JPS6075923A - 位置検出装置 - Google Patents
位置検出装置Info
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- JPS6075923A JPS6075923A JP58183278A JP18327883A JPS6075923A JP S6075923 A JPS6075923 A JP S6075923A JP 58183278 A JP58183278 A JP 58183278A JP 18327883 A JP18327883 A JP 18327883A JP S6075923 A JPS6075923 A JP S6075923A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- conductor
- detection
- signal
- period
- conductors
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明(−1:、タブレット板上でスフ1ラスにより図
形々とが画かれたとき、そのジ、クイラスのタブレット
板上の位置が逐次検出されることによって画かれた図形
などのテークが得られ、とのテークにより、陰極線管表
示装置に図形な、とが表示されたり、陰極線管表示装置
に表示される画面が変更されたり、所要の図形なとか作
成さ几たすする、広義の図形表示装置ないし図形作)5
装置6に:I−′−ける、位置検出装置に関する。
形々とが画かれたとき、そのジ、クイラスのタブレット
板上の位置が逐次検出されることによって画かれた図形
などのテークが得られ、とのテークにより、陰極線管表
示装置に図形な、とが表示されたり、陰極線管表示装置
に表示される画面が変更されたり、所要の図形なとか作
成さ几たすする、広義の図形表示装置ないし図形作)5
装置6に:I−′−ける、位置検出装置に関する。
背量技術とその問題点
かような位置検出装置は、クブレノト板を構成する位置
検出板と、この位を眉検出椹フ上で図形なとを1向くス
クイラスを有するが、その7つのタイプとして静電的に
位置検出かなされるものかある。
検出板と、この位を眉検出椹フ上で図形なとを1向くス
クイラスを有するが、その7つのタイプとして静電的に
位置検出かなされるものかある。
第1図及び第β図はこのような位置検出装置の一例で、
タブレット板を暢成す7二ら−j−、L:”−1検出板
10は、絶経J畜//」二に複数の樽1本Y/、Y、2
・・・・・Ymが一定の間隔で平行に配列されて形Jl
されるとともに、絶縁層//上に被着された絶縁層/、
2拍に導体Y / 、 Y 、2・・・・・ymと直交
する複数の導体X i + X r・・・・・Xnが導
体Y/ 、Yl・・・・・Ymの間隔と同じ間隔で平行
に配列されて形成さ、111、さらに絶縁層/−2上に
絶縁層/3が被着された+III造になっている。スタ
イラス(・よ位置検出板10の絶縁層/3上に配される
検出′電極3/で構成され、検出電極3/とシ産地の間
に固定容量CLのコンデンサ32が接続される。実際上
、絶縁層//、/、2及び/3はそれぞれ透明にされ、
導体X / 、 X i ”・X n及びY /r Y
i ・” Y mもそれぞれネサ膜により透明電極と
して形成される。
タブレット板を暢成す7二ら−j−、L:”−1検出板
10は、絶経J畜//」二に複数の樽1本Y/、Y、2
・・・・・Ymが一定の間隔で平行に配列されて形Jl
されるとともに、絶縁層//上に被着された絶縁層/、
2拍に導体Y / 、 Y 、2・・・・・ymと直交
する複数の導体X i + X r・・・・・Xnが導
体Y/ 、Yl・・・・・Ymの間隔と同じ間隔で平行
に配列されて形成さ、111、さらに絶縁層/−2上に
絶縁層/3が被着された+III造になっている。スタ
イラス(・よ位置検出板10の絶縁層/3上に配される
検出′電極3/で構成され、検出電極3/とシ産地の間
に固定容量CLのコンデンサ32が接続される。実際上
、絶縁層//、/、2及び/3はそれぞれ透明にされ、
導体X / 、 X i ”・X n及びY /r Y
i ・” Y mもそれぞれネサ膜により透明電極と
して形成される。
そl〜て、ある一定の期間内におい・て、シフトレジス
フ、2≠の出力βビ子N / I N 、2・・・・・
Nnからスイッチ回路2.2のスイツf 、2.21.
22λ・・・・・、2.2.、にパルス信号が一定の時
間間隔で順次力えられて、スイッチ2.2. 、222
・・・・・22nが端子A側から端子13側に一定の時
間間隔で順次切換えられ、こわ、により導体X/、’X
2・・・・・XnにそれぞれO一端から電源端子、2/
よりの電圧VCaが一定の11に’i間間隔で順次与え
らh7る。また、これと別の一定の期間内において、同
様に、シフトレジスフ2jの出力端子M / l ’M
λ・・・・・KA mがらスイッチ回路23のスイソブ
弓3. 、、.2−?λ・川・、23illにパルス信
号が一定の時間間隔で11ii′1次与えらt′I、て
、スイツー:F−23,、,23,・・・・・23mが
侃1子A側から妨子B r71に一定の11、〒間間隔
て順次切換〆−ら九、これによシ導体Y、、Y、2・・
・・・Ymにそ九ぞれの一端力・ら電源端子、、2/よ
シの兜、圧’1’0にが一定の時間間隔で順次力えられ
る。
フ、2≠の出力βビ子N / I N 、2・・・・・
Nnからスイッチ回路2.2のスイツf 、2.21.
