JPH0468387B2 - - Google Patents
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- JPH0468387B2 JPH0468387B2 JP57186956A JP18695682A JPH0468387B2 JP H0468387 B2 JPH0468387 B2 JP H0468387B2 JP 57186956 A JP57186956 A JP 57186956A JP 18695682 A JP18695682 A JP 18695682A JP H0468387 B2 JPH0468387 B2 JP H0468387B2
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- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 15
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 15
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 11
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 5
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 claims description 4
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 2
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000006552 photochemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 1
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
- C23C16/40—Oxides
- C23C16/401—Oxides containing silicon
- C23C16/402—Silicon dioxide
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Oxygen, Ozone, And Oxides In General (AREA)
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- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は酸化膜の化学蒸着法に関する。
従来、酸化膜の化学蒸着法としては、酸化硅素
膜の化学蒸着法を例にとると、モノシラン
（SiH4）ガスと酸素ガスを窒素ガスをキヤリヤガ
スとし反応室に送り、反応室内の試料温度を200
℃以上400℃程度に保つて酸化硅素膜を試料表面
に形成するのが通例であつた。
膜の化学蒸着法を例にとると、モノシラン
（SiH4）ガスと酸素ガスを窒素ガスをキヤリヤガ
スとし反応室に送り、反応室内の試料温度を200
℃以上400℃程度に保つて酸化硅素膜を試料表面
に形成するのが通例であつた。
しかし、上記従来技術では化学蒸着時の試料温
度が200℃以上と高く保たねばならず、200℃で熱
分解する合成樹脂等の試料上には化学蒸着法で酸
化膜を形成するのが困難であつた。
度が200℃以上と高く保たねばならず、200℃で熱
分解する合成樹脂等の試料上には化学蒸着法で酸
化膜を形成するのが困難であつた。
本発明は、かかる従来技術の欠点をなくし、
200℃以下で酸化膜形成が可能な化学蒸着法を提
供することを目的とする。
200℃以下で酸化膜形成が可能な化学蒸着法を提
供することを目的とする。
上記目的を達成するための本発明の基本的な構
成は、酸化膜の化学蒸着法において、ガス状化合
物または、その混合物ガスと、酸素ガスをオゾン
発生装置を通して生成したオゾン・ガスとを主成
分ガスとして反応室に通し、反応室内に設置され
た試料の温度を200℃以下、常温近く迄の温度に
保ち、該試料表面にガス状化合物の主成分の酸化
物を膜状に形成する事を特徴とする事、および化
合物をモノシラン（SiH4）、形成する酸化膜を酸
化硅素膜とする事を特徴とする。
成は、酸化膜の化学蒸着法において、ガス状化合
物または、その混合物ガスと、酸素ガスをオゾン
発生装置を通して生成したオゾン・ガスとを主成
分ガスとして反応室に通し、反応室内に設置され
た試料の温度を200℃以下、常温近く迄の温度に
保ち、該試料表面にガス状化合物の主成分の酸化
物を膜状に形成する事を特徴とする事、および化
合物をモノシラン（SiH4）、形成する酸化膜を酸
化硅素膜とする事を特徴とする。
第１図は本発明による酸化膜の化学蒸着法の一
実施例を示す化学蒸着装置の模式図である。
実施例を示す化学蒸着装置の模式図である。
石英反応管１内にはアルミニウム支持台１３が
設置され、その上にSiウエーハ試料１４がおかれ
る。Siウエーハ１４は赤外線ランプ１５からの赤
外線により支持台１３を加熱して間接加熱され
る。反応管１には、キヤリヤガスとしてのN2ガ
ス、反応ガスとしてのSiH4ガス、およびO2ガス
がパイプ３，５，４を通し、バルブ６および流量
部７を通つて、O2ガスは無電極放電による遠紫
外光線をO2ガスに照射してオゾン・ガスとする
オゾン生成装置８を通して、パイプ９，１０，１
１を通し、パイプ１２で合流させて、反応ガスが
供給される。排ガスはキヤツプ２に付けられた排
気口１６より外部に排出される。
設置され、その上にSiウエーハ試料１４がおかれ
る。Siウエーハ１４は赤外線ランプ１５からの赤
外線により支持台１３を加熱して間接加熱され
る。反応管１には、キヤリヤガスとしてのN2ガ
ス、反応ガスとしてのSiH4ガス、およびO2ガス
がパイプ３，５，４を通し、バルブ６および流量
部７を通つて、O2ガスは無電極放電による遠紫
外光線をO2ガスに照射してオゾン・ガスとする
