JPS63175883A - 入力機能付マトリクス型表示装置 - Google Patents
入力機能付マトリクス型表示装置Info
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- JPS63175883A JPS63175883A JP62007446A JP744687A JPS63175883A JP S63175883 A JPS63175883 A JP S63175883A JP 62007446 A JP62007446 A JP 62007446A JP 744687 A JP744687 A JP 744687A JP S63175883 A JPS63175883 A JP S63175883A
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- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
- Position Input By Displaying (AREA)
- Liquid Crystal Display Device Control (AREA)
- Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
圧力や光による入力操作によって静電容量或いは静電容
量を接続した抵抗が変化する入力素子を表示素子内或い
は近接して配置し、圧力や光による入力操作を行った時
に、入力素子の静電容量或いは抵抗が変化することによ
り、バスラインのインピーダンス変化となるから、その
インピーダンス変化の有無を検出して、入力座標を読取
るものである。
量を接続した抵抗が変化する入力素子を表示素子内或い
は近接して配置し、圧力や光による入力操作を行った時
に、入力素子の静電容量或いは抵抗が変化することによ
り、バスラインのインピーダンス変化となるから、その
インピーダンス変化の有無を検出して、入力座標を読取
るものである。
本発明は、アクティブマトリクス型液晶表示装置等のマ
トリクス型表示装置に、圧力或いは光等を用いて入力操
作を行うことができる入力機能付マトリクス型表示装置
に関するものである。
トリクス型表示装置に、圧力或いは光等を用いて入力操
作を行うことができる入力機能付マトリクス型表示装置
に関するものである。
CRT (陰極線管)表示装置に於いては、ライトペン
により表示内容を直接指示して入力操作を行うことがで
きる。しかし、マトリクス型表示装置は、線順次方式に
より駆動されるものであるから、点順次方式により駆動
されるCRT表示装置と同様な入力操作を行うことは困
難である。従って、マトリクス型表示装置上に透明な入
力装置を重ねて配置することにより、表示内容を指示し
て入力操作を行う構成が知られている。この場合、新た
に入力装置を必要とするものであるから、マトリクス型
表示装置のみで入力操作を可能とすることが要望されて
いる。
により表示内容を直接指示して入力操作を行うことがで
きる。しかし、マトリクス型表示装置は、線順次方式に
より駆動されるものであるから、点順次方式により駆動
されるCRT表示装置と同様な入力操作を行うことは困
難である。従って、マトリクス型表示装置上に透明な入
力装置を重ねて配置することにより、表示内容を指示し
て入力操作を行う構成が知られている。この場合、新た
に入力装置を必要とするものであるから、マトリクス型
表示装置のみで入力操作を可能とすることが要望されて
いる。
マトリクス型表示装置に入力機能を付加する為に、例え
ば、第8図に示す構成が知られている。
ば、第8図に示す構成が知られている。
即ち、液晶表示パネル等の表示パネル51上に、透明の
タブレット等の座標検出パネル52を載せて、表示パネ
ル51の表示内容を指示して入力を行ったり、或いは、
入力操作を行った内容を表示パネル51に表示させるも
のである。
タブレット等の座標検出パネル52を載せて、表示パネ
ル51の表示内容を指示して入力を行ったり、或いは、
入力操作を行った内容を表示パネル51に表示させるも
のである。
又第9図に示すように、表示パネル51上の一辺に発光
素子53を設け、対向辺に受光素子54を配列して、表
示パネル51上の指示することにより、発光素子53か