22λ・・・・・、2.2.、にパルス信号が一定の時
間間隔で順次力えられて、スイッチ2.2. 、222
・・・・・22nが端子A側から端子13側に一定の時
間間隔で順次切換えられ、こわ、により導体X/、’X
2・・・・・XnにそれぞれO一端から電源端子、2/
よりの電圧VCaが一定の11に’i間間隔で順次与え
らh7る。また、これと別の一定の期間内において、同
様に、シフトレジスフ2jの出力端子M / l ’M
λ・・・・・KA mがらスイッチ回路23のスイソブ
弓3. 、、.2−?λ・川・、23illにパルス信
号が一定の時間間隔で11ii′1次与えらt′I、て
、スイツー:F−23,、,23,・・・・・23mが
侃1子A側から妨子B r71に一定の11、〒間間隔
て順次切換〆−ら九、これによシ導体Y、、Y、2・・
・・・Ymにそ九ぞれの一端力・ら電源端子、、2/よ
シの兜、圧’1’0にが一定の時間間隔で順次力えられ
る。
ここで、電圧Vccがカえられた導体と検出電極3/と
の間に形成される静電容量をcl、とすると、そのとき
の検出電極3/Vc;(@らゎ、るn;6圧Vsはで表
わされ、容量CI、が大きいほど、従って電圧V(H3
がりえられた導体と検出電極3/との距離が小さいほど
、電圧V、5;ζバ大きくなる。従って、導体X/ 、
X2・・・・・X、ないしY / l Y 、2・・・
・・Ymに電圧VCaが一定の時間間隔で11次与えら
れて、第3図に示すように電圧VOOが与えられた導体
と検出電極3/との間に形成される容量CPが一定の時
間間隔で順次変化するのに伴なって、検出電極3/に得
られる電圧Vsは第7図に示すように一定の時間間隔T
sで階段状に変化し、導体X/、X、2・・・・・Xn
ないしY / r Y j・・・・・Ymのうちの検出
電極3/の位置に最も近い導体に電圧VOOが与えられ
るときに最大値vPになる。
の間に形成される静電容量をcl、とすると、そのとき
の検出電極3/Vc;(@らゎ、るn;6圧Vsはで表
わされ、容量CI、が大きいほど、従って電圧V(H3
がりえられた導体と検出電極3/との距離が小さいほど
、電圧V、5;ζバ大きくなる。従って、導体X/ 、
X2・・・・・X、ないしY / l Y 、2・・・
・・Ymに電圧VCaが一定の時間間隔で11次与えら
れて、第3図に示すように電圧VOOが与えられた導体
と検出電極3/との間に形成される容量CPが一定の時
間間隔で順次変化するのに伴なって、検出電極3/に得
られる電圧Vsは第7図に示すように一定の時間間隔T
sで階段状に変化し、導体X/、X、2・・・・・Xn
ないしY / r Y j・・・・・Ymのうちの検出
電極3/の位置に最も近い導体に電圧VOOが与えられ
るときに最大値vPになる。
そして、この電圧Vsにもとづいて、検出電極3/の位
置検出板10上の導体X / 、 X 、2・・・・・
Xnの配列方向であるX方向と導体Y / + Y 2
・・Yrllの配列方向であるY方向の位ばか検出され
る。
置検出板10上の導体X / 、 X 、2・・・・・
Xnの配列方向であるX方向と導体Y / + Y 2
・・Yrllの配列方向であるY方向の位ばか検出され
る。
具体的には、検出型w1.3/に得られる電圧vsがバ
ンドパスフィルタに供給されて、第を図に示すように電
圧Vsが最大値vPKlる時点よシ一定時間遅れて最大
振幅になる一定周波数の信号SIIが得られ、この信号
SRがシュミット・トリガー回路に供給されて、信号S
Rが所定の正の電位V几を負から正の向きによぎる時点
で高レベルから低レベルに立ち下がシ、その後の接地電
位を逆に正から負の向きによぎる時点で低レベルから高
レベルに立ち上がる信号Szが得られる。そして、導体
X/、Xλ・・・・・XnないしY l+ Y 2・・
・・・Yrllのうちの一番はしの導体X/ないしYl
に電圧VCaが与えられる時点tsがら、その後の信号
Szが最初に立ち」二がる時点t1〕壕での期間におい
て、周期が前述の時間間隔Tsよりも充分短かいクロッ
クパルスがカウンタでカウントされることにより、時点
Lsがら時点t l) ’iでの時間TDが検出され、
この時点tI)におけるカウンタの出力のデータが検出
型4:@、 3 /の位置検出板10上の前述のX方向
ないしY方向の位置の検出出力として取シ出される。
ンドパスフィルタに供給されて、第を図に示すように電
圧Vsが最大値vPKlる時点よシ一定時間遅れて最大
振幅になる一定周波数の信号SIIが得られ、この信号
SRがシュミット・トリガー回路に供給されて、信号S
Rが所定の正の電位V几を負から正の向きによぎる時点
で高レベルから低レベルに立ち下がシ、その後の接地電
位を逆に正から負の向きによぎる時点で低レベルから高
レベルに立ち上がる信号Szが得られる。そして、導体
X/、Xλ・・・・・XnないしY l+ Y 2・・
・・・Yrllのうちの一番はしの導体X/ないしYl
に電圧VCaが与えられる時点tsがら、その後の信号
Szが最初に立ち」二がる時点t1〕壕での期間におい
て、周期が前述の時間間隔Tsよりも充分短かいクロッ
クパルスがカウンタでカウントされることにより、時点
Lsがら時点t l) ’iでの時間TDが検出され、
この時点tI)におけるカウンタの出力のデータが検出
型4:@、 3 /の位置検出板10上の前述のX方向
ないしY方向の位置の検出出力として取シ出される。
なお、電圧VOOが与えられた導体と検出電極3/との
間に形成される容量Cpは、その導体と検出電極3/と
の距離が大きいほど小さくなるとともに、その導体の幅
が大きいほど大きくなる。
間に形成される容量Cpは、その導体と検出電極3/と
の距離が大きいほど小さくなるとともに、その導体の幅
が大きいほど大きくなる。
そこで、導体X/、XJ・・・・・Xnに色′圧■cc
が順次与えられるX方向の位置の検出のときと、導体Y
/ l Y 、2・・・・・Ymに電圧VOOがl1
liI次与えられるY方向の泣面の検出のときとで、正
、圧■sのJυ大値VPがあまシ変わらないように、第
1図及び第2図に示すように、位置検出板10の面に垂
直な方向において検出電極3/との距離が大きい−F側
の導体Y /、 Y 2・・・・・Ymの幅が、位置検
出板10の面に垂直な方向において検出電極3/との距
離が小さい上側の導体X/、X2・・・・・Xnのそれ
よシ大きくされる。
が順次与えられるX方向の位置の検出のときと、導体Y
/ l Y 、2・・・・・Ymに電圧VOOがl1
liI次与えられるY方向の泣面の検出のときとで、正
、圧■sのJυ大値VPがあまシ変わらないように、第
1図及び第2図に示すように、位置検出板10の面に垂
直な方向において検出電極3/との距離が大きい−F側
の導体Y /、 Y 2・・・・・Ymの幅が、位置検
出板10の面に垂直な方向において検出電極3/との距
離が小さい上側の導体X/、X2・・・・・Xnのそれ
よシ大きくされる。
ところで、導体X/、X、2・・・・・Xn及びY/。
Y、!・・・・・Ymは抵抗を有し、特にこれが前述の
ようにネサ膜にょシ透明電極として形成される場合には
抵抗が比較的大きく、1だ隣シ合う導体のn4Jや上側
の導体と下側の導体の間には浮遊容量が存在する。その
ため、導体X /、 X 2・・・・・XnないしY/
、Y、2・・・・・Ymには、その駆動回路を構成する
スイッチ回路!、2々いし、23のスイッチ、12.
