の信号SBが最初に接地電位を正から
負の向きによぎる時点tDである、その後の信号SZ
の上向きの矢印で示す最初の立ち上がりで立ち下
がる信号GCが得られる。さらに、信号発生回路
４３より得られる検出開始信号SPがカウンタ５４
のクリア端子CLRに供給されて、期間PXないし
PYの始めの信号SPの前縁でカウンタ５４がクリ
アされ、クロツクパルス発生回路４１より得られ
るクロツクパルスCOとRSフリツプフロツプ回路
５３の出力の信号GCがアンドゲート回路５５に
供給されて、信号GCの高レベルの期間において
クロツクパルスCOが抜き取られ、このカウンタ
５４がクリアされた後の期間PXないしPY内の信
号GCの高レベルの期間においてアンドゲート回
路５５より得られるクロツクパルスがカウンタ５
４のクロツク端子CKに供給されて、カウントさ
れる。即ち、カウンタ５４によつて期間PXない
しPYにおける信号GCの高レベルの期間の時間TD
が、そのときの検出電極３１の位置検出板１０上
の基準線LXに垂直なＸ方向ないし基準線LYに垂
直なＹ方向の位置として、検出される。
なお、シユミツト・トリガー回路５２の出力の
信号SZがRSフリツプフロツプ回路５６のセツト
端子Ｓに供給され、信号発生回路４３より得られ
る検出開始信号SPが回路５６のリセツト端子Ｒに
供給されて、回路５６よりカウンタ５４の出力の
データが時間TDを示す内容になつている期間で
高レベルとなる信号DAが得られ、この信号DAと、
カウンタ５４の出力のデータと、信号発生回路４
３より得られる検出期間識別信号SXYがデータ処
理回路５７に供給されて、回路５７より検出電極
３１の位置検出板１０上の基準線LXに垂直なＸ
方向及び基準線LYに垂直なＹ方向の位置の検出
出力としてのデータが得られる。
信号SZがRSフリツプフロツプ回路５６のセツト
端子Ｓに供給され、信号発生回路４３より得られ
る検出開始信号SPが回路５６のリセツト端子Ｒに
供給されて、回路５６よりカウンタ５４の出力の
データが時間TDを示す内容になつている期間で
高レベルとなる信号DAが得られ、この信号DAと、
カウンタ５４の出力のデータと、信号発生回路４
３より得られる検出期間識別信号SXYがデータ処
理回路５７に供給されて、回路５７より検出電極
３１の位置検出板１０上の基準線LXに垂直なＸ
方向及び基準線LYに垂直なＹ方向の位置の検出
出力としてのデータが得られる。
この本発明の位置検出装置においても、導体
X1，X2……XoないしY1，Y2……Ynには、その
駆動回路を構成するスイツチ回路２２にないし２
３のスイツチ２２1，２２2……２２oないし２３
１，２３2……２３nに接続された側の一端ａない
しｃから離れるについて、電圧VCCが遅れて与え
られる。従つて、検出電極３１が導体X1，X2…
…Xoのうちのある導体Xj上にあるときについて
みると、検出電極３１が導体Xjの他端ｂ寄りの
位置にあるときほど、期間PXにおける検出時点tD
が遅れ、期間PXにおける検出時間TDが大きくな
り、期間PXにおける検出時間TDは、導体Xjの一
端ａのＸ方向の位置に応じた分に対して検出電極
３１のＹ方向の位置に応じた分が足されたものに
なる。しかし、本発明では、そもそも導体Xjが、
その一端ａに対して他端ｂが基準線LXより遠ざ
かるように、基準線LXに対して傾いて形成され
ているので、この検出電極３１のＹ方向の位置に
応じた分は検出電極３１の導体Xjの一端ａに対
するＸ方向の位置に応じたものになり、この分の
大きさ、即ち、検出時間TDにおける導体Xjが有
する抵抗に起因する誤差分に相当する分の大きさ
に対応して導体Xjの基準線LXに対する傾きが選
定されることにより、期間PXにおける検出時間
TDは、結局、検出電極３１のＸ方向の位置に応
じたものになる。
X1，X2……XoないしY1，Y2……Ynには、その
駆動回路を構成するスイツチ回路２２にないし２
３のスイツチ２２1，２２2……２２oないし２３
１，２３2……２３nに接続された側の一端ａない
しｃから離れるについて、電圧VCCが遅れて与え
られる。従つて、検出電極３１が導体X1，X2…
…Xoのうちのある導体Xj上にあるときについて
みると、検出電極３１が導体Xjの他端ｂ寄りの
位置にあるときほど、期間PXにおける検出時点tD
が遅れ、期間PXにおける検出時間TDが大きくな
り、期間PXにおける検出時間TDは、導体Xjの一
端ａのＸ方向の位置に応じた分に対して検出電極
３１のＹ方向の位置に応じた分が足されたものに
なる。しかし、本発明では、そもそも導体Xjが、
その一端ａに対して他端ｂが基準線LXより遠ざ
かるように、基準線LXに対して傾いて形成され
ているので、この検出電極３１のＹ方向の位置に
応じた分は検出電極３１の導体Xjの一端ａに対
するＸ方向の位置に応じたものになり、この分の
大きさ、即ち、検出時間TDにおける導体Xjが有
する抵抗に起因する誤差分に相当する分の大きさ
に対応して導体Xjの基準線LXに対する傾きが選
