JPH0466484B2 - - Google Patents
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- JPH0466484B2 JPH0466484B2 JP63218060A JP21806088A JPH0466484B2 JP H0466484 B2 JPH0466484 B2 JP H0466484B2 JP 63218060 A JP63218060 A JP 63218060A JP 21806088 A JP21806088 A JP 21806088A JP H0466484 B2 JPH0466484 B2 JP H0466484B2
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- optical output
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
- G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
- G02B6/4219—Mechanical fixtures for holding or positioning the elements relative to each other in the couplings; Alignment methods for the elements, e.g. measuring or observing methods especially used therefor
- G02B6/4236—Fixing or mounting methods of the aligned elements
- G02B6/4238—Soldering
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- Optical Couplings Of Light Guides (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、光送信モジユールの製造装置に関す
る。より詳細には、光LAN、光CATVシステム
などの光通信システムに用いられる光送信モジユ
ールの製造装置に関する。
る。より詳細には、光LAN、光CATVシステム
などの光通信システムに用いられる光送信モジユ
ールの製造装置に関する。
従来の技術
半導体レーザの出力レーザ光は、垂直方向に±
20度、水平方向に±５〜10度前後の広がり角を持
つ。従つて、半導体レーザと光フアイバとを結合
して光送信モジユールを製造する場合、一般には
レンズ結合方式により両者を結合する。
20度、水平方向に±５〜10度前後の広がり角を持
つ。従つて、半導体レーザと光フアイバとを結合
して光送信モジユールを製造する場合、一般には
レンズ結合方式により両者を結合する。
ピグテイル型と呼ばれるモジユール構造では、
ステム上に固定されている半導体レーザ近傍の光
フアイバ固定台にフアイバを固定する。ピグテイ
ル型モジユール構造で、特にシングルモードの先
球フアイバを用いる場合には、±0.2〜0.5μmの位
置精度が必要である。光フアイバを固定する際に
は、ハンダ等の融着金属を用い、光フアイバを通
つた後の光出力をモニタしながら、その出力が最
大となるように光フアイバを微動させて行なつて
いた。
ステム上に固定されている半導体レーザ近傍の光
フアイバ固定台にフアイバを固定する。ピグテイ
ル型モジユール構造で、特にシングルモードの先
球フアイバを用いる場合には、±0.2〜0.5μmの位
置精度が必要である。光フアイバを固定する際に
は、ハンダ等の融着金属を用い、光フアイバを通
つた後の光出力をモニタしながら、その出力が最
大となるように光フアイバを微動させて行なつて
いた。
発明が解決しようとする課題
しかしながら、上記のように光フアイバをハン
ダ付けする時には、近接する半導体レーザも加熱
され、温度上昇に伴つて半導体レーザの光出力
が、第２図に示すグラフのように変化する。その
ため、光フアイバを通つた後の光出力をモニタし
ていても、該光出力の変化が光軸ずれによるもの
か、半導体レーザの温度変化によるものか、を区
別できない。従つて、従来は光フアイバを最適な
位置に固定することが困難であつた。
ダ付けする時には、近接する半導体レーザも加熱
され、温度上昇に伴つて半導体レーザの光出力
が、第２図に示すグラフのように変化する。その
ため、光フアイバを通つた後の光出力をモニタし
ていても、該光出力の変化が光軸ずれによるもの
か、半導体レーザの温度変化によるものか、を区
別できない。従つて、従来は光フアイバを最適な