、.2.2.・・・・・2.2nないし23/、 、2
3λ・・・・・、23n、に接続された側の一端から離
れるにつれて、電圧Vccが遅れてカえもれる。第5図
はこれをX方向の位置を検出するためのある導体Xjに
代表させて示したもので、導体X、の長手方向のある点
Pと導体Xjのスイッチ2.2Jに接続された側の一端
aとの間に抵抗RVが存在し、また導体Xjと他の導体
との間に浮遊容量csが存在し、スイッチ、22jが端
子A側から端子B側に切換えられて導体Xjの一端aK
電圧vccが与えられると、この電圧■ccは点Pには
抵抗RVと容量csで構成されるローパスフィルタによ
って遅延されて与えられる。しかも、点Pの一端aに対
する距M、が大きいほど抵抗RVが大きく、ローパスフ
ィルタの遅延時間が大きいので、点Pが他端す寄りであ
るほと電圧VCaが遅れて匂、えられることになる。
ようにネサ膜にょシ透明電極として形成される場合には
抵抗が比較的大きく、1だ隣シ合う導体のn4Jや上側
の導体と下側の導体の間には浮遊容量が存在する。その
ため、導体X /、 X 2・・・・・XnないしY/
、Y、2・・・・・Ymには、その駆動回路を構成する
スイッチ回路!、2々いし、23のスイッチ、12.
、.2.2.・・・・・2.2nないし23/、 、2
3λ・・・・・、23n、に接続された側の一端から離
れるにつれて、電圧Vccが遅れてカえもれる。第5図
はこれをX方向の位置を検出するためのある導体Xjに
代表させて示したもので、導体X、の長手方向のある点
Pと導体Xjのスイッチ2.2Jに接続された側の一端
aとの間に抵抗RVが存在し、また導体Xjと他の導体
との間に浮遊容量csが存在し、スイッチ、22jが端
子A側から端子B側に切換えられて導体Xjの一端aK
電圧vccが与えられると、この電圧■ccは点Pには
抵抗RVと容量csで構成されるローパスフィルタによ
って遅延されて与えられる。しかも、点Pの一端aに対
する距M、が大きいほど抵抗RVが大きく、ローパスフ
ィルタの遅延時間が大きいので、点Pが他端す寄りであ
るほと電圧VCaが遅れて匂、えられることになる。
このため、検出電極3/が絶縁層/3を介して導体Xj
上にあるときについてみると、検出電極3/が導体Xj
の一端a上にあれば、検出電極3/に得られる電圧vs
は第z図Aに示すように一端aに電圧VOOが与えられ
た時点taでただちに最大値Vpに立ち上がるのに対し
て、検出電極3/が図のように導体Xjの一端aがら離
れた点上にあると、電圧vsは第乙図Bに示すように時
点taよシも遅れて最大値V1・に立ち上がシ、しかも
検出電極3/が他端す寄9の点上にあるときほど最大値
Vpに立ち上がるのが遅れる。そのため、前述の第5図
で説明した検出時点toも、検出電極3/が他端す寄9
の点上にあるときほど遅わ、る。
上にあるときについてみると、検出電極3/が導体Xj
の一端a上にあれば、検出電極3/に得られる電圧vs
は第z図Aに示すように一端aに電圧VOOが与えられ
た時点taでただちに最大値Vpに立ち上がるのに対し
て、検出電極3/が図のように導体Xjの一端aがら離
れた点上にあると、電圧vsは第乙図Bに示すように時
点taよシも遅れて最大値V1・に立ち上がシ、しかも
検出電極3/が他端す寄9の点上にあるときほど最大値
Vpに立ち上がるのが遅れる。そのため、前述の第5図
で説明した検出時点toも、検出電極3/が他端す寄9
の点上にあるときほど遅わ、る。
従って、前述の位置検出装置では、X方向の位置を検出
するための導体Xjが第7図Aに示すようにX 1M+
の原点(X方向の零点)上のY軸に垂直な基め、Vj!
Lxに平行に形成されていて、即ちY軸に犯行に形成さ
れていて、検出電極3/が導体X j lにちるときは
、その長手方向であるY方向のどの位置にあってもX方
向の位置の検出のときの前述の検出時間TDが一定にな
るべきものが、一定にはならず、第7図Bの実線/で示
すように461出電極3/が導体Xjの他端す寄りの位
置にあるときほど検出時間TDが大きくなる。即ち、検
出時間TDは、X方向の位置の検出のときは、検出電極
3/のX方向の位置に応じた分子xに対してY方向の位
置に応じた分が誤差として足されたものになってしまう
。
するための導体Xjが第7図Aに示すようにX 1M+
の原点(X方向の零点)上のY軸に垂直な基め、Vj!