らの光が遮られて、受光素子54に入射されなくなるの
で、それを受光素子54によって検出し、指示位置を検
出するものである。
素子53を設け、対向辺に受光素子54を配列して、表
示パネル51上の指示することにより、発光素子53か
らの光が遮られて、受光素子54に入射されなくなるの
で、それを受光素子54によって検出し、指示位置を検
出するものである。
又液晶表示パネルは、ガラス基板間に液晶を封入したも
ので、単純マトリクス型の場合は、互いに直交して配置
されたバスライン55.56の交点に液晶セルが形成さ
れ、等価的にはコンデンサ57で表される。そして、対
向配置されたガラス基板は、周辺のみスペーサを介して
封止されているから、指等により押すことにより、対向
間隔が変化し、それによって等価コンデンサ57の静電
容量が変化する。この静電容量の変化を検出することに
より、指示位置を検出することができる。
ので、単純マトリクス型の場合は、互いに直交して配置
されたバスライン55.56の交点に液晶セルが形成さ
れ、等価的にはコンデンサ57で表される。そして、対
向配置されたガラス基板は、周辺のみスペーサを介して
封止されているから、指等により押すことにより、対向
間隔が変化し、それによって等価コンデンサ57の静電
容量が変化する。この静電容量の変化を検出することに
より、指示位置を検出することができる。
第8図に示す従来例は、表示パネル51の外に入カバネ
ル52を必要とし、この入カバネル52は表示内容を透
過できるように透明である必要がある。従って、高価な
構成となる欠点がある。。
ル52を必要とし、この入カバネル52は表示内容を透
過できるように透明である必要がある。従って、高価な
構成となる欠点がある。。
又第9図に示す従来例は、表示パネル51の周辺に複数
の発光素子53と受光素子54とを配列するものである
から、複雑且つ高価な構成となる欠点がある。
の発光素子53と受光素子54とを配列するものである
から、複雑且つ高価な構成となる欠点がある。
又第10図に示す従来例は、単純マトリクス型液晶パネ
ルに対してのみ適用できるものであり、アクティブマト
リクス型液晶パネル等には適用できないものである。又
静電容量の変化分のみを検出する構成が複雑となる欠点
がある。
ルに対してのみ適用できるものであり、アクティブマト
リクス型液晶パネル等には適用できないものである。又
静電容量の変化分のみを検出する構成が複雑となる欠点
がある。
本発明は、比較的簡単な構成で入力機能を付加すること
を目的とするものである。
を目的とするものである。
本発明の入力機能付マトリクス型表示装置は、第1図を
参照して説明すると、直交配置したスキャンバスライン
やデータバスライン等のバスライン1.2の交点に、薄
膜トランジスタ(以下TPTと略称する)6と液晶セル
フ等からなる表示素子3を接続したマトリクス型表示装
置に於いて、押圧やスポット光入射等による入力操作に
よって、静電容量或いは静電容量9を接続した抵抗8が
変化する入力素子4を、表示素子4の内部或いは近傍に
配置して、バスライン1.2に接続する。
参照して説明すると、直交配置したスキャンバスライン
やデータバスライン等のバスライン1.2の交点に、薄
膜トランジスタ(以下TPTと略称する)6と液晶セル
フ等からなる表示素子3を接続したマトリクス型表示装
置に於いて、押圧やスポット光入射等による入力操作に
よって、静電容量或いは静電容量9を接続した抵抗8が
変化する入力素子4を、表示素子4の内部或いは近傍に
配置して、バスライン1.2に接続する。
又入力素子4がそれぞれ接続されたバスライン1.2の
インピーダンス変化を検出するTPTIOとコンデンサ
11等からなる検出素子5を表示領域外に設けたもので
あり、ドライバ12.13からパルス信号をバスライン
1.2に印加し、入力操作によって入力素子4の静電容
量或いは抵抗が変化することにより、その入力素子4が
接続されたバスライン1.2のインピーダンスが変化し
、それを検出素子5により検出して、入力位置を検出す
るものである。
インピーダンス変化を検出するTPTIOとコンデンサ
11等からなる検出素子5を表示領域外に設けたもので
あり、ドライバ12.13からパルス信号をバスライン
1.2に印加し、入力操作によって入力素子4の静電容