定されることにより、期間PXにおける検出時間
TDは、結局、検出電極３１のＸ方向の位置に応
じたものになる。
Ｙ方向の位置の検出についても同様で、検出電
極３１が導体Y1，Y2……Ynのうちのある導体Yj
上にあるときについてみると、検出電極３１が導
体Yjの他端ｄ寄りの位置にあるときほど、期間
PYにおける検出時点tDが遅れ、期間PYにおける検
出時間TDが大きくなり、期間PYにおける検出時
間TDは、導体Yjの一端ｃのＹ方向の位置に応じ
た分に対して検出電極３１のＸ方向の位置に応じ
た分が足されたものになる。しかし、本発明で
は、そもそも導体Yjが、その一端ｃに対して他
端ｄが基準線LYより遠ざかるように、基準線LY
に対して傾いて形成されているので、この検出電
極３１のＸ方向の位置に応じた分は検出電極３１
の導体Yjの一端ｃに対するＹ方向の位置に応じ
たものになり、この分の大きさ、即ち、検出時間
TDにおける導体Yjが有する抵抗に起因する誤差
分に相当する分の大きさに対応して導体Yjの基
準線LYに対する傾きが選定されることにより、
期間PYにおける検出時間TDは、結局、検出電極
３１のＹ方向の位置に応じたものになる。
極３１が導体Y1，Y2……Ynのうちのある導体Yj
上にあるときについてみると、検出電極３１が導
体Yjの他端ｄ寄りの位置にあるときほど、期間
PYにおける検出時点tDが遅れ、期間PYにおける検
出時間TDが大きくなり、期間PYにおける検出時
間TDは、導体Yjの一端ｃのＹ方向の位置に応じ
た分に対して検出電極３１のＸ方向の位置に応じ
た分が足されたものになる。しかし、本発明で
は、そもそも導体Yjが、その一端ｃに対して他
端ｄが基準線LYより遠ざかるように、基準線LY
に対して傾いて形成されているので、この検出電
極３１のＸ方向の位置に応じた分は検出電極３１
の導体Yjの一端ｃに対するＹ方向の位置に応じ
たものになり、この分の大きさ、即ち、検出時間
TDにおける導体Yjが有する抵抗に起因する誤差
分に相当する分の大きさに対応して導体Yjの基
準線LYに対する傾きが選定されることにより、
期間PYにおける検出時間TDは、結局、検出電極
３１のＹ方向の位置に応じたものになる。
発明の効果
本発明によれば、位置検出板１０の並行して配
列される複数の導体X1，X2……XoないしY1，Y2
……Ynを、それぞれ、その駆動回路から所定の
電圧が与えられる一端ａないしｃに対して他端ｂ
ないしｄが、位置検出板１０上に配される検出電
極３１の位置検出板１０上の検出されるべき位置
の座標軸に対して垂直な座標原点上の基準線LX
ないしLYより遠ざかるように、この基準線LXな
いしLYに対して傾け、その傾きを検出時間TDに
おける導体X1，X2……Xoないし導体Y1，Y2……
Ynのそれぞれが有する抵抗に起因する誤差分に
相当する分の大きさに対応させて形成するので、
導体X1，X2……XoないしY1，Y2……Ynが抵抗
を有していても位置検出出力に誤差を生じないよ
うにすることができ、導体X1，X2……Xoないし
Y1，Y2……Ynが抵抗の比較的大きいネサ膜によ
り透明電極として形成される場合にも誤差のない
位置検出出力を得ることができる。
列される複数の導体X1，X2……XoないしY1，Y2
……Ynを、それぞれ、その駆動回路から所定の
電圧が与えられる一端ａないしｃに対して他端ｂ
ないしｄが、位置検出板１０上に配される検出電
極３１の位置検出板１０上の検出されるべき位置
の座標軸に対して垂直な座標原点上の基準線LX
ないしLYより遠ざかるように、この基準線LXな
いしLYに対して傾け、その傾きを検出時間TDに
おける導体X1，X2……Xoないし導体Y1，Y2……
Ynのそれぞれが有する抵抗に起因する誤差分に
相当する分の大きさに対応させて形成するので、
導体X1，X2……XoないしY1，Y2……Ynが抵抗
を有していても位置検出出力に誤差を生じないよ
うにすることができ、導体X1，X2……Xoないし
Y1，Y2……Ynが抵抗の比較的大きいネサ膜によ
り透明電極として形成される場合にも誤差のない
位置検出出力を得ることができる。
第１図は従来の位置検出装置の一例の要部の構
成を示す図、第２図はその位置検出板の断面図、
第３図及び第４図はその動作の説明のための図、
第５図及び第６図は導体の抵抗による影響を説明
するための図、第７図及び第８図は導体の傾きと
位置検出出力の関係を説明するための図、第９図
は本発明の位置検出装置の一例の構成を示す図、
第１０図はその動作の説明のための波形図であ
る。 図中、１０は位置検出板、１１〜１３は絶縁
層、X1，X2……Xo及びY1，Y2……Ynは導体、
ａ及びｃはその一端、ｂ及びｄはその他端、LX
及びLYは基準線、２２，２３及び２４，２５は
駆動回路を構成するスイツチ回路及びシフトレジ
スタ、３１は検出電極である。
成を示す図、第２図はその位置検出板の断面図、
第３図及び第４図はその動作の説明のための図、
第５図及び第６図は導体の抵抗による影響を説明