Lxに平行に形成されていて、即ちY軸に犯行に形成さ
れていて、検出電極3/が導体X j lにちるときは
、その長手方向であるY方向のどの位置にあってもX方
向の位置の検出のときの前述の検出時間TDが一定にな
るべきものが、一定にはならず、第7図Bの実線/で示
すように461出電極3/が導体Xjの他端す寄りの位
置にあるときほど検出時間TDが大きくなる。即ち、検
出時間TDは、X方向の位置の検出のときは、検出電極
3/のX方向の位置に応じた分子xに対してY方向の位
置に応じた分が誤差として足されたものになってしまう
。
Y方向の位置の検出についても同様で、Y方向の位置を
検出するだめの導体Y、が第g図Aに示すようにY軸の
原点(Y方向の零点)上のY軸に垂直な基準線LYに平
行に形成されていて、即ちY軸に平行に形成されていて
、検出電極3/が導体Yj上にあるときは、その長手方
向であるX方向のどの位置にあってもY方向の位置の検
出のときの検出時間TDが一定になるべきものが、一定
にはならず、第g図Bの実線!で示すように検出電極3
/が導体Yjの駆動回路に接続された側の一端Cとは反
対側の他端d寄りの位置にあるときほど検出時間TDが
大きくなる。即ち、検出時間TDは、Y方向の位置の検
出のときは、検出電極3/のY方向の位置に応じた分子
Yに対してX方向の位置に応じた分が誤差として足され
たものになってし捷う。
検出するだめの導体Y、が第g図Aに示すようにY軸の
原点(Y方向の零点)上のY軸に垂直な基準線LYに平
行に形成されていて、即ちY軸に平行に形成されていて
、検出電極3/が導体Yj上にあるときは、その長手方
向であるX方向のどの位置にあってもY方向の位置の検
出のときの検出時間TDが一定になるべきものが、一定
にはならず、第g図Bの実線!で示すように検出電極3
/が導体Yjの駆動回路に接続された側の一端Cとは反
対側の他端d寄りの位置にあるときほど検出時間TDが
大きくなる。即ち、検出時間TDは、Y方向の位置の検
出のときは、検出電極3/のY方向の位置に応じた分子
Yに対してX方向の位置に応じた分が誤差として足され
たものになってし捷う。
導体の抵抗は導体の幅が小さいほど大きいので、この検
出時間TDにおける誤差分は位16を検出するための導
体の幅が小さいほど大きく、前述のように導体X’/、
Xノ・・・・・Xn0幅が導体Y/。
出時間TDにおける誤差分は位16を検出するための導
体の幅が小さいほど大きく、前述のように導体X’/、
Xノ・・・・・Xn0幅が導体Y/。
Y、2・・・・・Ymのそれより小さくされる場合には
、第7図13の実線/と第g図Bの実線!で対比して示
すようにX方向の位置の検出のときの方がY方向の位置
の検出のときよりも大きく々る。また、この誤差分は前
述の時間間隔Tsが小さくされるjフ1合はど相対的に
大きくなる。
、第7図13の実線/と第g図Bの実線!で対比して示
すようにX方向の位置の検出のときの方がY方向の位置
の検出のときよりも大きく々る。また、この誤差分は前
述の時間間隔Tsが小さくされるjフ1合はど相対的に
大きくなる。
発明の目的
本発明は、以上の点に鑑み、位置を検出するための導体
が抵抗を有していても位置検出出力に誤差を生じ々いよ
うにすることができ、位置を検出するための導体が抵抗
の比較的大きいネサ膜により透明電極として形成される
場合にも誤差のない位置検出出力を得ることができるよ
うにしたものである。
が抵抗を有していても位置検出出力に誤差を生じ々いよ
うにすることができ、位置を検出するための導体が抵抗
の比較的大きいネサ膜により透明電極として形成される
場合にも誤差のない位置検出出力を得ることができるよ
うにしたものである。
発明の概要
不発1j14は、検出時間TDにおける、位置検出板が
第1図のように構成さり、る場合には前述のように誤差
分となる成分が、そもそも誤差分と々らないように、位
置を検出するための導体の、検出電極のイ装置検出板上
の検出されるべき位置の座標軸に対する位置関係を工夫
したものである。
第1図のように構成さり、る場合には前述のように誤差
分となる成分が、そもそも誤差分と々らないように、位
置を検出するための導体の、検出電極のイ装置検出板上
の検出されるべき位置の座標軸に対する位置関係を工夫
したものである。
即ち1、第7図Cに示すように、X方向の位置を検出す
るための導体Xjを、その駆動回路に接続される側の一
端aに対して他端すが前述の基準線LXより遠ざかるよ
うに、基準線L X K対して傾斜させる。同様に、第
ど図Cに示す」:うに、Y方向の位置を検出するための
導体Yjを、その駆動回路に接続される側の一端Cに対
して他端dが前述の基準線LYより遠ざかるように、基
準線LYに対して煩多lさせる。この場合、導体Xjな
いしYjの基準m L X々いしLYに対する傾きは、
第7図Bないし第g図Bで説明した、X方向ないしY方
向の位置の検出のときの検出116間T I)における
前述の誤差分に相当する分の大きさに対応させる。従っ
て、前述のように導体Xjの幅が導体Yjのそれより小
さくされて、X方向の位置の検出のときの方がY方向の
位置の検出のときよりも前述の誤差分に相当する分が大
きくなる場合には、第7図Cと第g図Cで対比して示す
ように導体X、の基準線L xに対する傾きの方を導体
YjのA’+”I” 彩j! L Yに対するそれより
も大きくする。
るための導体Xjを、その駆動回路に接続される側の一
端aに対して他端すが前述の基準線LXより遠ざかるよ
うに、基準線L X K対して傾斜させる。同様に、第
ど図Cに示す」:うに、Y方向の位置を検出するための
導体Yjを、その駆動回路に接続される側の一端Cに対
して他端dが前述の基準線LYより遠ざかるように、基
準線LYに対して煩多lさせる。この場合、導体Xjな
いしYjの基準m L X々いしLYに対する傾きは、
第7図Bないし第g図Bで説明した、X方向ないしY方
向の位置の検出のときの検出116間T I)における
前述の誤差分に相当する分の大きさに対応させる。従っ
て、前述のように導体Xjの幅が導体Yjのそれより小
さくされて、X方向の位置の検出のときの方がY方向の
位置の検出のときよりも前述の誤差分に相当する分が大
きくなる場合には、第7図Cと第g図Cで対比して示す
ように導体X、の基準線L xに対する傾きの方を導体
YjのA’+”I” 彩j! L Yに対するそれより
も大きくする。
このようにすると、検出時間T I)は、前述の誤差分
にnF]当する分を含めて、X方向の位置の検出のとき
は検出電極のX方向の位置に応じたものとなり、Y方向
の位置の検出のときは検出電極のY方向の位置に応じた
ものとなって、検出時間TDにはそもそも誤差分が生じ
ないようになる。
にnF]当する分を含めて、X方向の位置の検出のとき
は検出電極のX方向の位置に応じたものとなり、Y方向
の位置の検出のときは検出電極のY方向の位置に応じた
ものとなって、検出時間TDにはそもそも誤差分が生じ
ないようになる。
実施例
第7図は本発明の位置検出装置の一例で、位置イで0.