位置に固定することが困難であつた。
そこで本発明の目的は、上記従来技術の問題点
を解決した、光フアイバを正確に最適な位置に固
定することが可能な光送信モジユールの製造装置
を提供することにある。
を解決した、光フアイバを正確に最適な位置に固
定することが可能な光送信モジユールの製造装置
を提供することにある。
課題を解決するための手段
本発明に従うと、半導体レーザと所定の長さの
光フアイバとを結合した光送信モジユールを、前
記光フアイバを微動させ、前記光フアイバを通つ
た後の前記半導体レーザのレーザ光出力強度から
結合効率が最大となる位置を求め、該位置で前記
光フアイバをハンダ付けして固定することで製造
する装置において、半導体レーザを加熱する加熱
手段と、前記半導体レーザの温度変化を測定する
温度測定手段と、加熱時に前記半導体レーザの温
度変化によつて生じる前記半導体レーザの光出力
変化を測定する第１の光出力測定手段と、前記光
出力変化を記憶する記憶手段と、前記光フアイバ
を通つた後の光出力を測定する第２の光出力測定
手段を具備し、半導体レーザを加熱しつつ前記温
度測定手段により半導体レーザの温度を測定し且
つ前記第１の光出力測定手段により半導体レーザ
の光出力を測定することにより予め得た、前記記
憶手段により記憶されている前記半導体レーザの
光出力と温度との関係に基づいて、前記第２の光
出力測定手段で測定した光出力を補正して、その
補正した光出力により光軸ずれを検知して、前記
半導体レーザと前記光フアイバとの結合効率が最
大となる位置で光フアイバをハンダ付けできるこ
とを特徴とする光送信モジユールの製造装置が提
供される。
光フアイバとを結合した光送信モジユールを、前
記光フアイバを微動させ、前記光フアイバを通つ
た後の前記半導体レーザのレーザ光出力強度から
結合効率が最大となる位置を求め、該位置で前記
光フアイバをハンダ付けして固定することで製造
する装置において、半導体レーザを加熱する加熱
手段と、前記半導体レーザの温度変化を測定する
温度測定手段と、加熱時に前記半導体レーザの温
度変化によつて生じる前記半導体レーザの光出力
変化を測定する第１の光出力測定手段と、前記光
出力変化を記憶する記憶手段と、前記光フアイバ
を通つた後の光出力を測定する第２の光出力測定
手段を具備し、半導体レーザを加熱しつつ前記温
度測定手段により半導体レーザの温度を測定し且
つ前記第１の光出力測定手段により半導体レーザ
の光出力を測定することにより予め得た、前記記
憶手段により記憶されている前記半導体レーザの
光出力と温度との関係に基づいて、前記第２の光
出力測定手段で測定した光出力を補正して、その
補正した光出力により光軸ずれを検知して、前記
半導体レーザと前記光フアイバとの結合効率が最
大となる位置で光フアイバをハンダ付けできるこ
とを特徴とする光送信モジユールの製造装置が提
供される。
作 用
本発明の装置は、半導体レーザの温度変化を測
定しながら、光フアイバのハンダ付けを行うとこ
ろに従来の装置との相違がある。さらに、その
際、予め記憶してある半導体レーザの温度と光出
力の関係を利用して、半導体レーザの温度上昇に
伴う光出力変化の影響を受けずに、光フアイバと
半導体レーザとを最大の結合効率で結合すること
を実現するものである。
定しながら、光フアイバのハンダ付けを行うとこ
ろに従来の装置との相違がある。さらに、その
際、予め記憶してある半導体レーザの温度と光出
力の関係を利用して、半導体レーザの温度上昇に
伴う光出力変化の影響を受けずに、光フアイバと
半導体レーザとを最大の結合効率で結合すること
を実現するものである。
すなわち、上記のような光送信モジユールを製
造するとき、一般に光フアイバをハンダ付けして
固定する。その場合、半導体レーザを発光させ、
光フアイバを通つた後の光出力を測定すること
で、結合効率が最大となる位置を決定し、光フア
イバを固定する。しかしながら、光フアイバをハ
ンダ付けしている間に、半導体レーザも熱せら
れ、温度上昇に伴い光出力が変化するため、従来
は、光フアイバを正確に結合効率が最大となる位
置で固定できなかつた。
造するとき、一般に光フアイバをハンダ付けして
固定する。その場合、半導体レーザを発光させ、
光フアイバを通つた後の光出力を測定すること
で、結合効率が最大となる位置を決定し、光フア
イバを固定する。しかしながら、光フアイバをハ
ンダ付けしている間に、半導体レーザも熱せら
れ、温度上昇に伴い光出力が変化するため、従来
は、光フアイバを正確に結合効率が最大となる位
置で固定できなかつた。
本発明の製造装置を用いて、光送信モジユール
を製造する手順を以下に説明する。まず、温度測
定手段で半導体レーザの温度を測定しながら加熱