するための図、第７図及び第８図は導体の傾きと
位置検出出力の関係を説明するための図、第９図
は本発明の位置検出装置の一例の構成を示す図、
第１０図はその動作の説明のための波形図であ
る。 図中、１０は位置検出板、１１〜１３は絶縁
層、X1，X2……Xo及びY1，Y2……Ynは導体、
ａ及びｃはその一端、ｂ及びｄはその他端、LX
及びLYは基準線、２２，２３及び２４，２５は
駆動回路を構成するスイツチ回路及びシフトレジ
スタ、３１は検出電極である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 絶縁層上に複数の導体が並行して配列された
位置検出板と、上記複数の導体にそれぞれの一端
から所定の電圧を順次与える駆動回路と、上記位
置検出板上に配される検出電極とを有し、 上記複数の導体が、それぞれ、上記一端に対し
て他端が、上記検出電極の上記位置検出板上の検
出されるべき位置の座標軸に対して垂直な座標原
点上の基準線より遠ざかるように、該基準線に対
する傾きをもつて形成されて、該傾きが基準時点
から上記検出電極よる上記複数の導体にそれぞれ
の一端から与えられた上記所定の電圧の検出に関
わる時点までの検出時間における、上記複数の導
体のそれぞれが有する抵抗に起因する誤差分に相
当する分の大きさに対応するものに選定され、 上記検出時間に基づいて、上記検出電極の上記
位置検出板上の上記座標軸の方向の位置が検出さ
れる位置検出装置。 ２ 絶縁層が透明で、複数の導体がそれぞれネサ
膜により透明電極として形成された特許請求の範
囲第１項記載の位置検出装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58183278A JPS6075923A (ja) | 1983-09-30 | 1983-09-30 | 位置検出装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58183278A JPS6075923A (ja) | 1983-09-30 | 1983-09-30 | 位置検出装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6075923A JPS6075923A (ja) | 1985-04-30 |
| JPH0468654B2 true JPH0468654B2 (ja) | 1992-11-04 |
Family
ID=16132856
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58183278A Granted JPS6075923A (ja) | 1983-09-30 | 1983-09-30 | 位置検出装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6075923A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7382139B2 (en) * | 2004-06-03 | 2008-06-03 | Synaptics Incorporated | One layer capacitive sensing apparatus having varying width sensing elements |
| US7737953B2 (en) * | 2004-08-19 | 2010-06-15 | Synaptics Incorporated | Capacitive sensing apparatus having varying depth sensing elements |
| JP5397979B2 (ja) * | 2008-09-10 | 2014-01-22 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 抵抗膜型入力装置、入力機能付き表示装置および電子機器 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5384420A (en) * | 1976-12-29 | 1978-07-25 | Ibm | Capacitive tabulation |
-
1983
- 1983-09-30 JP JP58183278A patent/JPS6075923A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5384420A (en) * | 1976-12-29 | 1978-07-25 | Ibm | Capacitive tabulation |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6075923A (ja) | 1985-04-30 |
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