JPH0466549U - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0466549U JPH0466549U JP11065390U JP11065390U JPH0466549U JP H0466549 U JPH0466549 U JP H0466549U JP 11065390 U JP11065390 U JP 11065390U JP 11065390 U JP11065390 U JP 11065390U JP H0466549 U JPH0466549 U JP H0466549U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- diaphragm portion
- pressure sensor
- silicon diaphragm
- semiconductor pressure
- strain gauge
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims 3
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 claims 1
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Measuring Fluid Pressure (AREA)
Description
第１図は、本考案の実施例に係る半導体圧力セ
ンサの構造を示す断面図、第２図は同じく本考案
の実施例でセンサチツプ部分の斜視図、第３図は
従来の半導体圧力センサの構造を示す断面図、第
４図は同じく従来のセンサチツプ部分の斜視図で
ある。 １……ダイアフラム部、２……半導体歪ゲージ
、３……センサチツプ、４……台座、５……ケー
シング、７……エツチング溝。
ンサの構造を示す断面図、第２図は同じく本考案
の実施例でセンサチツプ部分の斜視図、第３図は
従来の半導体圧力センサの構造を示す断面図、第
４図は同じく従来のセンサチツプ部分の斜視図で
ある。 １……ダイアフラム部、２……半導体歪ゲージ
、３……センサチツプ、４……台座、５……ケー
シング、７……エツチング溝。
Claims (1)
- 歪ゲージの形成されたシリコンダイアフラム部
と、該シリコンダイアフラム部を接合して支持す
る支持部とからなる半導体圧力センサにおいて、
前記シリコンダイアフラム部周辺に溝を設けて前
記支持部からダイアフラム部の歪ゲージに伝わる
熱応力による歪を緩和することを特徴とする半導
体圧力センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11065390U JPH0466549U (ja) | 1990-10-23 | 1990-10-23 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11065390U JPH0466549U (ja) | 1990-10-23 | 1990-10-23 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0466549U true JPH0466549U (ja) | 1992-06-11 |
Family
ID=31858020
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11065390U Pending JPH0466549U (ja) | 1990-10-23 | 1990-10-23 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0466549U (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007057491A (ja) * | 2005-08-26 | 2007-03-08 | Tokai Rika Co Ltd | センサ装置 |
-
1990
- 1990-10-23 JP JP11065390U patent/JPH0466549U/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007057491A (ja) * | 2005-08-26 | 2007-03-08 | Tokai Rika Co Ltd | センサ装置 |
| JP4574496B2 (ja) * | 2005-08-26 | 2010-11-04 | 株式会社東海理化電機製作所 | センサ装置 |