手段により半導体レーザを加熱し、温度上昇に伴
う半導体レーザの光出力変化を第１の光出力測定
手段で測定し、記憶手段に記憶する。
を製造する手順を以下に説明する。まず、温度測
定手段で半導体レーザの温度を測定しながら加熱
手段により半導体レーザを加熱し、温度上昇に伴
う半導体レーザの光出力変化を第１の光出力測定
手段で測定し、記憶手段に記憶する。
次にハンダごてをフアイバ固定台に近接させ
て、第２の光出力測定手段により光フアイバを通
つた後の光出力を測定して、光フアイバを通つた
後の光出力が最大になるように光軸を調整してハ
ンダ付けをする。ハンダごてをフアイバ固定台に
近接させると、半導体レーザや固定台が加熱さ
れ、半導体レーザの温度も上昇し、光出力が変化
する。本発明の装置では、半導体レーザの温度と
光出力との対応関係が記憶手段に記憶されている
ので、その温度における半導体レーザの光出力を
参照し、第２の光出力測定手段で測定した光フア
イバを通つた後の光出力を校正して、校正した光
出力により結合効率が最大となるように光フアイ
バの位置を決めてハンダ付けする。
て、第２の光出力測定手段により光フアイバを通
つた後の光出力を測定して、光フアイバを通つた
後の光出力が最大になるように光軸を調整してハ
ンダ付けをする。ハンダごてをフアイバ固定台に
近接させると、半導体レーザや固定台が加熱さ
れ、半導体レーザの温度も上昇し、光出力が変化
する。本発明の装置では、半導体レーザの温度と
光出力との対応関係が記憶手段に記憶されている
ので、その温度における半導体レーザの光出力を
参照し、第２の光出力測定手段で測定した光フア
イバを通つた後の光出力を校正して、校正した光
出力により結合効率が最大となるように光フアイ
バの位置を決めてハンダ付けする。
すなわち、本発明の装置を用いることにより、
光フアイバをハンダ付けする際に、半導体レーザ
の温度上昇による光出力変化の影響を排除して、
光フアイバを通つた後の光出力変化をモニタでき
る。従つて、光フアイバを結合効率が最大となる
位置に従来よりも正確にハンダ付けできる。
光フアイバをハンダ付けする際に、半導体レーザ
の温度上昇による光出力変化の影響を排除して、
光フアイバを通つた後の光出力変化をモニタでき
る。従つて、光フアイバを結合効率が最大となる
位置に従来よりも正確にハンダ付けできる。
本発明の装置は、例えばマイクロコンピユータ
と組み合わせることにより、上記の手順をほぼ自
動化することも可能である。
と組み合わせることにより、上記の手順をほぼ自
動化することも可能である。
以下、本発明を実施例によりさらに詳しく説明
するが、以下の開示は本発明の単なる実施例に過
ぎず、本発明の技術的範囲をなんら制限するもの
ではない。
するが、以下の開示は本発明の単なる実施例に過
ぎず、本発明の技術的範囲をなんら制限するもの
ではない。
実施例
第１図に、本発明の装置の一実施例を示す。第
１図に示す装置は、防振台８上に固定された治具
９で支えられた加熱装置７上に置かれた半導体レ
ーザと周辺回路からなるモジユール１に、光フア
イバ２をハンダ付けするものである。モジユール
１の半導体レーザの温度は、温度センサ３により
測定される。また、上記の半導体レーザの光出力
は、光フアイバ２を通して光パワーメータ５で測
定される。光パワーメータ５は、第１および第２
の光出力測定手段を兼ねている。光フアイバ２と
ハンダごて６とはそれぞれマニユピレータ１０，
１１で支持され、高精度に微動される。
１図に示す装置は、防振台８上に固定された治具
９で支えられた加熱装置７上に置かれた半導体レ
ーザと周辺回路からなるモジユール１に、光フア
イバ２をハンダ付けするものである。モジユール
１の半導体レーザの温度は、温度センサ３により
測定される。また、上記の半導体レーザの光出力
は、光フアイバ２を通して光パワーメータ５で測
定される。光パワーメータ５は、第１および第２
の光出力測定手段を兼ねている。光フアイバ２と
ハンダごて６とはそれぞれマニユピレータ１０，
１１で支持され、高精度に微動される。
最初に光パワーメータ５で測定した上記の半導
体レーザの光出力は、マイクロコンピユータ１３
に記憶される。また、マイクロコンピユータ１３
は、温度センサ３および光パワーメータ５の信号
をもとに、モジユール１および加熱装置７に電力
を供給する電源装置１２、マニユピレータ１０お
よび１１を制御する。
体レーザの光出力は、マイクロコンピユータ１３
に記憶される。また、マイクロコンピユータ１３
は、温度センサ３および光パワーメータ５の信号
をもとに、モジユール１および加熱装置７に電力
を供給する電源装置１２、マニユピレータ１０お
よび１１を制御する。
以下、上記の本実施例の装置により、光送信モ