13板10は、絶縁層//上【導体Y/、Y、2・・・
・・Y ITIが並行して配列されるとともに、絶縁層
//」―に被着された絶縁層/2上に導体X / IX
、2・・・・・Xnが並行して配列され、さらに図示し
ないが絶縁層7.2上に絶縁層が被着された構造のもの
であるが、特に、導体Xノ、X、2・・・・・X(1が
、そ71tぞれ、そのスイッチ、22. 、22.・・
・・・、22 、、に接続される側の一端aに対して他
端すが1)11述の基f1ξ線LXより遠ざかるように
、基準線L Xに対して傾いて形成され、同様に、導体
Y/+Y!・・・・・Ymが、それぞれ、そのスイッチ
3/。
13板10は、絶縁層//上【導体Y/、Y、2・・・
・・Y ITIが並行して配列されるとともに、絶縁層
//」―に被着された絶縁層/2上に導体X / IX
、2・・・・・Xnが並行して配列され、さらに図示し
ないが絶縁層7.2上に絶縁層が被着された構造のもの
であるが、特に、導体Xノ、X、2・・・・・X(1が
、そ71tぞれ、そのスイッチ、22. 、22.・・
・・・、22 、、に接続される側の一端aに対して他
端すが1)11述の基f1ξ線LXより遠ざかるように
、基準線L Xに対して傾いて形成され、同様に、導体
Y/+Y!・・・・・Ymが、それぞれ、そのスイッチ
3/。
232・・・・・23mに接続される側の一端Cに対し
て他端dが前述の基準線LYより遠ざかるように、基準
線LYに対して傾いて形成される。この場合も下側の導
体Y +Y、!・・・・・7m0幅が上側の/1 導体X/、X、2・・・・・X 11のそれより大きく
され、従って前述のように導体X / + X 、2・
・・・・Xnの基準託ILXに対する傾きの方が導体Y
/ + Y 、2・・・・・Ymの基準線LYに対す
るそれよりも大きくされる。従って、導体X/、X、2
・・・・・Xnと導体Y / + Y−?・・・・・Y
mは直交しない。なお、絶縁層//及び7.2と絶縁層
/、21に被着される絶縁層はそれぞれ透明にされ、導
体X/、X、2・・・・・X 11及びY ノ+ Y
2・・・・・Ylllもそれぞれネサ膜により透明電極
として形成される。
て他端dが前述の基準線LYより遠ざかるように、基準
線LYに対して傾いて形成される。この場合も下側の導
体Y +Y、!・・・・・7m0幅が上側の/1 導体X/、X、2・・・・・X 11のそれより大きく
され、従って前述のように導体X / + X 、2・
・・・・Xnの基準託ILXに対する傾きの方が導体Y
/ + Y 、2・・・・・Ymの基準線LYに対す
るそれよりも大きくされる。従って、導体X/、X、2
・・・・・Xnと導体Y / + Y−?・・・・・Y
mは直交しない。なお、絶縁層//及び7.2と絶縁層
/、21に被着される絶縁層はそれぞれ透明にされ、導
体X/、X、2・・・・・X 11及びY ノ+ Y
2・・・・・Ylllもそれぞれネサ膜により透明電極
として形成される。
−4、クロックパルス発/J−回路グ/から例えばIl
、■bの周波数のクロックパルスCoが得られ、これが
分周回路1.t、2に供給されて例えばクロックパルス
COの万の100 kHzの周波数のクロノクツζシス
Csが得られ、これが分周回路などからなる信号発生回
路≠3に供給されて、回路≠3より、第70図に示すよ
うに、単位検出期間分の周期をイ1し、クロックパルス
C8の一周期分oパルス幅を有する検出開始信号Spと
、信号Sl・に対してクロックパルスC8の一周期分の
時間遅延した駆動開始43号STと、信号SPの一周期
ごとにレベルが反転する検出期間識別信号SXYと、信
号STのうちの信号Sxyが高レベルになる期間Pxに
おけるパルスからなる信号STXと、信号STのうちの
信号SXYが低レベルになる期間PYにおけるパルスか
らなる信号STYが得られる。
、■bの周波数のクロックパルスCoが得られ、これが
分周回路1.t、2に供給されて例えばクロックパルス
COの万の100 kHzの周波数のクロノクツζシス
Csが得られ、これが分周回路などからなる信号発生回
路≠3に供給されて、回路≠3より、第70図に示すよ
うに、単位検出期間分の周期をイ1し、クロックパルス
C8の一周期分oパルス幅を有する検出開始信号Spと
、信号Sl・に対してクロックパルスC8の一周期分の
時間遅延した駆動開始43号STと、信号SPの一周期
ごとにレベルが反転する検出期間識別信号SXYと、信
号STのうちの信号Sxyが高レベルになる期間Pxに
おけるパルスからなる信号STXと、信号STのうちの
信号SXYが低レベルになる期間PYにおけるパルスか
らなる信号STYが得られる。
そして、クロックパルスC8がシフトレジスタ、2 /
l−にシフ1−々ルスとして1(給され、信号818が
ジフトレジスタ。2ゲにスタートパルスとして供給され
て、期間PX内の信号STXの前縁の時点からこれより
一定時間経た時点までの期間PXI)において、シフト
レジスタ2≠の出力端子N/、N2・・・・・Nnに各
々クロックパルスC8の一周期分のパルス幅を有スるパ
ルス信号がクロックパルスCSの一周期分の時間間隔T
sで順次得られ、このパルス信号がスイッチ回路、2.
2のスイッチ22/。
l−にシフ1−々ルスとして1(給され、信号818が
ジフトレジスタ。2ゲにスタートパルスとして供給され
て、期間PX内の信号STXの前縁の時点からこれより
一定時間経た時点までの期間PXI)において、シフト
レジスタ2≠の出力端子N/、N2・・・・・Nnに各
々クロックパルスC8の一周期分のパルス幅を有スるパ
ルス信号がクロックパルスCSの一周期分の時間間隔T
sで順次得られ、このパルス信号がスイッチ回路、2.