オゾン生成装置８を通して、パイプ９，１０，１
１を通し、パイプ１２で合流させて、反応ガスが
供給される。排ガスはキヤツプ２に付けられた排
気口１６より外部に排出される。
上記の装置によりSiウエーハ試料温度を150℃
に保ち、2000Å／Ｂの速度で酸化硅素被膜を形成
することができる。
に保ち、2000Å／Ｂの速度で酸化硅素被膜を形成
することができる。
尚、反応管１の表面から遠紫外線を照射するこ
とにより光化学反応も追加して、一層高効率の学
蒸着を行うこともできる。
とにより光化学反応も追加して、一層高効率の学
蒸着を行うこともできる。
本発明による化学蒸着法は、酸素ガスに紫外線
を照射することにより生成したオゾン・ガスを用
いて、200℃で熱分解する合成樹脂等の試料上に
酸化膜を形成するので酸化膜が200℃以下の低温
で効率よく形成できる効果がある。
を照射することにより生成したオゾン・ガスを用
いて、200℃で熱分解する合成樹脂等の試料上に
酸化膜を形成するので酸化膜が200℃以下の低温
で効率よく形成できる効果がある。
第１図は本発明による酸化膜の化学蒸着法の説
明のための一例を示す化学蒸着装置の模式図であ
る。 １……反応管、２……キヤツプ、３，４，５，
９，１０，１１，１２……パイプ、６……コツ
ク、７……流量計、８……オゾン発生装置、１３
……支持台、１４……試料、１５……赤外線ラン
プ、１６……排出口。
明のための一例を示す化学蒸着装置の模式図であ
る。 １……反応管、２……キヤツプ、３，４，５，
９，１０，１１，１２……パイプ、６……コツ
ク、７……流量計、８……オゾン発生装置、１３
……支持台、１４……試料、１５……赤外線ラン
プ、１６……排出口。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ ガス状化合物と、酸素ガスに紫外線を照射す
ることにより生成したオゾン・ガスとを主成分ガ
スとして反応室へ通す工程、前記反応室内に設置
され、かつ200℃で熱分解する試料の温度を常温
から200℃までの範囲に保つ工程、前記試料上に、
前記主成分ガスに基づいて膜状の酸化物を形成す
る工程を有することを特徴とする酸化膜の化学蒸
着法。 ２ 前記ガス状化合物をモノシランとすることを
特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の酸化膜
の化学蒸着法。 ３ 前記酸化物を形成する工程中に、前記反応室
へ紫外線を照射することを特徴とする特許請求の
範囲第１項に記載の酸化膜の化学蒸着法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18695682A JPS5976870A (ja) | 1982-10-25 | 1982-10-25 | 酸化膜の化学蒸着法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18695682A JPS5976870A (ja) | 1982-10-25 | 1982-10-25 | 酸化膜の化学蒸着法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5976870A JPS5976870A (ja) | 1984-05-02 |
| JPH0468387B2 true JPH0468387B2 (ja) | 1992-11-02 |
Family
ID=16197663
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18695682A Granted JPS5976870A (ja) | 1982-10-25 | 1982-10-25 | 酸化膜の化学蒸着法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5976870A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP3163155A1 (en) | 2015-10-27 | 2017-05-03 | Stanley Electric Co., Ltd. | Diffusion light distribution optical system and vehicle lighting apparatus |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH062948B2 (ja) * | 1986-09-27 | 1994-01-12 | 東京エレクトロン株式会社 | 被処理体の処理方法 |
| JPS63297563A (ja) * | 1987-05-29 | 1988-12-05 | Tokyo Electron Ltd | 被膜形成方法および処理装置 |
| JP2786224B2 (ja) * | 1989-01-23 | 1998-08-13 | アネルバ株式会社 | 薄膜作製装置および方法 |
| JP2751015B2 (ja) * | 1994-12-14 | 1998-05-18 | 東京エレクトロン株式会社 | 被処理体の処理方法 |
-
1982
- 1982-10-25 JP JP18695682A patent/JPS5976870A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP3163155A1 (en) | 2015-10-27 | 2017-05-03 | Stanley Electric Co., Ltd. | Diffusion light distribution optical system and vehicle lighting apparatus |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5976870A (ja) | 1984-05-02 |
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