ジユールを製造する過程を説明する。
ジユールを製造する過程を説明する。
まず、モジユール１の半導体レーザに一定の電
流を流し、加熱装置７によりモジユール１を加熱
して、半導体レーザの温度変化による光出力変化
を光フアイバ２を通して光パワーメータ５で測定
し、マイクロコンピユータ１３に記憶する。
流を流し、加熱装置７によりモジユール１を加熱
して、半導体レーザの温度変化による光出力変化
を光フアイバ２を通して光パワーメータ５で測定
し、マイクロコンピユータ１３に記憶する。
次に、先程と等しい電流を半導体レーザに流
し、半導体レーザの温度を測定しながら、光パワ
ーメータ５で、光フアイバ２を通つた後の光出力
を測定し、結合効率が最大となる位置で光フアイ
バ２をモジユール１にハンダ付けする。その際、
半導体レーザも加熱され、温度上昇に伴つて光出
力が変化する。そこで、マイクロコンピユータ１
３に記憶されている半導体レーザの温度と光出力
との関係から、ハンダ付け中に加熱された半導体
レーザの光出力を求め、光パワーメータ５で測定
した光出力と比較して、結合効率が最大となる位
置に光フアイバ２がハンダ付けされるようマニユ
ピレータ１０および１１を制御する。
し、半導体レーザの温度を測定しながら、光パワ
ーメータ５で、光フアイバ２を通つた後の光出力
を測定し、結合効率が最大となる位置で光フアイ
バ２をモジユール１にハンダ付けする。その際、
半導体レーザも加熱され、温度上昇に伴つて光出
力が変化する。そこで、マイクロコンピユータ１
３に記憶されている半導体レーザの温度と光出力
との関係から、ハンダ付け中に加熱された半導体
レーザの光出力を求め、光パワーメータ５で測定
した光出力と比較して、結合効率が最大となる位
置に光フアイバ２がハンダ付けされるようマニユ
ピレータ１０および１１を制御する。
上記の過程により、ハンダ付けの際の温度変化
による半導体レーザの光出力変化の影響を排除し
て、光フアイバ２を結合効率が最大の位置でハン
ダ付けできるものである。
による半導体レーザの光出力変化の影響を排除し
て、光フアイバ２を結合効率が最大の位置でハン
ダ付けできるものである。
発明の効果
本発明の装置によれば、従来よりも高精度に光
フアイバの位置を決定することができ、高性能な
光送信モジユールを製造することができる。ま
た、本発明の装置は、従来の装置に僅かな改変を
加えるだけで実現でき、YAGレーザ・ハンダ付
け装置のような、高価な局所加熱設備が不要とな
る。
フアイバの位置を決定することができ、高性能な
光送信モジユールを製造することができる。ま
た、本発明の装置は、従来の装置に僅かな改変を
加えるだけで実現でき、YAGレーザ・ハンダ付
け装置のような、高価な局所加熱設備が不要とな
る。
本発明の装置を用いることにより、高価な設備
を用いることなく、光送信モジユールの歩留りが
向上するので、コストの削減を図ることができ、
光通信技術の発展に大きく寄与する。
を用いることなく、光送信モジユールの歩留りが
向上するので、コストの削減を図ることができ、
光通信技術の発展に大きく寄与する。
第１図は、本発明の光送信モジユールの製造装
置の一例の構成図であり、第２図は、半導体レー
ザの温度変化による、光出力特性を示すグラフで
ある。 主な参照番号、１……モジユール、２……光フ
アイバ、３……温度センサ、５……光パワーメー
タ、６……ハンダごて、７……加熱装置、８……
防振台、９……治具、１０，１１……マニユピレ
ータ、１２……電源装置、１３……マイクロコン
ピユータ。
置の一例の構成図であり、第２図は、半導体レー
ザの温度変化による、光出力特性を示すグラフで
ある。 主な参照番号、１……モジユール、２……光フ
アイバ、３……温度センサ、５……光パワーメー
タ、６……ハンダごて、７……加熱装置、８……
防振台、９……治具、１０，１１……マニユピレ
ータ、１２……電源装置、１３……マイクロコン
ピユータ。
Claims (1)
- １ 半導体レーザと所定の長さの光フアイバとを
結合した光送信モジユールを、前記光フアイバを
微動させ、前記光フアイバを通つた後の前記半導
体レーザのレーザ光出力強度から結合効率が最大
となる位置を求め、該位置で前記光フアイバをハ
ンダ付けして固定することで製造する装置におい
て、半導体レーザを加熱する加熱手段と、前記半
導体レーザの温度変化を測定する温度測定手段
と、加熱時に前記半導体レーザの温度変化によつ
て生じる前記半導体レーザの光出力変化を測定す
る第１の光出力測定手段と、前記光出力変化を記
憶する記憶手段と、前記光フアイバを通つた後の
光出力を測定する第２の光出力測定手段を具備
し、半導体レーザを加熱しつつ前記温度測定手段
により半導体レーザの温度を測定し且つ前記第１