2のスイッチ22/。
22ユ・・・・・、22oに供給されて、スイッチ。2
−27+2λノ・・・・・、22oが端子A側から端子
B側にクロックパルスC8の一周期分の時間間隔Tsで
順次切換えられ、これによシ導体X/+X、2・・・・
・X、にそれぞれの一端aから電源端子、2/よりの電
圧Vcr;がクロックパルスC5の一周It、11分の
時間間隔Tsで順次与えられる。
−27+2λノ・・・・・、22oが端子A側から端子
B側にクロックパルスC8の一周期分の時間間隔Tsで
順次切換えられ、これによシ導体X/+X、2・・・・
・X、にそれぞれの一端aから電源端子、2/よりの電
圧Vcr;がクロックパルスC5の一周It、11分の
時間間隔Tsで順次与えられる。
同様ニ、クロックパルスC8がソフトレジスタ、、2夕
にシフトパルスとして供給され、信号ST、が/フトレ
ジスタ、25にスタートパルスとして供給されて、期間
PX内の信号STYのM KHの時点からこれより一定
時間経た時点捷での期間PYDにおいて、シフトレジス
タ2汐の出力端子M7.M2・・・・・M m vc
各々クロックパルスC8の一周期分のパルス幅k 有f
ルハルス信号がクロックパルスC5の一周期分の時間
間隔Tsで順次得られ、このパルス信号がスイッチ回路
、23のスイッチ23/。
にシフトパルスとして供給され、信号ST、が/フトレ
ジスタ、25にスタートパルスとして供給されて、期間
PX内の信号STYのM KHの時点からこれより一定
時間経た時点捷での期間PYDにおいて、シフトレジス
タ2汐の出力端子M7.M2・・・・・M m vc
各々クロックパルスC8の一周期分のパルス幅k 有f
ルハルス信号がクロックパルスC5の一周期分の時間
間隔Tsで順次得られ、このパルス信号がスイッチ回路
、23のスイッチ23/。
、23.2・・・・・、23−に供給されて、スイッチ
23/、23゜・・・・・23mが端子A側から端子B
側にクロックパルスC8の一周期分の時間間隔T8で順
次切換えられ、これにより導体Y / l Y 、2・
・・・・Ymにそれぞれの−&rm Cから電源端子、
2/よりの電圧VOOがクロックパルスCSの一周期分
の時間間隔Tsで順次力えられる。
23/、23゜・・・・・23mが端子A側から端子B
側にクロックパルスC8の一周期分の時間間隔T8で順
次切換えられ、これにより導体Y / l Y 、2・
・・・・Ymにそれぞれの−&rm Cから電源端子、
2/よりの電圧VOOがクロックパルスCSの一周期分
の時間間隔Tsで順次力えられる。
検出′IL極3/は頭部がシールドケース33の外部に
臨まされて位置検出板10上に置かれるとともに、/−
ルドケース33の内部において前述のコンデンサ32を
介して接地される。さらに、検出電極3/はシールドケ
ー733の内部において電界効果トランジスタ3ケのゲ
ートに接続され、トランジスタ31Aのゲートと接地の
間にバイアス抵抗3jが接続される。従って、検出電極
3/にイ()られる電圧VSは、抵抗3jを通じる放電
が生じることによって完全な階段状にならない点は第≠
図に示したものと異なるが、第70図に示すように、期
間PX内の期間PXI)では導体X/、X、2・・・・
・Xnのうちの検出電極3/の位置に最も近い導体に電
圧VOOが力えられたときに最大になり、期間Py内の
期間PYDでは導体Y/、¥、?・・・・・)′n1の
うちの検出電極3/の位置に最も近い導体に電圧Vcc
が力えられたときに最大になる。
臨まされて位置検出板10上に置かれるとともに、/−
ルドケース33の内部において前述のコンデンサ32を
介して接地される。さらに、検出電極3/はシールドケ
ー733の内部において電界効果トランジスタ3ケのゲ
ートに接続され、トランジスタ31Aのゲートと接地の
間にバイアス抵抗3jが接続される。従って、検出電極
3/にイ()られる電圧VSは、抵抗3jを通じる放電
が生じることによって完全な階段状にならない点は第≠
図に示したものと異なるが、第70図に示すように、期
間PX内の期間PXI)では導体X/、X、2・・・・
・Xnのうちの検出電極3/の位置に最も近い導体に電
圧VOOが力えられたときに最大になり、期間Py内の
期間PYDでは導体Y/、¥、?・・・・・)′n1の
うちの検出電極3/の位置に最も近い導体に電圧Vcc
が力えられたときに最大になる。
この検出電極3/に得られる電圧Vsが1h界効果トラ
ンジスタ3グを通じてバンドパスフィルタ3/に供給さ
れて、第10図に示すように電圧VSが最大になる11
6点より一定時間遅れて、!、、1大振幅になる一定周
波数の信号S oが得られ、この信号S 11がシュミ
ット・トリガー回路5.2に供給されて、信号SI+が
所定の正の電位V ILを負から+Eの向きによぎる時
点で高レベルから低レベルに立ち下がり、その後の接地
電位を逆に正から負の向きによぎる時点で低レベルから
高レベルに立ち−にがる信号SZが得られる。
ンジスタ3グを通じてバンドパスフィルタ3/に供給さ
れて、第10図に示すように電圧VSが最大になる11
6点より一定時間遅れて、!、、1大振幅になる一定周
波数の信号S oが得られ、この信号S 11がシュミ
ット・トリガー回路5.2に供給されて、信号SI+が
所定の正の電位V ILを負から+Eの向きによぎる時
点で高レベルから低レベルに立ち下がり、その後の接地
電位を逆に正から負の向きによぎる時点で低レベルから
高レベルに立ち−にがる信号SZが得られる。
そして、信号発牛回銘l13より得られる11ヅ動開始
信号STがRSSフリップフロラ回路j3のセント端子
Sに供給され、シュミット・トリガー回路j、、2の出
力の信号SZが回路j3のリセット乾;子1tに供給さ
れて、回路夕3より、l111間p xないしpyの駆
動期間PXI)ないしPYI)の始めの導体X/ないし
Y/に電圧VCiOが与えられる時点tsである、信号
STの前縁で立ち上がり、その後にバンドパスフィルタ
j/の出力の信号SBが最初に接地電位を正から負の向
きによきる時点t I)である、その後の信号Szの上
向きの矢印で示す最初の立ち上がりで立ち下がる信号G
oが得られる。
信号STがRSSフリップフロラ回路j3のセント端子
Sに供給され、シュミット・トリガー回路j、、2の出
力の信号SZが回路j3のリセット乾;子1tに供給さ
れて、回路夕3より、l111間p xないしpyの駆
動期間PXI)ないしPYI)の始めの導体X/ないし
Y/に電圧VCiOが与えられる時点tsである、信号
STの前縁で立ち上がり、その後にバンドパスフィルタ
j/の出力の信号SBが最初に接地電位を正から負の向
きによきる時点t I)である、その後の信号Szの上
向きの矢印で示す最初の立ち上がりで立ち下がる信号G
oが得られる。
さらに、信号発生回路グ3より得られる検出開始Gj壮
Sj・がカウンタtpのクリア端子CLRに供給されて
、期間PXないしpyの始めの信号SPの1)IJ縁で
カウンタ3−りがクリアされ、クロックパルス発生回路
≠/よシ得られるクロックパルスCOとRSフリップフ
ロップ回路j3の出力の信号G。がアンドゲート回路j