量或いは抵抗が変化することにより、その入力素子4が
接続されたバスライン1.2のインピーダンスが変化し
、それを検出素子5により検出して、入力位置を検出す
るものである。
〔作用〕
入力操作によって入力素子4の静電容量が増加した場合
、或いは抵抗8の値が小さくなった場合は、その入力素
子4が接続されたバスライン1゜2の容量成分が増加し
、ドライバ12.13から加えたパルス信号の波形がな
まることになる。検出素子5は、パルス信号波形がなま
らない状態で印加された場合は、コンデンサ11に蓄積
される電荷が多(なるが、パルス信号波形がなまった場
合は、コンデンサ11に蓄積される電荷が少なくなる。
、或いは抵抗8の値が小さくなった場合は、その入力素
子4が接続されたバスライン1゜2の容量成分が増加し
、ドライバ12.13から加えたパルス信号の波形がな
まることになる。検出素子5は、パルス信号波形がなま
らない状態で印加された場合は、コンデンサ11に蓄積
される電荷が多(なるが、パルス信号波形がなまった場
合は、コンデンサ11に蓄積される電荷が少なくなる。
従って、入力操作に対応してパルス信号波形がなまった
バスライン1,2対応の検出素子5の出力レベルは、他
のバスライン1,2対応の検出素子5の出力レベルより
小さくなるから、入力位置を検出することができる。
バスライン1,2対応の検出素子5の出力レベルは、他
のバスライン1,2対応の検出素子5の出力レベルより
小さくなるから、入力位置を検出することができる。
以下図面を参照して本発明の実施例について詳細に説明
する。
する。
第2図は本発明の一実施例の平面図、第3図(A)は第
2図の入力素子部に於けるA−A ’線に沿った断面図
であり、光入力操作を行う場合について示すものである
。各図に於いて、21.22はガラス基板、23は透明
電極、24はバスライン、25はSiN等の絶縁層、2
6はアモルファスシリコン層、27は透明電極、28は
接続ラインである。この実施例は、アモルファスシリコ
ン層26を光導電素子とし、絶縁層25−(第2図に於
いては図示を省略)を静電容量を形成する為の誘電体と
した入力素子を示すものである。即ち、第1図に示す入
力素子4が構成される。又透明電極27は、バスライン
24にゲートが接続されたTPTのソースに接続されて
いる。
2図の入力素子部に於けるA−A ’線に沿った断面図
であり、光入力操作を行う場合について示すものである
。各図に於いて、21.22はガラス基板、23は透明
電極、24はバスライン、25はSiN等の絶縁層、2
6はアモルファスシリコン層、27は透明電極、28は
接続ラインである。この実施例は、アモルファスシリコ
ン層26を光導電素子とし、絶縁層25−(第2図に於
いては図示を省略)を静電容量を形成する為の誘電体と
した入力素子を示すものである。即ち、第1図に示す入
力素子4が構成される。又透明電極27は、バスライン
24にゲートが接続されたTPTのソースに接続されて
いる。
従って、光を入射すると、アモルファスシリコン層26
の抵抗値が小さくなり、バスライン24と接続ライン2
8との間は、低抵抗を介してコンデンサが接続された構
成となり、光を入射しない非選択バスラインのインピー
ダンスに比較して、光を入射した選択バスラインのイン
ピーダンスが変化することになる。
の抵抗値が小さくなり、バスライン24と接続ライン2
8との間は、低抵抗を介してコンデンサが接続された構
成となり、光を入射しない非選択バスラインのインピー
ダンスに比較して、光を入射した選択バスラインのイン
ピーダンスが変化することになる。
又ガラス基板21.22間に液晶が封入されており、ア
クティブマトリクス型液晶パネルの場合は、一方の透明
電極23が液晶セルの共通対向電極、バスライン24が
スキャンバスライン又はデータバスラインとなる。そし
て、スキャンバスラインにゲートが接続されたTPTの
ドレインがデータバスラインに接続され、ソースが液晶
セルの透明電極27に接続される構成となる。
クティブマトリクス型液晶パネルの場合は、一方の透明
電極23が液晶セルの共通対向電極、バスライン24が
スキャンバスライン又はデータバスラインとなる。そし
て、スキャンバスラインにゲートが接続されたTPTの
ドレインがデータバスラインに接続され、ソースが液晶
セルの透明電極27に接続される構成となる。