の光出力測定手段により半導体レーザの光出力を
測定することにより予め得た、前記記憶手段によ
り記憶されている前記半導体レーザの光出力と温
度との関係に基づいて、前記第２の光出力測定手
段で測定した光出力を補正して、その補正した光
出力により光軸ずれを検知して、前記半導体レー
ザと前記光フアイバとの結合効率が最大となる位
置で光フアイバをハンダ付けできることを特徴と
する光送信モジユールの製造装置。
Priority Applications (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63218060A JPH0266504A (ja) | 1988-08-31 | 1988-08-31 | 光送信モジュールの製造装置 |
| KR1019890011835A KR910009140B1 (ko) | 1988-08-31 | 1989-08-19 | 광송신 모듈의 제조장치 |
| CA000609522A CA1313908C (en) | 1988-08-31 | 1989-08-28 | Apparatus for manufacturing an optical transmission module |
| DE68922255T DE68922255T2 (de) | 1988-08-31 | 1989-08-29 | Eine Vorrichtung für die Herstellung eines optischen Übertragungsmoduls. |
| EP89115903A EP0356988B1 (en) | 1988-08-31 | 1989-08-29 | An apparatus for manufacturing an optical transmission module |
| US07/399,211 US4946246A (en) | 1988-08-31 | 1989-08-29 | Apparatus for manufacturing an optical transmission module |
| US07/533,338 US5033809A (en) | 1988-08-31 | 1990-06-05 | Apparatus for manufacturing an optical transmission module |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63218060A JPH0266504A (ja) | 1988-08-31 | 1988-08-31 | 光送信モジュールの製造装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0266504A JPH0266504A (ja) | 1990-03-06 |
| JPH0466484B2 true JPH0466484B2 (ja) | 1992-10-23 |
Family
ID=16714018
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63218060A Granted JPH0266504A (ja) | 1988-08-31 | 1988-08-31 | 光送信モジュールの製造装置 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US4946246A (ja) |
| EP (1) | EP0356988B1 (ja) |
| JP (1) | JPH0266504A (ja) |
| KR (1) | KR910009140B1 (ja) |
| CA (1) | CA1313908C (ja) |
| DE (1) | DE68922255T2 (ja) |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0266504A (ja) * | 1988-08-31 | 1990-03-06 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 光送信モジュールの製造装置 |
| DE4020143A1 (de) * | 1990-06-25 | 1992-02-20 | Messer Griesheim Gmbh | Schweissstromquelle, insbesondere lichtbogen-schweissstromquelle, mit zusatzaggregaten |
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