jに供給されて、信号G (Jの高レベルの期間におい
てクロックパルスCOが抜き取られ、このカウンタ31
I−がクリアさ)1.た後の期間PXないしpy内の信
号GOの高レベルの期間においてアンドゲート回路jj
よりイ!)られるクロックパルスがカウンタjグのクロ
ック端子CKに供給されて、カウントされる。即ち、カ
ウンタ311−によって期間PXないしpyにおける信
号GcO高レベルの期間の時間TDが、そのときの検出
電極3/の位置検出板10上の基準線LXに垂直なX方
向ないし基準線LYに垂直なY方向の位置として、検出
される。
Sj・がカウンタtpのクリア端子CLRに供給されて
、期間PXないしpyの始めの信号SPの1)IJ縁で
カウンタ3−りがクリアされ、クロックパルス発生回路
≠/よシ得られるクロックパルスCOとRSフリップフ
ロップ回路j3の出力の信号G。がアンドゲート回路j
jに供給されて、信号G (Jの高レベルの期間におい
てクロックパルスCOが抜き取られ、このカウンタ31
I−がクリアさ)1.た後の期間PXないしpy内の信
号GOの高レベルの期間においてアンドゲート回路jj
よりイ!)られるクロックパルスがカウンタjグのクロ
ック端子CKに供給されて、カウントされる。即ち、カ
ウンタ311−によって期間PXないしpyにおける信
号GcO高レベルの期間の時間TDが、そのときの検出
電極3/の位置検出板10上の基準線LXに垂直なX方
向ないし基準線LYに垂直なY方向の位置として、検出
される。
々お、ンュミット・トリガー回路5.2の出力の信号S
zがRSフリソプフロンプ回路j乙のセット端子Sに供
給され、信号発生回路17−3よシ得られる検出開始信
号sPが回路j乙のリセント端子Rに供給されて、回路
j乙よシカウンタj/lの出力のデータが時間TDを−
示す内容になっている期間で高レベルとなる信号DAが
得られ、この信号DAと、カウンタ、51の出力のデー
タと、信号発生回路≠3よシ得られる検出期間識別信号
SXYがデータ処理回路37に供給されて、回路j7よ
り検出′電極3/の位置検出板10上の基準線LXに重
WJなX方向及び基7q二線LYに垂直なY方向の位置
の検出出力としてのデータがイ:)られる。
zがRSフリソプフロンプ回路j乙のセット端子Sに供
給され、信号発生回路17−3よシ得られる検出開始信
号sPが回路j乙のリセント端子Rに供給されて、回路
j乙よシカウンタj/lの出力のデータが時間TDを−
示す内容になっている期間で高レベルとなる信号DAが
得られ、この信号DAと、カウンタ、51の出力のデー
タと、信号発生回路≠3よシ得られる検出期間識別信号
SXYがデータ処理回路37に供給されて、回路j7よ
り検出′電極3/の位置検出板10上の基準線LXに重
WJなX方向及び基7q二線LYに垂直なY方向の位置
の検出出力としてのデータがイ:)られる。
この本発明の位置検出装置においても、導体X/ 、X
2−−−−・xnないしY/、Y2・・・・・Ymには
、その駆動回路を構成するスイッチ回路、、22ないし
23のスイッチ、121 、.2,2.2・・・・・工
谷ないシ23. 、.23.・・・・・23mに接続さ
れた側の−、端aないしCから離れるについて、電圧V
OOが遅れて与えられる。従って、検出電極3/が導体
X/。
2−−−−・xnないしY/、Y2・・・・・Ymには
、その駆動回路を構成するスイッチ回路、、22ないし
23のスイッチ、121 、.2,2.2・・・・・工
谷ないシ23. 、.23.・・・・・23mに接続さ
れた側の−、端aないしCから離れるについて、電圧V
OOが遅れて与えられる。従って、検出電極3/が導体
X/。
Xλ・・・・・Xnのうちのある導体Xj上にあるとき
についてみると、検出電極3/が導体Xjの他端す寄り
の位置にあるときほど、期間pxにおける検出時点tD
が遅れ、期間PXにおける検出時間TDが大きくなり、
期間Pxにおける検出時間T I)は、導体X、の一端
aのX方向の位置に応じた分に対して検出電極3/のY
方向の位置に応じ10分が足されたものになる。しかし
、本発明では、そもそも導体X、が、その一端aに対し
て他端すが基準線LXより遠ざかるように、基準線LX
に対して傾いて形成されているので、この検出電極3/
のY方向の位置に応じた分は検出電極3/の導体Xjの
一端aに対するX方向の位置に応じたものになり、この
分の大きさに対応して導体Xjの2.1私線LXに対す
る傾きが選定されることにより、期間PXにおける検出
時間T’Dは、結局、検11冒し極3/のX方向の位置
に応じたものになる。
についてみると、検出電極3/が導体Xjの他端す寄り
の位置にあるときほど、期間pxにおける検出時点tD
が遅れ、期間PXにおける検出時間TDが大きくなり、
期間Pxにおける検出時間T I)は、導体X、の一端
aのX方向の位置に応じた分に対して検出電極3/のY
方向の位置に応じ10分が足されたものになる。しかし
、本発明では、そもそも導体X、が、その一端aに対し
て他端すが基準線LXより遠ざかるように、基準線LX
に対して傾いて形成されているので、この検出電極3/
のY方向の位置に応じた分は検出電極3/の導体Xjの
一端aに対するX方向の位置に応じたものになり、この
分の大きさに対応して導体Xjの2.1私線LXに対す
る傾きが選定されることにより、期間PXにおける検出
時間T’Dは、結局、検11冒し極3/のX方向の位置
に応じたものになる。
Vゴ; Ti1lの位置の検出についても同様で、検出
電極3/が導体Y/、Y2・・・・・ymのうちのある
導体Yj上にあるときについてみると、検出電極3/が
導体Yjの他端d寄りの位置にあるときほど、期間py
における検出時点tDが遅れ、期間pyにおける検出時
間T I)が大きくなり、期間PYにおける検出時間T
Dは、導体Yjの一端CのY方向の位置に応じた分に対
して検出電極3/のX方向の位置に応じた分が足された
ものになる。
電極3/が導体Y/、Y2・・・・・ymのうちのある
導体Yj上にあるときについてみると、検出電極3/が
導体Yjの他端d寄りの位置にあるときほど、期間py
における検出時点tDが遅れ、期間pyにおける検出時
間T I)が大きくなり、期間PYにおける検出時間T
Dは、導体Yjの一端CのY方向の位置に応じた分に対
して検出電極3/のX方向の位置に応じた分が足された
ものになる。
しかし、本発明では、そもそも2Q体Y、が、その一端
Cに対して他端dが基BA 綻L yより遠ざかるよう
に、基準線LYに対して傾いて形成されているので、こ
の検出電極3/のX方向の位置に応じた分は検出電極3
/の導体Y、の一端Cに対するY方向の位置に応じたも
のになり、この分の大きさに対応して導体Yjの基準線
LYに対する傾きが選定されることにより、期間PYに
おける検出時間TDは、結局、検出電極3/のY方向の
位置に応じたものになる。
Cに対して他端dが基BA 綻L yより遠ざかるよう
に、基準線LYに対して傾いて形成されているので、こ
の検出電極3/のX方向の位置に応じた分は検出電極3
/の導体Y、の一端Cに対するY方向の位置に応じたも
のになり、この分の大きさに対応して導体Yjの基準線