又アモルファスシリコン層26は、アクティブマトリク
ス型液晶パネルのTPTを構成する為のアモルファスシ
リコン層と同時に形成することができ、又絶縁層25は
TFTのゲート絶縁膜を形成する時に同時に形成するこ
とができる。従って、第3図(A)に示す構成は従来の
製作工程に比較して特に複雑となることはない。
ス型液晶パネルのTPTを構成する為のアモルファスシ
リコン層と同時に形成することができ、又絶縁層25は
TFTのゲート絶縁膜を形成する時に同時に形成するこ
とができる。従って、第3図(A)に示す構成は従来の
製作工程に比較して特に複雑となることはない。
第3図(B)は第2図の検出素子部のB−B’線に沿っ
た断面図であり、21.22はガラス基板、23はガラ
ス基板22側の液晶セルの共通対向電極、24はガラス
基板21側のバスライン、29はSiN等の検出素子部
TPTのゲート絶縁層、30はアモルファスシリコン膜
からなる検出素子部のTPTの半導体活性層、31はド
レイン電極、32はソース電極、33は液晶を誘電体と
したコンデンサ11 (第1図参照)を形成する為の液
晶セル電極、34はソース電極32を接続する為の接続
ライン、35はガラス基板21.22間を封止する封止
スペーサであり、第2図の右側に示すように、バスライ
ン24がゲート電極となって第1図に示す薄膜トランジ
スタ10が構成される。又電極33に検出端子が接続さ
れている。
た断面図であり、21.22はガラス基板、23はガラ
ス基板22側の液晶セルの共通対向電極、24はガラス
基板21側のバスライン、29はSiN等の検出素子部
TPTのゲート絶縁層、30はアモルファスシリコン膜
からなる検出素子部のTPTの半導体活性層、31はド
レイン電極、32はソース電極、33は液晶を誘電体と
したコンデンサ11 (第1図参照)を形成する為の液
晶セル電極、34はソース電極32を接続する為の接続
ライン、35はガラス基板21.22間を封止する封止
スペーサであり、第2図の右側に示すように、バスライ
ン24がゲート電極となって第1図に示す薄膜トランジ
スタ10が構成される。又電極33に検出端子が接続さ
れている。
なお、電極33を共通対向電極23と対向させて液晶を
誘電体としたコンデンサ11を形成した場合を示すもの
であるが、ガラス基板21上に、この電極33と薄膜誘
電体を介してアース側の電極を設けてコンデンサ11を
形成することもできる。
誘電体としたコンデンサ11を形成した場合を示すもの
であるが、ガラス基板21上に、この電極33と薄膜誘
電体を介してアース側の電極を設けてコンデンサ11を
形成することもできる。
第4図は本発明の一実施例の等何回路であり、R,はバ
スライン抵抗、R2は光導電素子の抵抗、CHはバスラ
インの浮遊容量、C2は付加容量(第1図に於ける静電
容量9、第2図に於ける絶縁層25を誘電体とした静電
容量)、C3は検出容量(第1図に於けるコンデンサ1
1、第2図に於ける電極33と共通対向電極23との間
の静電容ff1)、20はTPTで、第1図に於ける薄
膜トランジスタ10に相当するものである。
スライン抵抗、R2は光導電素子の抵抗、CHはバスラ
インの浮遊容量、C2は付加容量(第1図に於ける静電
容量9、第2図に於ける絶縁層25を誘電体とした静電
容量)、C3は検出容量(第1図に於けるコンデンサ1
1、第2図に於ける電極33と共通対向電極23との間
の静電容ff1)、20はTPTで、第1図に於ける薄
膜トランジスタ10に相当するものである。
第5図は動作説明図であり、バスラインに対する入力パ
ルス信号をV i n、TFT20のゲートに加えられ
る出力パルス信号をV o u t % T F T2
Oのドレイン電極からの出力信号をVsとして示すもの
である。光を入射しない場合の抵抗R2は抵、抗R,に
比較して充分に大きい値であり、付加容量C2は無視で
きる状態となり、又浮遊容量C,は小さいものであるか
ら、バスラインに伝搬するパルス信号は、殆ど抵抗R3
により減衰されるものとなる。
ルス信号をV i n、TFT20のゲートに加えられ
る出力パルス信号をV o u t % T F T2
Oのドレイン電極からの出力信号をVsとして示すもの
である。光を入射しない場合の抵抗R2は抵、抗R,に
比較して充分に大きい値であり、付加容量C2は無視で
きる状態となり、又浮遊容量C,は小さいものであるか
ら、バスラインに伝搬するパルス信号は、殆ど抵抗R3
により減衰されるものとなる。
従って、光を入射しない非選択バスラインに於いては、
(a)に示すように、入力パルス信号Vinに対して出
力パルス信号Voutの波形は、立上り、立下りのなま
りは無視できる程度の劣化となる。これに対して、光を
入射した選択バスラインに於いては、抵抗R2が小さく
なるから、付加容量C2がバスラインに接続された状態
となり、バスラインの容量成分が大きくなることにより
、(b)に示すように、入力パルス信号Vinに対して
出力パルス信号Voutの波形は、立上り、立下りがな
まることになる。
(a)に示すように、入力パルス信号Vinに対して出
力パルス信号Voutの波形は、立上り、立下りのなま
りは無視できる程度の劣化となる。これに対して、光を
入射した選択バスラインに於いては、抵抗R2が小さく
なるから、付加容量C2がバスラインに接続された状態
となり、バスラインの容量成分が大きくなることにより
、(b)に示すように、入力パルス信号Vinに対して
出力パルス信号Voutの波形は、立上り、立下りがな
まることになる。
TPT20は、ゲートに加えられたパルス信号に対応し
て、ソース及びドレイン側にゲート絶縁層を介して電荷
が誘起される。そして、パルス信号がなくなると、誘起
された電荷が検出容量C3に流れて出力信号Vsが得ら
れる。その場合、パルス信号の波形が急峻であると、誘
起された電荷は、パルス信号の立下りによって検出容量
C3に急速に流れ込むが、パルス信号の波形がなまって
いる場合は、誘起された電荷は、パルス信号の立下りの
傾斜に対応して徐々に検出容量C3に流れる込むことに
なり、その間に検出容量C3以外にも漏出するから検出
信号Vsは低い値となる。
て、ソース及びドレイン側にゲート絶縁層を介して電荷
が誘起される。そして、パルス信号がなくなると、誘起
された電荷が検出容量C3に流れて出力信号Vsが得ら
れる。その場合、パルス信号の波形が急峻であると、誘
起された電荷は、パルス信号の立下りによって検出容量
C3に急速に流れ込むが、パルス信号の波形がなまって
いる場合は、誘起された電荷は、パルス信号の立下りの
傾斜に対応して徐々に検出容量C3に流れる込むことに
なり、その間に検出容量C3以外にも漏出するから検出
信号Vsは低い値となる。
従って、バスライン対応のTPT20の出力信号・V
sを所定レベルと比較することにより、光入射を行った
選択バスラインを検出することができる。又その出力信
号Vsの比較タイミングは、入力パルス信号Vinを加
えるタイミング信号を利用して設定することができる。
sを所定レベルと比較することにより、光入射を行った
選択バスラインを検出することができる。又その出力信
号Vsの比較タイミングは、入力パルス信号Vinを加
えるタイミング信号を利用して設定することができる。
又アクティブマトリクス型液晶パネルに於いては、スキ
ャンバスラインにTPTのゲートが接続され、線順次方
式によりスキャンバスラインに順次パルス信号が加えら
れてTPTがオンとなるように制御されるものであるか
ら、そのパルス信号を前述の入力パルス信号として用い
ることもできる。又データバスラインにTPTのドレイ
ンが接続されるものであり、データバスラインに印加す
るデータ電圧は、表示内容によっては0■の場合もある
から、入力操作時には、前述の入力パルス信号Vinに
相当するパルス信号をデータバスラインに印加するよう
に制御することもできる。
ャンバスラインにTPTのゲートが接続され、線順次方
式によりスキャンバスラインに順次パルス信号が加えら
れてTPTがオンとなるように制御されるものであるか
ら、そのパルス信号を前述の入力パルス信号として用い
ることもできる。又データバスラインにTPTのドレイ
ンが接続されるものであり、データバスラインに印加す
るデータ電圧は、表示内容によっては0■の場合もある
から、入力操作時には、前述の入力パルス信号Vinに
相当するパルス信号をデータバスラインに印加するよう
に制御することもできる。
第6図は本発明の他の実施例の説明図であり、指47等
により液晶パネルを押圧して入力する場合を示すもので
ある。同図に於いて、41.42はガラス基板、43は