LYに対する傾きが選定されることにより、期間PYに
おける検出時間TDは、結局、検出電極3/のY方向の
位置に応じたものになる。
発明の効果
本発明によれば、位置検出板10の並行して配列される
複数の導体X/、X、2・・・・・XnないしY/、Y
2・・・・・Yrnを、それぞれ、その駆動回路から所
定の電圧が与えられる一端aないしCに対して他端すな
いしdが、位置検出板10上に配される検出電極3/の
位置検出板10上の検出されるべき位置の座標軸に対し
て垂直な座標原点上の基準E9 L XないしLYより
遠ざかるように、この基準線LXないしLYに対して傾
けて形成するので、導体X/、X、2・・・・・Xrn
ないしY/+Yノ・・・・・ymが抵抗を有していても
位置検出出力に誤差を生じないようにすることができ、
導体Xノ、X、2・・・・・xnないしY / l Y
2 ”・・・Ymが抵抗の比較的大きいネサ膜により
透明電極として形成される場合にも誤差のない位置検出
出力を得ることができる。
複数の導体X/、X、2・・・・・XnないしY/、Y
2・・・・・Yrnを、それぞれ、その駆動回路から所
定の電圧が与えられる一端aないしCに対して他端すな
いしdが、位置検出板10上に配される検出電極3/の
位置検出板10上の検出されるべき位置の座標軸に対し
て垂直な座標原点上の基準E9 L XないしLYより
遠ざかるように、この基準線LXないしLYに対して傾
けて形成するので、導体X/、X、2・・・・・Xrn
ないしY/+Yノ・・・・・ymが抵抗を有していても
位置検出出力に誤差を生じないようにすることができ、
導体Xノ、X、2・・・・・xnないしY / l Y
2 ”・・・Ymが抵抗の比較的大きいネサ膜により
透明電極として形成される場合にも誤差のない位置検出
出力を得ることができる。
第1図は従来の位置検出装置の一例の要部の構成を示す
図、第2図はその位置検出板の断面図、第3図及び第5
図はその動作の説明のための図、第5図及び第6図は導
体の抵抗による影響を説明するための図、第7図及び第
g図は導体の傾きと位置検出出力の関係を説明するだめ
の図、第り図は本発明の位置検出装置の一例の構成を示
す図、第70図はその動作の説明のための波形図である
。 図中、10は位置検出板、//〜/3は絶縁層、X、、
X、−−−−−Xn及びY/、¥2・・・・・Ymは導
体、a及びCはその一端、b及びdはその他端、L X
及びLYは基準線1.2.2..23及びスゲ。 、23は、駆動回路を構成するスイッチ回路及び/フト
レジスク、3/は検出電極である。 代理人 弁理士神原頁昭 −51 ハへl −1□5 冨5図 第6図 窒7図 A B C XX方向 X方向− 検九eFtFill−ro − 第8図 x’xh − 電イ伽31のX方向のイ装置− X方向−
図、第2図はその位置検出板の断面図、第3図及び第5
図はその動作の説明のための図、第5図及び第6図は導
体の抵抗による影響を説明するための図、第7図及び第
g図は導体の傾きと位置検出出力の関係を説明するだめ
の図、第り図は本発明の位置検出装置の一例の構成を示
す図、第70図はその動作の説明のための波形図である
。 図中、10は位置検出板、//〜/3は絶縁層、X、、
X、−−−−−Xn及びY/、¥2・・・・・Ymは導
体、a及びCはその一端、b及びdはその他端、L X
及びLYは基準線1.2.2..23及びスゲ。 、23は、駆動回路を構成するスイッチ回路及び/フト
レジスク、3/は検出電極である。 代理人 弁理士神原頁昭 −51 ハへl −1□5 冨5図 第6図 窒7図 A B C XX方向 X方向− 検九eFtFill−ro − 第8図 x’xh − 電イ伽31のX方向のイ装置− X方向−
Claims (2)
- (1)絶縁層上に複数の導体が並行して配列された位置
検出板と、上記複数の導体にそれぞれの一端の導体が、
それぞれ、上記一端に対して他端が、」二記検出電極の
上記位置検出板上の検出されるべき位[6の座標軸に刻
して垂直な座標原点上の基準線より遠ざかるように、こ
の基準線に苅して傾いて形成され、上記検出電極に得ら
れる電圧にもとづいて、この検出電極の上記位置検出板
上の上記座標軸の方向の位置が検出される位置検出装置
。 - (2)絶縁層が透明で、複数の導体がそれぞれネサ膜に
よ、り透明電極として形成された特許請求の範囲第1項
記載の位置検出装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58183278A JPS6075923A (ja) | 1983-09-30 | 1983-09-30 | 位置検出装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58183278A JPS6075923A (ja) | 1983-09-30 | 1983-09-30 | 位置検出装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6075923A true JPS6075923A (ja) | 1985-04-30 |
JPH0468654B2 JPH0468654B2 (ja) | 1992-11-04 |
Family
ID=16132856
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP58183278A Granted JPS6075923A (ja) | 1983-09-30 | 1983-09-30 | 位置検出装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6075923A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008502051A (ja) * | 2004-06-03 | 2008-01-24 | シナプティックス インコーポレーテッド | 変動幅の検知素子を有する、一層式容量性検知装置 |
JP2008510251A (ja) * | 2004-08-19 | 2008-04-03 | シナプティクス インコーポレイテッド | 深さが変化する検出素子を有する容量性検出装置 |
JP2010066952A (ja) * | 2008-09-10 | 2010-03-25 | Epson Imaging Devices Corp | 抵抗膜型入力装置、入力機能付き表示装置および電子機器 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5384420A (en) * | 1976-12-29 | 1978-07-25 | Ibm | Capacitive tabulation |
-
1983
- 1983-09-30 JP JP58183278A patent/JPS6075923A/ja active Granted
Patent Citations (1)
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