液晶セルの共通対向電極、44はスキャンバスライン、
45はデータバスライン、46は液晶セルの表示電極で
あって、ガラス基板41.42間に液晶が封入されてい
る。この実施例は、アクティブマトリクス型液晶パネル
の要部を示すもので、TPT等は図示を省略している。
により液晶パネルを押圧して入力する場合を示すもので
ある。同図に於いて、41.42はガラス基板、43は
液晶セルの共通対向電極、44はスキャンバスライン、
45はデータバスライン、46は液晶セルの表示電極で
あって、ガラス基板41.42間に液晶が封入されてい
る。この実施例は、アクティブマトリクス型液晶パネル
の要部を示すもので、TPT等は図示を省略している。
表示内容等に対応して所望の位置を指47等により押圧
すると、ガラス基板42が点線で示すように撓むから、
共通対向電極43とスキャンバスライン44及びデータ
バスライン45との間隔が狭くなり、それらの間の静電
容量が大きくなる。
すると、ガラス基板42が点線で示すように撓むから、
共通対向電極43とスキャンバスライン44及びデータ
バスライン45との間隔が狭くなり、それらの間の静電
容量が大きくなる。
第7図は前述の構成の等価回路を示し、R3はバスライ
ンの抵抗、C,はバスラインの浮遊容量、C3は検出容
量、C4はバスラインの対向容量、20はTPTである
。液晶パネルを押圧しない場合は、対向容量C4は各バ
スラインとも同一であるが、第6図の点線で示すように
押圧して対向間隔を狭くすると、対向容量C4は大きく
なる。
ンの抵抗、C,はバスラインの浮遊容量、C3は検出容
量、C4はバスラインの対向容量、20はTPTである
。液晶パネルを押圧しない場合は、対向容量C4は各バ
スラインとも同一であるが、第6図の点線で示すように
押圧して対向間隔を狭くすると、対向容量C4は大きく
なる。
従って、入力パルス信号Vinに対して、出力パルス信
号Voutの波形はなまることになる。それによって出
力信号Vsはレベルが低くなるから、押圧入力操作の位
置を検出することができる。
号Voutの波形はなまることになる。それによって出
力信号Vsはレベルが低くなるから、押圧入力操作の位
置を検出することができる。
この場合も、入力操作モードとした時に、スキャンバス
ライン44とデータバスライン45とに、位置検出用の
パルス信号を印加するように制御することができる。
ライン44とデータバスライン45とに、位置検出用の
パルス信号を印加するように制御することができる。
以上説明したように、本発明は、バスライン1.2の交
点°に表示素子3を接続したマトリクス型表示装置に於
いて、光或いは押圧等による入力操作によってバスライ
ン1.2のインピーダンスを変化させる静電容量或いは
抵抗に静電容量を接続し、バスライン1,2のインピー
ダンス変化をTPTIOとコンデンサ11等からなる検
出素子5により検出するものであり、単純マトリクス型
液晶パネルのみでなく、アクティブマトリクス型液晶パ
ネルに対しても容易に適用することができる利点がある
。又液晶パネルのみでなく、他の形式のマトリクス型表
示装置にも適用できるものである。
点°に表示素子3を接続したマトリクス型表示装置に於
いて、光或いは押圧等による入力操作によってバスライ
ン1.2のインピーダンスを変化させる静電容量或いは
抵抗に静電容量を接続し、バスライン1,2のインピー
ダンス変化をTPTIOとコンデンサ11等からなる検
出素子5により検出するものであり、単純マトリクス型
液晶パネルのみでなく、アクティブマトリクス型液晶パ
ネルに対しても容易に適用することができる利点がある
。又液晶パネルのみでなく、他の形式のマトリクス型表
示装置にも適用できるものである。
第1図は本発明の原理説明図、第2図は本発明の一実施
例の平面図、第3図(A)は第2図のA−A’線に沿っ
た断面図、第3図(B)は第2図のB−B ’線に沿っ
た断面図、第4図は本発明の一実施例の等価回路、第5
図は本発明の一実施例の動作説明図、第6図は本発明の
他の実施例の説明図、第7図は本発明の他の実施例の等
価回路、第8図、第9図及び第10図は従来例の説明図
である。 1.2はバスライン、3は表示素子、4は入力素子、5
は検出素子、6,10はTFT、7は液晶セル、8は抵
抗、9は静電容量、11はコンデンサ、12.13はド
ライバである。
例の平面図、第3図(A)は第2図のA−A’線に沿っ
た断面図、第3図(B)は第2図のB−B ’線に沿っ
た断面図、第4図は本発明の一実施例の等価回路、第5
図は本発明の一実施例の動作説明図、第6図は本発明の
他の実施例の説明図、第7図は本発明の他の実施例の等
価回路、第8図、第9図及び第10図は従来例の説明図
である。 1.2はバスライン、3は表示素子、4は入力素子、5
は検出素子、6,10はTFT、7は液晶セル、8は抵
抗、9は静電容量、11はコンデンサ、12.13はド
ライバである。
Claims (2)
- (1)、直交配置されたバスライン(1、2)の交点に
、表示素子(3)が接続されたマトリクス型表示装置に
於いて、 入力操作によって静電容量或いは静電容量を接続した抵
抗が変化する入力素子(4)を、前記表示素子(3)の
内部或いは近接して配置し、該入力素子(4)を前記バ
スライン(1、2)に接続し、 前記入力素子(4)が接続された前記バスライン(1、
2)のインピーダンス変化を検出する検出素子(5)を
表示領域外に設けた ことを特徴とする入力機能付マトリクス型表示装置。 - (2)、前記入力素子(4)は、光によって抵抗値が変
化する光伝導素子(8)と、該光伝導素子(8)と直列
に接続された静電容量(9)とによって構成されている
ことを特徴とする前記特許請求の範囲第1項記載の入力
機能付マトリクス型表示装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP744687A JP2548925B2 (ja) | 1987-01-17 | 1987-01-17 | 入力機能付マトリクス型表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP744687A JP2548925B2 (ja) | 1987-01-17 | 1987-01-17 | 入力機能付マトリクス型表示装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63175883A true JPS63175883A (ja) | 1988-07-20 |
JP2548925B2 JP2548925B2 (ja) | 1996-10-30 |
Family
ID=11666066
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP744687A Expired - Fee Related JP2548925B2 (ja) | 1987-01-17 | 1987-01-17 | 入力機能付マトリクス型表示装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2548925B2 (ja) |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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-
1987
- 1987-01-17 JP JP744687A patent/JP2548925B2/ja not_active Expired - Fee Related
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WO2015019533A1 (ja) * | 2013-08-05 | 2015-02-12 | ソニー株式会社 | センサ、入力装置および電子機器 |
JPWO2015019533A1 (ja) * | 2013-08-05 | 2017-03-02 | ソニー株式会社 | センサ、入力装置および電子機器 |
TWI628562B (zh) * | 2013-08-05 | 2018-07-01 | 新力股份有限公司 | Sensor, input device and electronic machine |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2548925B2 (ja) | 1996-10-30 |
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